JPH0368921A - liquid crystal display device - Google Patents
liquid crystal display deviceInfo
- Publication number
- JPH0368921A JPH0368921A JP1203751A JP20375189A JPH0368921A JP H0368921 A JPH0368921 A JP H0368921A JP 1203751 A JP1203751 A JP 1203751A JP 20375189 A JP20375189 A JP 20375189A JP H0368921 A JPH0368921 A JP H0368921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrate
- varistor
- display device
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はクロストークがほとんどなくかつ輝度の高い液
晶表示装置に係る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a liquid crystal display device with almost no crosstalk and high brightness.
液晶表示装置は、低電圧駆動が可能であり、かつ消費電
力が小さく、またICによって直接駆動できるため、装
置を容易に小型にし、また薄型にできる利点を有する。Liquid crystal display devices can be driven at low voltages, have low power consumption, and can be directly driven by ICs, so they have the advantage that they can be easily made smaller and thinner.
特にTN型液晶は、低電圧、低消費電力の点で優れ、従
来から腕時計、電卓等に広く用いられている。In particular, TN type liquid crystals are excellent in terms of low voltage and low power consumption, and have been widely used in wristwatches, calculators, and the like.
近年、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ等の
情報処理装置の普及に伴い、装置の可搬性、薄型化1.
小型化が求められるようになり、CRTにかわる表示素
子として、液晶表示素子が採用され始めている。上記情
報処理装置においては漢字表示をするために、腕時計、
電卓等の用途に比べその画素数は非常に多くなり、液晶
表示装置の駆動方法も通常X−Y状に電極を交差させる
単純マトリクス駆動回路が用いられる。単純マトリクス
駆動方式において各画素は個々に画素電極が独立してい
ないために隣接画素にも一定の電圧が印加されることと
なり、隣接画素は完全に非表示状態とはならず、いわゆ
るクロストークが発生する場合がある。In recent years, with the spread of information processing devices such as word processors and personal computers, the portability and thinness of the devices have increased.
With the growing demand for miniaturization, liquid crystal display elements are beginning to be adopted as display elements to replace CRTs. In order to display kanji in the above information processing device, wristwatches,
The number of pixels is much larger than in applications such as calculators, and the driving method for liquid crystal display devices is usually a simple matrix drive circuit in which electrodes intersect in an X-Y pattern. In the simple matrix driving method, each pixel does not have an independent pixel electrode, so a constant voltage is also applied to adjacent pixels, and the adjacent pixels are not completely hidden, resulting in so-called crosstalk. This may occur.
このクロストークを改善するために、各画素ごとにダイ
オード、薄膜トランジスタ、バリスタ等の非線形素子を
設ける方法がある。In order to improve this crosstalk, there is a method of providing a nonlinear element such as a diode, thin film transistor, or varistor for each pixel.
しかしながら、数千〜数十万画素にものぼる画素ごとに
ダイオード、薄膜トランジスタ等を、欠陥なしにあるい
は略同−特性に配設することは困難であり、特性のばら
つきが少なく、大面積に形成可能な非線形素子の作製が
望まれていた。However, it is difficult to arrange diodes, thin film transistors, etc. for each pixel, which number from thousands to hundreds of thousands of pixels, without defects or with almost the same characteristics.There is little variation in characteristics and it can be formed over a large area. It has been desired to create a nonlinear element with
一方、面積が大きい表示装置に用いられる液晶の開発が
進み、近年、ポリマーのマトリクス中に液晶の小さな球
を分散させたN CA P (NematicCurv
ilinear Aligned Phase:ネマチ
ック曲線式整列相)液晶、あるいは網目状構造のポリマ
ーマトリクスの空隙部に液晶が連続相として入っている
液晶複合膜のようなポリマー分散型液晶と呼ばれる新規
な液晶技術が開発されている。ポリマー分散型液晶は、
液晶層の厚さの制御が容易なため、大型表示装置の液晶
材料として好適であり、応答時間が早い、偏光板を必要
としない、視野角が広い等の特徴を有している。On the other hand, the development of liquid crystals used in large-area display devices has progressed, and in recent years, N CA P (Nematic Curv
A new liquid crystal technology called polymer-dispersed liquid crystal, such as liquid crystal (ilinear aligned phase) liquid crystal or liquid crystal composite film in which liquid crystal is contained as a continuous phase in the voids of a polymer matrix with a network structure, has been developed. ing. Polymer dispersed liquid crystal is
Since the thickness of the liquid crystal layer can be easily controlled, it is suitable as a liquid crystal material for large-sized display devices, and has characteristics such as fast response time, no need for polarizing plates, and wide viewing angle.
しかしながら、TN型液晶の駆動電圧が5v程度である
のに対して上記のNCAP液晶等の駆動電圧は数十〜数
百V程度と高く、非線形素子として薄膜素子等よりも耐
電圧の高い素子の開発や駆動電圧を低減させることが望
まれていた。However, while the driving voltage of the TN type liquid crystal is about 5V, the driving voltage of the above-mentioned NCAP liquid crystal is high, on the order of tens to hundreds of volts. It was desired to reduce the development and drive voltage.
本発明者らは、主としてバリスタ粉からなる膜を非線形
素子として使用したポリマー分散型液晶層からなる液晶
表示装置を特願昭63−240658号として提案した
。上記提案の液晶表示装置は、クロストークのほとんど
ない表示ができ、また駆動電圧を低減させることができ
る。The present inventors proposed a liquid crystal display device comprising a polymer-dispersed liquid crystal layer using a film mainly composed of varistor powder as a nonlinear element in Japanese Patent Application No. 63-240658. The liquid crystal display device proposed above can perform display with almost no crosstalk and can reduce driving voltage.
C本発明の目的〕
本出願人は上記提案の装置について研究した結果以下の
事実を究明した。すなわち、第4図に示す薄型の液晶表
示装置を形成した場合、第1の基板41a上のバリスタ
膜44の表面の部分と第2の基板41b上の走査線電極
45とが近接するために、第1の基板41a上に設けら
れた信号線43からバリスタ膜44を介して第2の基板
41b上に配設された走査線電極45に電流が流れ易く
なったり、画素電極42からバリスタ膜44を介して走
査線を極45に電流が流れ易くなったりするために、第
1の基板41a上に形成された画素電極42と走査vA
電極45との間の電圧が低下し、所望する輝度の表示が
得られないという問題が発生する。この曵象は液晶Ji
46が薄くなるにつれて顕著になる。C. Purpose of the Present Invention The applicant has researched the above-mentioned proposed device and has discovered the following facts. That is, when forming the thin liquid crystal display device shown in FIG. 4, since the surface portion of the varistor film 44 on the first substrate 41a and the scanning line electrode 45 on the second substrate 41b are close to each other, Current can easily flow from the signal line 43 provided on the first substrate 41a to the scanning line electrode 45 provided on the second substrate 41b via the varistor film 44, or from the pixel electrode 42 to the varistor film 44. The pixel electrode 42 formed on the first substrate 41a and the scanning vA
A problem arises in that the voltage between the display and the electrode 45 decreases, making it impossible to obtain display with desired brightness. This phenomenon is LCD Ji
This becomes more noticeable as 46 becomes thinner.
本発明はこのような問題を解決し、高輝度でクロストー
クの少ない液晶表示装置を提供することを目的とする。It is an object of the present invention to solve these problems and provide a liquid crystal display device with high brightness and less crosstalk.
本発明は、画素電極と、この画素電極と間隔をもって配
設され画素電極に信号を送る信号線と、前記画素電極と
前記信号線とを接続するバリスタとを有する第1の基板
、前記画素電極と対向するように電極が設けられた第2
の基板、及び第1の基板と第2の基板との間に充填され
たポリマー分散型液晶層からなる液晶表示装置において
、第1の基板上に配設されたバリスタと第2の基板上に
配設された電極との間に絶縁手段を設けたことを特徴と
する液晶表示装置に関する。The present invention provides a first substrate having a pixel electrode, a signal line disposed at a distance from the pixel electrode and sending a signal to the pixel electrode, and a varistor connecting the pixel electrode and the signal line; A second electrode is provided facing the second electrode.
In a liquid crystal display device comprising a substrate and a polymer-dispersed liquid crystal layer filled between a first substrate and a second substrate, a varistor disposed on the first substrate and a varistor disposed on the second substrate The present invention relates to a liquid crystal display device characterized in that an insulating means is provided between arranged electrodes.
以下に本発明を図面を参照して説明する。The present invention will be explained below with reference to the drawings.
第1図は、本発明のバリスタ12の表面に絶縁膜のよう
な絶縁手段32を設けた場合の液晶表示装置の部分拡大
縦断面図である。第2図は、第1の基板11上に設けら
れた画素電極14、信号線13及びバリスタ12の配設
の関係を示す平面図であり、第3図は、第2の基板21
上の電極22を示す平面図である。FIG. 1 is a partially enlarged longitudinal sectional view of a liquid crystal display device in which an insulating means 32 such as an insulating film is provided on the surface of the varistor 12 of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing the relationship between the pixel electrode 14, the signal line 13, and the varistor 12 provided on the first substrate 11, and FIG.
FIG. 3 is a plan view showing the upper electrode 22;
第1の基板ll上には、画素電極14及び信号線13が
配設されている。画素電極14と信号線13とは間隔を
もって配置されており、両者はバリスタ12で電気的に
結合されている。画素電極14と信号線13との間隔は
一般に10〜400μmである。第1図においては、第
1の基板上に形成されたバリスタ膜の表面に酸化シリコ
ン膜のような絶縁手段32が設けられている。第2の基
板21上には画素電極14と対向するように走査線電極
22が配設されている。第1の基板11と第2の基板2
1との間にはポリマー分散型液晶層31が挟持されてい
る。ポリマー分散型液晶層31の厚みは、一般には5〜
50μmである。A pixel electrode 14 and a signal line 13 are arranged on the first substrate ll. The pixel electrode 14 and the signal line 13 are spaced apart from each other, and are electrically coupled by a varistor 12. The interval between the pixel electrode 14 and the signal line 13 is generally 10 to 400 μm. In FIG. 1, an insulating means 32 such as a silicon oxide film is provided on the surface of a varistor film formed on a first substrate. A scanning line electrode 22 is arranged on the second substrate 21 so as to face the pixel electrode 14 . First substrate 11 and second substrate 2
1, a polymer-dispersed liquid crystal layer 31 is sandwiched therebetween. The thickness of the polymer-dispersed liquid crystal layer 31 is generally 5 to 5.
It is 50 μm.
前記した絶縁手段としては、例えば両基板間に絶縁膜を
配設することを挙げることができる。As the above-mentioned insulating means, for example, an insulating film may be provided between both substrates.
絶縁膜を形成する材料としては、特に限定されず、絶縁
性を有する物質であればよい。その具体例としては、ポ
リイミド、ポリアミド、ポリエチレン、ポリプロピレン
、ポリエチレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリア
クリレート等の有機材料、酸化シリコン、酸化チタン、
酸化アルごニウム、ガラス等の無機材料を挙げることが
できる。The material for forming the insulating film is not particularly limited, and any material having insulating properties may be used. Specific examples include organic materials such as polyimide, polyamide, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polyurethane, polyacrylate, silicon oxide, titanium oxide,
Inorganic materials such as argonium oxide and glass can be mentioned.
絶縁膜は、例えば、ポリマーを溶剤に溶解し、第1の基
板に配設されたバリスタ上に塗布するか、あるいは第2
の基板に配設された電極上のバリスタに対向する部分に
塗布することにより製造することができる。絶縁膜は、
上記した以外にも使用する材料により種々の方法により
、形成することができ、例えば(1)?8融ポリマーを
バリスタ上や走査線上に塗布することにより、(2)ポ
リイミドや酸化シリコン等のような場合には前駆体を塗
布・焼成することにより、(3)ガラスのような低融点
材料の場合には焼付けることにより、また(4)酸化ア
ルミニウムのような高匙点材料の場合にはミ蒸着あるい
はスパッタリング法により、形成することができる。透
明で絶縁効果の高い酸化シリコン、ポリイミド等の材料
を使用する場合には、基板の全面に塗布してもよい。The insulating film can be formed, for example, by dissolving a polymer in a solvent and applying it on the varistor disposed on the first substrate, or
It can be manufactured by coating a portion of an electrode disposed on a substrate facing a varistor. The insulating film is
In addition to the above, it can be formed by various methods depending on the materials used, for example (1)? By applying an 8-melting polymer on the varistor or scanning line, (2) in the case of polyimide, silicon oxide, etc., by applying and baking a precursor, and (3) in the case of low-melting materials such as glass. (4) In the case of a high point material such as aluminum oxide, it can be formed by vapor deposition or sputtering. When using a material such as silicon oxide or polyimide that is transparent and has a high insulating effect, it may be applied to the entire surface of the substrate.
本発明においては、バリスタを主としてバリスタ粉より
なるバリスタ膜とすれば、基板上の任意の位置及び大き
さにバリスタを作製することができる。さらに、前記バ
リスタ膜を、バリスタ粉を主成分とするペーストを用い
た印刷法によって、画素電極と信号線との間に個別に形
成すれば、薄膜形成技術を用いる場合等と比較して、製
造方法が簡易で、安価であり、広い面積に一度に素子を
作製することが可能であり、特性のバラツキ等が少なく
安定したバリスタ素子を形成することができる。In the present invention, if the varistor is a varistor film mainly made of varistor powder, the varistor can be manufactured at any position and size on the substrate. Furthermore, if the varistor film is formed individually between the pixel electrode and the signal line by a printing method using a paste containing varistor powder as the main component, the manufacturing process will be faster than when using thin film formation technology. The method is simple and inexpensive, and it is possible to manufacture elements over a wide area at once, and it is possible to form stable varistor elements with little variation in characteristics.
バリスタを主としてバリスタ粉よりなるバリスタ膜とす
る場合、粒径のそろったほぼ球形のバリスタ粉を用いる
ことにより、各画素電極と信号線間のバリスタ闇値電圧
がほぼ一定となり、きれいな表示が得られる。バリスタ
粉の粒径は一般には1〜30am、好ましくは2〜20
μmである。When the varistor is a varistor film made mainly of varistor powder, by using varistor powder that is approximately spherical in particle size, the varistor dark value voltage between each pixel electrode and the signal line becomes almost constant, resulting in a clear display. . The particle size of barista powder is generally 1 to 30 am, preferably 2 to 20 am.
It is μm.
本発明で使用するポリマー分散型液晶としては、NCA
P液晶のようなポリマーのマトリクス中に多数のカプセ
ル状の液晶体(球状に限定されない)が分散したものを
挙げることができる。また他のポリマ2−分散型液晶と
して、7.Kaj iyamaらの提案によるChem
istry Letters、679(1979)に記
載されているような網目状構造のポリマー中の空隙部に
液晶が連続相として入っている液晶複合膜を挙げること
ができる。As the polymer-dispersed liquid crystal used in the present invention, NCA
Examples include those in which a large number of capsule-shaped liquid crystals (not limited to spherical ones) are dispersed in a polymer matrix such as P liquid crystal. In addition, as another polymer 2-dispersed liquid crystal, 7. Chem proposed by Kaj iyama et al.
Examples include a liquid crystal composite film in which a liquid crystal is contained as a continuous phase in the voids in a polymer having a network structure, as described in Istry Letters, 679 (1979).
以下、製造例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in further detail by showing production examples.
製造例1
まず、第3図に示した透明な走査電極22を有する基板
21の走査電極22側にポリビニールアルコール2gを
溶かした水溶液20g、液晶5g、黒色二色性色素0.
2gからなるエマルジョンを、100μmのドクターブ
レードを用いて塗布、乾燥し、てポリマー分散型液晶層
(厚さ15μm) 31を形成した。Manufacturing Example 1 First, 20 g of an aqueous solution containing 2 g of polyvinyl alcohol, 5 g of liquid crystal, and 0.0 g of black dichroic dye were placed on the scanning electrode 22 side of the substrate 21 having the transparent scanning electrode 22 shown in FIG.
An emulsion containing 2 g was applied using a 100 μm doctor blade and dried to form a polymer-dispersed liquid crystal layer 31 (thickness: 15 μm).
一方、第2図に示すように、透明電極でできた信号線1
3と画素電極14との間に、印刷法によりバリスタ素子
12 (0,5anX0.5nm、厚さ11μm±3μ
m、バリスタ電圧80V±2V)を形成した。On the other hand, as shown in Fig. 2, the signal line 1 made of transparent electrode
3 and the pixel electrode 14, a varistor element 12 (0.5an x 0.5nm, thickness 11μm±3μ
m, varistor voltage 80V±2V).
次いで有機ケイ素化合物からなる液を第1の基板上に形
成されたバリスタ表面に塗布し500°Cにて焼威しバ
リスタ表面に約1μmの酸化シリコン膜32を形成した
。Next, a liquid made of an organosilicon compound was applied to the surface of the varistor formed on the first substrate and baked at 500° C. to form a silicon oxide film 32 of about 1 μm on the surface of the varistor.
次に酸化シリコン膜32を形成した第1の基板とポリマ
ー分散型液晶層31を形成した第2の基板とを貼り合わ
せた。Next, the first substrate on which the silicon oxide film 32 was formed and the second substrate on which the polymer dispersed liquid crystal layer 31 was formed were bonded together.
この液晶表示装置の信号線13と走査線電極22との間
に交流電圧±140Vでマルチプレックス駆動(デユー
ティ比1/400)したところ、望みの画素部分がクロ
ストークなしに明るく(コントラスト比〜30)点灯す
ることができた。When multiplex driving (duty ratio 1/400) was performed with an AC voltage of ±140 V between the signal line 13 and the scanning line electrode 22 of this liquid crystal display device, the desired pixel portion was bright without crosstalk (contrast ratio ~30 ) could be lit.
製造例2
感光性ポリイミド前駆体を走査線電極22がバターニン
グされている第2の基板上に塗布し、フォトマスクを用
いた露光、次いで現像、焼成の工程を経て、バリスタと
対向する部分に厚み2μmのポリイミド絶縁膜を形成し
た。Production Example 2 A photosensitive polyimide precursor is applied onto the second substrate on which the scanning line electrodes 22 are patterned, and through the steps of exposure using a photomask, development, and baking, the photosensitive polyimide precursor is applied to the portion facing the varistor. A polyimide insulating film with a thickness of 2 μm was formed.
次いで製造例1と同様な方法によりポリマー分散型の液
晶層を形成し、次いで第2図に示すようなバリスタが配
設された第1の基板と貼り合わせた。交流電圧±140
■でマルチプレックス駆動(デユーティ比1/400)
したところ、望みの画素部分がクロストークなしに明る
く(コントラスト比〜28)点灯することができた。Next, a polymer-dispersed liquid crystal layer was formed by the same method as in Production Example 1, and then bonded to a first substrate on which a varistor as shown in FIG. 2 was disposed. AC voltage ±140
■ Multiplex drive (duty ratio 1/400)
As a result, the desired pixel area was able to be lit brightly (contrast ratio ~28) without crosstalk.
なお説明するに際し第2の基板上の信号電極を走査線電
極としたが、必ずしもこれに限定されるものではなく、
駆動時に第1の基板上の信号線を走査してもよい。In the explanation, the signal electrodes on the second substrate are assumed to be scanning line electrodes, but they are not necessarily limited to this.
The signal line on the first substrate may be scanned during driving.
本発明によれば、駆動電圧を低減させるためにポリマー
分散型液晶層の厚みを薄くした場合にも、信号線13か
らバリスタ14を介して走査線電極15に電流が流れる
ことがなく、液晶とバリスタ12との正常なマトリック
ス回路が形成され高輝度であり高コントラスト表示が可
能となる。According to the present invention, even when the thickness of the polymer-dispersed liquid crystal layer is reduced in order to reduce the driving voltage, current does not flow from the signal line 13 to the scanning line electrode 15 via the varistor 14, and the liquid crystal A normal matrix circuit is formed with the varistor 12, allowing high brightness and high contrast display.
第1図は本発明の液晶表示装置の部分縦断面図である。
第2図は第1の基板上の画素電極、信号線及びバリスタ
の配設関係を示す平面図であり、第3図は第2の基板上
の走査線電極を示す図である。
第4図は従来例の液晶表示装置の部分縦断面図である。FIG. 1 is a partial longitudinal sectional view of a liquid crystal display device of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing the arrangement of pixel electrodes, signal lines, and varistors on the first substrate, and FIG. 3 is a diagram showing the scanning line electrodes on the second substrate. FIG. 4 is a partial vertical sectional view of a conventional liquid crystal display device.
Claims (1)
れ画素電極に信号を送る信号線と、前記画素電極と前記
信号線とを接続するバリスタとを有する第1の基板、前
記画素電極と対向するように電極が設けられた第2の基
板、及び第1の基板と第2の基板との間に充填されたポ
リマー分散型液晶層からなる液晶表示装置において、第
1の基板上に配設されたバリスタと第2の基板上に配設
された電極との間に絶縁手段を設けたことを特徴とする
液晶表示装置。(1) A first substrate having a pixel electrode, a signal line disposed at a distance from the pixel electrode and sending a signal to the pixel electrode, and a varistor connecting the pixel electrode and the signal line; In a liquid crystal display device comprising a second substrate provided with electrodes facing each other, and a polymer-dispersed liquid crystal layer filled between the first substrate and the second substrate, A liquid crystal display device characterized in that an insulating means is provided between the provided varistor and the electrode provided on the second substrate.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1203751A JPH0368921A (en) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | liquid crystal display device |
| US07/563,184 US5128785A (en) | 1989-08-08 | 1990-08-06 | Liquid crystal display device substantially free from cross-talk having varistor layers coupled to signal lines and picture electrodes |
| EP19900115135 EP0412497A3 (en) | 1989-08-08 | 1990-08-07 | Liquid crystal display device substantially free from cross-talk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1203751A JPH0368921A (en) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0368921A true JPH0368921A (en) | 1991-03-25 |
Family
ID=16479240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1203751A Pending JPH0368921A (en) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0368921A (en) |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP1203751A patent/JPH0368921A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5000545A (en) | Liquid crystal device with metal electrode partially overlying transparent electrode | |
| WO2000020918A1 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
| JPH01156725A (en) | Display device | |
| US5464990A (en) | Voltage non-linear device and liquid crystal display device incorporating same | |
| JPH10301141A (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| JPH0368921A (en) | liquid crystal display device | |
| JP2580603B2 (en) | Liquid crystal display | |
| JPH0368922A (en) | Liquid crystal display device | |
| JP2945893B1 (en) | Liquid crystal display | |
| JPH0331823A (en) | Production of liquid crystal display device and electrode substrate | |
| JPS63225224A (en) | electro-optical device | |
| JP3092903B2 (en) | Display device | |
| KR100701897B1 (en) | LCD and its manufacturing method | |
| JPH02216130A (en) | liquid crystal display device | |
| JPH0255328A (en) | liquid crystal display device | |
| JP3097948B2 (en) | Manufacturing method of nonlinear element | |
| JPH05341318A (en) | Active matrix liquid crystal display device | |
| JPH02259625A (en) | Liquid crystal display element | |
| JPS62134628A (en) | Storage capacitor address diode type active matrix liquid crystal display device and its driving method | |
| JPH0315027A (en) | Color display device | |
| JPH03116025A (en) | liquid crystal display device | |
| JPH03196018A (en) | Liquid crystal display device | |
| JPH04240821A (en) | Liquid crystal electrooptical device | |
| JPH03116027A (en) | Matrix array substrate | |
| JPH03116017A (en) | Liquid crystal display device |