JPH0370913B2 - - Google Patents
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- JPH0370913B2 JPH0370913B2 JP9053086A JP9053086A JPH0370913B2 JP H0370913 B2 JPH0370913 B2 JP H0370913B2 JP 9053086 A JP9053086 A JP 9053086A JP 9053086 A JP9053086 A JP 9053086A JP H0370913 B2 JPH0370913 B2 JP H0370913B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- mold
- lead
- resin
- optical coupling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
- H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は発光素子及び受光素子が対向配置され
た光結合素子に関するもので、特に二重トランス
フアモールド構造の光結合素子の製造方法に関す
るものである。
た光結合素子に関するもので、特に二重トランス
フアモールド構造の光結合素子の製造方法に関す
るものである。
＜発明の概要＞
アイソレーターとしての光結合素子いわゆるホ
トカプラは、機器制御の電子化に伴い、需要が伸
長している。一方機器や部品の小型化とりわけ電
子部品のチツプ部品化、面実装化に伴いホトカプ
ラも面実装に適した小型、薄型パツケージのもの
が要望されつつある。
トカプラは、機器制御の電子化に伴い、需要が伸
長している。一方機器や部品の小型化とりわけ電
子部品のチツプ部品化、面実装化に伴いホトカプ
ラも面実装に適した小型、薄型パツケージのもの
が要望されつつある。
本発明は、発光素子と受光素子を対向させ、こ
れら素子を透光性樹脂により光路を形成して結合
し、更に外部周辺を遮光性樹脂により外装モール
ドしてなる二重トランスフアモールド構造の光結
合素子の製造方法において、透光性樹脂による内
装モールド時の金型に、発光素子と受光素子を搭
載する各リードのヘツダー部に対応して突出部を
設け、この突出部を内装モールド時の各ヘツダー
部の当たり止めとするとともに、外装モールド時
は突出部に対応して前記遮光性樹脂による台部を
形成することにより、所定の１次、２次間絶縁耐
圧を維持してかつとりわけ厚さ方向の寸法の小型
化を図つたものである。
れら素子を透光性樹脂により光路を形成して結合
し、更に外部周辺を遮光性樹脂により外装モール
ドしてなる二重トランスフアモールド構造の光結
合素子の製造方法において、透光性樹脂による内
装モールド時の金型に、発光素子と受光素子を搭
載する各リードのヘツダー部に対応して突出部を
設け、この突出部を内装モールド時の各ヘツダー
部の当たり止めとするとともに、外装モールド時
は突出部に対応して前記遮光性樹脂による台部を
形成することにより、所定の１次、２次間絶縁耐
圧を維持してかつとりわけ厚さ方向の寸法の小型
化を図つたものである。
＜従来の技術＞
第９図乃至第１１図はそれぞれ異なる従来の光
結合素子の構造を示す断面図である。
結合素子の構造を示す断面図である。
第９図はいわゆる二重トランスフアモールド構
造の光結合素子であり、発光素子（発光ダイオー
ド）１と、受光素子２としてホトトランジスタあ
るいはホトダイオードと信号処理回路を集積化し
た素子を各々リード３，４に搭載し、それぞれ金
線５，５′によりワイヤボンドを行ない発光ダイ
オード１には応力緩和のためのプリコート６を施
した後、透光性樹脂７によりこれら全体を包むよ
うにモールドし、さらに外部周辺を遮光性樹脂８
でモールドしたものである。
造の光結合素子であり、発光素子（発光ダイオー
ド）１と、受光素子２としてホトトランジスタあ
るいはホトダイオードと信号処理回路を集積化し
た素子を各々リード３，４に搭載し、それぞれ金
線５，５′によりワイヤボンドを行ない発光ダイ
オード１には応力緩和のためのプリコート６を施
した後、透光性樹脂７によりこれら全体を包むよ
うにモールドし、さらに外部周辺を遮光性樹脂８
でモールドしたものである。
また第１０図のものは、遮光性樹脂８による外
装モールドを伴わないで透光性樹脂７のみで構成
された、いわゆる“一層モールドタイプ”の光結
合素子である。
装モールドを伴わないで透光性樹脂７のみで構成
された、いわゆる“一層モールドタイプ”の光結
合素子である。
さらに、第１１図のものは発光ダイオード１及
び受光素子２を各リード３，４に搭載し、それぞ
れ金線５，５′によりワイヤボンドを行ない、各
素子１，２の相対向する光路となる部分をポツテ
イングにより透明シリコーン樹脂９で形成し、更
に外部周辺を遮光性樹脂８でモールドしたもので
ある。
び受光素子２を各リード３，４に搭載し、それぞ
れ金線５，５′によりワイヤボンドを行ない、各
素子１，２の相対向する光路となる部分をポツテ
イングにより透明シリコーン樹脂９で形成し、更
に外部周辺を遮光性樹脂８でモールドしたもので
ある。
＜発明が解決しようとする問題点＞
上記従来例において、第９図の構造では、各素
子１，２が搭載されたリード３，４の素子搭載部
を充分覆うように透光性樹脂７によりトランスフ
アモールドされているため、１次、２次間の絶縁
破壊を生じやすい樹脂界面は第９図のＡに示す箇
所となり、デユアルインラインパツケージサイズ
で１次、２次間絶縁耐圧を5KVは十分に保証で
きる優れた構造となつている。しかし、小型、薄
型化を図るには多層構造となつているため制約が
大きい。
子１，２が搭載されたリード３，４の素子搭載部
を充分覆うように透光性樹脂７によりトランスフ
アモールドされているため、１次、２次間の絶縁
破壊を生じやすい樹脂界面は第９図のＡに示す箇
所となり、デユアルインラインパツケージサイズ
で１次、２次間絶縁耐圧を5KVは十分に保証で
きる優れた構造となつている。しかし、小型、薄
型化を図るには多層構造となつているため制約が
大きい。
そこで第１０図に示すように、外装モールドを
なくし、透光性樹脂７のみの一層モールド構造を
採用した光結合素子が提案されている。ところが
このような構造では、外乱光の影響をさけられな
い欠点がある。
なくし、透光性樹脂７のみの一層モールド構造を
採用した光結合素子が提案されている。ところが
このような構造では、外乱光の影響をさけられな
い欠点がある。
また第１１図の素子構造によれば、同図に示す
破線Ｂのところまで外装モールド部を小型、薄型
化できる。しかしこの構造では、透光性樹脂９と
遮光性樹脂８との境界部分におけるリード線間距
離が小さく、これら樹脂９，８の界面Ｃが一般に
要求される１次、２次間絶縁耐圧２〜5KVに対
して不十分であり、用いられる材料の線膨張係数
の差などから光結合素子として安全上極めて高い
信頼性が要求される絶縁耐圧を構造的に保証する
ことが困難である。
破線Ｂのところまで外装モールド部を小型、薄型
化できる。しかしこの構造では、透光性樹脂９と
遮光性樹脂８との境界部分におけるリード線間距
離が小さく、これら樹脂９，８の界面Ｃが一般に
要求される１次、２次間絶縁耐圧２〜5KVに対
して不十分であり、用いられる材料の線膨張係数
の差などから光結合素子として安全上極めて高い
信頼性が要求される絶縁耐圧を構造的に保証する
ことが困難である。
本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたも
のであつて、その目的は、二重トランスフアモー
ルド構造の光結合素子において、絶縁耐圧を高い
信頼度で保障して、かつ小型、薄型化を達成でき
る光結合素子を提供することにある。
のであつて、その目的は、二重トランスフアモー
ルド構造の光結合素子において、絶縁耐圧を高い
信頼度で保障して、かつ小型、薄型化を達成でき
る光結合素子を提供することにある。
＜問題点を解決するための手段＞
本発明は、各リードに発光素子と受光素子を搭
載し、前記各リードに搭載した前記発光素子と受
光素子を対向配置し、前記リードの一部外端部を
残して全体に、透光性樹脂により前記発光素子と
受光素子間の光路を形成する内装モールド、及び
さらにその外部周辺の遮光性樹脂よりなる外装モ
ールドをそれぞれ施してなる二重トランスフアモ
ールド構造の光結合素子の製造方法において、前
記内装モールド時の金型は、前記発光素子と受光
素子を搭載する前記各リードのヘツダー部に対応
して突出部が設けられ、前記突出部を前記内装モ
ールド時の前記各ヘツダー部の当たり止めとする
とともに、前記外装モールド時は前記突出部に対
応して前記遮光性樹脂による台部を形成してなる
を特徴とする。
載し、前記各リードに搭載した前記発光素子と受
光素子を対向配置し、前記リードの一部外端部を
残して全体に、透光性樹脂により前記発光素子と
受光素子間の光路を形成する内装モールド、及び
さらにその外部周辺の遮光性樹脂よりなる外装モ
ールドをそれぞれ施してなる二重トランスフアモ
ールド構造の光結合素子の製造方法において、前
記内装モールド時の金型は、前記発光素子と受光
素子を搭載する前記各リードのヘツダー部に対応
して突出部が設けられ、前記突出部を前記内装モ
ールド時の前記各ヘツダー部の当たり止めとする
とともに、前記外装モールド時は前記突出部に対
応して前記遮光性樹脂による台部を形成してなる
を特徴とする。
＜作用＞
本発明の製造方法により、内装モールドの金型
の突出部は、二重トランスフアモールド構造の光
結合素子の薄型化を図る際において、ヘツダー部
のふらつきを抑えて正確なギヤツプを維持でき、
また外装モール時に前記突出部に対応した遮光性
樹脂による台部を形成することにより、ヘツダー
部外方周辺部への遮光性樹脂の回り込みを防止す
る。そして少なくともヘツダー部とリード間で１
次、２次間の絶縁耐圧を確保するために必要な沿
面距離を容易に確保できるとともに、各リードの
素子搭載部の裏側部分のみ露出するようにして或
いはごく薄い層をなすようにして透光性樹脂でモ
ールドする構造により、寸法上の小型化、とりわ
け薄型化を図ることができる。
の突出部は、二重トランスフアモールド構造の光
結合素子の薄型化を図る際において、ヘツダー部
のふらつきを抑えて正確なギヤツプを維持でき、
また外装モール時に前記突出部に対応した遮光性
樹脂による台部を形成することにより、ヘツダー
部外方周辺部への遮光性樹脂の回り込みを防止す
る。そして少なくともヘツダー部とリード間で１
次、２次間の絶縁耐圧を確保するために必要な沿
面距離を容易に確保できるとともに、各リードの
素子搭載部の裏側部分のみ露出するようにして或
いはごく薄い層をなすようにして透光性樹脂でモ
ールドする構造により、寸法上の小型化、とりわ
け薄型化を図ることができる。
＜実施例＞
以下、本発明に係る光結合素子の一実施例につ
き詳細に説明を行う。
き詳細に説明を行う。
第１図乃至第３図は本発明に係る光結合素子の
一実施例の断面図。第４図乃至第６図はその製造
工程を説明する図。第７図及び第８図は完成品の
斜視図である。第４図のように、発光ダイオード
１は落しこみ加工の施されたリード３上に搭載さ
れ、金線５によりワイヤボンドが行なわれた後、
応力緩和のためのプリコート６が施される。また
同様に、受光素子２は、もう一方のリード４上に
搭載され、金線５′によりワイヤボンドが行なわ
れた後、前記リード３に搭載された発光ダイオー
ド１と対向させて配置し、両素子１，２を含め覆
うように透光性樹脂７により１次モールドされ
る。このモールド時、金型に設けた突出部によ
り、各リードのヘツダー部のふらつきが抑られ正
確なギヤツプの維持を可能にするとともに、第５
図及び第６図の示すように、リードのチツプが搭
載された箇所（ヘツダー部）の裏側の位置９，
９′では、第９図及び第１０図の従来例のような
厚みのある透光性樹脂層は設けられていない。ト
ランスフアモールドされる状態では、リード３，
４のヘツダー部９，９′は金型のキヤビテイー面
に当接するかもしくは極めて近接した状態にあた
り、そこに樹脂７はごく薄く浸入するか、もしく
は浸入せずリードが露出する形状となる。
一実施例の断面図。第４図乃至第６図はその製造
工程を説明する図。第７図及び第８図は完成品の
斜視図である。第４図のように、発光ダイオード
１は落しこみ加工の施されたリード３上に搭載さ
れ、金線５によりワイヤボンドが行なわれた後、
応力緩和のためのプリコート６が施される。また
同様に、受光素子２は、もう一方のリード４上に
搭載され、金線５′によりワイヤボンドが行なわ
れた後、前記リード３に搭載された発光ダイオー
ド１と対向させて配置し、両素子１，２を含め覆
うように透光性樹脂７により１次モールドされ
る。このモールド時、金型に設けた突出部によ
り、各リードのヘツダー部のふらつきが抑られ正
確なギヤツプの維持を可能にするとともに、第５
図及び第６図の示すように、リードのチツプが搭
載された箇所（ヘツダー部）の裏側の位置９，
９′では、第９図及び第１０図の従来例のような
厚みのある透光性樹脂層は設けられていない。ト
ランスフアモールドされる状態では、リード３，
４のヘツダー部９，９′は金型のキヤビテイー面
に当接するかもしくは極めて近接した状態にあた
り、そこに樹脂７はごく薄く浸入するか、もしく
は浸入せずリードが露出する形状となる。
第５図及び第６図のように、透光性樹脂７によ
る１次モールドが完了した状態で、バリとりがな
され、１次モードルよりひとまわり大きなキヤビ
テイーをもつモールド金型を用いて遮光性樹脂８
により透光性樹脂７の外部周辺を覆うようにモー
ルドする。その後、リードフオーミングして第７
図及び第８図に示すような完成品となる。なお１
４は、極性判別のために設けた段差である。この
完成品の断面は第１図乃至第３図に示すようにな
り、外装モールド時において、前記１次モールド
金型の突出部に対応して外装樹脂（遮光性樹脂）
８による台部を形成し、ヘツダー部９，９′外方
周辺部への遮光性樹脂の回り込みを防止してい
る。すなわち、この構造では、第１図のＤ，
D′（ヘツダー部９，９′とリード３，４間）で示
されるような界面が形成されることとなり、従来
の第９図のＡでしめされる界面長さの少なくとも
半分を確実に確保して、１次、２次間の絶縁耐圧
を保証する。なお、第２図の実施例はリードをヘ
ツダー部９′の手前で特にもう一つ段１２を設け
て、ヘツダー部９′と樹脂界面間を十分な間隙と
したものである。
る１次モールドが完了した状態で、バリとりがな
され、１次モードルよりひとまわり大きなキヤビ
テイーをもつモールド金型を用いて遮光性樹脂８
により透光性樹脂７の外部周辺を覆うようにモー
ルドする。その後、リードフオーミングして第７
図及び第８図に示すような完成品となる。なお１
４は、極性判別のために設けた段差である。この
完成品の断面は第１図乃至第３図に示すようにな
り、外装モールド時において、前記１次モールド
金型の突出部に対応して外装樹脂（遮光性樹脂）
８による台部を形成し、ヘツダー部９，９′外方
周辺部への遮光性樹脂の回り込みを防止してい
る。すなわち、この構造では、第１図のＤ，
D′（ヘツダー部９，９′とリード３，４間）で示
されるような界面が形成されることとなり、従来
の第９図のＡでしめされる界面長さの少なくとも
半分を確実に確保して、１次、２次間の絶縁耐圧
を保証する。なお、第２図の実施例はリードをヘ
ツダー部９′の手前で特にもう一つ段１２を設け
て、ヘツダー部９′と樹脂界面間を十分な間隙と
したものである。
以上のベた２重モールドに用いる材料、とりわ
け１次モールド用透光性樹脂７は、外装樹脂８と
同一主成分の樹脂を用い、かつ適量の充填剤を加
えることにより、機械的強度を向上させ、外装樹
脂８と線膨張係数の近似を図ることができ、信頼
性上有効かつ不可欠である。
け１次モールド用透光性樹脂７は、外装樹脂８と
同一主成分の樹脂を用い、かつ適量の充填剤を加
えることにより、機械的強度を向上させ、外装樹
脂８と線膨張係数の近似を図ることができ、信頼
性上有効かつ不可欠である。
＜発明の効果＞
以上述べてきたように本発明によれば、二重ト
ランスフアモールド構造の光結合素子の製造方法
において、内装モールド時の金型に、発光素子と
受光素子を搭載する各リードのヘツダー部に対応
して突出部を設け、突出部を前記内装モールド時
の各ヘツダー部の当たり止めとするとともに、外
装モールド時は前記突出部に対応して前記遮光性
樹脂による台部を形成するようにするものであ
り、容易に寸法上の小型化とりわけ薄型化が達成
でき、しかも１次、２次間の絶縁耐圧も安定して
確保できる光結合素子が提供できる。
ランスフアモールド構造の光結合素子の製造方法
において、内装モールド時の金型に、発光素子と
受光素子を搭載する各リードのヘツダー部に対応
して突出部を設け、突出部を前記内装モールド時
の各ヘツダー部の当たり止めとするとともに、外
装モールド時は前記突出部に対応して前記遮光性
樹脂による台部を形成するようにするものであ
り、容易に寸法上の小型化とりわけ薄型化が達成
でき、しかも１次、２次間の絶縁耐圧も安定して
確保できる光結合素子が提供できる。
第１図乃至第３図は本発明に係る光結合素子の
夫々異なる実施例の断面図、第４図乃至第６図は
その製造工程の説明図、第７図及び第８図は完成
品の外観斜視図、第９図乃至第１１図は夫々異な
る従来例の断面図である。 １：発光ダイオード、２：受光素子、３，４：
リード、７：透光性樹脂、８：遮光性樹脂、９，
９′：ヘツダー部。
夫々異なる実施例の断面図、第４図乃至第６図は
その製造工程の説明図、第７図及び第８図は完成
品の外観斜視図、第９図乃至第１１図は夫々異な
る従来例の断面図である。 １：発光ダイオード、２：受光素子、３，４：
リード、７：透光性樹脂、８：遮光性樹脂、９，
９′：ヘツダー部。
Claims (1)
- １ 各リードに発光素子と受光素子を搭載し、前
記各リードに搭載した前記発光素子と受光素子を
対向配置し、前記リードの一部外端部を残して全
体に、透光性樹脂により前記発光素子と受光素子
間の光路を形成する内装モールド、及びさらにそ
の外部周辺の遮光性樹脂よりなる外装モールドを
それぞれ施してなる二重トランスフアモールド構
造の光結合素子の製造方法において、前記内装モ
ールド時の金型は、前記発光素子と受光素子を搭
載する前記各リードのヘツダー部に対応して突出
部が設けられ、前記突出部を前記内装モールド時
の前記各ヘツダー部の当たり止めとするととも
に、前記外装モールド時は前記突出部に対応して
前記遮光性樹脂による台部を形成してなるを特徴
とする光結合素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61090530A JPS62247575A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 光結合素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61090530A JPS62247575A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 光結合素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62247575A JPS62247575A (ja) | 1987-10-28 |
| JPH0370913B2 true JPH0370913B2 (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=14000967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61090530A Granted JPS62247575A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 光結合素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62247575A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2809709B2 (ja) * | 1989-06-14 | 1998-10-15 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置 |
| JPH0350351U (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-16 | ||
| JP2534412Y2 (ja) * | 1990-07-12 | 1997-04-30 | シャープ株式会社 | 面実装型光結合装置 |
| JP2005159137A (ja) | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Sharp Corp | 光半導体素子およびこの光半導体素子を用いた電子機器 |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP61090530A patent/JPS62247575A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62247575A (ja) | 1987-10-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |