JPS6411712B2 - - Google Patents

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JPS6411712B2
JPS6411712B2 JP57169889A JP16988982A JPS6411712B2 JP S6411712 B2 JPS6411712 B2 JP S6411712B2 JP 57169889 A JP57169889 A JP 57169889A JP 16988982 A JP16988982 A JP 16988982A JP S6411712 B2 JPS6411712 B2 JP S6411712B2
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heater
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furnace
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Yoshiki Mimura
Hiroshi Shimizu
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Ushio Denki KK
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Ushio Denki KK
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P34/40—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation
    • H10P34/42—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation with electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
    • H10P34/422—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation with electromagnetic radiation, e.g. laser annealing using incoherent radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/12—Heating of the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は白熱電球を光照射源とする光照射炉の
運転方法に関するものである。
一般に加熱処理を行なうための装置のうち、白
熱電球よりの放射光を被処理物に照射する光照射
炉は、次の如き特長を有する。
１） 白熱電球自体の熱容量が極めて小さいた
め、加熱温度の急速な上昇及び低下が可能であ
る。
２） 白熱電球に供給する電力を制御することに
より、加熱温度の制御を容易に行なうことがで
きる。
３） 白熱電球よりの放射光による非接触加熱で
あるので、被処理物を汚染することがない。
４） 始動後の立ち上がり時間が短く、エネルギ
ー効率が大きいため消費エネルギーが少ない。
５） 直接通電炉、高周波炉等に比して装置が小
型でコストが低い。
そして光照射炉は、鋼材等の熱処理及び乾燥、
プラスチツク成型、熱特性試験装置等に利用され
ている。特に最近においては、半導体の製造にお
ける加熱が必要とされる工程、例えば不純物拡散
工程、化学的気相成長工程、イオン打ち込み層の
結晶欠陥の回復工程、電気的活性化のための熱処
理工程、更にはシリコンウエハーの表層を窒化若
しくは酸化せしめるための熱処理工程を遂行する
場合の加熱炉として、従来から用いられている電
気炉、高周波炉等に代わつて、光照射炉の利用が
検討されている。これは、光照射炉においては、
被処理物を汚染し或いは電気的に悪影響を与える
ことがないこと、消費電力が小さいこと等のほ
か、従来の加熱炉では大面積の被処理物を均一に
加熱することができず、最近における半導体の大
面積化に対応することができないからである。
斯かる光照射炉においては、被処理物を搬送す
る搬送機構が適宜設けられており、この搬送機構
によつて被処理物が搬送され、加熱処理が施され
る。即ち、被処理物の受取位置で移送台上に被処
理物が保持され、次いで移送台が光照射炉内に搬
入され、この光照射炉内において移送台上の被処
理物が白熱電球よりの光照射を受けて加熱処理さ
れ、そして移送台が光照射炉外の被処理物の引渡
位置まで搬出され、この引渡位置で移送台から被
処理物が除かれてこれで一回の加熱処理工程が終
了する。そして移送台を再び受取位置まで搬送
し、この受取位置で次の被処理物を受取り上述と
同様にして次の被処理物の加熱処理工程が行なわ
れる。
このようにて被処理物の加熱処理が行なわれる
が、被処理物の種類によつてはその加熱温度及び
加熱時間が厳密に規制されたものであることが要
求されるため、各被処理物を同一の条件下で加熱
処理することが必要である。
例えば最近、半導体ウエハー（以下ウエハー）
への不純物の導入方法として、不純物濃度、接合
の深さを精密に制御しうることから、不純物をイ
オン状にして加速してウエハーに打ち込むイオン
注入法が使用されて来ている。しかしこのイオン
注入法においては、注入後約1000℃またはそれ以
上にウエハーを加熱処理する必要がある。その場
合、注入された不純物の深さ方向の濃度分布が熱
拡散により変化しないように短時間で正確に加熱
処理しなければならない。また。生産性を向上さ
せるためにもウエハーの急速加熱、急速冷却が要
請されている。しかしながら、ウエハー、例え
ば、単結晶シリコンを数秒以内で1000℃以上に加
熱すると、ウエハーの外周近傍と中央部との昇温
差、つまり不均一昇温のために「スリツプライ
ン」といわれる損傷が生ずることが分つた。すな
わち、ウエハーの厚さは普通0.5mm前後程度と非
常に薄く、厚さ方向の温度分布は、時間的には
10-3秒の桁の程度で緩和されるので、実用的には
ウエハー面上の温度分布さえ均一にしてやればス
リツプラインのような損傷は防止できるわけであ
るが、ウエハーの表面を均一な照射エネルギー密
度で光照射すると、どうしても、ウエハー外周近
傍からの熱放散が、中央部の熱放散より大きいの
で、外周近傍温度は中心部温度より低くなり、ス
リツプラインが発生する。
本発明は以上の如き事情に基いてなされたもの
であつて、白熱電球を光照射源とする光照射炉の
運転方法において、被処理物の中央部と周辺部と
の温度差を小さくしたうえで加熱処理を常に同一
の条件下において繰返して行なうことができる光
照射炉の運転方法を提供することを目的とし、そ
の特徴とするところは、 光照射炉が、主に被処理物の中央部を光照射で
加熱する主加熱器と、主に被処理物の周辺部を加
熱する副加熱器とを具え、 被処理物の光照射炉内への搬入に同期して前記
主加熱器と副加熱器とを一定の動作曲線に沿つて
繰り返し動作させることにある。
以下図面を参照しながら本発明の一実施例を説
明する。
第１図は、光照射炉内に配置されたウエハーを
上方から見た加熱方法の説明図、第２図は、第１
図を側方から見た説明図であつて、上方及び下方
からは、消費電力1.5KWの棒状のハロゲン電球
各々12本を一平面上に近接して並べて面光源の形
式にし、ウエハー１の表面温度が中央部１ａで約
1250℃になるように光照射されるようになつてい
る。光照射のための前記面光源が主加熱器（図示
せず）となり、その全消費電力は約35KWに及
び、ウエハーは直径４インチのホウソをイオン注
入した単結具シリコンである。
２は副加熱器であつて、例えば長形な石英ガラ
ス製のハロゲン電球もしくは赤外線電球からな
り、内部にフイラメント２ｂを具えており、ウエ
ハー１の外周１ｃを取り囲むようにリング状にし
て配置され、ところどころに、ウエハー１を支持
する石英製の爪２ａを具えている。リングの内径
ｄは約11cm程度なので、ウエハー１との間隙ｔは
略４mm程度である。そして、主加熱器からの光照
射によるウエハー加熱時に、上記電球を約920W
の消費電力で点灯しておいて、ウエハーの外周近
傍１ｂを補助的に加熱してやると、中央部１ａの
1250℃に対して外周近傍１ｂは1255℃程度とな
り、外周近傍１ｂの温度はやゝ高めになるも
のゝ、スリツプラインのような損傷は全く生ずる
ことなくウエハーを加熱処理することができる。
上記の場合、副加熱器を除いて主加熱器のみの光
照射加熱を行うと外周近傍１ｂの温度は約1120℃
とかなり低い値となり、スリツプラインのような
損傷が認められる。つまり、外周近傍１ｂからの
熱放散による温度低下を相殺するように、副加熱
器でウエハーの外周１ｃを取り囲むように外周近
傍１ｂを補助的に加熱してやり、中央部と外周近
傍との温度差を小さくし、ウエハー全面の温度を
均一化することによつて、スリツプラインの発生
を防止する。
さて、第３図において、１０は副加熱器をとも
なつたウエハー、１１，１２は夫々第１、第２の
搬送機構、１３は主加熱器を内蔵した光照射炉で
あつて、ウエハーは最初位置１４にあつて、第２
の搬送機構１２によつて位置１５に移り、第１の
搬送機構１１によつて、炉内の位置１６を往復
し、次に、位置１７に移つて、一連の処理を受け
る。この時、炉内の位置１６において主加熱器に
よる光照射を受けるとともに、同時に、或はやゝ
先行して副加熱器も動作させる。この例では、副
加熱器が、ウエハー台を兼ね、ウエハーと一緒に
移動するようにしたが、勿論、副加熱器も主加熱
器の光照射を受ける位置、例えば位置１６を取り
囲むように配置されていて、ウエハーのみが、位
置１４→１５→１６→１５→１７と移動し、ウエ
ハーが位置１６に存在する時、主加熱器と副加熱
器とによる加熱処理を受けても良い。この加熱処
理作業は、一定のステツプ速度で移動し、搬入さ
れるウエハーを、一定動作曲線に沿つて動作する
主加熱器と副加熱器によつて加熱するもので、順
次処理されるべきウエハーの搬入に同期して、動
作曲線が一定的に繰り返されるようにする。
ここで動作曲線は、例えば主加熱器に加える電
圧値の時間的変化を示す曲線Ｍで表わすことがで
き、その例を挙げると、第４図に示した方形波、
第５図に示した三角波などがあり、こらの図にお
