JPH0370131A - アッシング方法 - Google Patents
アッシング方法Info
- Publication number
- JPH0370131A JPH0370131A JP1207599A JP20759989A JPH0370131A JP H0370131 A JPH0370131 A JP H0370131A JP 1207599 A JP1207599 A JP 1207599A JP 20759989 A JP20759989 A JP 20759989A JP H0370131 A JPH0370131 A JP H0370131A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ashing
- gas flow
- wafer
- plasma
- reaction gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
アッシング方法の改善に関し、
ガス流を一層均一にして、アッシングの不均一性を改善
することを目的とし、 反応ガスをプラズマ励起して有機物質をアッシング処理
するアッシング方法において、横方向にやや斜め下向き
の開口を有する複数の流入口から反応ガスを流入させ、
被処理体の上部で渦巻き状のガス流をつくり、該ガス流
をプラズマ励起して前記被処理体面の有機物質をアッシ
ング処理するようにしたことを特徴とする。
することを目的とし、 反応ガスをプラズマ励起して有機物質をアッシング処理
するアッシング方法において、横方向にやや斜め下向き
の開口を有する複数の流入口から反応ガスを流入させ、
被処理体の上部で渦巻き状のガス流をつくり、該ガス流
をプラズマ励起して前記被処理体面の有機物質をアッシ
ング処理するようにしたことを特徴とする。
本発明はフォトプロセスなどに使用されるアッシング（
Ａｓｈｉｎｇ ；灰化）方法の改善に関する。
Ａｓｈｉｎｇ ；灰化）方法の改善に関する。
ＩＣなどの半導体装置を製造する工程においてはフォト
プロセスが主要工程の一つとなっており、その際、レジ
ストの除去には乾式のアッシング処理がおこなわれてい
る。しかし、アッシング処理はウェハー全面で均一に処
理されることが望ましく、そのようなアッシング方法に
関している。
プロセスが主要工程の一つとなっており、その際、レジ
ストの除去には乾式のアッシング処理がおこなわれてい
る。しかし、アッシング処理はウェハー全面で均一に処
理されることが望ましく、そのようなアッシング方法に
関している。
従来、ウェハー（被処理体）面のレジスト（有機物りを
除去する乾式のアッシング方法としては、高周波電源か
ら１３．５６ＭＨ２程度の高周波を導入して酸素ガスを
プラズマ化し、その酸素プラズマによってアッシングす
る方式やマイクロ波電源から２．４５ＧＩＩＺのマイク
ロ波を導入してマイクロ波プラズマ化した酸素プラズマ
によってアッシング処理する方式が用いられている。
除去する乾式のアッシング方法としては、高周波電源か
ら１３．５６ＭＨ２程度の高周波を導入して酸素ガスを
プラズマ化し、その酸素プラズマによってアッシングす
る方式やマイクロ波電源から２．４５ＧＩＩＺのマイク
ロ波を導入してマイクロ波プラズマ化した酸素プラズマ
によってアッシング処理する方式が用いられている。
第３図はそのうちのマイクロ波プラズマ化するアッシン
グ方法に適用する従来のアッシング装置の要部断面図を
示しており、ｌはマイクロ波導入口、２はマイクロ波透
過窓、３はアソシング処理室、４は排気０．５は反応ガ
ス流入口、６はウェハー（被処理体）、７はウェハース
テージである。
グ方法に適用する従来のアッシング装置の要部断面図を
示しており、ｌはマイクロ波導入口、２はマイクロ波透
過窓、３はアソシング処理室、４は排気０．５は反応ガ
ス流入口、６はウェハー（被処理体）、７はウェハース
テージである。
処理方法はアッシング処理室３内を排気口４より真空排
気し、反応ガス流入口５から酸素（０２）ガスを流入さ
せて処理室内をＱ、ｌ Ｔｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒの減圧に
し、導入したマイクロ波で酸素ガスをプラズマ励起させ
てウェハー６面のレジスト６１をアッシング除去するも
のである。その際、一般には反応ガスを反応ガス流入口
５からウェハー６面に向かって垂直に一様に流入させて
アッシング処理する方法が採られており、かくして、ウ
ェハー全面のアッシング処理の均一化を図っている。
気し、反応ガス流入口５から酸素（０２）ガスを流入さ
せて処理室内をＱ、ｌ Ｔｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒの減圧に
し、導入したマイクロ波で酸素ガスをプラズマ励起させ
てウェハー６面のレジスト６１をアッシング除去するも
のである。その際、一般には反応ガスを反応ガス流入口
５からウェハー６面に向かって垂直に一様に流入させて
アッシング処理する方法が採られており、かくして、ウ
ェハー全面のアッシング処理の均一化を図っている。
なお、反応ガスには酸素（０２）ガス単体の他に、スル
ープットを高めるために酸素ガスに四弗化炭素（フレオ
ン、ＣＦ、）と窒素（Ｎ２）を混合したガスなどを用い
ることもある。
ープットを高めるために酸素ガスに四弗化炭素（フレオ
ン、ＣＦ、）と窒素（Ｎ２）を混合したガスなどを用い
ることもある。
ところで、第３図に示すような従来のアッシング装置を
用いたアッシング方法においては、上記のように、アッ
シング処理を均一におこなうために、反応ガスをウェハ
ー６面に向かって重直に流入させているが、最近、装置
自体が改善されて高周波電源やマイクロ波電源のパワー
が強力になり、プラズマ励起効率が向上してくると、ウ
ェハー全面におけるアッシング処理の均一化が困難にな
ってきた。それはプラズマ励起効率が悪くて長時間の処
理をおこなう従来の処理方法では余り問題にはならなか
ったが、プラズマ励起効率が向上して高スループツトで
短時間処理ができるようになると、今まで不明であった
ガス流の不均一化が露見してきたものと思はれる。
用いたアッシング方法においては、上記のように、アッ
シング処理を均一におこなうために、反応ガスをウェハ
ー６面に向かって重直に流入させているが、最近、装置
自体が改善されて高周波電源やマイクロ波電源のパワー
が強力になり、プラズマ励起効率が向上してくると、ウ
ェハー全面におけるアッシング処理の均一化が困難にな
ってきた。それはプラズマ励起効率が悪くて長時間の処
理をおこなう従来の処理方法では余り問題にはならなか
ったが、プラズマ励起効率が向上して高スループツトで
短時間処理ができるようになると、今まで不明であった
ガス流の不均一化が露見してきたものと思はれる。
本発明はそのようなガス流を一層均一にして、アッシン
グの不均一性を改善することを目的としたアッシング方
法を提案するものである。
グの不均一性を改善することを目的としたアッシング方
法を提案するものである。
その課題は、第１図に示しているように、やや斜め下向
きの横方向に開口を有する複数の流入口５１．５２．５
３から反応ガスを流入させ、被処理体６の上部で渦巻き
状のガス流をつくり、該ガス流をプラズマ励起して前記
被処理体面の有機物質６１をアッシング処理するように
したアッシング方法によって解決される。
きの横方向に開口を有する複数の流入口５１．５２．５
３から反応ガスを流入させ、被処理体６の上部で渦巻き
状のガス流をつくり、該ガス流をプラズマ励起して前記
被処理体面の有機物質６１をアッシング処理するように
したアッシング方法によって解決される。
即ち、本発明はアッシング処理室内において渦巻き状の
ガス流をつくり、その流れをプラズマ励起して被処理体
（ウェハー）の有機物質（レジスト）６１に反応させる
。そうすれば、従来より一層均一にウェハー面にプラズ
マを反応させて、均一に処理することができる。
ガス流をつくり、その流れをプラズマ励起して被処理体
（ウェハー）の有機物質（レジスト）６１に反応させる
。そうすれば、従来より一層均一にウェハー面にプラズ
マを反応させて、均一に処理することができる。
以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるアッシング方法を適用するアッ
シング装置の要部断面図、第２図は第１図の透視平面図
を示している。図中の記号は両図に共通して、■はマイ
クロ波導入口、２はマイクロ波透過窓、３はアソシング
処理室、４は排気口。
シング装置の要部断面図、第２図は第１図の透視平面図
を示している。図中の記号は両図に共通して、■はマイ
クロ波導入口、２はマイクロ波透過窓、３はアソシング
処理室、４は排気口。
６はウェハー、７はウェハーステージ、 ５１．５２゜
５３は反応ガス流入口、６１はレジストである。
５３は反応ガス流入口、６１はレジストである。
本例ではＬ型ガス流入管に３つの反応ガス流入口を設け
、やや斜め下向きに横方向に開口して開口径をそれぞれ
変え、反応ガスがアッシング処理室３の中で処理室の側
壁に沿って流れて次第に中心に至り、ガスの流れがウェ
ハー６の上で渦巻き状になるようにする。且つ、その間
にマイクロ波を受けてプラズマ励起してウェハー６の面
に達し、ウェハー面のレジスト６１に反応させる。そう
すれば、プラズマがウェハー全面に均一に接触してアッ
シング処理され、従って、アッシング処理のスループッ
トも向上する。
、やや斜め下向きに横方向に開口して開口径をそれぞれ
変え、反応ガスがアッシング処理室３の中で処理室の側
壁に沿って流れて次第に中心に至り、ガスの流れがウェ
ハー６の上で渦巻き状になるようにする。且つ、その間
にマイクロ波を受けてプラズマ励起してウェハー６の面
に達し、ウェハー面のレジスト６１に反応させる。そう
すれば、プラズマがウェハー全面に均一に接触してアッ
シング処理され、従って、アッシング処理のスループッ
トも向上する。
アッシング方法の具体例を説明すると、５インチφの被
処理ウェハーを直径１０インチのアッシング処理室に収
容して、酸素ガス０．５〜３．Ｏ１！／分を流入して減
圧度をＩ Ｔｏｒｒに保持しつつ、アッシング処理室に
マイクロ波を投入してプラズマ状態を作り出して処理す
る。そうすると、数分間の処理時間によって膜厚３．０
〜３．２μｍのレジストを均一に除去することができた
。従って、本発明によればスループットの向上および被
処理体の高品質化が図れるものである。
処理ウェハーを直径１０インチのアッシング処理室に収
容して、酸素ガス０．５〜３．Ｏ１！／分を流入して減
圧度をＩ Ｔｏｒｒに保持しつつ、アッシング処理室に
マイクロ波を投入してプラズマ状態を作り出して処理す
る。そうすると、数分間の処理時間によって膜厚３．０
〜３．２μｍのレジストを均一に除去することができた
。従って、本発明によればスループットの向上および被
処理体の高品質化が図れるものである。
なお、上記例はマイクロ波励起によるアッシング方法で
説明したが、高周波励起によるアッシング方法にも適用
できることは当然である。
説明したが、高周波励起によるアッシング方法にも適用
できることは当然である。
以上の説明から明らかなように、本発明にかかるアッシ
ング方法によればアッシング処理のスループットが向上
して、しかも、被処理体の高信頼化にも寄与するもので
ある。
ング方法によればアッシング処理のスループットが向上
して、しかも、被処理体の高信頼化にも寄与するもので
ある。
第１図は本発明にかかるアッシング方法を適用するア・
シシング装置の要部断面図、 第２図は第１図の透視平面図、 第３図は従来のアッシング装置の要部断面図である。 図において、 １はマイクロ波導入口、 ２はマイクロ波透過窓、 ３はアッシング処理室、 ４は排気口、 ５、５Ｌ ５２．５３は反応ガス流入口、６はウェハー ７はウェハーステージ、 ６１はレジスト を示している。 ！！ １ 図 従朱／１７ツシユ７・ゑ１バ啼断面の 第３図 才子間０透ｑ乎而国 ！Ｉ！２ 図
シシング装置の要部断面図、 第２図は第１図の透視平面図、 第３図は従来のアッシング装置の要部断面図である。 図において、 １はマイクロ波導入口、 ２はマイクロ波透過窓、 ３はアッシング処理室、 ４は排気口、 ５、５Ｌ ５２．５３は反応ガス流入口、６はウェハー ７はウェハーステージ、 ６１はレジスト を示している。 ！！ １ 図 従朱／１７ツシユ７・ゑ１バ啼断面の 第３図 才子間０透ｑ乎而国 ！Ｉ！２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 反応ガスをプラズマ励起して有機物質をアッシング処理
するアッシング方法において、 横方向にやや斜め下向きの開口を有する複数の流入口か
ら反応ガスを流入させ、被処理体の上部で渦巻き状のガ
ス流をつくり、該ガス流をプラズマ励起して前記被処理
体面の有機物質をアッシング処理するようにしたことを
特徴とするアッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1207599A JPH0370131A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | アッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1207599A JPH0370131A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | アッシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0370131A true JPH0370131A (ja) | 1991-03-26 |
Family
ID=16542442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1207599A Pending JPH0370131A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | アッシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0370131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100300834B1 (ko) * | 1998-04-07 | 2001-10-19 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 고유전률박막형성용cvd장치및고유전률박막형성방법 |
-
1989
- 1989-08-09 JP JP1207599A patent/JPH0370131A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100300834B1 (ko) * | 1998-04-07 | 2001-10-19 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 고유전률박막형성용cvd장치및고유전률박막형성방법 |
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