JPH0372077A

JPH0372077A - Ｃｖｄ方法

Info

Publication number: JPH0372077A
Application number: JP20560589A
Authority: JP
Inventors: Tsukasa Kobayashi; 司小林; Atsushi Sekiguchi; 敦関口; Shinji Takagi; 信二高城
Original assignee: Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 1989-08-10
Filing date: 1989-08-10
Publication date: 1991-03-27
Anticipated expiration: 2013-06-04
Also published as: JP2762367B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は、複数の元素から構成される化合物、合金な
どの薄膜を作成するためのＣＶＤ装置およびＣＶＤ方法
に関する。

［従来の技術］ＬＳＩの微細化に伴い、半導体デバイスの構成は多層薄
膜化が進んでいる。多層配線デバイスにおいて重要とな
る技術としては、コンタクトホールやスルーホールのよ
うなサブミクロンサイズの、アスペクト比（開口部の直
径に対する穴の深さの比）の大きい穴の内部への金属配
線膜の埋め込み技術、およびＡｌ−Ａ１層間絶縁膜の平
坦化技術等があげられる。Ａｌ−Ａ１層間絶縁膜（例え
ば二酸化ケイ素膜５ｉＯ２）の平坦化方法としては、ホ
ウ素やリンをドープして高温でリフローさせる方法、エ
ッチバックによる方法、スピン・オン・グラス（ＳＯＧ
）と呼ばれる塗布法、バイアススパッタ法があり、また
最近ではバイアス◆プラズマＣＶＤ法が試みられている
。さらに近年では、有機シラン系の材料であるテトラエ
トキシオルソシリケート（以下ＴＥＯＳと呼ぶ。）とオ
ゾン（０３）とを原料とした熱ＣＶＤ法が注目されてい
る。従来、ＴＥＯＳを原料とした熱ＣＶＤ法では７００
℃程度の高温でないと成膜が不可能であったが、オゾン
を用いることで３５０〜４００℃程度の比較的低温で成
膜が可能となり、かつ段差被覆性が格段に向上すると共
に平坦化が非常に容易となった。なお、ＴＥＯＳと酸素
を用いたプラズマＣＶＤ法によれば同様に４００℃程度
の比較的低温において成膜が可能であるが、段差被覆性
がＴＥＯＳとオゾンを用いた熱ＣＶＤ法はど良くないと
いう欠点がある。またＴＥＯＳとオゾンを用いた熱ＣＶ
Ｄ法の欠点としては、膜中に５ｉＯＨ結合、ＣＨ基、Ｃ
といった不純物が残存するため、他の方法（例えばプラ
ズマＣＶＤ法）により作成した膜に比べ膜質があまり良
くないという点があげられる。

ところで、ＴＥＯＳとオゾンによる熱ＣＶＤ法において
、オゾンの果たす好ましい役割については次のような考
え方が文献「電気化学、５６巻、磁７．１９８８年、ｐ
、　５２７Ｊに示されている。この系のＣＶＤ反応にお
いてオゾンが関与するのは、気相中でのＴＥＯＳガスの
分解と、膜上における表面反応とが考えられる。表面反
応の主なものとしては、オゾンが膜表面上のＴＥＯＳあ
るいはＴＥＯＳの中間分解物のエトキシ基（ＯＣ２Ｈ５
）を酸化する反応、および成長途中の膜表面にある多数
のＳ　１−ＯＨ基の５ｉ−０あるいは５ｔ−Ｈ結合をオ
ゾンが切断し、Ｈ２Ｏの形で抜き取る脱水反応の二つが
考えられる。この考えに従えば膜中のＳ　１−ＯＨ結合
を減少させる方法として、膜成長途中で一坦ＴＥＯ３の
供給を止め、表面近傍のＳ　ｉ　−ＯＨ結合をオゾンに
よる脱水反応で十分に減少させる方法が有効である。実
際に、原料としてＴＥＯＳではないが同様の有機シラン
系の材料であるテトラメトキシシラン（ＴＭＳ）を用い
たＣＶＤ法では、原料のＴＭＳを反応室内に間欠的に導
入し、オゾンと同様に酸化効果を有する酸素原子により
十分に酸化を行なう方法が発表されている（第３５回応
用物理学関係連合講演会、講演番号２９ｐ−Ｇ−５）。

このように原料ガスを反応室内に間欠的に導入するＣＶ
Ｄ法はパルスＣＶＤ法とも呼ばれ、従来、ＴｉＯ２膜の
作成（Ｓ、　１ｌａｙａｓｈｌａｎｄ　Ｔ、　　ｌ１ｌ
ｒａｌ；　　Ｊ、　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　３
８　　（１９７７）４１　）や、Ｗ合金膜の作成（Ｗ、
　Ａ、　Ｂｒｙａｎｔ　ａｎｄ　Ｇ、　ＨＭｅｌｅｒ；
　Ｐｒｏｃ、　ｏｒ　５ｔｈ　Ｉｎｔ、　Ｃｏｎｆ、　
ｏｎ　ＣＶＤ　（１９７５）ｐ、１６１　）等に応用さ
れている。

一方、ＴＥＯＳと酸素（０２）を用いたプラズマＣＶＤ
法は、段差被覆性は劣るがＳ　Ｌ　−ＯＨ基の少ない良
質な膜が得られ、かつ、成膜速度がかなり大きい。この
点を考慮すると、プラズマを用いた場合には、前記脱水
反応はプラズマにより生じた活性な酸素原子により十分
に促進されていると考えられる。そこで、ＴＥＯＳとオ
ゾンを用いた熱ＣＶＤと、酸素プラズマによる酸化とを
パルス的に交互に繰り返すことにより、良好な段差被覆
性をもち、かつＳ　ｉ　−ＯＨ基の無い良好な膜質を有
するといった、熱ＣＶＤとプラズマＣＶＤの利点を兼ね
備えた成膜が期待される。

上記のような成膜を実際におこなうには、導入反応ガス
の切り替えと、プラズマを発生させるための電源の０Ｎ
−ＯＦＦとを繰り返さなければならない。あるいは、多
数の真空処理室を連結してこれらの間で基板を搬送する
ようにした装置を用いなければならない。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、上記成膜を実現するためには次のような
困難がある。ＴＥＯＳとオゾンによる熱ＣＶＤと、酸素
プラズマによる酸化とをパルス的に交互におこなって膜
中のＳ　ｉ　−ＯＨ基を減少させようとする場合、ＴＥ
ＯＳあるいはその中間分解物の、膜表面への１回の付着
膜厚を薄くして、その後の酸素プラズマによる酸化が上
述の１回の付着膜厚の全体にわたって均一におこなわれ
るようにしなければならない。このためにはＴＥＯＳガ
スを数秒から数十秒の時間間隔で開閉しなければならな
い。ところが、ＴＥＯＳは常温で液体のため、通常、不
活性ガス等のキャリアガスでバブリングして気化してか
ら反応室へ導く方法が用いられるので、ＴＥＯＳの気化
ガスを数秒程度の時間だけしかも流量の制御された状態
でバルブ開閉によって供給することは非常に困難である
。さらにＴＥＯＳガスの開閉と逆位相でプラズマをＯＮ
・０ＦＦＬなければならないが、これも困難である。

一方、複数の真空処理室を連結してこれらの真空処理室
の間で基板を搬送するようにした比較的大型の装置を用
いて上記成膜を実現することも可能である。しかし、本
来このような装置は各真空処理室間は密閉しておき基板
を次の処理室へ搬送するときのみ真空空間を連通させて
いる。そのためＴＥＯＳとオゾンによる熱ＣＶＤと酸素
プラズマによる酸化とを交互に繰り返しておこなおうと
すると生産性が著しく低下してしまう。

この発明はこのような現状に鑑みて開発されたものであ
って、その目的とするところは、十分短い時間間隔で熱
ＣＶＤとプラズマ処理とを交互に繰り返しおこなうこと
が可能なＣＶＤ装置およびＣＶＤ方法を提供することで
ある。

［課題を解決するための手段と作用］請求項１の発明は、真空室と、この真空室を排気する排
気系と、前記真空室に反応気体を導入するガス導入系と
、基板を保持する基板ホルダーとを備えるＣＶＤ装置に
おいて、次の特徴を有する。

すなわち、真空室内に、熱ＣＶＤを実施する空間とプラ
ズマ処理を実施する空間とを設け、これら空間にそれぞ
れガス導入口を設け、これら空間の間を基板が交互に繰
り返して移動できるように基板ホルダーを移動可能にし
たことを特徴とする。

基板ホルダーは回転運動、並進往復運動などの運動をさ
せることになる。基板ホルダーは、常に連続的に移動し
てもよいし、各空間で一時的に静止してもよい。プラズ
マ処理を実施する空間としては、熱ＣＶＤ膜の上にさら
に膜を堆積するためのプラズマＣＶＤを実施する空間で
あってもよく、あるいは熱ＣＶＤで形成された膜を改質
するためのプラズマ処理（たとえば酸素プラズマによる
酸化処理）を実施する空間であってもよい。

この発明では、熱ＣＶＤ空間とプラズマ処理空間との間
で基板を交互に移動させることによって基板上に成膜す
ることができる。したがって、この発明の装置はパルス
ＣＶＤ法による成膜を実施することができる。この発明
のＣＶＤ装置の動作を説明すると、真空室を排気した後
、熱ＣＶＤ空間にそのガス導入口から反応気体を導入し
、プラズマ処理空間にはそのガス導入口からプラズマ処
理に必要な気体を導入する。基板ホルダーの移動によっ
て基板が熱ＣＶＤ空間にきたときは、基板表面で反応気
体が活性化されて基板上に膜が堆積する。短時間の成膜
の後、基板ホルダーを移動させて基板がプラズマ処理空
間にきたときは、熱ＣＶＤで形成された膜に対してさら
にプラズマ処理がなされる。そして、基板をこれらの空
間の間で交互に移動させて熱ＣＶＤとプラズマ処理とを
繰り返す。

請求項２の発明は、請求項１の発明のＣＶＤ装置におい
て、真空室の内部を仕切り壁によって複数の空間に分割
したことを特徴としている。この場合、各空間を構成す
る壁面の一部は基板ホルダーで構成され、この基板ホル
ダーと仕切り壁とはわずかな隙間で隔てられる。この発
明における仕切り壁は、熱ＣＶＤ空間と、プラズマ処理
空間とを分離するためのものである。基板ホルダーの移
動を可能にするためには、静止している仕切り壁との間
に、わずかな隙間を設けておく必要がある。

この発明によれば、熱ＣＶＤ空間とプラズマ処理空間と
が区分けされるので、各空間にガス導入された気体が混
しり合うことがなく、各空間での反応が効果的におこな
われる。

請求項３の発明は、請求項２の発明のＣＶＤ装置におい
て、前記複数の空間のそれぞれに別個の排気口を設けた
ことを特徴とする。これにより、仕切り壁で区分けされ
た空間を独立に排気できて、各空間の圧ノノを独立に制
御できる。また、各空間内の気体が他の空間を通って排
気されるようなことがなくなり、基板には必要な気体だ
けが触れることになって、理想的なパルスＣＶＤ法が可
能となる。

請求項４の発明は、真空室に反応気体を導入してこの反
応気体を活性化させることによって基板上に膜を堆積さ
せるＣＶＤ方法において、次の特徴を有する。すなわち
、熱ＣＶＤ空間とプラズマ処理空間との間で基板を交互
に繰り返し移動させて基板上に膜を堆積させることを特
徴とする請求項５の発明は、請求項４記載のＣＶＤ方法
において、プラズマ処理空間ではプラズマＣＶＤを実施
することを特徴とする。すなわち、この発明のＣＶＤ方
法は熱ＣＶＤとプラズマＣＶＤを交互に繰り還して実施
するもので、合金膜や多層膜の形成に有効なものである
。

請求項６の発明は、請求項４記載のＣＶＤ方法において
、プラズマ処理空間では酸素プラズマを発生させて熱Ｃ
ＶＤで形成した膜を酸化処理することを特徴とする。す
なわち、この発明のＣＶＤ方法は、熱ＣＶＤで形成した
膜を酸素プラズマで酸化処理することによって膜質の改
善を図るものであり、例えばＴＥ０１とオゾンとを利用
して熱ＣＶＤでＳｉｇｈ膜を形成するときの膜質改善に
有効である。

［実施例］第１図はこの発明の一実施例の垂直断面図である。この
装置はＴＥ０１とオゾンとを利用して基板上にＳｉＯ□
膜を形成するためのＣＶＤ装置である。１は真空室、２
は基板ホルダーであってその内部にはヒータ３が埋め込
まれており、基板ホルダー上に設置した基板４を約５０
０℃程度まで加熱することが可能となっている。基板ホ
ルダ−２全体は真空室外部に設置されたモータ５と動力
伝達部６により、回転可能である。基板４は基板ホルダ
ー２上に設けられた凹所内にその上端面を接触させて設
置されている。真空室１内は、ゲートバルブ７、可変コ
ンダクタンスバルブ８を介して接続されたターボ分子ポ
ンプ９および油回転ポンプ１０により高真空に排気可能
である。１１はＴＥＯ５容器であり、ボンベ１２、減圧
弁１３、マスフローコントローラ１４を通して流量制御
されたアルゴン（Ａｒ）キャリヤガスでＴＥ０１をバブ
リングすることにより気化したＴＥＯＳガスをガス供給
口５２から真空室ｌ内に輸送する。さらにこのガス導入
口１５にはオゾンガスも供給することになるが、このオ
ゾンガスは、酸素（０２）ボンベ２４から減圧弁２５を
介して、無声放電を利用したオゾン発生器２６に酸素ガ
スを導入することにより発生可能である。ここで発生し
た８％程度の濃度のオゾンと酸素の混合ガスは、マスフ
ローコントローラ２７により流量制御され、ガス供給口
５２に導入される。これにより、ＴＥＯＳガスとオゾン
ガスの混合物がガス導入口１５を通って真空室内に導入
される。ガス導入口１５は、多数の孔のあいた数枚のガ
ス分配板１６とその周囲のヒータ部１７より構成されて
いる。これによりＴＥＯＳガスの予備加熱が可能となる
。この部分の構造は、特開平１−１１９６７４号公報に
開示されており、また本願出願人の出願に係る特願昭６
３−２２４６３号の明細書にも記載されている。

また、真空室１には酸素ガス導入口１８が設けてあり、
これも数枚のガス分配板１９から構成される。このガス
導入口１８の周囲にはシールド２１を設けてあり、シー
ルド２１は真空室１を介して接地されている。ガス導入
口１８は、インピーダンス整合をとるためのマツチング
ボックス２３を介してＲＦ電源２２に接続されている。

これにより、このガス導入口１８には高周波電力を印加
でき、ガス導入口１８と基板ホルダー２との間にプラズ
マ２０を発生させることができる。ガス導入口１８に導
入すべき酸素ガスは、上述の減圧弁２５の下流で分岐さ
れてマスフローコントロウ２８により流量制御されてガ
ス導入口１８に導かれる。

真空室１の内部は、二つの仕切り壁３１．３２によって
二つの空間に区分けされている。すなわち、二つのガス
導入口１５．１８を隔離するように垂直な仕切り壁３１
が設けられ、また基板ホルダー２の周囲には水平な環状
の仕切り壁３２が設けられている。もし、仕切り壁３２
がなければ基板ホルダー２の背面側で二つの空間が連通
してしまうことになる。二つの仕切り壁３１．３２と基
板ホルダー２とはわずかな間隙（約２ｍｍ）で隔てられ
ている。したがって、ＴＥＯＳ・オゾン混合ガスと酸素
ガスとは、この間隙を通して多少は混じり合うことにな
るが、仕切り壁３１．３２の無い場合に比べてその混合
度合いは格段に少ないものとなる。

以上のような空間構成により、ガス導入口１５側の空間
の上部境界は、回転可能な基板ホルダー２の下面で形成
され、同様に、ガス導入口１８側の空間の上部境界も、
回転可能な基板ホルダー２の下面で形成されることにな
る。これにより、基板ホルダー２が回転すれば、基板ホ
ルダー２の下面に配置された基板が二つの空間の間で移
動できることになる。

この真空室１には二つの排気口２９．３０が設けられて
いて、ガス導入口１５の側の空間は排気口２９につなが
り、ガス導入口１５に導入されたＴＥＯＳ・オゾン混合
ガスは、主として排気口２９から排気される。もう一方
のガス導入口１８の側の空間は別の排気口３０につなが
り、ガス導入口１８に導入された酸素ガスは、主として
排気口３０から排気される。

第２図は第１図の装置の真空室を上からみた平面配置図
であり、基板４とガス導入口１５．１８の真空室内にお
ける相対的位置関係を示したちのである。この実施例に
おいては基板４は基板ホルダー２上に４枚設置可能とな
っている。ＴＥＯＳ・オゾン混合ガスの排気口２つと酸
素ガス排気口３０は、図に示すように真空室１の外部で
合流し、−台の真空排気装置で両方の排気ができるよう
になっている。基板ホルダー２を回転させることにより
基板４は第２図の矢印３３で示すように動き、順番に繰
り返してＴＥＯＳ・オゾン混合ガス導入口１５と酸素ガ
ス導入口１８とに対向する。

次に、この装置を用いて基板上に５ｉｎ２膜を形成する
手順を述べる。まず真空室１内をターボ分子ポンプ９を
用いて高真空に排気する。次に基板４を約３５０℃に昇
温しで、基板ホルダ−２全体を６０ｒｐｍ程度の回転速
度で回転させる。次に６０℃に温度制御されたＴＥＯ５
容器１１中に、約１０１００５ｅの流量のＡｒガスを導
入してＴＥＯＳをバブリングし、ＴＥＯＳガスを真空室
に導入する。同時にオゾン発生器２６で発生したオゾン
と酸素の混合ガスをガス供給口５２に導入する。なお、
この実施例ではオゾンガスはＴＥＯＳガスと混合して真
空室に導入しているが、オゾンガス専用の導入口を別に
設置してもよい。ＴＥＯＳ・オゾン混合ガスは基板４に
到達するまでにガス導入口１５で１００〜２００℃に加
熱される。

真空室内の圧力は、真空室１に設置した圧力計（図示し
ていない）と可変コンダスタンス８とを利用して自動的
に１〜１０Ｔｏｒｒ程度に調整される。

また、酸素ガス導入口１８にはＲＦ電源２２により約２
００Ｗの高周波電力を印加してプラズマ２０を発生させ
る。一つの基板４は、基板ホルダー２が一回転する間（
以下、周期という）に、約３分の２周期の期間だけはガ
ス導入口１５の側の空間（熱ＣＶＤ空間）にあって、Ｔ
ＥＯＳ、オゾン、酸素の混合ガスにさらされ、ＴＥＯＳ
の中間生成物や、５Ｌ−ＯＨ基を含んだ５ｉｎ２層が形
成される。残りの約３分の１ｍ期の期間は、基板４はガ
ス導入口１８の側の空間（プラズマ処理空間）にあって
酸素プラズマにさらされ、上述の中間生成物やＳ　１−
ＯＨ基を含んだ５ｉＱ２層がさらに酸化されて、Ｓ　ｉ
　−ＯＨ基の少ない良質の５ｔ０２膜が生成する。

このようにして作成した５ｉ０２膜の特性を赤外吸収測
定により評価した結果、ＴＥ０１とオゾンによる熱ＣＶ
Ｄで作成した従来の膜に比べて膜内の５ｉ−ＯＨ基が１
０分の１以下に減少していることが分かり、プラズマ酸
化による膜質改善の効果が明らかとなった。また、幅１
μｍ１深さ１μｍの満を有するパターン上にＳｉＯ２膜
を形成してその段差被覆性を評価したところ、ＴＥ０１
とオゾンによる熱ＣＶＤの場合と同程度の良好な段差被
覆性が得られた。また、成膜速度は、酸素プラズマを用
いないで成膜した場合は１０Ｔｏｒｒの圧力において１
０００人／分程度であったが、酸素プラズマを用いるこ
とにより約２０００人／分となり、成膜速度の大幅な向
上がみられた。このようにこの発明では、ＴＥ０１とオ
ゾンによる熱ＣＶＤ法の特長（良好な段差被覆性）を生
かしたまま、この方法の欠点である不良な膜質と遅い成
膜速度という点を改善できたことは産業上の意義が大き
い。

以上、ＴＥ０１を原料にした５ｉｎ２膜の作製を例にこ
の発明を説明したが、この発明は他の目的にも使用可能
である。例えばガス導入口１５から有機アルミニウム化
合物であるトリイソブチルアルミニウムを導入して熱Ｃ
ＶＤをおこない、方でガス導入口１８からは銅の化合物
であるビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）銅
を気化させて導入してガス導入口１８と基板ホルダー２
との間にプラズマを発生させてプラズマＣＶＤをおこな
うことにより、基板上にＡｌ−Ｃｕ合金膜を形成できる
。この場合、熱ＣＶＤとプラズマＣＶＤとを短時間で交
互に繰り返して成膜する。

従来、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）銅
は低温での熱ＣＶＤが困難であり、またトリイソブチル
アルミニウムはプラズマＣＶＤでは膜質が劣化するとい
う欠点があったが、この発明により両者の欠点を補うこ
とができて、低温（約４００℃）でのＡｌ−Ｃｕ合金膜
の形成が可能となった。この膜は将来のＩＣ配線材料と
して太いに期待される。

［発明の効果］請求項１の発明は、熱ＣＶＤを実施する空間とプラズマ
処理を実施する空間との間を基板が交互に繰り返して移
動できるように基板ホルダーを移動可能にしたので、熱
ＣＶＤとプラズマ処理とを交互に繰り返しておこなうこ
とができる。これにより、熱ＣＶＤの利点（例えば良好
な段差被覆性）を保ちながら、熱ＣＶＤの欠点（例えば
Ｓｉｎ、。

膜中での５ｔ−ＯＨ結合の存在）をプラズマ処理で解消
することができる効果がある。

請求項２の発明は、真空室の内部を仕切り壁によって複
数の空間に分割したので、熱ＣＶＤ空間とプラズマ処理
空間とを区分けできて、各空間にガス導入された気体が
混じり合うことがなく、各空間での反応が効果的に実施
できる。

請求項３の発明は、複数の空間のそれぞれに別個の排気
口を設けたので、各空間を独立に排気できて、各空間の
圧力を独立に制御できる。また、各空間内の気体が他の
空間を通って排気されるようなことがなくなり、基板に
は必要な気体だけが触れることになって、理想的なパル
スＣＶＤ法が可能となる。

請求項４の発明は、熱ＣＶＤ空間とプラズマ処理空間と
の間で基板を交互に繰り返し移動させて基板」二に膜を
堆積させるＣＶＤ方法の発明であり、請求項１の発明と
同様の効果が得られる。

請求項５の発明は、請求項４のＣＶＤ方法において前記
プラズマ処理空間でプラズマＣＶＤを実施するものであ
る。この方法によれば、熱ＣＶＤとプラズマＣＶＤを交
互に繰り返して実施することにより、単独のＣＶＤ法で
は利害が反するような２種類以上の材料を別個のＣＶＤ
方法で成膜して合金膜や多層膜を形成することができる
。

請求項６の発明は、請求項４のＣＶＤ方法において前記
プラズマ処理空間で酸素プラズマによる酸化処理をする
ことにより、熱ＣＶＤで形成した膜の膜質改善を図るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の垂直断面図、第２図は第
１実施例の平面配置図である。１・・・真空室２・・・基板ホルダー４・・・基板１５．１８・・・ガス導入口２０・・・プラズマ２つ、３０・・・排気口３１．３２・・・仕切り壁

Claims

【特許請求の範囲】

（１）真空室と、この真空室を排気する排気系と、前記
真空室に反応気体を導入するガス導入系と、基板を保持
する基板ホルダーとを備えるＣＶＤ装置において、真空室内に、熱ＣＶＤを実施する空間とプラズマ処理を
実施する空間とを設け、これら空間にそれぞれガス導入
口を設け、これら空間の間を基板が交互に繰り返して移
動できるように基板ホルダーを移動可能にしたことを特
徴とするＣＶＤ装置。
（２）請求項１記載のＣＶＤ装置において、前記真空室
の内部は仕切り壁によって複数の空間に分割され、各空
間を構成する壁面の一部は前記基板ホルダーで構成され
、この基板ホルダーと前記仕切り壁とはわずかな隙間で
隔てられていることを特徴とするＣＶＤ装置。
（３）請求項２記載のＣＶＤ装置において、前記複数の
空間のそれぞれに別個の排気口を設けたことを特徴とす
るＣＶＤ装置。
（４）真空室に反応気体を導入してこの反応気体を活性
化させることによって基板上に膜を堆積させるＣＶＤ方
法において、熱ＣＶＤ空間とプラズマ処理空間との間で基板を交互に
繰り返し移動させて基板上に膜を堆積させることを特徴
とするＣＶＤ方法。
（５）請求項４記載のＣＶＤ方法において、プラズマ処
理空間ではプラズマＣＶＤを実施することを特徴とする
ＣＶＤ方法。
（６）請求項４記載のＣＶＤ方法において、プラズマ処
理空間では酸素プラズマを発生させて熱ＣＶＤで形成し
た膜を酸化処理することを特徴とするＣＶＤ方法。