いてTa及びTbはそれぞれ、各回の加熱処理工程
における動作曲線の開始時点及び終了時点を表わ
し、この動作曲線の開始時点Taから終了時点Tb
に至るまでの時間間隔Tcは被処理物を加熱処理
するに要する時間によつて定められ、各回の加熱
処理工程において主加熱器は同一の動作曲線に沿
つて本点灯状態とされる。Ｎは副加熱器に加える
電圧の動作曲線を示し、第４図においては主加熱
器にやゝ先行している場合の例、第５図において
は主加熱器と同時の場合の例を示し、これら両者
の動作曲線Ｍ，Ｎの具体的波形とその組合せは第
４図及び第５図に示した例以外に適宜選択するこ
とができる。
以上において、主加熱器と副加熱器とによる加
熱処理が、前のTbと次のTaとの間隔を一定にし
て繰り返される。このTb〜Ta間がウエハーの炉
内への搬入、搬出のための時間に該当し、この時
間も考慮に入れて、主加熱器と副加熱器とを一定
の動作曲線に沿つて繰り返し動作させる。
このような運転方法によれば、各被処理物加熱
工程において、主加熱器と副加熱器を常に一定の
動作曲線に沿つて動作せしめるため、被処理物の
加熱処理の度毎に、照射加熱炉内における光照射
状態を全く同一の状態とすることができるととも
に、炉内における熱伝導や対流による熱伝達も一
定化することができ、このため被処理物の加熱処
理を常に同一の条件下で行なうことができ、この
結果加熱処理後の被処理物の品質が均一なものと
なつて信頼性の高い加熱処理を行なうことができ
る。
以上説明したように本発明は、白熱電球を主加
熱器とする光照射炉の運転方法において、被処理
物を光照射炉内に搬入せしめる当該搬入に同期し
て主加熱器と副加熱器とを一定の動作曲線に沿つ
て動作せしめて被処理物を光照射して加熱する被
処理物加熱工程を含み、被処理物の中央部と周辺
部との昇温速度差もしくは温度差を小さく抑制し
ながら短時間昇温させても「スリツプライン」や
「反り」などの発生がない、すぐれた運転方法を
提供するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は加熱方法の説明図、第３図
は移送機構を模式的に示す説明図、第４図及び第
５図は主加熱器と副加熱器の動作曲線の説明であ
つて、Ｍ，Ｎは夫々主加熱器と副加熱器の動作曲
線、１１，１２は夫々第１、第２の搬送機構、１
３は光照射炉を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 光照射炉が、主に被処理物の中央部を光照射
    で加熱する主加熱器と、主に被処理物の周辺部を
    加熱する副加熱器とを具え、 被処理物の光照射炉内への搬入に同期して前記
    主加熱器と副加熱器とを一定の動作曲線に沿つて
    繰り返し動作させることを特徴とする光照射炉の
    運転方法。
JP57169889A 1982-09-30 1982-09-30 光照射炉の運転方法 Granted JPS5959876A (ja)

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JP57169889A JPS5959876A (ja) 1982-09-30 1982-09-30 光照射炉の運転方法
US06/480,014 US4493977A (en) 1982-09-30 1983-03-29 Method for heating semiconductor wafers by a light-radiant heating furnace

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JPS5959876A JPS5959876A (ja) 1984-04-05
JPS6411712B2 true JPS6411712B2 (ja) 1989-02-27

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Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4649261A (en) * 1984-02-28 1987-03-10 Tamarack Scientific Co., Inc. Apparatus for heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc.
US4698486A (en) * 1984-02-28 1987-10-06 Tamarack Scientific Co., Inc. Method of heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc.
EP0290692B1 (en) * 1987-05-14 1993-09-08 AG Processing Technologies, Inc. Apparatus for heating semiconductor wafers
DE3684539D1 (de) * 1985-09-06 1992-04-30 Philips Nv Herstellungsverfahren einer halbleitervorrichtung.
