JPH037175B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH037175B2 JPH037175B2 JP56025449A JP2544981A JPH037175B2 JP H037175 B2 JPH037175 B2 JP H037175B2 JP 56025449 A JP56025449 A JP 56025449A JP 2544981 A JP2544981 A JP 2544981A JP H037175 B2 JPH037175 B2 JP H037175B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reference voltage
- voltage
- amplifier
- light
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/693—Arrangements for optimizing the preamplifier in the receiver
- H04B10/6933—Offset control of the differential preamplifier
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Dc Digital Transmission (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、デジタルの光信号を電気信号に変換
するための光受信器に関し、特に回路が半導体基
板上に集積された光受信器に関するものである。
するための光受信器に関し、特に回路が半導体基
板上に集積された光受信器に関するものである。
デジタル光信号を再生する光受信器は、従来第
１図のように構成されていた。動作は、受光素子
例えばPinホト・ダイオード１で受けた光信号が
電気信号に変換され、増幅器２で増幅され電圧比
較器４のマイナス入力端子６に入力される。一方
基準電圧回路３で作られた基準電圧が比較器４の
プラス入力端子５に入力され、基準電圧とマイナ
ス入力端子６に加わつた信号電圧の大きさが反転
したときに出力端子７に信号が出力される。これ
を示したのが第２図で、比較器のマイナス入力端
子６には電気信号８、プラス入力端子５には基準
電圧１１が加わつている。電気信号８は光が入力
しないときの直流電圧E0と、光が入力した時の
信号電圧E1からなつており、基準電圧１１の電
圧Erefと電気信号８の大きさが反転したときに出
力信号１３に出力Ｓが出力される。
１図のように構成されていた。動作は、受光素子
例えばPinホト・ダイオード１で受けた光信号が
電気信号に変換され、増幅器２で増幅され電圧比
較器４のマイナス入力端子６に入力される。一方
基準電圧回路３で作られた基準電圧が比較器４の
プラス入力端子５に入力され、基準電圧とマイナ
ス入力端子６に加わつた信号電圧の大きさが反転
したときに出力端子７に信号が出力される。これ
を示したのが第２図で、比較器のマイナス入力端
子６には電気信号８、プラス入力端子５には基準
電圧１１が加わつている。電気信号８は光が入力
しないときの直流電圧E0と、光が入力した時の
信号電圧E1からなつており、基準電圧１１の電
圧Erefと電気信号８の大きさが反転したときに出
力信号１３に出力Ｓが出力される。
一般に光受信器では、受光素子１の出力が極め
て小さいためE0とErefとの差は数＋mv程度に設
定されており、第１図示の構成では、温度が上昇
したり電源電圧が変動したりすると、第３図に示
すように電気信号８の直流電圧E0が変動し、信
号電圧E1が基準電圧Erefと交乂しない場合がでて
きて、正常な出力信号１３が得られなくなる。即
ち、例えば増幅器２のトランジスタTr1のBE間電
圧の温度依存性が大きい為、温度上昇にともなつ
て増幅器２の出力信号の直流レベルE0が大きく
変動し、第３図に示す如き状態となる。
て小さいためE0とErefとの差は数＋mv程度に設
定されており、第１図示の構成では、温度が上昇
したり電源電圧が変動したりすると、第３図に示
すように電気信号８の直流電圧E0が変動し、信
号電圧E1が基準電圧Erefと交乂しない場合がでて
きて、正常な出力信号１３が得られなくなる。即
ち、例えば増幅器２のトランジスタTr1のBE間電
圧の温度依存性が大きい為、温度上昇にともなつ
て増幅器２の出力信号の直流レベルE0が大きく
変動し、第３図に示す如き状態となる。
本発明は、このような温度変動、電源電圧変動
による出力不安定性を取り除くことを目的とした
ものである。
による出力不安定性を取り除くことを目的とした
ものである。
上記、従来例の問題点を改善するものとして、
第４図に示すものが考えられる。受光素子２０増
幅器２１及び電圧比較器２４は、第１図と同じ構
成である。電圧比較器２４のプラス入力２６に加
えられる基準電圧は、増幅器２１と同じ回路構成
で増幅器２１と同じ半導体素子上に集積された基
準電圧発生回路２２と、若干のオフセツト電圧を
与えるレベルシフト回路２３よりなる基準電圧回
路により与えられる。このような構成にすること
により、第２図に示す増幅器２１の出力である電
気信号８の直流電圧E0と、基準電圧１１の電圧
Erefの絶対値が温度変動、電源電圧変動により変
化しても、両者の相対的なレベル差は、変化せず
正常な出力信号１３が得られる。しかしながら、
この装置においては、受光素子２０の、暗電流の
温度変化による直流電圧E0の変化による誤動作
等の問題がある。
第４図に示すものが考えられる。受光素子２０増
幅器２１及び電圧比較器２４は、第１図と同じ構
成である。電圧比較器２４のプラス入力２６に加
えられる基準電圧は、増幅器２１と同じ回路構成
で増幅器２１と同じ半導体素子上に集積された基
準電圧発生回路２２と、若干のオフセツト電圧を
与えるレベルシフト回路２３よりなる基準電圧回
路により与えられる。このような構成にすること
により、第２図に示す増幅器２１の出力である電
気信号８の直流電圧E0と、基準電圧１１の電圧
Erefの絶対値が温度変動、電源電圧変動により変
化しても、両者の相対的なレベル差は、変化せず
正常な出力信号１３が得られる。しかしながら、
この装置においては、受光素子２０の、暗電流の
温度変化による直流電圧E0の変化による誤動作
等の問題がある。
第５図に本発明の一実施例を示す。基準電圧発
生回路２２の入力部３０の部分に、増幅器２１に
接続させる受光素子２０と同じ構造、大きさの受
光素子２９を接続し、その受光面に光不透過物３
１例えば黒色樹脂を設けてなり、受光素子２０の
暗電流の温度変化による直流電圧E0の変化の影
響が小さくなる。この２つの受光素子２０，２９
が、他の回路と同じ半導体素子上に集積されてい
る場合には、温度の均一性により、この効果は特
に大きい。尚、本実施例では基準電圧発生回路に
レベルシフト回路を接続し、オフセツト電圧を与
えた構成となつているが、レベルシフト回路を接
続せず、直接基準電圧と増幅器の出力とを比較す
る構成であつても同様の効果を得られることは言
うまでもない。本発明によれば、温度変動、電源
電圧変動、及び受光素子の暗電流の変動に対して
も安定な出力が得られる光受信器を提供すること
が可能となる。
生回路２２の入力部３０の部分に、増幅器２１に
接続させる受光素子２０と同じ構造、大きさの受
光素子２９を接続し、その受光面に光不透過物３
１例えば黒色樹脂を設けてなり、受光素子２０の
暗電流の温度変化による直流電圧E0の変化の影
響が小さくなる。この２つの受光素子２０，２９
が、他の回路と同じ半導体素子上に集積されてい
る場合には、温度の均一性により、この効果は特
に大きい。尚、本実施例では基準電圧発生回路に
レベルシフト回路を接続し、オフセツト電圧を与
えた構成となつているが、レベルシフト回路を接
続せず、直接基準電圧と増幅器の出力とを比較す
る構成であつても同様の効果を得られることは言
うまでもない。本発明によれば、温度変動、電源
電圧変動、及び受光素子の暗電流の変動に対して
も安定な出力が得られる光受信器を提供すること
が可能となる。
第１図は従来の光受信器の回路図、第２図は第
１図の信号レベルを表わす波形図、第３図は温度
変動等により変動した信号レベルを表わす波形
図、第４図は、本発明の基になる光受信器の回路
案、第５図は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。 ２１……増幅器、２２……基準電圧発生回路、
２４……電圧比較器、２０，２９……受光素子、
３１……光不透過物。
１図の信号レベルを表わす波形図、第３図は温度
変動等により変動した信号レベルを表わす波形
図、第４図は、本発明の基になる光受信器の回路
案、第５図は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。 ２１……増幅器、２２……基準電圧発生回路、
２４……電圧比較器、２０，２９……受光素子、
３１……光不透過物。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の受光素子の出力を増幅する増幅器と、 この増幅器と直流的に同一回路で構成された基
準電圧を出力する基準電圧発生回路と、 この基準電圧発生回路に接続され、かつ受光面
が光不透過物で覆われた前記第１の受光素子と同
一機能を有する第２の受光素子と、 前記増幅器の出力と前記基準電圧とを比較する
比較器とを備えたことを特徴とする光受信器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56025449A JPS57141160A (en) | 1981-02-25 | 1981-02-25 | Optical receiver |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56025449A JPS57141160A (en) | 1981-02-25 | 1981-02-25 | Optical receiver |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57141160A JPS57141160A (en) | 1982-09-01 |
| JPH037175B2 true JPH037175B2 (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=12166318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56025449A Granted JPS57141160A (en) | 1981-02-25 | 1981-02-25 | Optical receiver |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57141160A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875050A (en) * | 1997-03-14 | 1999-02-23 | Lucent Technologies Inc. | Burst mode digital optical receiver |
| US7250806B2 (en) * | 2005-03-02 | 2007-07-31 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Apparatus and method for generating an output signal that tracks the temperature coefficient of a light source |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55148471A (en) * | 1979-05-10 | 1980-11-19 | Nec Corp | Light pulse receiving circuit |
| JPS55158677A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Hitachi Ltd | Light-signal sensor |
| JPS6012826B2 (ja) * | 1980-01-07 | 1985-04-03 | 株式会社日立製作所 | 受信回路 |
-
1981
- 1981-02-25 JP JP56025449A patent/JPS57141160A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57141160A (en) | 1982-09-01 |
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