JPH0372023B2 - - Google Patents
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- JPH0372023B2 JPH0372023B2 JP21804785A JP21804785A JPH0372023B2 JP H0372023 B2 JPH0372023 B2 JP H0372023B2 JP 21804785 A JP21804785 A JP 21804785A JP 21804785 A JP21804785 A JP 21804785A JP H0372023 B2 JPH0372023 B2 JP H0372023B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/12—Silica-free oxide glass compositions
- C03C3/16—Silica-free oxide glass compositions containing phosphorus
- C03C3/21—Silica-free oxide glass compositions containing phosphorus containing titanium, zirconium, vanadium, tungsten or molybdenum
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は、ガラスを用いた低温充てんや低温ボ
ンテイングに係り、特にアモルフアス金属を採用
した高性能磁気ヘツド用充てん材やボンデイング
材として好適な強耐水性低温軟化ガラス組成物に
関する。 〔発明の背景〕 近年、記録装置の小型化や高密度記録化が進む
につれて、より性能の優れた磁気ヘツドが要求さ
れるようになつた。そのため、大きな飽和磁束密
度を有するアモルフアス金属を採用した高性能磁
気ヘツドの開発が急速に進められている。 磁気ヘツドは磁気ギヤツプ部でボンデイングさ
れた構造となつており、従来から充てん材やボン
デイング材としては非磁性であるガラスが寿命の
点で最も適していることが知られている。アモル
フアス金属を採用した高性能磁気ヘツドの充てん
材やボンデイング材として使用されるガラスは、
ガラスの熱膨脹係数が被充てん材や被ボンデイン
グ材の熱膨脹係数に適合していることが大切であ
る。また充てんやボンデイングの作業温度が被充
てん材や被ボンデイング材の耐熱限度より低いこ
とが要求されることはもちろんであるが、特にア
モルフアス金属の高温加熱は結晶化を起こすの
で、作業温度は出来るだけ低い方がよく、出来得
るならば480℃以下で充てんやボンデイングでき
ることが望ましい。更に磁気ヘツドは湿度の高い
雰囲気中で使用される場合もあるので、磁気ヘツ
ドに使用するガラスの耐水性が弱いと、ガラスの
溶出を起こし、磁気ヘツドとしての信頼性を損う
ことにもなるので、ガラスに対しては実用に耐え
る程度の強い耐水性が要求される。 従来からこの種のガラスとしては、鉛を多量に
含み、PbO−B2O3を基本とした系が多く、この
系では鉛含量が多いほど、より低温で作業できる
が、熱膨脹係数が100×10-7／℃を超える上に、
耐水性が劣るという欠点がある。一方鉛含量を少
なくすると、熱膨脹係数が100×10-7／℃以下の
ものも得られ、また耐水性もある程度改善される
が、充てんやボンデイングの作業温度が500℃以
上で高過ぎる欠点がある。 このため、従来からのガラスではアモルフアス
金属を採用した高性能磁気ヘツドには適しておら
ず、３つの特性すなわち、熱膨脹係数、作業温度
及び耐水性を満足したガラスがいまだ出現してい
ない。これは３つの特性が相矛盾したものである
ことが原因で、３つの特性を満足した新規なガラ
スの開発が磁気ヘツドに限らず、従来からいろい
ろな方面で大変強く望まれている。 V2O5を含有するガラスの発明として、例えば
特開昭58−74539号、同55−75937号、同54−
64514号、同53−82826号、同48−43007号がある。
B2O3−ZnO−V2O5−Bi2O3−Tl2O3系ガラス（特
開昭58−74539号）、Li2O−Na2O−ZnO−B2O3−
V2O5−P2O5−ZrO2−Al2O3系ガラス（特開昭54
−64514号）、Na2O−ZnO−B2O3−P2O5−V2O5
系ガラス（特開昭53−82826号）及びB2O3−
V2O5−ZnO−Na2O−SiO2−Al2O3−ZrO2系ガラ
ス（特開昭48−43007号）においては、熱膨脹係
数が100×10-7／℃以下のものも得られるが、充
てんやボンデイングの作業温度が500℃以上と高
いという問題がある。PbO−V2O5−P2O5系ガラ
ス（特開昭55−75937号）はPbOを最も多く含み、
軟化点が約320℃と低く、しかも強い耐水性をも
つといつた利点があるが、熱膨脹係数が約150×
10-7／℃と大きい問題がある。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、従来からの低温軟化ガラス組
成物より、熱膨脹係数が小さく、しかも低温で作
業でき、その上耐水性の優れた強耐水性低温軟化
ガラス組成物を提供することにある。特にアモル
フアス金属を採用した高性能磁気ヘツド用充てん
材やボンデイング材に適した強耐水性低温軟化ガ
ラス組成物を提供することにある。 〔発明の概要〕 本発明を概説すれば、本発明は耐水性低温軟化
ガラス組成物に関する発明であつて、主要成分と
して、V2O5を55〜70重量％、P2O5を17〜30重量
％及びSb2O3を２〜20重量％含有し、熱膨脹係数
が100×10-7／℃以下であることを特徴とする。 更に上記組成に20重量％以下、好ましくは３重
量％以上のPbOを加えた範囲内にあり、熱膨脹係
数が70〜100×10-7／℃、作業点が450℃以下であ
ることを特徴とするV2O5−P2O5−Sb2O3−PbO
系耐水性低温軟化ガラス組成物に係るものでもあ
る。 更に15重量％以下、好ましくは２重量％以上の
Tl2Oを加え、熱膨脹係数が80〜100×10-7／℃、
作業点が440℃以下であることを特徴とするV2O5
−P2O5−Sb2O3−PbO−Tl2Oの系強耐水性低温
軟化ガラス組成物に係るものでもある。 また、前記２種の系のいずれかに５重量％以
下、好ましくは0.5重量％以上のNb2O5を加え、
熱膨脹係数が70〜95×10-7／℃、作業点が450℃
以下であることを特徴とするV2O5−P2O5−
Sb2O3−PbO−Nb2O5系及びV2O5−P2O5−Sb2O3
−PbO−Tl2O−Nb2O5系強耐水性低温軟化ガラ
ス組成物に係るものである。 本発明において、作業点とはガラスの粘度が約
104ポアズになる温度をいう。 本発明の耐水性低温軟化ガラス組成物は、その
熱膨脹係数をアモルフアス金属を採用した高性能
磁気ヘツドの被充てん材や被ボンデイング材の熱
膨脹係数に適合させることができるほどに小さい
のでガラスが破損することなく充てんやボンデイ
ングが可能である。また、このガラスは、480℃
以下の低温で充てんやボンデイングが可能なの
で、高温での加熱を嫌うアモルフアス金属として
は、結晶化を起こさず、磁気ヘツドの高性能化を
より高めることができる。更にまた本発明のガラ
スは、その耐水性も良好なので、このガラスで充
てんやボンデイングした磁気ヘツドは高湿度中に
さらされても、ガラスが溶出することなく、アモ
ルフアス金属を採用した高性能磁気ヘツドの信頼
性の向上に役立つ。以上、本発明の強耐水性低温
軟化ガラス組成物は、前に述べた従来のこの種の
ガラスの欠点が取除かれた新規なガラスである。 次に本発明の強耐水性低温軟化ガラス組成物を
構成する各種成分並びにそれらの組成範囲の限定
理由について説明する。 まずV2O5は強耐水性低温軟化ガラス組成物の
主成分で、ガラスの熱膨脹係数及び作業点を下げ
るのに有効であるが、70重量％を超えるとガラス
の耐水性が悪化し、また55重量％未満であるとガ
ラスの熱膨脹係数が大きくなり過ぎる。 P2O5はガラス形成酸化物であり、ガラスの失
透を防止し、流動性を良くするが、30重量％を超
えるとガラスの作業点が上がり過ぎかつ耐水性も
悪くなる。また17重量％未満ではガラスが失透を
起こしやすく、実用に供し得ない。 Sb2O3はガラスの耐水性改善に著しく効果があ
るが、20重量％を超えるとガラスの作業点が上が
り過ぎ、また、２重量％未満ではガラスの耐水性
改善に対し充分な効果が得られない。 PbOはガラスの作業点を下げ、かつ耐水性を向
上させるが、20重量％を超えるとガラスの熱膨脹
係数が大きくなり過ぎ、しかも失透を起こしやす
くなる。 Tl2Oはガラスの作業点を下げるために加える
が、15重量％を超えるとガラスの熱膨脹係数が大
きくなり過ぎ、しかも耐水性が悪くなる。 Nb2O5はガラスの熱膨脹係数を小さくするため
に加えるが５重量％を超えるとガラスの作業点が
上がり過ぎ、しかも失透しやすくなる。 次に本発明のガラスの熱膨脹係数の範囲が70〜
100×10-7／℃であるので、各種フエライト等の
被充てん材や被ボンデイング材に適合した、すな
わち磁気ヘツドとして適したガラスを選択するこ
とができる。一般に100×10-7／℃を超えるガラ
スは、充てん後やボンデイング後にガラス部にク
ラツクが発生したり、強固な充てんやボンデイン
グができないため、磁気ヘツドが壊れやすくなつ
てしまう。また熱膨脹差による応力が磁性材にか
かり磁気ヘツドの磁気特性が劣化してしまう。70
×10-7／℃未満のガラスは低温軟化ガラスにおい
てはいまだ出現していないが、存在するとすれ
ば、上記の様な問題が生ずるであろう。 ガラスの作業点が480℃以下であるということ
は、磁気ヘツド作製におけるガラス充てんやボン
デイングが480℃以下で行えるということであり、
このような低温で作業できることはアモルフアス
金属を採用した高性能磁気ヘツドには最も有効で
ある。充てんやボンデイング温度が高いとアモル
フアス金属は結晶化を起こし、磁気ヘツドとして
の性能を発揮できない。また、アモルフアス金属
は結晶化を起こさない温度範囲にあつても、充て
ん温度やボンデイング温度が高いほど寿命が短く
なり、すなわち磁気ヘツドとしての寿命が短くな
るので、なるべく低温で充てんやボンデイングを
する必要がある。その点、本発明のガラスは440
℃以下の低温で充てんやボンデイングもできるの
で、アモルフアス金属を結晶化させずに、長寿命
な高性能磁気ヘツドを作製することが可能であ
る。 本発明のガラスを構成する成分の原料としては
焼成により、前記成分の酸化物若しくはそれらの
酸化物の混合物を生ずるものであればどんなもの
でもよい。 次に本発明のガラスの製造方法について説明す
る。ガラス原料を配合及び混合し、アルミナルツ
ボ又は白金ルツボに入れ、電気炉中で900℃、0.5
〜１時間溶融させた。この溶融物を250〜300℃に
保持した黒鉛治具に流し込み、その後空冷させて
ガラスを作製した。 〔発明の実施例〕 以下、本発明を実施例により更に具体的に説明
するが、本発明はこれら実施例に限定されない。 第１表〜第５表に本発明における実施例の組成
と特性を示す。第６表に比較例として従来のこの
種の低温軟化ガラスの組成と特性を示す。なお、
各ガラスの特性の測定方法は以下のとおりであ
る。 (1) 熱膨脹係数 5φ×20mmの円柱状に加工したガラスを測定
試料として、熱膨脹計を用いて、空気中、昇温
速度10℃／分で測定した。 (2) 軟化点及び作業点 粉末にしたガラスを示差熱分析装置を用い
て、空気中、昇温速度10℃／分で、軟化点及び
作業点を測定した。ここで軟化点及び作業点は
粘度が約107.6ポアズ及び約104ポアズに相当す
る。 (3) 耐水性 ５×５×５mmの立方体に加工したガラス片を
40c.c.の蒸留水中に入れ、70℃、２時間加熱し、
その後ガラス片を十分乾燥させ、重量減少を測
定した。ここにおける耐水性とは、上記条件で
試料１ｇ当りの重量減少をmgで算出した値であ
る。
ンテイングに係り、特にアモルフアス金属を採用
した高性能磁気ヘツド用充てん材やボンデイング
材として好適な強耐水性低温軟化ガラス組成物に
関する。 〔発明の背景〕 近年、記録装置の小型化や高密度記録化が進む
につれて、より性能の優れた磁気ヘツドが要求さ
れるようになつた。そのため、大きな飽和磁束密
度を有するアモルフアス金属を採用した高性能磁
気ヘツドの開発が急速に進められている。 磁気ヘツドは磁気ギヤツプ部でボンデイングさ
れた構造となつており、従来から充てん材やボン
デイング材としては非磁性であるガラスが寿命の
点で最も適していることが知られている。アモル
フアス金属を採用した高性能磁気ヘツドの充てん
材やボンデイング材として使用されるガラスは、
ガラスの熱膨脹係数が被充てん材や被ボンデイン
グ材の熱膨脹係数に適合していることが大切であ
る。また充てんやボンデイングの作業温度が被充
てん材や被ボンデイング材の耐熱限度より低いこ
とが要求されることはもちろんであるが、特にア
モルフアス金属の高温加熱は結晶化を起こすの
で、作業温度は出来るだけ低い方がよく、出来得
るならば480℃以下で充てんやボンデイングでき
ることが望ましい。更に磁気ヘツドは湿度の高い
雰囲気中で使用される場合もあるので、磁気ヘツ
ドに使用するガラスの耐水性が弱いと、ガラスの
溶出を起こし、磁気ヘツドとしての信頼性を損う
ことにもなるので、ガラスに対しては実用に耐え
る程度の強い耐水性が要求される。 従来からこの種のガラスとしては、鉛を多量に
含み、PbO−B2O3を基本とした系が多く、この
系では鉛含量が多いほど、より低温で作業できる
が、熱膨脹係数が100×10-7／℃を超える上に、
耐水性が劣るという欠点がある。一方鉛含量を少
なくすると、熱膨脹係数が100×10-7／℃以下の
ものも得られ、また耐水性もある程度改善される
が、充てんやボンデイングの作業温度が500℃以
上で高過ぎる欠点がある。 このため、従来からのガラスではアモルフアス
金属を採用した高性能磁気ヘツドには適しておら
ず、３つの特性すなわち、熱膨脹係数、作業温度
及び耐水性を満足したガラスがいまだ出現してい
ない。これは３つの特性が相矛盾したものである
ことが原因で、３つの特性を満足した新規なガラ
スの開発が磁気ヘツドに限らず、従来からいろい
ろな方面で大変強く望まれている。 V2O5を含有するガラスの発明として、例えば
特開昭58−74539号、同55−75937号、同54−
64514号、同53−82826号、同48−43007号がある。
B2O3−ZnO−V2O5−Bi2O3−Tl2O3系ガラス（特
開昭58−74539号）、Li2O−Na2O−ZnO−B2O3−
V2O5−P2O5−ZrO2−Al2O3系ガラス（特開昭54
−64514号）、Na2O−ZnO−B2O3−P2O5−V2O5
系ガラス（特開昭53−82826号）及びB2O3−
V2O5−ZnO−Na2O−SiO2−Al2O3−ZrO2系ガラ
ス（特開昭48−43007号）においては、熱膨脹係
数が100×10-7／℃以下のものも得られるが、充
てんやボンデイングの作業温度が500℃以上と高
いという問題がある。PbO−V2O5−P2O5系ガラ
ス（特開昭55−75937号）はPbOを最も多く含み、
軟化点が約320℃と低く、しかも強い耐水性をも
つといつた利点があるが、熱膨脹係数が約150×
10-7／℃と大きい問題がある。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、従来からの低温軟化ガラス組
成物より、熱膨脹係数が小さく、しかも低温で作
業でき、その上耐水性の優れた強耐水性低温軟化
ガラス組成物を提供することにある。特にアモル
フアス金属を採用した高性能磁気ヘツド用充てん
材やボンデイング材に適した強耐水性低温軟化ガ
ラス組成物を提供することにある。 〔発明の概要〕 本発明を概説すれば、本発明は耐水性低温軟化
ガラス組成物に関する発明であつて、主要成分と
して、V2O5を55〜70重量％、P2O5を17〜30重量
％及びSb2O3を２〜20重量％含有し、熱膨脹係数
が100×10-7／℃以下であることを特徴とする。 更に上記組成に20重量％以下、好ましくは３重
量％以上のPbOを加えた範囲内にあり、熱膨脹係
数が70〜100×10-7／℃、作業点が450℃以下であ
ることを特徴とするV2O5−P2O5−Sb2O3−PbO
系耐水性低温軟化ガラス組成物に係るものでもあ
る。 更に15重量％以下、好ましくは２重量％以上の
Tl2Oを加え、熱膨脹係数が80〜100×10-7／℃、
作業点が440℃以下であることを特徴とするV2O5
−P2O5−Sb2O3−PbO−Tl2Oの系強耐水性低温
軟化ガラス組成物に係るものでもある。 また、前記２種の系のいずれかに５重量％以
下、好ましくは0.5重量％以上のNb2O5を加え、
熱膨脹係数が70〜95×10-7／℃、作業点が450℃
以下であることを特徴とするV2O5−P2O5−
Sb2O3−PbO−Nb2O5系及びV2O5−P2O5−Sb2O3
−PbO−Tl2O−Nb2O5系強耐水性低温軟化ガラ
ス組成物に係るものである。 本発明において、作業点とはガラスの粘度が約
104ポアズになる温度をいう。 本発明の耐水性低温軟化ガラス組成物は、その
熱膨脹係数をアモルフアス金属を採用した高性能
磁気ヘツドの被充てん材や被ボンデイング材の熱
膨脹係数に適合させることができるほどに小さい
のでガラスが破損することなく充てんやボンデイ
ングが可能である。また、このガラスは、480℃
以下の低温で充てんやボンデイングが可能なの
で、高温での加熱を嫌うアモルフアス金属として
は、結晶化を起こさず、磁気ヘツドの高性能化を
より高めることができる。更にまた本発明のガラ
スは、その耐水性も良好なので、このガラスで充
てんやボンデイングした磁気ヘツドは高湿度中に
さらされても、ガラスが溶出することなく、アモ
ルフアス金属を採用した高性能磁気ヘツドの信頼
性の向上に役立つ。以上、本発明の強耐水性低温
軟化ガラス組成物は、前に述べた従来のこの種の
ガラスの欠点が取除かれた新規なガラスである。 次に本発明の強耐水性低温軟化ガラス組成物を
構成する各種成分並びにそれらの組成範囲の限定
理由について説明する。 まずV2O5は強耐水性低温軟化ガラス組成物の
主成分で、ガラスの熱膨脹係数及び作業点を下げ
るのに有効であるが、70重量％を超えるとガラス
の耐水性が悪化し、また55重量％未満であるとガ
ラスの熱膨脹係数が大きくなり過ぎる。 P2O5はガラス形成酸化物であり、ガラスの失
透を防止し、流動性を良くするが、30重量％を超
えるとガラスの作業点が上がり過ぎかつ耐水性も
悪くなる。また17重量％未満ではガラスが失透を
起こしやすく、実用に供し得ない。 Sb2O3はガラスの耐水性改善に著しく効果があ
るが、20重量％を超えるとガラスの作業点が上が
り過ぎ、また、２重量％未満ではガラスの耐水性
改善に対し充分な効果が得られない。 PbOはガラスの作業点を下げ、かつ耐水性を向
上させるが、20重量％を超えるとガラスの熱膨脹
係数が大きくなり過ぎ、しかも失透を起こしやす
くなる。 Tl2Oはガラスの作業点を下げるために加える
が、15重量％を超えるとガラスの熱膨脹係数が大
きくなり過ぎ、しかも耐水性が悪くなる。 Nb2O5はガラスの熱膨脹係数を小さくするため
に加えるが５重量％を超えるとガラスの作業点が
上がり過ぎ、しかも失透しやすくなる。 次に本発明のガラスの熱膨脹係数の範囲が70〜
100×10-7／℃であるので、各種フエライト等の
被充てん材や被ボンデイング材に適合した、すな
わち磁気ヘツドとして適したガラスを選択するこ
とができる。一般に100×10-7／℃を超えるガラ
スは、充てん後やボンデイング後にガラス部にク
ラツクが発生したり、強固な充てんやボンデイン
グができないため、磁気ヘツドが壊れやすくなつ
てしまう。また熱膨脹差による応力が磁性材にか
かり磁気ヘツドの磁気特性が劣化してしまう。70
×10-7／℃未満のガラスは低温軟化ガラスにおい
てはいまだ出現していないが、存在するとすれ
ば、上記の様な問題が生ずるであろう。 ガラスの作業点が480℃以下であるということ
は、磁気ヘツド作製におけるガラス充てんやボン
デイングが480℃以下で行えるということであり、
このような低温で作業できることはアモルフアス
金属を採用した高性能磁気ヘツドには最も有効で
ある。充てんやボンデイング温度が高いとアモル
フアス金属は結晶化を起こし、磁気ヘツドとして
の性能を発揮できない。また、アモルフアス金属
は結晶化を起こさない温度範囲にあつても、充て
ん温度やボンデイング温度が高いほど寿命が短く
なり、すなわち磁気ヘツドとしての寿命が短くな
るので、なるべく低温で充てんやボンデイングを
する必要がある。その点、本発明のガラスは440
℃以下の低温で充てんやボンデイングもできるの
で、アモルフアス金属を結晶化させずに、長寿命
な高性能磁気ヘツドを作製することが可能であ
る。 本発明のガラスを構成する成分の原料としては
焼成により、前記成分の酸化物若しくはそれらの
酸化物の混合物を生ずるものであればどんなもの
でもよい。 次に本発明のガラスの製造方法について説明す
る。ガラス原料を配合及び混合し、アルミナルツ
ボ又は白金ルツボに入れ、電気炉中で900℃、0.5
〜１時間溶融させた。この溶融物を250〜300℃に
保持した黒鉛治具に流し込み、その後空冷させて
ガラスを作製した。 〔発明の実施例〕 以下、本発明を実施例により更に具体的に説明
するが、本発明はこれら実施例に限定されない。 第１表〜第５表に本発明における実施例の組成
と特性を示す。第６表に比較例として従来のこの
種の低温軟化ガラスの組成と特性を示す。なお、
各ガラスの特性の測定方法は以下のとおりであ
る。 (1) 熱膨脹係数 5φ×20mmの円柱状に加工したガラスを測定
試料として、熱膨脹計を用いて、空気中、昇温
速度10℃／分で測定した。 (2) 軟化点及び作業点 粉末にしたガラスを示差熱分析装置を用い
て、空気中、昇温速度10℃／分で、軟化点及び
作業点を測定した。ここで軟化点及び作業点は
粘度が約107.6ポアズ及び約104ポアズに相当す
る。 (3) 耐水性 ５×５×５mmの立方体に加工したガラス片を
40c.c.の蒸留水中に入れ、70℃、２時間加熱し、
その後ガラス片を十分乾燥させ、重量減少を測
定した。ここにおける耐水性とは、上記条件で
試料１ｇ当りの重量減少をmgで算出した値であ
る。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
本発明は、従来からの低温軟化ガラスのように
PbOを主成分とした組成ではなく、V2O5を主成
分としたV2O5−P2O5−Sb2O3系であり、従来の
ガラスより熱膨脹係数が100×10-7／℃以下と小
さく、しかも作業点も低く、その上耐水性も強い
といつた３つの効果を同時に達成したガラスであ
る。したがつて、ガラスを用いた480℃以下の低
温充てんや低温ボンデイングに係り、特にアモル
フアス金属を採用した高性能磁気ヘツド材やボン
デイング材として好適である。 PbOを加えたV2O5−P2O5−Sb2O−PbO系で
は、熱膨脹係数が70〜100×10-7／℃であり、作
業点が450℃以下とより低温化でき、しかも耐水
性を向上させることができる強耐水性低温軟化ガ
ラスが得られる。 更にTl2Oを加えたV2O5−P2O5−Sb2O−PbO3
−Tl2O系では、熱膨脹係数が80〜100×10-7／℃
であり、作業点が440℃以下とより低温化させる
ことができる強耐水性低温軟化ガラスが得られ
る。この系のガラスを用いると440℃以下の低温
で充てんやボンデイングが可能であり、アモルフ
アス金属のように耐熱性のないものにとつては非
常に有効である。 更にNb2O5を加えたV2O5−P2O5−Sb2O3−
PbO−Nb2O5系及びV2O5−P2O5−Sb2O3−PbO
−Tl2O−Na2O5系では、熱膨脹係数が70〜95×
10-7／℃とより小さく、作業点が450℃以下であ
る強耐水性低温軟化ガラスが得られる。この系の
ガラスは被充てん材や被ボンデイング材に熱膨脹
係数の小さい材料を用いるときに特に有効に使用
することができる。 本発明の低温軟化ガラスは低膨張、低融点及び
強耐水性である３つの特性を同時に満足し、従来
のガラスの特性を著しく上回り、いまだ世の中に
出現していない画期的なガラスである。このよう
なガラスは充てん、ボンデイング及び封止用ガラ
スとしていろいろな方面で強く望まれている。 その他にも、一般の磁気ヘツドやLSIパツケー
ジにも使用できる。広くは、セラミツクスへの低
温ボンデイングに有効である。 一般の磁気ヘツドの充てん材及びボンデイング
材として使用する場合には、低温で作業ができる
という利点があり、磁気ヘツド全般にわたり有効
に使用できる。 LSIパツケージ、特に高熱伝導性SiCを用いた
パツケージの封止用ガラスとして有効に使用でき
る。この封止用ガラスとして、現在高膨脹低融点
であるPbO系ガラスに低膨脹材であるフイラーを
多量に含有させた材料を用いているが、本発明の
ガラスでは少量のフイラー又はフイラーなしで封
止でき、また従来より低温で封止でき、更に耐水
性が優れているので高湿中でもパツケージの使用
が可能となる。SiCとのぬれ性も悪くないことが
わかつている。 以上のように、比較的低膨脹である材料への低
温充てん、低温ボンデイング及び低温封止に有効
に使用できる。
PbOを主成分とした組成ではなく、V2O5を主成
分としたV2O5−P2O5−Sb2O3系であり、従来の
ガラスより熱膨脹係数が100×10-7／℃以下と小
さく、しかも作業点も低く、その上耐水性も強い
といつた３つの効果を同時に達成したガラスであ
る。したがつて、ガラスを用いた480℃以下の低
温充てんや低温ボンデイングに係り、特にアモル
フアス金属を採用した高性能磁気ヘツド材やボン
デイング材として好適である。 PbOを加えたV2O5−P2O5−Sb2O−PbO系で
は、熱膨脹係数が70〜100×10-7／℃であり、作
業点が450℃以下とより低温化でき、しかも耐水
性を向上させることができる強耐水性低温軟化ガ
ラスが得られる。 更にTl2Oを加えたV2O5−P2O5−Sb2O−PbO3
−Tl2O系では、熱膨脹係数が80〜100×10-7／℃
であり、作業点が440℃以下とより低温化させる
ことができる強耐水性低温軟化ガラスが得られ
る。この系のガラスを用いると440℃以下の低温
で充てんやボンデイングが可能であり、アモルフ
アス金属のように耐熱性のないものにとつては非
常に有効である。 更にNb2O5を加えたV2O5−P2O5−Sb2O3−
PbO−Nb2O5系及びV2O5−P2O5−Sb2O3−PbO
−Tl2O−Na2O5系では、熱膨脹係数が70〜95×
10-7／℃とより小さく、作業点が450℃以下であ
る強耐水性低温軟化ガラスが得られる。この系の
ガラスは被充てん材や被ボンデイング材に熱膨脹
係数の小さい材料を用いるときに特に有効に使用
することができる。 本発明の低温軟化ガラスは低膨張、低融点及び
強耐水性である３つの特性を同時に満足し、従来
のガラスの特性を著しく上回り、いまだ世の中に
出現していない画期的なガラスである。このよう
なガラスは充てん、ボンデイング及び封止用ガラ
スとしていろいろな方面で強く望まれている。 その他にも、一般の磁気ヘツドやLSIパツケー
ジにも使用できる。広くは、セラミツクスへの低
温ボンデイングに有効である。 一般の磁気ヘツドの充てん材及びボンデイング
材として使用する場合には、低温で作業ができる
という利点があり、磁気ヘツド全般にわたり有効
に使用できる。 LSIパツケージ、特に高熱伝導性SiCを用いた
パツケージの封止用ガラスとして有効に使用でき
る。この封止用ガラスとして、現在高膨脹低融点
であるPbO系ガラスに低膨脹材であるフイラーを
多量に含有させた材料を用いているが、本発明の
ガラスでは少量のフイラー又はフイラーなしで封
止でき、また従来より低温で封止でき、更に耐水
性が優れているので高湿中でもパツケージの使用
が可能となる。SiCとのぬれ性も悪くないことが
わかつている。 以上のように、比較的低膨脹である材料への低
温充てん、低温ボンデイング及び低温封止に有効
に使用できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 主要成分として、V2O5を55〜70重量％、
P2O5を17〜30重量％及びSb2O3を２〜20重量％含
有し、熱膨脹係数が100×10-7／℃以下であるこ
とを特徴とする耐水性低温軟化ガラス組成物。 ２ 成分として更にPbOを20重量％以下含有し、
熱膨脹係数が70〜100×10-7／℃、作業点が450℃
以下である特許請求の範囲第１項記載の耐水性低
温軟化ガラス組成物。 ３ 成分として更にTl2Oを15重量％以下含有し、
熱膨脹係数が80〜100×10-7／℃、作業点が440℃
以下である特許請求の範囲第２項記載の耐水性低
温軟化ガラス組成物。 ４ 成分として更にNb2O5を５重量％以下含有
し、熱膨脹係数が70〜95×10-7／℃、作業点が
450℃以下である特許請求の範囲第２項又は第３
項記載の耐水性低温軟化ガラス組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21804785A JPS6278128A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | アモルフアス磁気ヘツト用耐水性低温軟化ガラス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21804785A JPS6278128A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | アモルフアス磁気ヘツト用耐水性低温軟化ガラス組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6278128A JPS6278128A (ja) | 1987-04-10 |
| JPH0372023B2 true JPH0372023B2 (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=16713815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21804785A Granted JPS6278128A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | アモルフアス磁気ヘツト用耐水性低温軟化ガラス組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6278128A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0686309B2 (ja) * | 1989-02-23 | 1994-11-02 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッド並びにその製造方法及び磁気記録再生装置 |
| JP2767276B2 (ja) * | 1989-04-06 | 1998-06-18 | 株式会社日立製作所 | 封着材料 |
| JPH07112934B2 (ja) * | 1990-09-26 | 1995-12-06 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘツド並びにその接合ガラス及び磁気記録再生装置 |
| US6998776B2 (en) | 2003-04-16 | 2006-02-14 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
| US7344901B2 (en) | 2003-04-16 | 2008-03-18 | Corning Incorporated | Hermetically sealed package and method of fabricating of a hermetically sealed package |
| JP2006290665A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Boe Technology Group Co Ltd | 無鉛シーリングガラス粉末及び製造方法 |
| JP4800849B2 (ja) * | 2006-06-02 | 2011-10-26 | 株式会社日立製作所 | ガラス封着材料、平面型表示装置用枠ガラス及び平面型表示装置 |
| EP2890653B1 (en) | 2012-08-30 | 2016-08-24 | Corning Incorporated | Antimony-free glass, antimony-free frit and a glass package that is hermetically sealed with the frit |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP21804785A patent/JPS6278128A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6278128A (ja) | 1987-04-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |