JPH0371660A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0371660A JPH0371660A JP1209307A JP20930789A JPH0371660A JP H0371660 A JPH0371660 A JP H0371660A JP 1209307 A JP1209307 A JP 1209307A JP 20930789 A JP20930789 A JP 20930789A JP H0371660 A JPH0371660 A JP H0371660A
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- bonding wire
- pad
- lead
- semiconductor device
- semiconductor chip
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体チップとリードフレームとがボンディ
ングワイヤで接続された半導体装置に関する。
ングワイヤで接続された半導体装置に関する。
〈従来の技術〉
従来のこの種の半導体装置について第４図及び第５図を
参照しつつ説明する。
参照しつつ説明する。
この種の半導体装置は、半導体チップ１０と、リードフ
レーム３０と、半導体チップＩＯのパッド１１とリード
フレーム３０のインナリード３１２ とを接続するボン
ディングワイヤ２０と、リードフレーム３０のアウタリ
ード３１１以外の部分、すなわち半導体チップ１０、ボ
ンディングワイヤ２０及びインナリード３１２を封止す
る封止用樹脂４０とから構成されている。
レーム３０と、半導体チップＩＯのパッド１１とリード
フレーム３０のインナリード３１２ とを接続するボン
ディングワイヤ２０と、リードフレーム３０のアウタリ
ード３１１以外の部分、すなわち半導体チップ１０、ボ
ンディングワイヤ２０及びインナリード３１２を封止す
る封止用樹脂４０とから構成されている。
リードフレーム３０は、半導体チップ１０がダイボンデ
ィングされるダイパッド３２と、リード部３１とからな
り、リード部３１の先端は図示しない基板の配線パター
ンに接続されるアウタリード３１１、後端はインナリー
ド３１２となっている。このようなリードフレーム３０
は、エツチング加工によって形成される。
ィングされるダイパッド３２と、リード部３１とからな
り、リード部３１の先端は図示しない基板の配線パター
ンに接続されるアウタリード３１１、後端はインナリー
ド３１２となっている。このようなリードフレーム３０
は、エツチング加工によって形成される。
半導体チップ１０は、前記ダイパッド３２にダイボンデ
ィングされ、半導体チップ１０のパッド１１とインナリ
ード３１２とがボンディングワイヤ２０によって接続さ
れる。そして、アウタリード３１１以外の部分が封止用
樹脂４０によって封止されて半導体装置が形成される。
ィングされ、半導体チップ１０のパッド１１とインナリ
ード３１２とがボンディングワイヤ２０によって接続さ
れる。そして、アウタリード３１１以外の部分が封止用
樹脂４０によって封止されて半導体装置が形成される。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、上述した従来の半導体装置には以下のよ
うな問題点がある。
うな問題点がある。
すなわち、リード部３１の数が多いいわゆる多ビン構造
の半導体装置では、リードフレーム３０のインナリード
３１２とダイパッド３２との間の距離を短く設定するこ
とが困難になっている。これは、エツチング加工技術の
限界に起因している。
の半導体装置では、リードフレーム３０のインナリード
３１２とダイパッド３２との間の距離を短く設定するこ
とが困難になっている。これは、エツチング加工技術の
限界に起因している。
例えば、１００ビン以上の半導体装置では、パッド１１
とインナリード３１２との距離が３．５１１Ｉｎ以上に
なるので、ボンディングワイヤ２０はリード部３１の数
が少ない半導体装置より長いものを使用しなければなら
ない。かかるボンディングワイヤ２０は、封止用樹脂４
０の封止時に流れ込む封止用樹脂４０の圧力のため、ワ
イヤ流れ（封止用樹脂４０の注入時の圧力によるボンデ
ィングワイヤ２０の変形をいう）が発生しやすい。かか
るワイヤ流れは、第５図に示す半導体チップ１０−ボン
ディングワイヤ２０（第５図のＡ部参照）、ボンディン
グワイヤ２０ボンデイングワイヤ２０（第５図のＢ部参
照）、インナリード３１２−ボンディングワイヤ２０
（第５図のＣ部参照）の如き短絡不良の発生原因となる
。
とインナリード３１２との距離が３．５１１Ｉｎ以上に
なるので、ボンディングワイヤ２０はリード部３１の数
が少ない半導体装置より長いものを使用しなければなら
ない。かかるボンディングワイヤ２０は、封止用樹脂４
０の封止時に流れ込む封止用樹脂４０の圧力のため、ワ
イヤ流れ（封止用樹脂４０の注入時の圧力によるボンデ
ィングワイヤ２０の変形をいう）が発生しやすい。かか
るワイヤ流れは、第５図に示す半導体チップ１０−ボン
ディングワイヤ２０（第５図のＡ部参照）、ボンディン
グワイヤ２０ボンデイングワイヤ２０（第５図のＢ部参
照）、インナリード３１２−ボンディングワイヤ２０
（第５図のＣ部参照）の如き短絡不良の発生原因となる
。
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、多ビン構
造の半導体装置であってもボンディングワイヤのワイヤ
流れが発生しない半導体装置を提供することを目的とし
ている。
造の半導体装置であってもボンディングワイヤのワイヤ
流れが発生しない半導体装置を提供することを目的とし
ている。
〈課題を解決するための手段〉
本発明に係る半導体装置は、リードフレームのダイパッ
ドにダイボンディングされた半導体チップのパッドと、
リードフレームのリード部のインナリードとがボンディ
ングワイヤで接続され、リード部のアウタリード以外の
部分が封止樹脂で刺止されてなる半導体装置であって、
少なくとも前記パッドとボンディングワイヤとの接続部
分が補強用樹脂で覆われている。
ドにダイボンディングされた半導体チップのパッドと、
リードフレームのリード部のインナリードとがボンディ
ングワイヤで接続され、リード部のアウタリード以外の
部分が封止樹脂で刺止されてなる半導体装置であって、
少なくとも前記パッドとボンディングワイヤとの接続部
分が補強用樹脂で覆われている。
く作用〉
補強用樹脂で少なくともボンディングワイヤとパッドと
の接続部分を覆う。補強用樹脂で覆われた部分は、ワイ
ヤ流れが発生しない。
の接続部分を覆う。補強用樹脂で覆われた部分は、ワイ
ヤ流れが発生しない。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体装置の概略的断
面図、第２図及び第３図は他の実施例に係る半導体装置
の概略的断面図である。なお、従来のものと略同−の部
品等には同一の符号を付して説明を行う。
面図、第２図及び第３図は他の実施例に係る半導体装置
の概略的断面図である。なお、従来のものと略同−の部
品等には同一の符号を付して説明を行う。
本実施例に係る半導体装置は、リードフレーム３０のダ
イパッド３２にダイボンディングされた半導体チップ１
０のバッド１１と、リードフレーム３０のリード部３１
のインナリード３１２とがボンディングワイヤ２０で接
続され、リード部３１のアウタリード３１１以外の部分
が封止用樹脂４０で封止されている。
イパッド３２にダイボンディングされた半導体チップ１
０のバッド１１と、リードフレーム３０のリード部３１
のインナリード３１２とがボンディングワイヤ２０で接
続され、リード部３１のアウタリード３１１以外の部分
が封止用樹脂４０で封止されている。
まず、第１図を参照しつつ本発明の一実施例に係る半導
体装置の製造工程について説明する。
体装置の製造工程について説明する。
まず、半導体チップＩＯをグイバッド３２にダイボンデ
ィングし、当該半導体チップ１０のバッド１１とリード
部３１のインナリード３１２との間を金線等のボンディ
ングワイヤ２０で接続する。
ィングし、当該半導体チップ１０のバッド１１とリード
部３１のインナリード３１２との間を金線等のボンディ
ングワイヤ２０で接続する。
次に、補強用樹脂５０を半導体チップ１０の上全面に滴
下して、ボンディングワイヤ２０とパッドＨとの接続部
分を覆って補強する。前記補強用樹脂５０は、エポキシ
系樹脂を加熱して液状にしたものであって、滴下後に熱
硬化させる。また、固形の補強用樹脂５０を少なくとも
ボンディングワイヤ２０とバッド１１との接続部分に載
せ、熱溶解、熱硬化させることによって両者を覆っても
よい。
下して、ボンディングワイヤ２０とパッドＨとの接続部
分を覆って補強する。前記補強用樹脂５０は、エポキシ
系樹脂を加熱して液状にしたものであって、滴下後に熱
硬化させる。また、固形の補強用樹脂５０を少なくとも
ボンディングワイヤ２０とバッド１１との接続部分に載
せ、熱溶解、熱硬化させることによって両者を覆っても
よい。
この後に、アウタリード３１１以外の部分、すなわち半
導体チップ１０、ボンディングワイヤ２０及びインナリ
ード３１２を封止用樹脂４０でもって封止する。この封
止用樹脂４０は、例えばエポキシ系樹脂であって、封止
された半導体チップ１０等を外部の雰囲気から保護する
役割を果たす。
導体チップ１０、ボンディングワイヤ２０及びインナリ
ード３１２を封止用樹脂４０でもって封止する。この封
止用樹脂４０は、例えばエポキシ系樹脂であって、封止
された半導体チップ１０等を外部の雰囲気から保護する
役割を果たす。
第２図に示す実施例では、補強用樹脂５０が半導体チッ
プ１０の上全面のみならず、ダイパッド３２にも滴下さ
れている。
プ１０の上全面のみならず、ダイパッド３２にも滴下さ
れている。
次に、ボンディングワイヤ２０の全体が補強用樹脂５０
で覆われた半導体装置について第３図を参照しつつ説明
する。
で覆われた半導体装置について第３図を参照しつつ説明
する。
かかる半導体装置では、リード部３１とダイパッド３２
との間の隙間から補強用樹脂５０が流れ落ちないように
、リード部３１とダイパッド３２との間の隙間に例えば
ポリイミド等からなるフィルム６０を貼付しておく。
との間の隙間から補強用樹脂５０が流れ落ちないように
、リード部３１とダイパッド３２との間の隙間に例えば
ポリイミド等からなるフィルム６０を貼付しておく。
なお、半導体チップＩＯのダイパッド３２へのダイボン
ディング、ボンディングワイヤ２０によるパッド１１と
インナリード３１２との接続或いは封止用樹脂４０によ
る封止は上述した実施例と同様なので説明は省略する。
ディング、ボンディングワイヤ２０によるパッド１１と
インナリード３１２との接続或いは封止用樹脂４０によ
る封止は上述した実施例と同様なので説明は省略する。
なお、第１図及び第２図に示した実施例においては、補
強用樹脂５０は半導体チップ１０或いはダイパッド３２
から流れ落ちない適宜量だけ滴下するものとする。
強用樹脂５０は半導体チップ１０或いはダイパッド３２
から流れ落ちない適宜量だけ滴下するものとする。
〈発明の効果〉
本発明に係る半導体装置は、補強用樹脂で少なくともパ
ッドとボンディングワイヤとの接続部分が補強された後
に、アウタリード以外の部分を封止用樹脂で封止して構
成されているので、封止用樹脂を注入する際の圧力によ
るワイヤ流れは発生しない、従って、多ピン構造の半導
体装置であっても短絡不良がない信頼性の高い半導体装
置とすることができる。具体的には２００ピン以上の半
導体装置であっても短絡不良が発生しない。
ッドとボンディングワイヤとの接続部分が補強された後
に、アウタリード以外の部分を封止用樹脂で封止して構
成されているので、封止用樹脂を注入する際の圧力によ
るワイヤ流れは発生しない、従って、多ピン構造の半導
体装置であっても短絡不良がない信頼性の高い半導体装
置とすることができる。具体的には２００ピン以上の半
導体装置であっても短絡不良が発生しない。
すなわち、第１図或いは第２図に示す半導体装置による
と、ボンディングワイヤとパッドとの接続部分が補強用
樹脂で覆われるので、少なくとも第５図のＡ部に示す半
導体チップ−ボンディングワイヤの短絡が発生しない。
と、ボンディングワイヤとパッドとの接続部分が補強用
樹脂で覆われるので、少なくとも第５図のＡ部に示す半
導体チップ−ボンディングワイヤの短絡が発生しない。
また、第３図に示す半導体装置によると、第５図に示す
Ａ部のみならず、Ｂ部、Ｃ部に示すボンディングワイヤ
ーボンディングワイヤ、ボンディングワイヤーインナリ
ードの短絡不良が発生しない。
Ａ部のみならず、Ｂ部、Ｃ部に示すボンディングワイヤ
ーボンディングワイヤ、ボンディングワイヤーインナリ
ードの短絡不良が発生しない。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体装置の概略的断
面図、第２図及び第３図は他の実施例に係る半導体装置
の概略的断面図、第４図は従来の半導体装置の概略的断
面図、第５図は従来の半導体装置の問題点を示す模式的
斜視図である。 １０・・・半導体チップ、１１・・・パッド、２０・・
ボンディングワイヤ、３０・・・リードフレーム、３１
・・・リード部、３１１ ・・・アウタリード、３１
２ ・ ・ ・インナリード、３２・ ・ ・ダイパ
ッド、４０・・・封止用樹脂、５０・・・補強用樹脂。
面図、第２図及び第３図は他の実施例に係る半導体装置
の概略的断面図、第４図は従来の半導体装置の概略的断
面図、第５図は従来の半導体装置の問題点を示す模式的
斜視図である。 １０・・・半導体チップ、１１・・・パッド、２０・・
ボンディングワイヤ、３０・・・リードフレーム、３１
・・・リード部、３１１ ・・・アウタリード、３１
２ ・ ・ ・インナリード、３２・ ・ ・ダイパ
ッド、４０・・・封止用樹脂、５０・・・補強用樹脂。
Claims (1)
- （１）リードフレームのダイパッドにダイボンディング
された半導体チップのパッドと、リードフレームのリー
ド部のインナリードとがボンディングワイヤで接続され
、リード部のアウタリード以外の部分が封止用樹脂で封
止されてなる半導体装置において、少なくとも前記パッ
ドとボンディングワイヤとの接続部分が補強用樹脂で覆
われていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1209307A JPH0371660A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1209307A JPH0371660A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0371660A true JPH0371660A (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=16570790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1209307A Pending JPH0371660A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0371660A (ja) |
-
1989
- 1989-08-10 JP JP1209307A patent/JPH0371660A/ja active Pending
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