JPH0369903B2 - - Google Patents
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- JPH0369903B2 JPH0369903B2 JP57023091A JP2309182A JPH0369903B2 JP H0369903 B2 JPH0369903 B2 JP H0369903B2 JP 57023091 A JP57023091 A JP 57023091A JP 2309182 A JP2309182 A JP 2309182A JP H0369903 B2 JPH0369903 B2 JP H0369903B2
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- Prior art keywords
- sulfuric acid
- sulfate
- amount
- crystals
- solvent
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Description
本発明は、式（）
で示されるトリアゾリルスチリルケトン誘導体、
すなわち１−（２，４−ジクロロフエニル）−４，
４−ジメチル−２−（１，２，４−トリアゾール
−１−イル）−１−ペンテン−３−オンの幾何異
性体の混合物からの幾何異性体の分離方法に関す
る。 式（）で示されるトリアゾリルスチリルケト
ン誘導体は、それ自身殺菌剤として有利である
（特開昭53−130661号公報）が、それを還元する
ことにより得られる式（） で示されるトリアゾリルスチリルカルビノール誘
導体、すなわち１−（２，４−ジクロロフエニル）
−２−（１，２，４−トリアゾール−１−イル）−
４，４−ジメチル−１−ペンテン−３−オール
は、殺菌剤、除草剤、植物生長調節剤として有用
であり、特にそのＥ体はそのＺ体よりも効力が優
れていることが知られている（特開昭54−41875
号、55−124771号、56−25105号公報）。 ところで式（）のトリアゾリルスチリルケト
ン誘導体（以下、特にことわらない限り、式
（）のトリアゾリルスチリルケトン誘導体のＥ
体、Ｚ体およびＥ、Ｚ混合物をそれぞれＥ体、Ｚ
体およびＥ／Ｚ体と称する）を得る方法として、
たとえば下記のような方法がある。 (1) Ｅ／Ｚ体またはＺ体を光によつてＥ体に異性
化する（特開昭55−147265号公報）。 (2) Ｅ／Ｚ体をクロマトグラフイーによつて分離
する（特開昭55−147265号公報）。 (3) Ｅ／Ｚ体からＺ体のみを結晶として析出さ
せ、母液部からＥ体に富む混合物を得る。必要
によりＺ体はＥ／Ｚ体に異性化する（特開昭56
−140978号公報等）。 しかしながら、前記(1)の方法は光反応装置など
の特殊な装置が必要となる。(2)の方法は工業的な
方法として困難な点が多い。(3)の方法は母液から
Ｅ体を回収することになり、Ｅ体の含有率を余り
高くできないし、また原料Ｅ／Ｚ体中の不純物を
除できない等の欠点がある。 本発明者らは、これらの欠点を克服するために
鋭意研究を行ない、Ｅ／Ｚ体からＥ体の硫酸塩の
みを選択的に晶出させうることを見出し、さらに
これを分離取得した後、分解することにより高純
度のＥ体が得られることを見出し、さらに種々の
検討を加え、本発明に到達した。 すなわち、本発明は、式（）で示されるトリ
アゾリルスチリルケトン誘導体のＥ／Ｚ体を、溶
媒中において硫酸と反応させ、該誘導体のＥ体の
硫酸塩として析出させ、分離取得した後、該硫酸
塩を分離してＥ体を得ることを特徴とするトリア
ゾリルスチリルケトン誘導体の幾何異性体の分離
方法である。 本発明方法において用いる硫酸の濃度が稀薄す
ぎると硫酸塩の析出量が減少したり、場合によつ
ては全く析出しなくなることから、硫酸の濃度は
通常40％以上、好ましくは50〜98％、より好まし
くは90〜98％である。 また、硫酸の使用量は、純分換算でＥ／Ｚ体の
Ｅ体含有量に対して通常0.5〜３倍モルの範囲で
あるが、硫酸量、殊に高濃度の硫酸量が多過ぎる
とＺ体の硫酸塩の析出も随伴し易くなることか
ら、より好ましくは0.95〜1.2倍モルの範囲であ
る。 本発明方法において用いられる溶媒としては、
不活性溶媒であれば特に限定されるものではない
が、好ましいものとして非プロトン性有機溶媒が
あげられ、たとえばベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、クロロホ
ルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、トリクレ
ン、パークレン、モノクロロベンゼン、ジクロロ
ベンゼン等のハロゲン化炭化水素、酢酸エチル、
ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ヘ
キサン、ヘプタン、オクタン、石油エーテル、リ
グロイン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン等の脂肪族または脂環族炭化水素、アセトン、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、アセトニト
リル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒ある
いはこれらの混合溶媒などが例示される。ことに
芳香族炭化水素およびハロゲン化炭化水素が好適
に用いられる。溶媒の使用量はその種類、晶析温
度によつて変わりうるので一概には決められない
が、通常は原料のＥ／Ｚ体に対し、0.5重量倍か
ら20重量倍の範囲である。 本発明方法において、Ｅ体の硫酸塩の析出は、
通常自然に開始されるので、その種晶の接種は必
須ではないが、より確実を期するために接種して
もよい。この種晶は硫酸と原料Ｅ／Ｚ体の混合後
でもよいし、混合前のＥ／Ｚ体溶液に加えてもよ
い。 反応温度または晶析温度は溶媒の沸点以下であ
つて、かつ異性化等の副反応を伴なわない温度で
実施されるが、好ましくは０℃〜80℃で行なわれ
る。 反応溶液からＥ体の硫酸塩を分離するには、た
とえば過、遠心分離、デカンテーシヨンなど通
常の方法を用いることにより行なわれる。 上記のようにして得られたＥ体の硫酸塩からＥ
体を回収するには、通常、水と混和せず、かつＥ
体を溶かす溶媒、たとえばトルエン、クロロベン
ゼン、酢酸エチル、エーテル、四塩化炭素等の存
在下、大過剰の水と該硫酸塩とを混合することに
よつて硫酸塩が分解され、油層から高純度のＥ体
が回収される。このとき、水層中に炭酸ナトリウ
ム、重炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、アン
モニアなどの塩基を硫酸に対し過剰に存在させて
もよい。また、水以外にも過剰量の含水のメタノ
ール、酢酸等のプロトン性溶媒あるいはアミン等
の塩基でも該硫酸塩を分解することができる。 なお、本発明方法によつてＥ体硫酸塩を除去し
たあとの母液中には、Ｚ体が多く含まるが、水洗
等によつて硫酸を除いたのち、これはたとえば特
開昭56−140978号公報等に示されている方法によ
り、Ｅ／Ｚ体に異性化させたのち、再び本発明方
法に用いることができるし、または該母液に過剰
モルの硫酸、より好ましくはさらにＺ体硫酸塩の
種晶を加えることにより、Ｚ体の硫酸塩を析出さ
せることもできる。 以下、具体的な例をもつて本発明を説明するが
当然ながら、本発明はこれらの例に限られるもの
ではない。なお、Ｅ／Ｚ体はＥ体とＺ体の比率を
表わす。 参考例 １ Ｅ体１ｇをトルエン10ｇに溶解し、20℃に保温
し、撹拌下に濃硫酸0.165c.c.を添加した。２時間
撹拌したのち過した。少量のトルエンで結晶を
洗浄したのち、結晶を真空乾燥した。 結晶収量 1.27ｇ 融 点 205.5〜207℃ 元素分析量 Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 42.8 4.1 9.8 元素分析量 Ｓ(%) Cl(%) 7.5 16.9 参考例 ２ Ｚ体１ｇをトルエン10ｇに溶解し、20℃に保温
撹拌下に濃硫酸0.083c.c.を滴下した。そののち12
℃に冷却し、６時間後に結晶を取し、少量のト
ルエンで洗浄したのち、真空乾燥した。 結晶収量 0.62ｇ 融 点 117.5〜118℃ 元素分析量 Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 43.0 4.2 9.9 元素分析量 Ｓ(%) Cl(%) 7.4 17.1 実施例 １ Ｅ／Ｚ体（純度96.8％、Ｅ／Z43.0／57.0）8.11
ｇをトルエン80ｇに溶解し、20℃で濃硫酸1.22ｇ
を滴下した。4.5時間、20℃に保温撹拌後取し、
ヘキサン10c.c.で結晶を洗つたのち結晶を真空乾燥
した。 結晶収量 4.23ｇ 融 点 197〜205℃ 次にこの結晶１ｇに10％重炭酸ナトリウム水溶
液４c.c.、トルエン20c.c.および水20c.c.を加え、室温
（20〜５℃）で、結晶が消失するまで撹拌したの
ち水層を分離し、油層を２回水洗後濃縮した。得
られた結晶は0.76ｇ（原料のＥ／Ｚ体に対し通算
で40％）、Ｅ／Ｚは96.0／4.0であつた。 実施例 ２〜６ 実施例１で用いたＥ／Ｚ体を同量用いて、溶
媒、温度、時間をかえた以外は実施例１と同様に
してＥ体の分離を行なつた。
すなわち１−（２，４−ジクロロフエニル）−４，
４−ジメチル−２−（１，２，４−トリアゾール
−１−イル）−１−ペンテン−３−オンの幾何異
性体の混合物からの幾何異性体の分離方法に関す
る。 式（）で示されるトリアゾリルスチリルケト
ン誘導体は、それ自身殺菌剤として有利である
（特開昭53−130661号公報）が、それを還元する
ことにより得られる式（） で示されるトリアゾリルスチリルカルビノール誘
導体、すなわち１−（２，４−ジクロロフエニル）
−２−（１，２，４−トリアゾール−１−イル）−
４，４−ジメチル−１−ペンテン−３−オール
は、殺菌剤、除草剤、植物生長調節剤として有用
であり、特にそのＥ体はそのＺ体よりも効力が優
れていることが知られている（特開昭54−41875
号、55−124771号、56−25105号公報）。 ところで式（）のトリアゾリルスチリルケト
ン誘導体（以下、特にことわらない限り、式
（）のトリアゾリルスチリルケトン誘導体のＥ
体、Ｚ体およびＥ、Ｚ混合物をそれぞれＥ体、Ｚ
体およびＥ／Ｚ体と称する）を得る方法として、
たとえば下記のような方法がある。 (1) Ｅ／Ｚ体またはＺ体を光によつてＥ体に異性
化する（特開昭55−147265号公報）。 (2) Ｅ／Ｚ体をクロマトグラフイーによつて分離
する（特開昭55−147265号公報）。 (3) Ｅ／Ｚ体からＺ体のみを結晶として析出さ
せ、母液部からＥ体に富む混合物を得る。必要
によりＺ体はＥ／Ｚ体に異性化する（特開昭56
−140978号公報等）。 しかしながら、前記(1)の方法は光反応装置など
の特殊な装置が必要となる。(2)の方法は工業的な
方法として困難な点が多い。(3)の方法は母液から
Ｅ体を回収することになり、Ｅ体の含有率を余り
高くできないし、また原料Ｅ／Ｚ体中の不純物を
除できない等の欠点がある。 本発明者らは、これらの欠点を克服するために
鋭意研究を行ない、Ｅ／Ｚ体からＥ体の硫酸塩の
みを選択的に晶出させうることを見出し、さらに
これを分離取得した後、分解することにより高純
度のＥ体が得られることを見出し、さらに種々の
検討を加え、本発明に到達した。 すなわち、本発明は、式（）で示されるトリ
アゾリルスチリルケトン誘導体のＥ／Ｚ体を、溶
媒中において硫酸と反応させ、該誘導体のＥ体の
硫酸塩として析出させ、分離取得した後、該硫酸
塩を分離してＥ体を得ることを特徴とするトリア
ゾリルスチリルケトン誘導体の幾何異性体の分離
方法である。 本発明方法において用いる硫酸の濃度が稀薄す
ぎると硫酸塩の析出量が減少したり、場合によつ
ては全く析出しなくなることから、硫酸の濃度は
通常40％以上、好ましくは50〜98％、より好まし
くは90〜98％である。 また、硫酸の使用量は、純分換算でＥ／Ｚ体の
Ｅ体含有量に対して通常0.5〜３倍モルの範囲で
あるが、硫酸量、殊に高濃度の硫酸量が多過ぎる
とＺ体の硫酸塩の析出も随伴し易くなることか
ら、より好ましくは0.95〜1.2倍モルの範囲であ
る。 本発明方法において用いられる溶媒としては、
不活性溶媒であれば特に限定されるものではない
が、好ましいものとして非プロトン性有機溶媒が
あげられ、たとえばベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、クロロホ
ルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、トリクレ
ン、パークレン、モノクロロベンゼン、ジクロロ
ベンゼン等のハロゲン化炭化水素、酢酸エチル、
ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ヘ
キサン、ヘプタン、オクタン、石油エーテル、リ
グロイン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン等の脂肪族または脂環族炭化水素、アセトン、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、アセトニト
リル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒ある
いはこれらの混合溶媒などが例示される。ことに
芳香族炭化水素およびハロゲン化炭化水素が好適
に用いられる。溶媒の使用量はその種類、晶析温
度によつて変わりうるので一概には決められない
が、通常は原料のＥ／Ｚ体に対し、0.5重量倍か
ら20重量倍の範囲である。 本発明方法において、Ｅ体の硫酸塩の析出は、
通常自然に開始されるので、その種晶の接種は必
須ではないが、より確実を期するために接種して
もよい。この種晶は硫酸と原料Ｅ／Ｚ体の混合後
でもよいし、混合前のＥ／Ｚ体溶液に加えてもよ
い。 反応温度または晶析温度は溶媒の沸点以下であ
つて、かつ異性化等の副反応を伴なわない温度で
実施されるが、好ましくは０℃〜80℃で行なわれ
る。 反応溶液からＥ体の硫酸塩を分離するには、た
とえば過、遠心分離、デカンテーシヨンなど通
常の方法を用いることにより行なわれる。 上記のようにして得られたＥ体の硫酸塩からＥ
体を回収するには、通常、水と混和せず、かつＥ
体を溶かす溶媒、たとえばトルエン、クロロベン
ゼン、酢酸エチル、エーテル、四塩化炭素等の存
在下、大過剰の水と該硫酸塩とを混合することに
よつて硫酸塩が分解され、油層から高純度のＥ体
が回収される。このとき、水層中に炭酸ナトリウ
ム、重炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、アン
モニアなどの塩基を硫酸に対し過剰に存在させて
もよい。また、水以外にも過剰量の含水のメタノ
ール、酢酸等のプロトン性溶媒あるいはアミン等
の塩基でも該硫酸塩を分解することができる。 なお、本発明方法によつてＥ体硫酸塩を除去し
たあとの母液中には、Ｚ体が多く含まるが、水洗
等によつて硫酸を除いたのち、これはたとえば特
開昭56−140978号公報等に示されている方法によ
り、Ｅ／Ｚ体に異性化させたのち、再び本発明方
法に用いることができるし、または該母液に過剰
モルの硫酸、より好ましくはさらにＺ体硫酸塩の
種晶を加えることにより、Ｚ体の硫酸塩を析出さ
せることもできる。 以下、具体的な例をもつて本発明を説明するが
当然ながら、本発明はこれらの例に限られるもの
ではない。なお、Ｅ／Ｚ体はＥ体とＺ体の比率を
表わす。 参考例 １ Ｅ体１ｇをトルエン10ｇに溶解し、20℃に保温
し、撹拌下に濃硫酸0.165c.c.を添加した。２時間
撹拌したのち過した。少量のトルエンで結晶を
洗浄したのち、結晶を真空乾燥した。 結晶収量 1.27ｇ 融 点 205.5〜207℃ 元素分析量 Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 42.8 4.1 9.8 元素分析量 Ｓ(%) Cl(%) 7.5 16.9 参考例 ２ Ｚ体１ｇをトルエン10ｇに溶解し、20℃に保温
撹拌下に濃硫酸0.083c.c.を滴下した。そののち12
℃に冷却し、６時間後に結晶を取し、少量のト
ルエンで洗浄したのち、真空乾燥した。 結晶収量 0.62ｇ 融 点 117.5〜118℃ 元素分析量 Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 43.0 4.2 9.9 元素分析量 Ｓ(%) Cl(%) 7.4 17.1 実施例 １ Ｅ／Ｚ体（純度96.8％、Ｅ／Z43.0／57.0）8.11
ｇをトルエン80ｇに溶解し、20℃で濃硫酸1.22ｇ
を滴下した。4.5時間、20℃に保温撹拌後取し、
ヘキサン10c.c.で結晶を洗つたのち結晶を真空乾燥
した。 結晶収量 4.23ｇ 融 点 197〜205℃ 次にこの結晶１ｇに10％重炭酸ナトリウム水溶
液４c.c.、トルエン20c.c.および水20c.c.を加え、室温
（20〜５℃）で、結晶が消失するまで撹拌したの
ち水層を分離し、油層を２回水洗後濃縮した。得
られた結晶は0.76ｇ（原料のＥ／Ｚ体に対し通算
で40％）、Ｅ／Ｚは96.0／4.0であつた。 実施例 ２〜６ 実施例１で用いたＥ／Ｚ体を同量用いて、溶
媒、温度、時間をかえた以外は実施例１と同様に
してＥ体の分離を行なつた。
【表】
【表】
実施例 ７
実施例１で用いたＥ／Ｚ体8.11ｇをモノクロル
ベンゼン20ｇに溶解した。30℃に保温して、濃硫
酸1.22ｇを滴下したのち、同温度で、５時間撹拌
後過した。結晶はモノクロルベンゼン20c.c.で洗
浄したのち真空乾燥した。収量は4.29ｇであつ
た。 この結晶１ｇをジメチルホルムアミド２c.c.に溶
解し、トルエン20c.c.および水20c.c.を加えたのちよ
く混合し、水層を分離した。油層をさらに２回水
洗したのち濃縮し、Ｅ体（Ｅ／Ｚ、97.3／2.7）
0.77ｇを得た。 実施例 ８ 実施例７の濃硫酸1.22ｇに代えて80％硫酸3.07
ｇを用いたほかは実施例７と全く同様に行なつ
た。得られた結晶は4.58ｇでこの結晶１ｇを分解
して得たＥ体の収量は0.71ｇ、Ｅ／Ｚは96.7／3.3
であつた。なおこの塩は3.5％の水分を有してお
り、融点は188〜193℃であつた。 実施例 ９ 実施例７の濃硫酸に代えて50％硫酸2.45ｇを用
いたほかは全く同様に行なつた。得られた塩は
3.35ｇ、この結晶１ｇを分解して得たＥ体は0.62
ｇ（Ｅ／Z100.0／0.0）であつた。また、この塩
は8.4％の水を含んでおり、融点は158〜165℃で
あつた。 実施例 10 粗製Ｅ／Ｚ体（純度84.4％、Ｅ／Z30.6／69.4）
２ｇを５ｇのモノクロロベンゼンに溶解し、
0.072c.c.の濃硫酸を添加した。Ｅ体硫酸塩結晶
（実施例１と同様にして得たもの）を微量接種し
たのち、27〜32℃で４時間撹拌し過した。得ら
れた結晶は0.504ｇ、これを分解して得たＥ体は
0.384ｇで、その純度は97.6％、Ｅ／Z99.1／0.9で
あつた。 一方、この母液から回収されたトリアゾリルス
チリルケトン誘導体1.566ｇは、純度82.4％、
Ｅ／Z9.5／90.5であつた。これを１ｇとり、モノ
クロロベンゼン3.2ｇに溶解して、濃硫酸0.136c.c.
を30℃で加え、４時間撹拌したのち、過、少量
のモノクロロベンゼンで洗浄して結晶0.915ｇを
得た。この結晶を全量分解して、0.7ｇ（純度
95.2％、Ｅ／Z9.9／90.1）を回収した。 実施例 11 実施例７で得た硫酸塩２ｇにトルエン５c.c.およ
び水10c.c.を加え、40℃で30分間撹拌したところ、
結晶はほぼ消失しさらに30分間撹拌後、水層を分
離し、水10c.c.で２回洗浄したのち、油層を濃縮し
た。1.481ｇのＥ体を得た。 実施例 12 実施例７において、濃硫酸1.22ｇに代えて濃硫
酸2.45ｇを用いたほかは同様に行なつた。得られ
た塩は4.68ｇ、この結晶１ｇを分解してＥ／Ｚが
97.7／2.3であるＥ体を得た。 比較例 １ 実施例12において、濃硫酸を滴下終了したの
ち、参考例１で得たＥ体の硫酸塩および参考例２
で得たＺ体硫酸塩各々約１mgを添加したほかは同
様に行なつた。得られた結晶は7.60ｇ、この結晶
１ｇを分解したところ、Ｅ／Ｚが60.8／39.2の
Ｅ／Ｚ体であつた。
ベンゼン20ｇに溶解した。30℃に保温して、濃硫
酸1.22ｇを滴下したのち、同温度で、５時間撹拌
後過した。結晶はモノクロルベンゼン20c.c.で洗
浄したのち真空乾燥した。収量は4.29ｇであつ
た。 この結晶１ｇをジメチルホルムアミド２c.c.に溶
解し、トルエン20c.c.および水20c.c.を加えたのちよ
く混合し、水層を分離した。油層をさらに２回水
洗したのち濃縮し、Ｅ体（Ｅ／Ｚ、97.3／2.7）
0.77ｇを得た。 実施例 ８ 実施例７の濃硫酸1.22ｇに代えて80％硫酸3.07
ｇを用いたほかは実施例７と全く同様に行なつ
た。得られた結晶は4.58ｇでこの結晶１ｇを分解
して得たＥ体の収量は0.71ｇ、Ｅ／Ｚは96.7／3.3
であつた。なおこの塩は3.5％の水分を有してお
り、融点は188〜193℃であつた。 実施例 ９ 実施例７の濃硫酸に代えて50％硫酸2.45ｇを用
いたほかは全く同様に行なつた。得られた塩は
3.35ｇ、この結晶１ｇを分解して得たＥ体は0.62
ｇ（Ｅ／Z100.0／0.0）であつた。また、この塩
は8.4％の水を含んでおり、融点は158〜165℃で
あつた。 実施例 10 粗製Ｅ／Ｚ体（純度84.4％、Ｅ／Z30.6／69.4）
２ｇを５ｇのモノクロロベンゼンに溶解し、
0.072c.c.の濃硫酸を添加した。Ｅ体硫酸塩結晶
（実施例１と同様にして得たもの）を微量接種し
たのち、27〜32℃で４時間撹拌し過した。得ら
れた結晶は0.504ｇ、これを分解して得たＥ体は
0.384ｇで、その純度は97.6％、Ｅ／Z99.1／0.9で
あつた。 一方、この母液から回収されたトリアゾリルス
チリルケトン誘導体1.566ｇは、純度82.4％、
Ｅ／Z9.5／90.5であつた。これを１ｇとり、モノ
クロロベンゼン3.2ｇに溶解して、濃硫酸0.136c.c.
を30℃で加え、４時間撹拌したのち、過、少量
のモノクロロベンゼンで洗浄して結晶0.915ｇを
得た。この結晶を全量分解して、0.7ｇ（純度
95.2％、Ｅ／Z9.9／90.1）を回収した。 実施例 11 実施例７で得た硫酸塩２ｇにトルエン５c.c.およ
び水10c.c.を加え、40℃で30分間撹拌したところ、
結晶はほぼ消失しさらに30分間撹拌後、水層を分
離し、水10c.c.で２回洗浄したのち、油層を濃縮し
た。1.481ｇのＥ体を得た。 実施例 12 実施例７において、濃硫酸1.22ｇに代えて濃硫
酸2.45ｇを用いたほかは同様に行なつた。得られ
た塩は4.68ｇ、この結晶１ｇを分解してＥ／Ｚが
97.7／2.3であるＥ体を得た。 比較例 １ 実施例12において、濃硫酸を滴下終了したの
ち、参考例１で得たＥ体の硫酸塩および参考例２
で得たＺ体硫酸塩各々約１mgを添加したほかは同
様に行なつた。得られた結晶は7.60ｇ、この結晶
１ｇを分解したところ、Ｅ／Ｚが60.8／39.2の
Ｅ／Ｚ体であつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 式 で示されるトリアゾリルスチリルケトン誘導体の
幾何異性体混合物を、溶媒中において硫酸と反応
させ、該誘導体のＥ体の硫酸塩を結晶として析出
させ、分離取得した後、これを分解することを特
徴とする該トリアゾリルスチリルケトン誘導体の
Ｅ体の分離方法。 ２ 硫酸が40％以上の硫酸である特許請求の範囲
第１項に記載の方法。 ３ 硫酸が90％以上の硫酸である特許請求の範囲
第１項または第２項に記載の方法。 ４ 硫酸を該トリアゾリルスチリルケトン誘導体
のＥ体に対して、0.5〜３倍モル用いる特許請求
の範囲第１項、第２項または第３項に記載の方
法。 ５ 硫酸を該トリアゾリルスチリルケトン誘導体
のＥ体に対して、0.95〜1.2倍モル用いる特許請
求の範囲第１項、第２項、第３項または第４項に
記載の方法。 ６ 溶媒が非プロトン性不活性溶媒である特許請
求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項または
第５項に記載の方法。 ７ 溶媒が芳香族炭化水素またはハロゲン化炭化
水素である特許請求の範囲第６項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023091A JPS58140081A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | トリアゾリルスチリルケトン誘導体の幾何異性体の分離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023091A JPS58140081A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | トリアゾリルスチリルケトン誘導体の幾何異性体の分離方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58140081A JPS58140081A (ja) | 1983-08-19 |
| JPH0369903B2 true JPH0369903B2 (ja) | 1991-11-05 |
Family
ID=12100752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57023091A Granted JPS58140081A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | トリアゾリルスチリルケトン誘導体の幾何異性体の分離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58140081A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62178575A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | トリアゾリルスチリルケトン誘導体のｅ−異性体の製造方法 |
| JPS62226966A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | トリアゾ−ル誘導体のｅ−異性体の製造方法 |
| JP4892821B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2012-03-07 | 大日本印刷株式会社 | エパルレスタット製造法 |
| JP4892915B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2012-03-07 | 大日本印刷株式会社 | エパルレスタット製造法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55147265A (en) * | 1979-04-05 | 1980-11-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | Triazole geometrical isomer compound and its preparation |
| JPS56140978A (en) * | 1980-04-07 | 1981-11-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | Preparation of triazole geometrical isomeric mixture |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP57023091A patent/JPS58140081A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58140081A (ja) | 1983-08-19 |
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