JPH0369111A - 熱処理方法及び熱処理装置 - Google Patents
熱処理方法及び熱処理装置Info
- Publication number
- JPH0369111A JPH0369111A JP1205530A JP20553089A JPH0369111A JP H0369111 A JPH0369111 A JP H0369111A JP 1205530 A JP1205530 A JP 1205530A JP 20553089 A JP20553089 A JP 20553089A JP H0369111 A JPH0369111 A JP H0369111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- heat treatment
- cooling
- cooling device
- hot plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体ウェハの熱処理方法に関する６［従来の
技術及び発明が解決すべき課題］半導体製造工程のホト
レジスト処理工程においては、半導体ウェハの洗浄水の
脱水のため、あるいは半導体ウェハ表面上に塗布された
レジスト液の溶剤の除去や、レジストのクロスリンキン
グ増進による耐熱性付与などのレジスト物性の安定化。
技術及び発明が解決すべき課題］半導体製造工程のホト
レジスト処理工程においては、半導体ウェハの洗浄水の
脱水のため、あるいは半導体ウェハ表面上に塗布された
レジスト液の溶剤の除去や、レジストのクロスリンキン
グ増進による耐熱性付与などのレジスト物性の安定化。
露光後のパターンの変形軽減のためなどにベーキングが
行われている。ベーキング方法としては。
行われている。ベーキング方法としては。
直接加熱ホットプレート、間接加熱ホットプレート、あ
るいはベルト搬送式オーブン、バッチ式オーブン等で加
熱処理が行われているが、コンパクト化、効率化等の点
でホットプレートが多く採用されている。ホットプレー
トを使用してのベーキングは直接加熱方式と、プロキシ
ミテイと呼ばれる間接加熱方式があり、直接加熱方式で
は熱板の上に半導体ウェハを密着載置して半導体ウェハ
の下方から加熱したり、あるいは熱板の下に設けられた
冷却装置により加熱処理で高温になっている半導体ウェ
ハを常温まで冷却する場合、半導体ウェハ全面の温度分
布は均一で効率もよいが、半導体ウェハと熱板が密着し
ているため、表面にごみが付着したり、Ａｋ製等の熱板
においては重金属汚染の問題があった。また、プロキシ
ミティーベークにおいては熱板との間に設けた間隙によ
り汚染はされないが、温度分布の均一化を確保するため
の上記間隙の精密調節が困難であるとか、伝熱速度が遅
いため処理時間が長時間必要である等の問題もあった。
るいはベルト搬送式オーブン、バッチ式オーブン等で加
熱処理が行われているが、コンパクト化、効率化等の点
でホットプレートが多く採用されている。ホットプレー
トを使用してのベーキングは直接加熱方式と、プロキシ
ミテイと呼ばれる間接加熱方式があり、直接加熱方式で
は熱板の上に半導体ウェハを密着載置して半導体ウェハ
の下方から加熱したり、あるいは熱板の下に設けられた
冷却装置により加熱処理で高温になっている半導体ウェ
ハを常温まで冷却する場合、半導体ウェハ全面の温度分
布は均一で効率もよいが、半導体ウェハと熱板が密着し
ているため、表面にごみが付着したり、Ａｋ製等の熱板
においては重金属汚染の問題があった。また、プロキシ
ミティーベークにおいては熱板との間に設けた間隙によ
り汚染はされないが、温度分布の均一化を確保するため
の上記間隙の精密調節が困難であるとか、伝熱速度が遅
いため処理時間が長時間必要である等の問題もあった。
特に、加熱（例えば９０℃）後、室温まで冷却するのに
密着方式では約２０秒かかるにの対し、プロキシミテイ
一方式では６０秒以上も必要であった。
密着方式では約２０秒かかるにの対し、プロキシミテイ
一方式では６０秒以上も必要であった。
本発明は上記の欠点を解消するためになされたものであ
って、半導体ウェハの汚染がなく、しかも特に冷却にも
速かな対応が可能で処理時間を短縮することができる熱
処理方法を提供することを目的とする。
って、半導体ウェハの汚染がなく、しかも特に冷却にも
速かな対応が可能で処理時間を短縮することができる熱
処理方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するため、本発明の熱処理方法は、加
熱装置と冷却装置とを積層して設けた半導体ウェハの熱
