JPH0369113A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0369113A JPH0369113A JP20461889A JP20461889A JPH0369113A JP H0369113 A JPH0369113 A JP H0369113A JP 20461889 A JP20461889 A JP 20461889A JP 20461889 A JP20461889 A JP 20461889A JP H0369113 A JPH0369113 A JP H0369113A
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- Japan
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- carbon susceptor
- wafer
- carbon
- susceptor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体製造装置、特にカーボンサセプタを用いエピタキ
シャル膜を成長させる装置に関し、カーボンサセプタを
用いるエピタキシャル装置において、ウェハ中に含まれ
る不純物がカーボンサセプタに取込まれ、それが次いで
エピタキシャル層に取込まれることを防止し、良質なエ
ピタキシャル層を成長することのできる半導体製造装置
（エピタキシャル装置）を提供することを目的とし、 カーボンサセプタを加熱しその上に載置されたウェハ上
にシリコンをエピタキシャル成長する装置において、８
亥ウエハをｉ！置する言亥カーボンサセブクの上面上に
は該ウェハを囲んで炭化硅素（ＳｉＣ）プレートを配置
し、該カーボンサセプタの下方にはその全面にわたって
ＳｉＣプレートを配置し、これらＳｔＣプレートで該カ
ーボンサセプタをおおうことによって該ウェハを不純物
拡散から防止する構成としたことを特徴とする半導体製
造装置を含み構成する。
シャル膜を成長させる装置に関し、カーボンサセプタを
用いるエピタキシャル装置において、ウェハ中に含まれ
る不純物がカーボンサセプタに取込まれ、それが次いで
エピタキシャル層に取込まれることを防止し、良質なエ
ピタキシャル層を成長することのできる半導体製造装置
（エピタキシャル装置）を提供することを目的とし、 カーボンサセプタを加熱しその上に載置されたウェハ上
にシリコンをエピタキシャル成長する装置において、８
亥ウエハをｉ！置する言亥カーボンサセブクの上面上に
は該ウェハを囲んで炭化硅素（ＳｉＣ）プレートを配置
し、該カーボンサセプタの下方にはその全面にわたって
ＳｉＣプレートを配置し、これらＳｔＣプレートで該カ
ーボンサセプタをおおうことによって該ウェハを不純物
拡散から防止する構成としたことを特徴とする半導体製
造装置を含み構成する。
本発明は半導体製造装置、特にカーボンサセプタを用い
エピタキシャル膜を成長させる装置に関する。
エピタキシャル膜を成長させる装置に関する。
近年のＶＬＳ Ｉの高集積化に伴い、エピタキシャル層
には現在得られるものよりもより以上の高膜質が要求さ
れている。そのため、エピタキシャル層中の不用な不純
物濃度を減少させることが要請されている。
には現在得られるものよりもより以上の高膜質が要求さ
れている。そのため、エピタキシャル層中の不用な不純
物濃度を減少させることが要請されている。
［従来の技術］
例えばシリコンウェハ上にシリコンのエピタキシャル層
を成長するための半導体製造装置（エピタキシャル装置
）の構成は第３図に断面図で示され、図中、１１は当該
エピタキシャル装置、１２は石英管、１３はカーボンサ
セプタ加熱用のｌ？Ｆコイル、１４はその上に図示しな
いウェハをｉｌ！ｉｔするカーボン（Ｃ）製のサセプタ
（カーボンサセプタ）、１５はサセプタ支持棒、１６は
カーボンサセプタ１４を回転させるためのモータ、１７
は成長ガス、例えば５ｉｚｆｌｂ＋Ｈｚのガス導入口、
１８は図示しない排気系に連結された排気口、１９は内
壁で、か−る装置の構成は一般に知られたものである。
を成長するための半導体製造装置（エピタキシャル装置
）の構成は第３図に断面図で示され、図中、１１は当該
エピタキシャル装置、１２は石英管、１３はカーボンサ
セプタ加熱用のｌ？Ｆコイル、１４はその上に図示しな
いウェハをｉｌ！ｉｔするカーボン（Ｃ）製のサセプタ
（カーボンサセプタ）、１５はサセプタ支持棒、１６は
カーボンサセプタ１４を回転させるためのモータ、１７
は成長ガス、例えば５ｉｚｆｌｂ＋Ｈｚのガス導入口、
１８は図示しない排気系に連結された排気口、１９は内
壁で、か−る装置の構成は一般に知られたものである。
石英管１２内はＲＦコイル１３によって１０００°Ｃの
温度に保たれ、ウェハは石英管１２内に通常の場合約１
時間置かれ、この１時間のうちの１０分〜２０分が成膜
に要する時間で、残余の時間は石英管１２内の温度の昇
温及び降温に費される。
温度に保たれ、ウェハは石英管１２内に通常の場合約１
時間置かれ、この１時間のうちの１０分〜２０分が成膜
に要する時間で、残余の時間は石英管１２内の温度の昇
温及び降温に費される。
〔発明が解決しようとする課題］
第３図に示したもののような従来のエピタキシャル装置
のカーボンサセプタの表面には、カーボンに含まれる酸
素やカーボンそれ自体が外部に出てエピタキシャル層中
に取込まれることを防止するなどの目的のために、Ｓｉ
Ｃ膜をコーティングしていた。ところが、ＳｉＣ膜の厚
さが５０〜１００μｍ程度と薄いために、カーボンに吸
着された不純物が、エピタキシャル成長中に外へ出てき
て成長中のエピタキシャル層に取り込まれる。
のカーボンサセプタの表面には、カーボンに含まれる酸
素やカーボンそれ自体が外部に出てエピタキシャル層中
に取込まれることを防止するなどの目的のために、Ｓｉ
Ｃ膜をコーティングしていた。ところが、ＳｉＣ膜の厚
さが５０〜１００μｍ程度と薄いために、カーボンに吸
着された不純物が、エピタキシャル成長中に外へ出てき
て成長中のエピタキシャル層に取り込まれる。
これをや＼詳細に説明すると、その上にエピタキシャル
層を成長したいシリコンウェハに例えば砒素（Ａｓ）が
既に高濃度に（例えばｌ Ｑ ｔ Ｏｃｍ −３の濃度
）に打ち込まれているとすると、エピタキシャル成長中
の高温のためにＡｓが成長したエピタキシャル層の表面
に１０１６ ｃｍ −３程度の濃度で拡散し、Ａｓは次
いでエピタキシャル層から外に出てそれがカーボンサセ
プタに取り込まれ、このカーボンサセプタに取り込まれ
たＡｓが次のシリコンウェハ上にエピタキシャル成長す
るときそのエピタキシャル層に拡散する。そこで、本発
明者は、Ａｓが１０２ＯＣＴ１１−’の高濃度で打ち込
まれたシリコンウェハを５枚用意し、連続してエピタキ
シャル成長したところ、最初のウェハ上のエピタキシャ
ル層の表面のＡｓ１度は１０”ｃＩＩｌ−’であるのに
対し、５枚目のシリコンウェハ上に成長したエピタキシ
ャル層の表面の＾Ｓ濃度は１０Ｉ？ｃｍ−”と高くなっ
ていること、すなわち成長したエピタキシャル層の表面
濃度にばらつきがあることを確認した。そうなると、次
の工程でエピタキシャル層に例えばｐ型のボロンをイオ
ン注入しようとするとき、その不純物濃度の制御がきわ
めて難しくなる。
層を成長したいシリコンウェハに例えば砒素（Ａｓ）が
既に高濃度に（例えばｌ Ｑ ｔ Ｏｃｍ −３の濃度
）に打ち込まれているとすると、エピタキシャル成長中
の高温のためにＡｓが成長したエピタキシャル層の表面
に１０１６ ｃｍ −３程度の濃度で拡散し、Ａｓは次
いでエピタキシャル層から外に出てそれがカーボンサセ
プタに取り込まれ、このカーボンサセプタに取り込まれ
たＡｓが次のシリコンウェハ上にエピタキシャル成長す
るときそのエピタキシャル層に拡散する。そこで、本発
明者は、Ａｓが１０２ＯＣＴ１１−’の高濃度で打ち込
まれたシリコンウェハを５枚用意し、連続してエピタキ
シャル成長したところ、最初のウェハ上のエピタキシャ
ル層の表面のＡｓ１度は１０”ｃＩＩｌ−’であるのに
対し、５枚目のシリコンウェハ上に成長したエピタキシ
ャル層の表面の＾Ｓ濃度は１０Ｉ？ｃｍ−”と高くなっ
ていること、すなわち成長したエピタキシャル層の表面
濃度にばらつきがあることを確認した。そうなると、次
の工程でエピタキシャル層に例えばｐ型のボロンをイオ
ン注入しようとするとき、その不純物濃度の制御がきわ
めて難しくなる。
そこで、ＳｉＣ膜をコーティングしたカーボンサセプタ
を洗浄して再使用することが考えられるが、ＳｉＣ膜を
カーボンサセプタ上にコーティングするとき、均一にＳ
ｉＣ膜を成長させる過程でどこかにピンホールが作られ
たとすると、そこで洗浄液を用いてカーボンサセプタを
洗浄した場合、このビンホール力ら水分がＳｉＣに比べ
るとち密性の劣るいわゆるすかすかのカーボン中に入り
、この水分を除去しようとして乾燥するとピンホールの
ところにカーボン中の水分が集中し、そこでＳｉＣ膜を
剥離させることがある。こうした事情で、ＳｉＣの薄膜
をコーティングしたカーボンサセプタは洗浄、再生に不
適である。そこで、ＳｉＣ膜を十分に厚くコーティング
することも考えられるが、それにはきわめて長時間を必
要とし、かつ、著しく高価な工程になる問題がある。
を洗浄して再使用することが考えられるが、ＳｉＣ膜を
カーボンサセプタ上にコーティングするとき、均一にＳ
ｉＣ膜を成長させる過程でどこかにピンホールが作られ
たとすると、そこで洗浄液を用いてカーボンサセプタを
洗浄した場合、このビンホール力ら水分がＳｉＣに比べ
るとち密性の劣るいわゆるすかすかのカーボン中に入り
、この水分を除去しようとして乾燥するとピンホールの
ところにカーボン中の水分が集中し、そこでＳｉＣ膜を
剥離させることがある。こうした事情で、ＳｉＣの薄膜
をコーティングしたカーボンサセプタは洗浄、再生に不
適である。そこで、ＳｉＣ膜を十分に厚くコーティング
することも考えられるが、それにはきわめて長時間を必
要とし、かつ、著しく高価な工程になる問題がある。
そこで本発明は、カーボンサセプタを用いるエピタキシ
ャル装置において、ウェハ中に含まれる不純物がカーボ
ンサセプタに取込まれ、それが次いでエピタキシャル層
に取込まれることを防止し、良質なエピタキシャル層を
成長することのできる半導体製造装置（エピタキシャル
装置）を提供することを目的とする。
ャル装置において、ウェハ中に含まれる不純物がカーボ
ンサセプタに取込まれ、それが次いでエピタキシャル層
に取込まれることを防止し、良質なエピタキシャル層を
成長することのできる半導体製造装置（エピタキシャル
装置）を提供することを目的とする。
上記課題は、カーボンサセプタを加熱しその上に載置さ
れたウェハ上にシリコンをエピタキシャル成長する装置
において、該ウェハを載置する該カーボンサセプタの上
面上には該ウェハを囲んで炭化硅素（ＳｉＣ）プレート
を配置し、該カーボンサセプタの下方にはその全面にわ
たってＳｉＣプレートを配置し、これらＳｉＣプレート
で該カーボンサセプタをおおうことによって該ウェハを
不純物拡散から防止する構成としたことを特徴とする半
導体製造装置によって解決される。
れたウェハ上にシリコンをエピタキシャル成長する装置
において、該ウェハを載置する該カーボンサセプタの上
面上には該ウェハを囲んで炭化硅素（ＳｉＣ）プレート
を配置し、該カーボンサセプタの下方にはその全面にわ
たってＳｉＣプレートを配置し、これらＳｉＣプレート
で該カーボンサセプタをおおうことによって該ウェハを
不純物拡散から防止する構成としたことを特徴とする半
導体製造装置によって解決される。
第１図は本発明の原理を示すためのカーボンサセプタの
配置を示す図で、その（ａ）はカーボンサセプタ１４上
で例えば第３図にＩ印を付した部分に対応する部分の図
、その（ｂ）はカーボンサセプタ平面図である。図中、
第３図に示した部分と同じ部分は同一符号で表示し、３
１ａと３１ｂは本発明にか＼るすべてを化学気相成長（
ＣＶＤ）法で成長して作ったいわば純粋（むく）のＳｉ
Ｃプレートである。
配置を示す図で、その（ａ）はカーボンサセプタ１４上
で例えば第３図にＩ印を付した部分に対応する部分の図
、その（ｂ）はカーボンサセプタ平面図である。図中、
第３図に示した部分と同じ部分は同一符号で表示し、３
１ａと３１ｂは本発明にか＼るすべてを化学気相成長（
ＣＶＤ）法で成長して作ったいわば純粋（むく）のＳｉ
Ｃプレートである。
なお同図中、２０は２重になったガス分配管、２１は排
気用穴、２２ａは２００ ｍｍ直径のウェハ、２２ｂは
１００ｍｍ直径のウェハである。
気用穴、２２ａは２００ ｍｍ直径のウェハ、２２ｂは
１００ｍｍ直径のウェハである。
本発明では、第１図に示すようにカーボンサセプタ１４
の両面（上面と下面）を厚さ０．５〜２．Ｏｎ＋ｍの純
粋なＳｉＣプレート３１でおおっている。第１図（ａ）
をみると、ＳｉＣプレー）３１ａはカーボンサセプタ１
４のそれぞれ下方に配置され、ＳｉＣプレート３１ｂは
、同図（Ｃ）の平面図にみられるようにリング状に形成
されてウェハ２２を囲んでカーボンサセプタ１４上に配
置される。
の両面（上面と下面）を厚さ０．５〜２．Ｏｎ＋ｍの純
粋なＳｉＣプレート３１でおおっている。第１図（ａ）
をみると、ＳｉＣプレー）３１ａはカーボンサセプタ１
４のそれぞれ下方に配置され、ＳｉＣプレート３１ｂは
、同図（Ｃ）の平面図にみられるようにリング状に形成
されてウェハ２２を囲んでカーボンサセプタ１４上に配
置される。
すなわち本発明は、カーボンサセプタの上面と下面とを
ＳｉＣプレート３１ａ、３１ｂでおおうことにより、不
純物がウェハ中およびカーボンサセプタ１４中に取り込
まれることが防止されるのである。
ＳｉＣプレート３１ａ、３１ｂでおおうことにより、不
純物がウェハ中およびカーボンサセプタ１４中に取り込
まれることが防止されるのである。
以下、本発明を図示の実施例により具体的に説明する。
第２図は本発明実施例の図で、その（ａ）はカーボンサ
セプタ正面図、その（ｂ）は同図（ａ）の円Ｂで囲む部
分の分解斜視図であ。この例で、カーボンサセプタ１４
は、直径３００ ｍｍ、厚さ５ｍｍに形成し、その表面
には図示しないＳｉＣ膜（厚さ５０μｍ）がコーティン
グされている。ＳｉＣプレート３１ａ、３１ｂはそれぞ
れＣＶＤ法で１ｍ１１１の厚さに形成した純粋ＳｉＣの
ものである。２３はＳｉＣコーティングしたカーボンス
ペーサで、直径の大なる中央部分の高さり、は２．５開
、直径の小なる両端部分の高さｈ２は１．５ ｍｍに設
定し、このカーボンスペーサ２３の中央にはサセプタ支
持棒１５が貫通する穴があけである。２個のカーボンス
ペーサ２３の間には、上から、ＳｉＣプレート３１ｂ、
ＳｉＣのコーティングをしたカーボンサセプタ１４、Ｓ
ｉＣプレート３１ａが配置され、ＳｉＣプレート３１ａ
、３１ｂおよびカーボンスペーサ２３にはそれぞれサセ
プタ支持棒１５が貫通する穴があけられている。また、
ＳｉＣプレート３１ｂは第１図（Ｃ）に示したようなリ
ング状のものであり、ＳｉＣプレート３１ａはディスク
状のものである。これらの部品を組合わせて同図（ａ）
に円Ｂで示す支持部分が構成されるのである。そして、
〔作用〕の項で述べたように、ＳｉＣプレート３１ａ、
３１ｂがウェハ２２を不純物の拡散から防止するのであ
る。
セプタ正面図、その（ｂ）は同図（ａ）の円Ｂで囲む部
分の分解斜視図であ。この例で、カーボンサセプタ１４
は、直径３００ ｍｍ、厚さ５ｍｍに形成し、その表面
には図示しないＳｉＣ膜（厚さ５０μｍ）がコーティン
グされている。ＳｉＣプレート３１ａ、３１ｂはそれぞ
れＣＶＤ法で１ｍ１１１の厚さに形成した純粋ＳｉＣの
ものである。２３はＳｉＣコーティングしたカーボンス
ペーサで、直径の大なる中央部分の高さり、は２．５開
、直径の小なる両端部分の高さｈ２は１．５ ｍｍに設
定し、このカーボンスペーサ２３の中央にはサセプタ支
持棒１５が貫通する穴があけである。２個のカーボンス
ペーサ２３の間には、上から、ＳｉＣプレート３１ｂ、
ＳｉＣのコーティングをしたカーボンサセプタ１４、Ｓ
ｉＣプレート３１ａが配置され、ＳｉＣプレート３１ａ
、３１ｂおよびカーボンスペーサ２３にはそれぞれサセ
プタ支持棒１５が貫通する穴があけられている。また、
ＳｉＣプレート３１ｂは第１図（Ｃ）に示したようなリ
ング状のものであり、ＳｉＣプレート３１ａはディスク
状のものである。これらの部品を組合わせて同図（ａ）
に円Ｂで示す支持部分が構成されるのである。そして、
〔作用〕の項で述べたように、ＳｉＣプレート３１ａ、
３１ｂがウェハ２２を不純物の拡散から防止するのであ
る。
本発明者の実Ｈによると、前記した１Ｑ２０ＣＩ１１−
３の濃度のＡｓを打ち込んだウェハ５枚に対し次々にエ
ピタキシャル成長し、第１枚目と第５枚目のウェハ上の
エピタキシャル層表面のＡｓ濃度をそれぞれ測定したと
ころ、いずれも１０”Ｃｌ１１−’の濃度を示し、この
不純物濃度はウェハに打ち込まれた＾Ｓが高温のために
エピタキシャル表面にまで拡散したことによるもので、
カーボンサセプタからの不純物の取り込みによるもので
ないことが確認された。
３の濃度のＡｓを打ち込んだウェハ５枚に対し次々にエ
ピタキシャル成長し、第１枚目と第５枚目のウェハ上の
エピタキシャル層表面のＡｓ濃度をそれぞれ測定したと
ころ、いずれも１０”Ｃｌ１１−’の濃度を示し、この
不純物濃度はウェハに打ち込まれた＾Ｓが高温のために
エピタキシャル表面にまで拡散したことによるもので、
カーボンサセプタからの不純物の取り込みによるもので
ないことが確認された。
ＳｉＣプレートの如き遮弊部品を、ＳｉＣ以外の材料で
作ることについて、金属ではその成分が拡散すると不適
当であるので除外し、考えられるものとしてはＳｉＯ□
やセラミック、アル果す（Ａ ｉ ｇｏ３）がある。し
かし、これらの材料（ＳｉＯ□、Ａ ｌ ｚｏｉ）は、
シリコン（Ｓｔ）と熱膨張係数がかなり相違する。エピ
タキシャル成長中には、ＳｉＣプレートの表面にもシリ
コンが堆積するが、ＳｉＣの熱膨張係数はＳｉのそれに
近いので、ＳｉＣプレート上に堆積したシリコンが剥離
することはない。そして、例えば１００回エピタキシャ
ル成長を行なった後に新しいＳｉＣプレートと交換し、
Ｓｉが堆積したＳｉＣプレートは洗浄すれば再使用にな
んら支障がないのに対し、Ｓｉｎ、またはＡｆ、Ｏ，で
作ったプレート上に堆積したＳｉは、前記した熱膨張係
数の相違によってエピタキシャル成長中に当該プレート
から剥離する。そうなると、成長したエピタキシャル層
の上にゴミが落ちたのと同じ結果になるので、ＳｉＯ□
やＡＬＯ３は使用するのに適しない。
作ることについて、金属ではその成分が拡散すると不適
当であるので除外し、考えられるものとしてはＳｉＯ□
やセラミック、アル果す（Ａ ｉ ｇｏ３）がある。し
かし、これらの材料（ＳｉＯ□、Ａ ｌ ｚｏｉ）は、
シリコン（Ｓｔ）と熱膨張係数がかなり相違する。エピ
タキシャル成長中には、ＳｉＣプレートの表面にもシリ
コンが堆積するが、ＳｉＣの熱膨張係数はＳｉのそれに
近いので、ＳｉＣプレート上に堆積したシリコンが剥離
することはない。そして、例えば１００回エピタキシャ
ル成長を行なった後に新しいＳｉＣプレートと交換し、
Ｓｉが堆積したＳｉＣプレートは洗浄すれば再使用にな
んら支障がないのに対し、Ｓｉｎ、またはＡｆ、Ｏ，で
作ったプレート上に堆積したＳｉは、前記した熱膨張係
数の相違によってエピタキシャル成長中に当該プレート
から剥離する。そうなると、成長したエピタキシャル層
の上にゴミが落ちたのと同じ結果になるので、ＳｉＯ□
やＡＬＯ３は使用するのに適しない。
以上のように本発明によれば、エピタキシャル成長中に
カーボンサセプタに不純物が取り込まれることがなく、
カーボンサセプタ中に不純物が蓄積することが防止され
、エピタキシャル成長中にカーボンサセプタから不純物
が外に出てエピタキシャル層中に取り込まれることがな
くなり、良質のエピタキシャル層の成長が可能になる。
カーボンサセプタに不純物が取り込まれることがなく、
カーボンサセプタ中に不純物が蓄積することが防止され
、エピタキシャル成長中にカーボンサセプタから不純物
が外に出てエピタキシャル層中に取り込まれることがな
くなり、良質のエピタキシャル層の成長が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の原理を示す図で、その（ａ）はカーボ
ンサセプタの正面図、その（ｂ）と（Ｃ）はそれぞれカ
ーボンサセプタの平面図、 第２図は本発明実施例の図で、その（ａ）はカーボンサ
セプタの正面図、その（ｂ）は同図（ａ）の円Ｂで囲む
部分の分解斜視図、 第３図は半導体製造装置の正面図である。 図中、 １１は半導体製造装置、 １２は石英管、 １３はＲＦコイル、 １４はカーボンサセプタ、 １５はサセプタ支持棒、 １６はモータ、 １７はガス導入口、 １８は排気口、 １９は内壁、 ２０はガス分配管、 ２１は排気用穴、 ２２．２２ａ、２２ｂはウェハ、 ２３はカーボンスペーサ、 ３１はＳｉｃプレート、 ３１ａ、３１ｂはＳｉｃプレート を示す。
ンサセプタの正面図、その（ｂ）と（Ｃ）はそれぞれカ
ーボンサセプタの平面図、 第２図は本発明実施例の図で、その（ａ）はカーボンサ
セプタの正面図、その（ｂ）は同図（ａ）の円Ｂで囲む
部分の分解斜視図、 第３図は半導体製造装置の正面図である。 図中、 １１は半導体製造装置、 １２は石英管、 １３はＲＦコイル、 １４はカーボンサセプタ、 １５はサセプタ支持棒、 １６はモータ、 １７はガス導入口、 １８は排気口、 １９は内壁、 ２０はガス分配管、 ２１は排気用穴、 ２２．２２ａ、２２ｂはウェハ、 ２３はカーボンスペーサ、 ３１はＳｉｃプレート、 ３１ａ、３１ｂはＳｉｃプレート を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 カーボンサセプタ（１４）を加熱しその上に載置された
ウェハ（２２、２２ａ、２２ｂ）上にシリコンをエピタ
キシャル成長する装置において、 該ウェハを載置する該カーボンサセプタの上面上には該
ウェハを囲んで炭化硅素（ＳｉＣ）プレート（３１ｂ）
を配置し、 該カーボンサセプタの下方にはその全面にわたってＳｉ
Ｃプレート（３１ａ）を配置し、 これらＳｉＣプレート（３１ａ、３１ｂ）で該カーボン
サセプタをおおうことによって該ウェハを不純物拡散か
ら防止する構成としたことを特徴とする半導体製造装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20461889A JPH0369113A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20461889A JPH0369113A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369113A true JPH0369113A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16493461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20461889A Pending JPH0369113A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0369113A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5792257A (en) * | 1995-01-31 | 1998-08-11 | Abb Research Ltd. | Method for protecting the susceptor during epitaxial growth by CVD and a device for epitaxial growth by CVD |
| WO2000014310A1 (de) * | 1998-09-03 | 2000-03-16 | Siced Electronics Development Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zum herstellen und bearbeiten von halbleitersubstraten |
| US6634886B2 (en) | 2000-02-01 | 2003-10-21 | Konami Corporation | Amusement system having type practice function, typing practice system, and computer readable storage medium |
| EP1533834A4 (en) * | 2002-06-13 | 2007-01-17 | Nippon Mining Co | STEAM PHASE PITAXIAL DEVICE AND STEAM PHASE EPITAXIAL PROCESS |
| JP2008288315A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ＳｉＣ被覆のピンホール有無判定方法 |
-
1989
- 1989-08-09 JP JP20461889A patent/JPH0369113A/ja active Pending
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