JPH0371484A - ダイナミックram - Google Patents
ダイナミックramInfo
- Publication number
- JPH0371484A JPH0371484A JP1208140A JP20814089A JPH0371484A JP H0371484 A JPH0371484 A JP H0371484A JP 1208140 A JP1208140 A JP 1208140A JP 20814089 A JP20814089 A JP 20814089A JP H0371484 A JPH0371484 A JP H0371484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- counter
- row address
- address counter
- column address
- multiplexer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000872 buffer Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Dram (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
くイ)産業上の利用分野
本発明はシーケンシャルアクセス機能を付与したダイナ
ミックRAMに関する。
ミックRAMに関する。
(σ)従来の技術
従来のシーケンシャルアクセスメモリは画像情報処理用
に設計されたものが殆どであって、高速動作に応えるた
めにデータ入出力部に複数のデータレジスタを備える等
、チップサイズが大きくまた高価である。従って、格別
の高速動作が要求されないa声情報処理、特に音声のデ
ィジタル録音の用途にはこれまで汎用のダイナミンクR
AMが使用されている。
に設計されたものが殆どであって、高速動作に応えるた
めにデータ入出力部に複数のデータレジスタを備える等
、チップサイズが大きくまた高価である。従って、格別
の高速動作が要求されないa声情報処理、特に音声のデ
ィジタル録音の用途にはこれまで汎用のダイナミンクR
AMが使用されている。
初めに、第2図を参照して画像情!Il処理用に設計さ
れたシーケンシャル/ランダムアクセス、ジノアルデー
タ・メモリを説明する。
れたシーケンシャル/ランダムアクセス、ジノアルデー
タ・メモリを説明する。
このメモリチップ(20)は、メモリセルアレイ(21
)、アドレスカウンタ(22)、リフレッシュカウンタ
(23)、マルチプレクサ(24)、ロウアドレスデコ
ーダ(25)、m個の1to4S/Pデコーダ(26゜
〜(26,)、4組のm段シフトレジスタ(27,)〜
(274)、および4t01P/Sデコーダ(28)か
ら構成され、マルチプレクサ(24)によりアドレスカ
ウンタ(22)にロウアドレスデコーダ(25)が接続
されるときにシーケンシャルアクセス・メモリとして動
作し、外部アドレス穴0〜A1に接続されるときにラン
ダムアクセス・メモリとして動作し、さらにノフレッシ
ュカウンタ(23)に接続されてリフレッシュ動作を行
う。
)、アドレスカウンタ(22)、リフレッシュカウンタ
(23)、マルチプレクサ(24)、ロウアドレスデコ
ーダ(25)、m個の1to4S/Pデコーダ(26゜
〜(26,)、4組のm段シフトレジスタ(27,)〜
(274)、および4t01P/Sデコーダ(28)か
ら構成され、マルチプレクサ(24)によりアドレスカ
ウンタ(22)にロウアドレスデコーダ(25)が接続
されるときにシーケンシャルアクセス・メモリとして動
作し、外部アドレス穴0〜A1に接続されるときにラン
ダムアクセス・メモリとして動作し、さらにノフレッシ
ュカウンタ(23)に接続されてリフレッシュ動作を行
う。
1to4S/Pデコーダ(26+)に入力される、選択
メモリセル(図示しない)を含む4個のメモノセルから
のシリアルデータは4組のm段シフトレジスタ(27,
)〜(2L)のそれぞれ271〜27゜ビットに、また
1to4S/Pデコーダ(261)に入力される4個の
メモリセルからのシリアルデータはシフトレジスタのそ
れぞれ27.t〜274゜ビットにというように転送さ
れ、これらシフトレジスタ(27,)〜(27a)の4
ビツト出力が4t o I P/Sデコーダ(28)に
よりシリアル変換されて出力される。
メモリセル(図示しない)を含む4個のメモノセルから
のシリアルデータは4組のm段シフトレジスタ(27,
)〜(2L)のそれぞれ271〜27゜ビットに、また
1to4S/Pデコーダ(261)に入力される4個の
メモリセルからのシリアルデータはシフトレジスタのそ
れぞれ27.t〜274゜ビットにというように転送さ
れ、これらシフトレジスタ(27,)〜(27a)の4
ビツト出力が4t o I P/Sデコーダ(28)に
よりシリアル変換されて出力される。
この種のメモリは高速動作が可能であるものの図示され
るように回路構成が複雑であって音声録冴等の用途には
適していない。
るように回路構成が複雑であって音声録冴等の用途には
適していない。
次に、第3図を参照して汎用ダイナミックRAMを使用
してFIIi戊したシーケンシャルアクセスメモリシス
テムの一例を説明する。
してFIIi戊したシーケンシャルアクセスメモリシス
テムの一例を説明する。
汎用ダイナミックRAMチップ(30)はメモリセルア
レイ(31)、時分割入力されるロウアドレス信冒・と
カラムアドレス信号を変換してメモリセルアレイ(31
)のワード線あるいはビット線(何れも図示しない)の
1を選択する信号を生成するロウアドレスデコーダ(3
4)とカラムアドレスデコーダ(35)、リフレッシュ
カウンタ(33)、リフレッシュカウンタ出力と外部ロ
ウアドレス信号を選択するマルチプレクサ(32)、I
10バッファ(36)から構成される。なお、ロウアド
レスカウンタは備えていない。
レイ(31)、時分割入力されるロウアドレス信冒・と
カラムアドレス信号を変換してメモリセルアレイ(31
)のワード線あるいはビット線(何れも図示しない)の
1を選択する信号を生成するロウアドレスデコーダ(3
4)とカラムアドレスデコーダ(35)、リフレッシュ
カウンタ(33)、リフレッシュカウンタ出力と外部ロ
ウアドレス信号を選択するマルチプレクサ(32)、I
10バッファ(36)から構成される。なお、ロウアド
レスカウンタは備えていない。
また、外部回路はマルチアドレス方式のダイナミツりR
AMのアドレス入力に適合し、かつシーケンシャルなア
ドレス信号を生成する2つのカウンタ(37)(38)
、マルチプレクサ(39)およびデータをパラレル・シ
リアル変換するシフトレジスタ(40)から構成される
。
AMのアドレス入力に適合し、かつシーケンシャルなア
ドレス信号を生成する2つのカウンタ(37)(38)
、マルチプレクサ(39)およびデータをパラレル・シ
リアル変換するシフトレジスタ(40)から構成される
。
このシステムでは、外部回路のカウンタ(37)のカウ
ント値が1インクリメントされる度に、他のカウンタ(
38)はOからフルカウントまでインクリメントされ、
しかも他のカウンタ(38)が1インクノメントされる
度に、ダイナミックRAMに供給されるR A S ’
(row adress 5trobe) 、CA
S”(column adress 5trobe)と
同期的に、カウンタ(37)の出力とカウンタ(38)
の出力が交互にダイナミックRA M (30)にアド
レス入力される。
ント値が1インクリメントされる度に、他のカウンタ(
38)はOからフルカウントまでインクリメントされ、
しかも他のカウンタ(38)が1インクノメントされる
度に、ダイナミックRAMに供給されるR A S ’
(row adress 5trobe) 、CA
S”(column adress 5trobe)と
同期的に、カウンタ(37)の出力とカウンタ(38)
の出力が交互にダイナミックRA M (30)にアド
レス入力される。
(・・)発明が解決しようとする課題
マルチアドレス方式のダイナミックRAMをシーケンシ
ャルアクセスメモリとして使用する場合には、当然にシ
ーケンシャルなロウアドレス信診およびカラムアドレス
信号を生成する回路、その出力を多重化する回路が外部
に必要となるのであるが、これら回路のタイミング制御
はさらに繁雑である。
ャルアクセスメモリとして使用する場合には、当然にシ
ーケンシャルなロウアドレス信診およびカラムアドレス
信号を生成する回路、その出力を多重化する回路が外部
に必要となるのであるが、これら回路のタイミング制御
はさらに繁雑である。
本発明は、ダイナミック・メモリがシーケンシャルアク
セスメモリとして動作する場合にはリフレッシュサイク
ルを必要としない点、およびマルチアドレス方式のダイ
ナミックRAMは本来的にロウアドレス信号およびカラ
ムアドレス信号生成回路の制御に好適なタイミングを備
えている点に着目したものであって、比較的簡素な構成
によりダイナミックRAMにシーケンシャルアクセス機
能を付与することを目的とする。
セスメモリとして動作する場合にはリフレッシュサイク
ルを必要としない点、およびマルチアドレス方式のダイ
ナミックRAMは本来的にロウアドレス信号およびカラ
ムアドレス信号生成回路の制御に好適なタイミングを備
えている点に着目したものであって、比較的簡素な構成
によりダイナミックRAMにシーケンシャルアクセス機
能を付与することを目的とする。
(ニ)課題を解決するための手段
本発明のダイナミックRA Mはメモリセルアレイと、
ランダムアクセスモード時にリフレッシュカウンタとし
て動作するロウアドレスカウンタと外部ロウアドレス信
号とロウアドレスカウンタの出力を選択する第1のマル
チプレクサと、ロウアドレスデコーダと、シーケンシャ
ルアクセスモード時に作動するカラムアドレスカウンタ
と、外部カラムアドレス信号とカラムアドレスカウンタ
の出力を選択する第2のマルチプレクサおよびカラムア
ドレスデコーダから構成される。
ランダムアクセスモード時にリフレッシュカウンタとし
て動作するロウアドレスカウンタと外部ロウアドレス信
号とロウアドレスカウンタの出力を選択する第1のマル
チプレクサと、ロウアドレスデコーダと、シーケンシャ
ルアクセスモード時に作動するカラムアドレスカウンタ
と、外部カラムアドレス信号とカラムアドレスカウンタ
の出力を選択する第2のマルチプレクサおよびカラムア
ドレスデコーダから構成される。
(,1)作用
シーケンシャルアクセス用のロウアドレスカウンタおよ
びカラムアドレスカウンタをダイナミックRAMに内蔵
させる構成は、マルチアドレス方式のダイナミックRA
Mが本来的に備え、かつ外部出力されない制御タイミン
グの利用を可能にしロウアドレスカウンタおよびカラム
アドレスカウンタのタイミング制御を簡素化する。
びカラムアドレスカウンタをダイナミックRAMに内蔵
させる構成は、マルチアドレス方式のダイナミックRA
Mが本来的に備え、かつ外部出力されない制御タイミン
グの利用を可能にしロウアドレスカウンタおよびカラム
アドレスカウンタのタイミング制御を簡素化する。
また、ロウアドレスカウンタをランダムアクセスモード
時にリフレッシュカウンタとして使用することによりl
ll戊が簡素化される。
時にリフレッシュカウンタとして使用することによりl
ll戊が簡素化される。
(へ)実施例
以下、第1図を参照して本発明の詳細な説明する。
本発明のダイナミックRAMはメモリセルアレイ(1)
、ロウアドレスカウンタ(2)、外部ロウアドレス信号
とロウアドレスカウンタ(2)の出力を選択する第1の
マルチプレクサ(3)、ロウアドレスデコーダ(4)、
カラムアドレスカウンタ(5)、外部カラムアドレス信
号とカラムアドレスカウンタ(5の出力を選択する第2
のマルチプレクサ(6)、カラムアドレスデコーダ(7
)、およびI10バッファ(8)から構成される。なお
、リフレッシュ専用カウンタは備えておらず、リフレッ
シュはロウアドレスカウンタ(2)により行われる。
、ロウアドレスカウンタ(2)、外部ロウアドレス信号
とロウアドレスカウンタ(2)の出力を選択する第1の
マルチプレクサ(3)、ロウアドレスデコーダ(4)、
カラムアドレスカウンタ(5)、外部カラムアドレス信
号とカラムアドレスカウンタ(5の出力を選択する第2
のマルチプレクサ(6)、カラムアドレスデコーダ(7
)、およびI10バッファ(8)から構成される。なお
、リフレッシュ専用カウンタは備えておらず、リフレッ
シュはロウアドレスカウンタ(2)により行われる。
なお、本発明のダイナミックRAMと汎用のダイナミッ
クRA Mとを構成要素により比較すると本発明のダイ
ナミックRAMはカラムアドレスカウンタ(5)と第2
のマルチプレクサ(6)が増加することになるのである
が、本発明のダイナミックRA Mを使用してシーケン
シャルアクセスメモリシステムを溝底する場合の利点、
即ち一方のアドレスカウンタおよびタイミング回路が不
要となる等の利点は明らかである。
クRA Mとを構成要素により比較すると本発明のダイ
ナミックRAMはカラムアドレスカウンタ(5)と第2
のマルチプレクサ(6)が増加することになるのである
が、本発明のダイナミックRA Mを使用してシーケン
シャルアクセスメモリシステムを溝底する場合の利点、
即ち一方のアドレスカウンタおよびタイミング回路が不
要となる等の利点は明らかである。
次に、実施例の動作をランダムアクセスモードとシーケ
ンシャルアクセスモードに分けて説明する。
ンシャルアクセスモードに分けて説明する。
1、ランダムアクセスモード
ランダムアクセスモードにある本発明のダイナミックR
AMは第1のマルチプレクサ(3)および第2のマルチ
プレクサ(6)が外部より時分割入力されるロウアドレ
ス信号とカラムアドレス信号をそれぞれロウアドレスデ
コーダ(4)とカラムアドレスデコーダ(7)に選択出
力するよう制御される。従って、汎用のダイナミックR
AMと同様にRAS”およびCAS”の活性化により、
ロウアドレス信号とカラムアドレス信号を取り込んでワ
ード線とビット線の選択を行い、I10バッファ(8)
を介してデータを入出力する。
AMは第1のマルチプレクサ(3)および第2のマルチ
プレクサ(6)が外部より時分割入力されるロウアドレ
ス信号とカラムアドレス信号をそれぞれロウアドレスデ
コーダ(4)とカラムアドレスデコーダ(7)に選択出
力するよう制御される。従って、汎用のダイナミックR
AMと同様にRAS”およびCAS”の活性化により、
ロウアドレス信号とカラムアドレス信号を取り込んでワ
ード線とビット線の選択を行い、I10バッファ(8)
を介してデータを入出力する。
また、RAS”の立ち下がり時にCA S ”を予め低
レベルにセノトすることによって、ロウアドレスカウン
タ(2)がリフレッシュアドレスを発生して、ワード線
単位のリフレッシュを行う。
レベルにセノトすることによって、ロウアドレスカウン
タ(2)がリフレッシュアドレスを発生して、ワード線
単位のリフレッシュを行う。
2、シーケンシャルアクセスモード
シーケンシャルアクセスモードにある本発明のダイナミ
ックRAMは第1のマルチプレクサ(3)および第2の
マルチプレクサ(6)がロウアドレスカウンタ(2)の
出力とカラムアドレスカウンタ(5)の出力をそれぞれ
ロウアドレスデコーダ(4)とカラムアドレスデコーダ
(7)に選択出力するよう制御される。
ックRAMは第1のマルチプレクサ(3)および第2の
マルチプレクサ(6)がロウアドレスカウンタ(2)の
出力とカラムアドレスカウンタ(5)の出力をそれぞれ
ロウアドレスデコーダ(4)とカラムアドレスデコーダ
(7)に選択出力するよう制御される。
ロウアドレスカウンタ(2)のカウント値がOからフル
カウントまでカウントすることによりワード線の一つ一
つが順次選択され、ロウアドレスカウンタ(2)のフル
カウント毎にカラムアドレスカウンタ(5)のカウント
値がインクリメントされるこれによりカラムアドレスカ
ウンタ(5)で指定されるビット線に関連するメモリセ
ルのデータが順に読み出される。従って、カラムアドレ
スカウンタ(5)のカウント値各々に対してロウアドレ
スカウンタ(2)がフルカウントするため、このシーケ
ンシャルアクセスモードではリフレッシュサイクルが不
要になる。なお、このモード時のデータライトは、リー
ドサイクルに続いてライトを行うJ−トモデイファイド
ライトが利用される。
カウントまでカウントすることによりワード線の一つ一
つが順次選択され、ロウアドレスカウンタ(2)のフル
カウント毎にカラムアドレスカウンタ(5)のカウント
値がインクリメントされるこれによりカラムアドレスカ
ウンタ(5)で指定されるビット線に関連するメモリセ
ルのデータが順に読み出される。従って、カラムアドレ
スカウンタ(5)のカウント値各々に対してロウアドレ
スカウンタ(2)がフルカウントするため、このシーケ
ンシャルアクセスモードではリフレッシュサイクルが不
要になる。なお、このモード時のデータライトは、リー
ドサイクルに続いてライトを行うJ−トモデイファイド
ライトが利用される。
(ト)発明の効果
以上述べたように本発明によれば、リフレッシュ専用カ
ウンタを廃したことと、マルチアドレス方式のダイナミ
ックRAMが本来的に備える制御タイミングを利用して
ロウアドレスカウンタおよびカラムアドレスカウンタを
制御し得ることによって、格別な構成を付加することな
くダイナミックRAMにシーケンシャルアクセス機能を
付与することができる。
ウンタを廃したことと、マルチアドレス方式のダイナミ
ックRAMが本来的に備える制御タイミングを利用して
ロウアドレスカウンタおよびカラムアドレスカウンタを
制御し得ることによって、格別な構成を付加することな
くダイナミックRAMにシーケンシャルアクセス機能を
付与することができる。
第1図は本発明の実施例のブロノク図、第2図は従来の
画像情報処理用メモリのブロック図、 第3図は汎用ダイナミフクRAMを使用して溝底したシ
ーケンシャルアクセスメモリシステムのブロック図であ
る。 1・・・メモリセルアレイ、 2・・・ロウアドレス
カウンタ(リフレッシュカウンタ)、3・・・第1のマ
ルチプレクサ、4・・・ロウアドレスデコーダ、5・・
・カラムアドレスカウンタ、 6・・・第2のマルチ
プレクサ、 7・・・カラムアドレスデコーダ、8・
・・1/′0バツフア。
画像情報処理用メモリのブロック図、 第3図は汎用ダイナミフクRAMを使用して溝底したシ
ーケンシャルアクセスメモリシステムのブロック図であ
る。 1・・・メモリセルアレイ、 2・・・ロウアドレス
カウンタ(リフレッシュカウンタ)、3・・・第1のマ
ルチプレクサ、4・・・ロウアドレスデコーダ、5・・
・カラムアドレスカウンタ、 6・・・第2のマルチ
プレクサ、 7・・・カラムアドレスデコーダ、8・
・・1/′0バツフア。
Claims (1)
- (1)メモリセルアレイと、 ランダムアクセスモード時にリフレッシュカウンタとし
て動作するロウアドレスカウンタと、外部ロウアドレス
信号とロウアドレスカウンタの出力を選択する第1のマ
ルチプレクサと、ロウアドレスデコーダと、 シーケンシャルアクセスモード時に作動するカラムアド
レスカウンタと、 外部カラムアドレス信号とカラムアドレスカウンタの出
力を選択する第2のマルチプレクサおよびカラムアドレ
スデコーダ、 から構成されるダイナミックRAM。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1208140A JPH0371484A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | ダイナミックram |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1208140A JPH0371484A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | ダイナミックram |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0371484A true JPH0371484A (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=16551300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1208140A Pending JPH0371484A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | ダイナミックram |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0371484A (ja) |
-
1989
- 1989-08-10 JP JP1208140A patent/JPH0371484A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2740063B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| US6480947B1 (en) | Multiport memory, data processor and data processing system | |
| US4675850A (en) | Semiconductor memory device | |
| JPS60136086A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| US5274596A (en) | Dynamic semiconductor memory device having simultaneous operation of adjacent blocks | |
| US6212596B1 (en) | Synchronous memory and data processing system having a programmable burst length | |
| US5379263A (en) | Semiconductor memory device which can provide required data flexibly under simplified control and operating method therefor | |
| US6201756B1 (en) | Semiconductor memory device and write data masking method thereof | |
| KR950014901B1 (ko) | 다중 로우 및/또는 컬럼을 가변적으로 선택하는 어드레스 디코더 및 이 디코더를 사용한 반도체 기억 장치 | |
| JP2746222B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS61288240A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS6216294A (ja) | メモリ装置 | |
| JP2575090B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS6146916B2 (ja) | ||
| US5654934A (en) | Semiconductor memory employing a block-write system | |
| JP3179791B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS61289596A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPH02143983A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS6363198A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JP2950427B2 (ja) | レジスタバンク回路 | |
| US5793700A (en) | Burst page access unit usable in a synchronous DRAM and other semiconductor memory devices | |
| JPH04274082A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| KR0167682B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 데이타전송 인에이블 신호발생회로 | |
| JPH05282858A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
| JPH01112592A (ja) | 半導体記憶装置 |