処理装置を前記半導体ウェハの表裏の少くとも一方に間
隙を持たせて配置し、前記加熱装置及び前記冷却装置を
制御して前記半導体ウェハを所望の温度にする。
熱装置と冷却装置とを積層して設けた半導体ウェハの熱
処理装置を前記半導体ウェハの表裏の少くとも一方に間
隙を持たせて配置し、前記加熱装置及び前記冷却装置を
制御して前記半導体ウェハを所望の温度にする。
［作用］
ホットプレートに僅かな間隙を保持して、半導体装置し
て熱処理するプロキシミテイ一方式の熱処理装置におい
て、下方の一方向のみでなく。
て熱処理するプロキシミテイ一方式の熱処理装置におい
て、下方の一方向のみでなく。
上下両方向に加熱装置及び冷却装置を積層して成る熱処
理装置を設けることにより、従来のプロキシミティー装
置における欠点であった長時間必要であった処理時間を
短縮することができる。また、冷却装置を加熱装置と積
層して設け、加熱後高温になっている半導体ウェハを常
温まで冷却する場合、所望の目的温度以下で急速に冷却
を行い、目的温度付近になった時、目的温度以下に冷却
されないよう加熱装置を動作させ、半導体ウェハを目的
温度にする。そのため、プロキシミティ装置における半
導体ウェハ裏面が汚染されないという長所を損うことな
く処理時間特に冷却時間を非常に短縮することができ、
歩留りのよい製造工程とすることができる。
理装置を設けることにより、従来のプロキシミティー装
置における欠点であった長時間必要であった処理時間を
短縮することができる。また、冷却装置を加熱装置と積
層して設け、加熱後高温になっている半導体ウェハを常
温まで冷却する場合、所望の目的温度以下で急速に冷却
を行い、目的温度付近になった時、目的温度以下に冷却
されないよう加熱装置を動作させ、半導体ウェハを目的
温度にする。そのため、プロキシミティ装置における半
導体ウェハ裏面が汚染されないという長所を損うことな
く処理時間特に冷却時間を非常に短縮することができ、
歩留りのよい製造工程とすることができる。
［実施例］
本発明の熱処理方法を半導体ウェハ製造のレジスト塗布
工程の熱処理製造に適用した一実施例を図面を参照して
説明する。
工程の熱処理製造に適用した一実施例を図面を参照して
説明する。
第１図の構成図に示すように、熱処理装置Ｓ□は半導体
ウェハＷの加熱装置であるホットプレートｌ及び冷却装
置２からなり、ホットプレート１は円形平板状の絶縁体
で断熱材である基台３上に薄膜抵抗発熱体４及び熱容量
の極めて小さい絶縁体５を順次積層し、一体化されてい
る。薄膜抵抗発熱体４は、ニッケル、クロム、白金、タ
ングステン等の金属単体及び炭素系単体の他、ニクロム
、ステンレスＳＯ３等の合金、ポリマーグラフトカーボ
ン等のポリマー系複合材料、ケイ化モリブデン等の複合
セラミック材料を含め導電性を有し。
ウェハＷの加熱装置であるホットプレートｌ及び冷却装
置２からなり、ホットプレート１は円形平板状の絶縁体
で断熱材である基台３上に薄膜抵抗発熱体４及び熱容量
の極めて小さい絶縁体５を順次積層し、一体化されてい
る。薄膜抵抗発熱体４は、ニッケル、クロム、白金、タ
ングステン等の金属単体及び炭素系単体の他、ニクロム
、ステンレスＳＯ３等の合金、ポリマーグラフトカーボ
ン等のポリマー系複合材料、ケイ化モリブデン等の複合
セラミック材料を含め導電性を有し。
通電により抵抗発熱体となり得るものならば何れも好適
に使用でき、発熱温度に応じて適切な材質を選択可能で
あって、銅等の電極を取着し、膜厚０．１〜１１００１
Ｌに形成される。これらの薄膜抵抗発熱体４上に設けら
れるＭ！、ｍ体５は電気的絶縁性に優れ、熱伝導性が良
好なアルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素等のセラミック
の他、石英、ルチル等の金属酸化物、耐熱性のよいテフ
ロン等のプラスチックス等遠赤外線を放射しやすい材質
のものならば何れも使用可能であって使用電力により好
適な膜厚に形成される。また、薄膜抵抗発熱体４の下方
に設けられる基台３は薄膜抵抗発熱体４の熱が一方的に
下方に拡散することなく効率よく半導体ウェハＷを加熱
することができるように適度の断熱性と導熱性を兼ね備
えたテフロン、ポリイミド等の樹脂や、アルミナ、炭化
ケイ素等のセラミックスあるいはこれらの材料を上面に
コーティングしたアルミニウム、ＳＯ８等の金属材料等
で作られる。
に使用でき、発熱温度に応じて適切な材質を選択可能で
あって、銅等の電極を取着し、膜厚０．１〜１１００１
Ｌに形成される。これらの薄膜抵抗発熱体４上に設けら
れるＭ！、ｍ体５は電気的絶縁性に優れ、熱伝導性が良
好なアルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素等のセラミック
の他、石英、ルチル等の金属酸化物、耐熱性のよいテフ
ロン等のプラスチックス等遠赤外線を放射しやすい材質
のものならば何れも使用可能であって使用電力により好
適な膜厚に形成される。また、薄膜抵抗発熱体４の下方
に設けられる基台３は薄膜抵抗発熱体４の熱が一方的に
下方に拡散することなく効率よく半導体ウェハＷを加熱
することができるように適度の断熱性と導熱性を兼ね備
えたテフロン、ポリイミド等の樹脂や、アルミナ、炭化
ケイ素等のセラミックスあるいはこれらの材料を上面に
コーティングしたアルミニウム、ＳＯ８等の金属材料等
で作られる。
これらのホットプレート１の下方に設けられる冷却装置
２は冷却媒体例えば図示しない圧縮機と蒸発器を使用し
て冷却ガスを作り、冷却ガス用の循環通路６が形成され
、垂直腿動機構７によりホットプレート１が効率よく半
導体ウェハＷを加熱できるようホットプレート１に着脱
自在に上下動可能になっている。
２は冷却媒体例えば図示しない圧縮機と蒸発器を使用し
て冷却ガスを作り、冷却ガス用の循環通路６が形成され
、垂直腿動機構７によりホットプレート１が効率よく半
導体ウェハＷを加熱できるようホットプレート１に着脱
自在に上下動可能になっている。
また、半導体ウェハＷの温度を制御するため、絶縁体５
には温度センサ８が設けられ、温度センサ８の検知温度
により温度制御装置９が制御信号を発信し、電源装置１
０を制御してｉｌ＃膜抵抗発熱体４及び冷却装置２を操
作するようになっている。
には温度センサ８が設けられ、温度センサ８の検知温度
により温度制御装置９が制御信号を発信し、電源装置１
０を制御してｉｌ＃膜抵抗発熱体４及び冷却装置２を操
作するようになっている。
以上説明の熱処理装置Ｓ工と同様の熱処理装置Ｓ２が半
導体ウェハＷの上面にも設けられ、熱処理装置Ｓ２は冷
却装置２をホットプレートｌに着脱させる垂直駆動機構
７の他に半導体ウェハＷの搬送時及び熱処理時に好適な
間隙ｄｌを保持できるよう、垂直能動機構７１により上
下動されるようになっている。
導体ウェハＷの上面にも設けられ、熱処理装置Ｓ２は冷
却装置２をホットプレートｌに着脱させる垂直駆動機構
７の他に半導体ウェハＷの搬送時及び熱処理時に好適な
間隙ｄｌを保持できるよう、垂直能動機構７１により上
下動されるようになっている。
また、半導体ウェハＷの下方に設けられる熱処理装置Ｓ
１のホットプレートｌは第２図の断面図に示すように３
ケの箱状の孔１１を有し、この孔１１の各側壁にほぼ内
接し、上面が僅かにホットプレート１表面より突出する
ようにセラミック製等からなる球１２が設けられ、ホッ
トプレート１上に半導体ウェハＷを載置した時、間隙ｄ
２を保持するようになっている。ホットプレートｌには
この他にもセンダ又は前処理装置からの搬入及び後処理
装置又はレシーバへの搬出のための図示しないウオーキ
ングビームあるいは搬入出時にホットプレート１の所定
位置に載置するために半導体ウェハをホットプレート１
から上昇させるための垂直移動可能なピン等が設けられ
る。
１のホットプレートｌは第２図の断面図に示すように３
ケの箱状の孔１１を有し、この孔１１の各側壁にほぼ内
接し、上面が僅かにホットプレート１表面より突出する
ようにセラミック製等からなる球１２が設けられ、ホッ
トプレート１上に半導体ウェハＷを載置した時、間隙ｄ
２を保持するようになっている。ホットプレートｌには
この他にもセンダ又は前処理装置からの搬入及び後処理
装置又はレシーバへの搬出のための図示しないウオーキ
ングビームあるいは搬入出時にホットプレート１の所定
位置に載置するために半導体ウェハをホットプレート１
から上昇させるための垂直移動可能なピン等が設けられ
る。
以上のような構成の熱処理装置を採用した本発明の熱処
理方法を説明する。第３図はレジスト塗布装置の処理ラ
インを示しており、センダ１３によりカセット等に収納
された半導体ウェハＷがアドヒージョンユニット１４に
搬送手段により搬送される。アドヒージョンユニット１
４でレジスト膜と半導体ウェハとの密着性向上のため（
ＣＨ，）。
理方法を説明する。第３図はレジスト塗布装置の処理ラ
インを示しており、センダ１３によりカセット等に収納
された半導体ウェハＷがアドヒージョンユニット１４に
搬送手段により搬送される。アドヒージョンユニット１
４でレジスト膜と半導体ウェハとの密着性向上のため（
ＣＨ，）。
５ｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）ａ等の蒸気を塗布、加熱（１０
０℃）され、次の冷却装置１５において常温に冷却され
る。その後コータ１６に搬送され、レジスト膜を塗布後
、前述の熱処理装置Ｓに搬送される。
０℃）され、次の冷却装置１５において常温に冷却され
る。その後コータ１６に搬送され、レジスト膜を塗布後
、前述の熱処理装置Ｓに搬送される。
熱処理装置Ｓは半導体ウニへＷが搬入される前に冷却装
置２を第１図に示す位置より、垂直開動機構７により下
降させ、ホットプレート１より離脱させた後、予め薄膜
抵抗発熱体４を所望の温度（例えば１００℃）になるよ
う電源装置ｆｔ１ｏより電力を供給し発熱させておく、
その後、ピンをホットプレート１より突出させビームで
搬送された半導体ウェハＷがホットプレート１上に間隙
ｄ２（例えば０．１〜０ 、５ ａｍ）を保持して載置
されると熱処理装置Ｓ１と同様に垂直能動機構７により
冷却装置を離脱され予め加熱（例えば１００℃）された
熱処理装置Ｓ２のホットプレートが垂直移動可能７１に
より半導体ウェハＷとの間隙ｄ工（例えば０．５〜５
ｍｍ）を保持して配置される。
置２を第１図に示す位置より、垂直開動機構７により下
降させ、ホットプレート１より離脱させた後、予め薄膜
抵抗発熱体４を所望の温度（例えば１００℃）になるよ
う電源装置ｆｔ１ｏより電力を供給し発熱させておく、
その後、ピンをホットプレート１より突出させビームで
搬送された半導体ウェハＷがホットプレート１上に間隙
ｄ２（例えば０．１〜０ 、５ ａｍ）を保持して載置
されると熱処理装置Ｓ１と同様に垂直能動機構７により
冷却装置を離脱され予め加熱（例えば１００℃）された
熱処理装置Ｓ２のホットプレートが垂直移動可能７１に
より半導体ウェハＷとの間隙ｄ工（例えば０．５〜５
ｍｍ）を保持して配置される。
半導体ウェハＷは、約４０秒間加熱処理されると熱処理
装置Ｓ、及びＳ２の冷却装置２が常温２３℃まで冷却す
るためにそれぞれホットプレート１に装着される。この
時、冷却装置の冷却媒体の通路６に−２０〜−４０℃の
フレオン等を循環させることにより第４図に示すよう現
行の１５〜２０℃の冷却水を循環させた場合の半導体ウ
ェハＷの冷却に要する時間（破線で示す）より実線で示
すようにはるかに短時間で冷却され、Ｔ工秒後に温度セ
ンサ８により常温近傍になった事が検知されると、温度
制御装置９により、自動的に電源装置９を開動して薄膜
抵抗発熱体４をＯＮＬ、て冷却装置２と薄膜抵抗発熱体
４を同時に併用して常温以下の温度への過冷却を防止す
る。このように急速な冷却をされ、処理が終了すると熱
処理装置Ｓ２は垂直開動機構７１により上方に上げられ
、半導体ウェハＷは図示しないピン等でホットプレート
１の上方に支持されてウオーキングビーム等でレシーバ
１７に搬送され、カセット等に収納される。
装置Ｓ、及びＳ２の冷却装置２が常温２３℃まで冷却す
るためにそれぞれホットプレート１に装着される。この
時、冷却装置の冷却媒体の通路６に−２０〜−４０℃の
フレオン等を循環させることにより第４図に示すよう現
行の１５〜２０℃の冷却水を循環させた場合の半導体ウ
ェハＷの冷却に要する時間（破線で示す）より実線で示
すようにはるかに短時間で冷却され、Ｔ工秒後に温度セ
ンサ８により常温近傍になった事が検知されると、温度
制御装置９により、自動的に電源装置９を開動して薄膜
抵抗発熱体４をＯＮＬ、て冷却装置２と薄膜抵抗発熱体
４を同時に併用して常温以下の温度への過冷却を防止す
る。このように急速な冷却をされ、処理が終了すると熱
処理装置Ｓ２は垂直開動機構７１により上方に上げられ
、半導体ウェハＷは図示しないピン等でホットプレート
１の上方に支持されてウオーキングビーム等でレシーバ
１７に搬送され、カセット等に収納される。
上記説明は１００℃に加熱後常温に冷却する方法を説明
したが例えば−２０℃から３０℃制御可能な冷却装置と
、３０℃から２５０℃の温度制御範囲を有する加熱装置
を用いれば一２０℃から２５０℃までの温度範囲に亘っ
て制御可能となり広範囲の所望温度が制御できる。
したが例えば−２０℃から３０℃制御可能な冷却装置と
、３０℃から２５０℃の温度制御範囲を有する加熱装置
を用いれば一２０℃から２５０℃までの温度範囲に亘っ
て制御可能となり広範囲の所望温度が制御できる。
尚、本発明における冷却装置として一般に産業機械に広
く使用されている冷凍サイクル（例えばコンプレッサ、
蒸発器、凝縮器から成る）を採用してもよい、この場合
高い信頼性と安全性とを確保することが可能となる。
く使用されている冷凍サイクル（例えばコンプレッサ、
蒸発器、凝縮器から成る）を採用してもよい、この場合
高い信頼性と安全性とを確保することが可能となる。
以上の説明は本発明の熱処理方法の一実施例であって、
本発明はこれに限定されるものではない。
本発明はこれに限定されるものではない。
即ち、加熱装置と冷却装置を同時に併用可能であって各
々随時動作することができるものであって、上方及び下
方の装置の冷却及び加熱装置を各々組合わせて使用する
ことができる。また、設置される熱処理装置は上下２方
向とは限定されず、多数使用することもできるし、又、
加熱装置と冷却装置もこれに限定するものでなく、公知
のものも使用可能である。
々随時動作することができるものであって、上方及び下
方の装置の冷却及び加熱装置を各々組合わせて使用する
ことができる。また、設置される熱処理装置は上下２方
向とは限定されず、多数使用することもできるし、又、
加熱装置と冷却装置もこれに限定するものでなく、公知
のものも使用可能である。
［発明の効果］
以上の説明からも明らかなように１本発明の熱処理方法
によれば、半導体ウェハの裏面の汚染及び重金属汚染が
なく、クリーンな処理が行え、しかも上下両方向にそれ
ぞれ冷却装置を加熱装置に着脱自在に設けるため加熱時
も効率よく加熱でき。
によれば、半導体ウェハの裏面の汚染及び重金属汚染が
なく、クリーンな処理が行え、しかも上下両方向にそれ
ぞれ冷却装置を加熱装置に着脱自在に設けるため加熱時
も効率よく加熱でき。
冷却時も急冷して加熱装置を併用して目的温度にするた
め処理時間を非常に短縮することができる。
め処理時間を非常に短縮することができる。
第１図は本発明の熱処理方法を適用した一実施例の熱処
理装置の構成図、第２図は第１図に示す一実施例の要部
を示す断面図、第３図は第１図に示す一実施例を用いた
熱処理工程を示す図、第４図は一実施例を説明する図で
ある。 Ｓｌ、Ｓ２・・・・・・熱処理装置 Ｗ・・・・・・・・・・・・半導体ウニハト・・・・・
・・・・・・ホットプレート（熱処理装置）２・・・・
・・・・・・・・冷却装置 ｄ工、ｄ２・・・・・・間隙
理装置の構成図、第２図は第１図に示す一実施例の要部
を示す断面図、第３図は第１図に示す一実施例を用いた
熱処理工程を示す図、第４図は一実施例を説明する図で
ある。 Ｓｌ、Ｓ２・・・・・・熱処理装置 Ｗ・・・・・・・・・・・・半導体ウニハト・・・・・
・・・・・・ホットプレート（熱処理装置）２・・・・
・・・・・・・・冷却装置 ｄ工、ｄ２・・・・・・間隙
Claims (1)
- 加熱装置と冷却装置とを積層して設けた半導体ウェハの
熱処理装置を前記半導体ウェハの表裏の少くとも一方に
間隙を持たせて配置し、前記加熱装置及び前記冷却装置
を制御して前記半導体ウェハを所望の温度にすることを
特徴とする熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1205530A JP2901653B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1205530A JP2901653B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369111A true JPH0369111A (ja) | 1991-03-25 |
| JP2901653B2 JP2901653B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=16508414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1205530A Expired - Fee Related JP2901653B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2901653B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169824A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-07-04 | Anelva Corp | 基板加熱・冷却機構 |
| JPH07273175A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-20 | Ngk Insulators Ltd | 保持装置 |
| US5859408A (en) * | 1994-06-28 | 1999-01-12 | Btg International Limited | Apparatus for uniformly heating a substrate |
| US5911896A (en) * | 1997-06-25 | 1999-06-15 | Brooks Automation, Inc. | Substrate heating apparatus with glass-ceramic panels and thin film ribbon heater element |
| US6097005A (en) * | 1998-08-20 | 2000-08-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2000331910A (ja) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Ushio Inc | レジスト硬化装置 |
| JP2001160528A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Fenwall Controls Of Japan Ltd | 温度制御方法 |
| US6450803B2 (en) | 1998-01-12 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| JP2007067111A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法 |
| KR100745062B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2007-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 제조장치 |
| JP2008003409A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Canon Inc | 光学機器 |
| JP2008153290A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Ibiden Co Ltd | ホットプレートユニット |
| CN110571172A (zh) * | 2019-09-06 | 2019-12-13 | 大同新成新材料股份有限公司 | 一种硅晶圆制造方法及制造装置 |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP1205530A patent/JP2901653B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169824A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-07-04 | Anelva Corp | 基板加熱・冷却機構 |
| JPH07273175A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-20 | Ngk Insulators Ltd | 保持装置 |
| US5859408A (en) * | 1994-06-28 | 1999-01-12 | Btg International Limited | Apparatus for uniformly heating a substrate |
| US5911896A (en) * | 1997-06-25 | 1999-06-15 | Brooks Automation, Inc. | Substrate heating apparatus with glass-ceramic panels and thin film ribbon heater element |
| US6450803B2 (en) | 1998-01-12 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| US6097005A (en) * | 1998-08-20 | 2000-08-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US6605814B1 (en) * | 1999-05-20 | 2003-08-12 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Apparatus for curing resist |
| JP2000331910A (ja) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Ushio Inc | レジスト硬化装置 |
| JP2001160528A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Fenwall Controls Of Japan Ltd | 温度制御方法 |
| KR100745062B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2007-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 제조장치 |
| JP2007067111A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法 |
| JP2008003409A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Canon Inc | 光学機器 |
| JP2008153290A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Ibiden Co Ltd | ホットプレートユニット |
| CN110571172A (zh) * | 2019-09-06 | 2019-12-13 | 大同新成新材料股份有限公司 | 一种硅晶圆制造方法及制造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2901653B2 (ja) | 1999-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0369111A (ja) | 熱処理方法及び熱処理装置 | |
| US6018616A (en) | Thermal cycling module and process using radiant heat | |
| JP3380988B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US5151871A (en) | Method for heat-processing semiconductor device and apparatus for the same | |
| US6359264B1 (en) | Thermal cycling module | |
| US7410355B2 (en) | Method for the heat treatment of substrates | |
| US20060127067A1 (en) | Fast heating and cooling wafer handling assembly and method of manufacturing thereof | |
| JPS6411712B2 (ja) | ||
| JPS59152618A (ja) | 加熱処理方法およびその装置 | |
| JP2006523379A (ja) | 基板を処理する処理システムおよび方法 | |
| JP2003318182A (ja) | 低温下における半導体フィルムの加熱処理装置 | |
| JPH11168056A (ja) | ウェハ保持装置 | |
| US2651702A (en) | Burning-in machine | |
| JP2002540610A (ja) | セラミック箔にギザギザをつけたプレートとガスアシストとを有する複合型ヒータ | |
| JP2717108B2 (ja) | レジスト処理方法 | |
| JPS60137027A (ja) | 光照射加熱方法 | |
| KR101142609B1 (ko) | 고온 열처리 시편 표면 분석 장치 및 이를 이용한 고온 열처리 시편 표면 분석 방법 | |
| JPS6294925A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH09289152A (ja) | 基板熱処理装置 | |
| JP2778597B2 (ja) | 加熱装置 | |
| JPS61168920A (ja) | 物品処理装置 | |
| JP2923332B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置、ならびに加熱体の制御方法 | |
| JP2691907B2 (ja) | 加熱方法及び処理装置及び処理方法 | |
| JPH037883A (ja) | 薄膜加熱装置 | |
| JP3671142B2 (ja) | 基板の光照射式熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |