JPS6318618A - サセプタ−用カバ− - Google Patents
サセプタ−用カバ−Info
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- JPS6318618A JPS6318618A JP16343386A JP16343386A JPS6318618A JP S6318618 A JPS6318618 A JP S6318618A JP 16343386 A JP16343386 A JP 16343386A JP 16343386 A JP16343386 A JP 16343386A JP S6318618 A JPS6318618 A JP S6318618A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体製造におけるエピタキシセル気相成長装
置に使用されるサセプター用カバーに関する。
置に使用されるサセプター用カバーに関する。
（従来の技術）
従来、エピタキシャル気相成長装置に使用するサセプタ
ーとしては、有害ガスの放出がなく、化学的、熱的に安
定な黒鉛基材に炭化珪県を被覆したものが用いられてい
る。そして、通常、半導体のエピタキシャル層を得るた
めには、石英ガラス製の反応管内にサセプターを置ぎ、
この上に半導体基板を載せた後、まず、反応管にＨ２ガ
スを流し、反応管の外部に配設された高周波コイルによ
ってサセプターを高温（約１１００〜１２００℃）に加
熱する。次に、サセプターをこの温度に保持しながら、
１＠２に日Ｃｊ！を加えた混合ガスを流して基板の表面
を数ミクロン気相エツチングした後、Ｈ２及びＨ（ｌを
止め、Ｓ ｉ Ｃ４！４とＨ２０浪合ガス等の反応ガス
を流して基板に半導体（例えばＳｉ）をエピタキシャル
成長させている。さらに、エピタキシャル成長工程が終
了するごとにす廿ブタ−に蒸着生成されたＳｉを取除く
必要があるが、これは）−１２と１１ＣＩの混合ガスを
使った気相エツチングにより取除かれる。
ーとしては、有害ガスの放出がなく、化学的、熱的に安
定な黒鉛基材に炭化珪県を被覆したものが用いられてい
る。そして、通常、半導体のエピタキシャル層を得るた
めには、石英ガラス製の反応管内にサセプターを置ぎ、
この上に半導体基板を載せた後、まず、反応管にＨ２ガ
スを流し、反応管の外部に配設された高周波コイルによ
ってサセプターを高温（約１１００〜１２００℃）に加
熱する。次に、サセプターをこの温度に保持しながら、
１＠２に日Ｃｊ！を加えた混合ガスを流して基板の表面
を数ミクロン気相エツチングした後、Ｈ２及びＨ（ｌを
止め、Ｓ ｉ Ｃ４！４とＨ２０浪合ガス等の反応ガス
を流して基板に半導体（例えばＳｉ）をエピタキシャル
成長させている。さらに、エピタキシャル成長工程が終
了するごとにす廿ブタ−に蒸着生成されたＳｉを取除く
必要があるが、これは）−１２と１１ＣＩの混合ガスを
使った気相エツチングにより取除かれる。
（発明が解決しようとする問題点）
前述のように、従来の半導体！Ｉ造におけるエピタキシ
ャル成長工程が終了するごとに、１時間程度の時間を必
要とするＨ２とＨＣｆ！の混合ガスを使った気相エツチ
ングによってサセプターに蒸着生成された３ｉを取り除
く必要があるため、エピタキシャル成長装置の実稼動時
間が著しくｎわれている。
ャル成長工程が終了するごとに、１時間程度の時間を必
要とするＨ２とＨＣｆ！の混合ガスを使った気相エツチ
ングによってサセプターに蒸着生成された３ｉを取り除
く必要があるため、エピタキシャル成長装置の実稼動時
間が著しくｎわれている。
本発明は、従来のエピタキシャル成艮装詔がもつ、以上
の欠点を取り除き、サセプターに蒸着生成されたＳｉを
容易に取除き１９、エピタキシャル成長装置の実稼ｆａ
Ｊ時間を延ばし得るサセプター用カバーを提供すること
を目的とする。
の欠点を取り除き、サセプターに蒸着生成されたＳｉを
容易に取除き１９、エピタキシャル成長装置の実稼ｆａ
Ｊ時間を延ばし得るサセプター用カバーを提供すること
を目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明の前記目的は、次の構成によって達成される。即
ち、本発明の構成は、上に半導体基板を載せたす廿ブタ
−の上面における露出面を覆っており、高温下で耐触性
を有する板状部材からなることを特徴とするすせブター
用カバーである。
ち、本発明の構成は、上に半導体基板を載せたす廿ブタ
−の上面における露出面を覆っており、高温下で耐触性
を有する板状部材からなることを特徴とするすせブター
用カバーである。
（作用）
本発明のサセプター用カバーは、上に半導体基板を載せ
たサセプターの上面における露出面を覆った板状部材か
らなるが故に、半導体！Ｉ造におけるエピタキシャル気
相成長工程時に蒸着生成物をサセプター用カバーに付着
させて、蒸椙生成物がサセプターに付着するのを阻止し
得る。
たサセプターの上面における露出面を覆った板状部材か
らなるが故に、半導体！Ｉ造におけるエピタキシャル気
相成長工程時に蒸着生成物をサセプター用カバーに付着
させて、蒸椙生成物がサセプターに付着するのを阻止し
得る。
本発明の板状部材は、好ましくは輪郭がサセプターの上
面と同一形状をしているのがよく、また半導体１ｆｆｉ
の下部と相補的な形状を右する穴があけられているのが
よい。
面と同一形状をしているのがよく、また半導体１ｆｆｉ
の下部と相補的な形状を右する穴があけられているのが
よい。
本発明の根状部材の材料は、好ましくは石英、ＳｉＣ又
はＳｉ３Ｎ４のいずれかであるのがよい。
はＳｉ３Ｎ４のいずれかであるのがよい。
特に好ましくは、３ｉ３Ｎａであるのがよい。
（具体例）
本発明の構成を、間を参照しながら説明する。
第１図は本発明のサセプター用カバーの使用状態を示す
斜視図、第２図は第１図のサセプター用カバーの平面図
、第３図は第２図のｍ−ＦＪｉｇｉ面図である。第１図
から第３図において、■ピタキシャル気相成長装置の反
応管の中に道かれるサセプター１の上に、エピタキシャ
ル成長すべぎシリ」ンウエハー２が置かれており、サセ
プター１の上面のうちシリコンウェハー２によって覆わ
れた部分以外の露出面を覆うように、サセプター用カバ
ー３がサセプター１の上に載せられている。この時、サ
セプター用カバー３は、サセプター１の中央突起部４に
サセプター用カバー３の中央孔５を嵌合することによっ
て位置決めされる。
斜視図、第２図は第１図のサセプター用カバーの平面図
、第３図は第２図のｍ−ＦＪｉｇｉ面図である。第１図
から第３図において、■ピタキシャル気相成長装置の反
応管の中に道かれるサセプター１の上に、エピタキシャ
ル成長すべぎシリ」ンウエハー２が置かれており、サセ
プター１の上面のうちシリコンウェハー２によって覆わ
れた部分以外の露出面を覆うように、サセプター用カバ
ー３がサセプター１の上に載せられている。この時、サ
セプター用カバー３は、サセプター１の中央突起部４に
サセプター用カバー３の中央孔５を嵌合することによっ
て位置決めされる。
サセプター用カバー３の材質は８１３Ｎ４からなり、形
状は、輪郭が好ましくは一す−セブター１の上面と同じ
であり、直径が７０５ｍｍφの円形状をなしている。中
に直径が１２５ｍのシリコンウェハー２の下部と相補的
な形状を有する穴が６個設けられており、板厚は３Ｍで
ある。またシリコンウェハー２の直径は１００５１７Ｇ
、 ４ ｔｒｔであってもよい。
状は、輪郭が好ましくは一す−セブター１の上面と同じ
であり、直径が７０５ｍｍφの円形状をなしている。中
に直径が１２５ｍのシリコンウェハー２の下部と相補的
な形状を有する穴が６個設けられており、板厚は３Ｍで
ある。またシリコンウェハー２の直径は１００５１７Ｇ
、 ４ ｔｒｔであってもよい。
さらに、第４図に示すようにサセプター用カバーは適宜
に二分割できるものであってもよく、分割数は二分υ１
に限定されるものではなく、何分割であってもよい。
に二分割できるものであってもよく、分割数は二分υ１
に限定されるものではなく、何分割であってもよい。
（本発明の効果〉
本発明のサセプター用カバーによれば、半導体製造にお
けるエピタキシャル気相成長工程時に蒸着生成物をサセ
プター用カバーに付着させて、蒸着生成物がサセプター
に付着するのを阻止し得、従って、サセプターの上面を
清浄に維持し１！？るので、サセプターの蒸着生成物の
除去時間を極めて短縮化し得る。
けるエピタキシャル気相成長工程時に蒸着生成物をサセ
プター用カバーに付着させて、蒸着生成物がサセプター
に付着するのを阻止し得、従って、サセプターの上面を
清浄に維持し１！？るので、サセプターの蒸着生成物の
除去時間を極めて短縮化し得る。
第１図は本発明の１具体例の斜視図、第２図は本発明の
平面図、第３図は第２図の■−■断面図、第４図は本発
明の他の具体例の斜視図である。 １・・・・・・サセプター、２・・・・・・シリコンウ
ェハー、３・・・・・・サセプター用カバー。 第１図 第４図
平面図、第３図は第２図の■−■断面図、第４図は本発
明の他の具体例の斜視図である。 １・・・・・・サセプター、２・・・・・・シリコンウ
ェハー、３・・・・・・サセプター用カバー。 第１図 第４図
Claims (5)
- （１）上に半導体基板を載せたサセプターの上面におけ
る露出面を覆っており、高温下で耐触性を有する板状部
材からなることを特徴とするサセプター用カバー。 - （２）輪郭が前記サセプターの上面と同一形状をしてお
り、前記半導体基板の下部と相補的な形状を有する穴が
あけられていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載のカバー。 - （３）前記板状部材がＳｉ＿３Ｎ＿４からなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のカバ
ー。 - （４）前記板状部材がＳｉＣからなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のカバー。 - （５）前記板状部材が石英からなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項又は第２項に記載のカバー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16343386A JPS6318618A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | サセプタ−用カバ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16343386A JPS6318618A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | サセプタ−用カバ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318618A true JPS6318618A (ja) | 1988-01-26 |
Family
ID=15773801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16343386A Pending JPS6318618A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | サセプタ−用カバ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6318618A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2641901A1 (fr) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Toshiba Ceramics Co | Suscepteur destine a etre utilise dans un dispositif vertical pour realiser une croissance en phase vapeur |
| JP2003520746A (ja) * | 2000-01-31 | 2003-07-08 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッド | 基板をエピタキシャルにより処理するための装置及び方法 |
| JP2005526394A (ja) * | 2002-05-13 | 2005-09-02 | クリー インコーポレイテッド | Ｍｏｃｖｄ反応炉用サセプタ |
| JP2006173560A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウエハガイド、有機金属気相成長装置および窒化物系半導体を堆積する方法 |
| US8366830B2 (en) | 2003-03-04 | 2013-02-05 | Cree, Inc. | Susceptor apparatus for inverted type MOCVD reactor |
| KR20170138359A (ko) * | 2016-06-07 | 2017-12-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 웨이퍼 균일성을 위한 윤곽 포켓 및 하이브리드 서셉터 |
| CN111088522A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-01 | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 | 碳化硅外延生长反应室的顶盖结构 |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP16343386A patent/JPS6318618A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2641901A1 (fr) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Toshiba Ceramics Co | Suscepteur destine a etre utilise dans un dispositif vertical pour realiser une croissance en phase vapeur |
| US5074017A (en) * | 1989-01-13 | 1991-12-24 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Susceptor |
| JP2003520746A (ja) * | 2000-01-31 | 2003-07-08 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッド | 基板をエピタキシャルにより処理するための装置及び方法 |
| JP4970683B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2012-07-11 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッド | 基板をエピタキシャルにより処理するための装置及び方法 |
| JP2005526394A (ja) * | 2002-05-13 | 2005-09-02 | クリー インコーポレイテッド | Ｍｏｃｖｄ反応炉用サセプタ |
| US8372204B2 (en) | 2002-05-13 | 2013-02-12 | Cree, Inc. | Susceptor for MOCVD reactor |
| US8366830B2 (en) | 2003-03-04 | 2013-02-05 | Cree, Inc. | Susceptor apparatus for inverted type MOCVD reactor |
| JP2006173560A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウエハガイド、有機金属気相成長装置および窒化物系半導体を堆積する方法 |
| KR101127748B1 (ko) * | 2004-11-16 | 2012-03-23 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 웨이퍼 가이드, 유기 금속 기상 성장 장치 및 질화물계반도체를 퇴적하는 방법 |
| KR20170138359A (ko) * | 2016-06-07 | 2017-12-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 웨이퍼 균일성을 위한 윤곽 포켓 및 하이브리드 서셉터 |
| CN111088522A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-01 | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 | 碳化硅外延生长反应室的顶盖结构 |
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