US4654509A (en) * 1985-10-07 1987-03-31 Epsilon Limited Partnership Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus
US4789771A (en) * 1985-10-07 1988-12-06 Epsilon Limited Partnership Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus
US5308594A (en) * 1985-12-04 1994-05-03 Massachusetts Institute Of Technology Edge-heat-sink technique for zone melting recrystallization of semiconductor-on-insulator films
US5296089A (en) * 1985-12-04 1994-03-22 Massachusetts Institute Of Technology Enhanced radiative zone-melting recrystallization method and apparatus
FR2594529B1 (fr) * 1986-02-19 1990-01-26 Bertin & Cie Appareil pour traitements thermiques de pieces minces, telles que des plaquettes de silicium
US4859832A (en) * 1986-09-08 1989-08-22 Nikon Corporation Light radiation apparatus
US5198034A (en) * 1987-03-31 1993-03-30 Epsilon Technology, Inc. Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
US4855160A (en) * 1987-07-16 1989-08-08 Texas Instruments Incorporated Method for passivating wafer
US4867841A (en) * 1987-07-16 1989-09-19 Texas Instruments Incorporated Method for etch of polysilicon film
US4832779A (en) * 1987-07-16 1989-05-23 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus
US4838984A (en) * 1987-07-16 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Method for etching films of mercury-cadmium-telluride and zinc sulfid
US4842687A (en) * 1987-07-16 1989-06-27 Texas Instruments Incorporated Method for etching tungsten
US4904621A (en) * 1987-07-16 1990-02-27 Texas Instruments Incorporated Remote plasma generation process using a two-stage showerhead
US4822450A (en) * 1987-07-16 1989-04-18 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US4842676A (en) * 1987-07-16 1989-06-27 Texas Instruments Incorporated Process for etch of tungsten
US4830705A (en) * 1987-07-16 1989-05-16 Texas Instruments Incorporated Method for etch of GaAs
US4874723A (en) * 1987-07-16 1989-10-17 Texas Instruments Incorporated Selective etching of tungsten by remote and in situ plasma generation
US4877757A (en) * 1987-07-16 1989-10-31 Texas Instruments Incorporated Method of sequential cleaning and passivating a GaAs substrate using remote oxygen plasma
US4855016A (en) * 1987-07-16 1989-08-08 Texas Instruments Incorporated Method for etching aluminum film doped with copper
US4816098A (en) * 1987-07-16 1989-03-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for transferring workpieces
US4906328A (en) * 1987-07-16 1990-03-06 Texas Instruments Incorporated Method for wafer treating
US4857132A (en) * 1987-07-16 1989-08-15 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus for wafers
US4820377A (en) * 1987-07-16 1989-04-11 Texas Instruments Incorporated Method for cleanup processing chamber and vacuum process module
US4849067A (en) * 1987-07-16 1989-07-18 Texas Instruments Incorporated Method for etching tungsten
US4844773A (en) * 1987-07-16 1989-07-04 Texas Instruments Incorporated Process for etching silicon nitride film
US4830700A (en) * 1987-07-16 1989-05-16 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US4838990A (en) * 1987-07-16 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Method for plasma etching tungsten
US4832777A (en) * 1987-07-16 1989-05-23 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US4863558A (en) * 1987-07-16 1989-09-05 Texas Instruments Incorporated Method for etching tungsten
US4828649A (en) * 1987-07-16 1989-05-09 Texas Instruments Incorporated Method for etching an aluminum film doped with silicon
US4818326A (en) * 1987-07-16 1989-04-04 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus
US4891488A (en) * 1987-07-16 1990-01-02 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US4837113A (en) * 1987-07-16 1989-06-06 Texas Instruments Incorporated Method for depositing compound from group II-VI
US4832778A (en) * 1987-07-16 1989-05-23 Texas Instruments Inc. Processing apparatus for wafers
US4872938A (en) * 1987-07-16 1989-10-10 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus
US4842686A (en) * 1987-07-17 1989-06-27 Texas Instruments Incorporated Wafer processing apparatus and method
FR2618455B1 (fr) * 1987-07-21 1994-03-18 Nissim Yves Procede de croissance epitaxiale de couches en materiau iii-v ou ii-vi par modulation rapide de la temperature
US4981815A (en) * 1988-05-09 1991-01-01 Siemens Aktiengesellschaft Method for rapidly thermally processing a semiconductor wafer by irradiation using semicircular or parabolic reflectors
DE68923181T2 (de) * 1988-05-27 1995-10-26 Ceramaspeed Ltd., Droitwich, Worcestershire Elektrische Strahlungsheizgeräte.
US4988533A (en) * 1988-05-27 1991-01-29 Texas Instruments Incorporated Method for deposition of silicon oxide on a wafer
US5093557A (en) * 1989-05-16 1992-03-03 Microscience, Inc. Substrate heater and heating element
FR2653215A1 (fr) * 1989-10-17 1991-04-19 Sitesa Addax Dispositif de chauffe d'un corps plat, en particulier d'une plaque de semi-conducteur.
US5179677A (en) * 1990-08-16 1993-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for substrate heating utilizing various infrared means to achieve uniform intensity
DE4109956A1 (de) * 1991-03-26 1992-10-01 Siemens Ag Verfahren zum kurzzeittempern einer halbleiterscheibe durch bestrahlung
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
US5580388A (en) * 1993-01-21 1996-12-03 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
US5928427A (en) * 1994-12-16 1999-07-27 Hwang; Chul-Ju Apparatus for low pressure chemical vapor deposition
US5830277A (en) * 1995-05-26 1998-11-03 Mattson Technology, Inc. Thermal processing system with supplemental resistive heater and shielded optical pyrometry
US5551985A (en) * 1995-08-18 1996-09-03 Torrex Equipment Corporation Method and apparatus for cold wall chemical vapor deposition
US5775416A (en) * 1995-11-17 1998-07-07 Cvc Products, Inc. Temperature controlled chuck for vacuum processing
JP3493880B2 (ja) * 1996-02-28 2004-02-03 信越半導体株式会社 輻射加熱装置および加熱方法
US5792273A (en) * 1997-05-27 1998-08-11 Memc Electric Materials, Inc. Secondary edge reflector for horizontal reactor
US6222990B1 (en) * 1997-12-03 2001-04-24 Steag Rtp Systems Heating element for heating the edges of wafers in thermal processing chambers
US6108491A (en) * 1998-10-30 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Dual surface reflector
JP2002057079A (ja) * 2000-06-26 2002-02-22 Unisem Co Ltd 半導体ウェーハベーク装置
US6476362B1 (en) 2000-09-12 2002-11-05 Applied Materials, Inc. Lamp array for thermal processing chamber
US6594446B2 (en) 2000-12-04 2003-07-15 Vortek Industries Ltd. Heat-treating methods and systems
JP3856293B2 (ja) 2001-10-17 2006-12-13 日本碍子株式会社 加熱装置
JP4029613B2 (ja) * 2001-12-25 2008-01-09 ウシオ電機株式会社 閃光放射装置および光加熱装置
CN100416243C (zh) * 2001-12-26 2008-09-03 加拿大马特森技术有限公司 测量温度和热处理的方法及系统
DE10393962B4 (de) 2002-12-20 2019-03-14 Mattson Technology Inc. Verfahren und Vorrichtung zum Stützen eines Werkstücks und zur Wärmebehandlung des Werkstücks
JP5630935B2 (ja) * 2003-12-19 2014-11-26 マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド 工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び装置
US7043148B1 (en) * 2004-06-28 2006-05-09 Novellus Systems Wafer heating using edge-on illumination
JP5105396B2 (ja) * 2006-04-12 2012-12-26 東京応化工業株式会社 加熱処理装置
US8454356B2 (en) * 2006-11-15 2013-06-04 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for supporting a workpiece during heat-treating
KR101610269B1 (ko) 2008-05-16 2016-04-07 맷슨 테크놀로지, 인크. 워크피스 파손 방지 방법 및 장치
WO2015179081A1 (en) 2014-05-21 2015-11-26 Applied Materials, Inc. Thermal processing susceptor
JP6473659B2 (ja) * 2015-05-13 2019-02-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3539759A (en) * 1968-11-08 1970-11-10 Ibm Susceptor structure in silicon epitaxy
US3591767A (en) * 1969-06-23 1971-07-06 David Jeffrey Mudie Radiant shrink tunnel
US3609295A (en) * 1970-07-01 1971-09-28 Alco Standard Corp Heating apparatus with workpiece carriers
US3760154A (en) * 1972-02-29 1973-09-18 Signode Corp Apparatus for heat-shrinking a plastic film on a load
US3836751A (en) * 1973-07-26 1974-09-17 Applied Materials Inc Temperature controlled profiling heater
US4101759A (en) * 1976-10-26 1978-07-18 General Electric Company Semiconductor body heater
US4223048A (en) * 1978-08-07 1980-09-16 Pacific Western Systems Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductive wafers

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