JPH0372569A - 重合性組成物、重合用触媒およびその使用法 - Google Patents

重合性組成物、重合用触媒およびその使用法

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JPH0372569A
JPH0372569A JP2037000A JP3700090A JPH0372569A JP H0372569 A JPH0372569 A JP H0372569A JP 2037000 A JP2037000 A JP 2037000A JP 3700090 A JP3700090 A JP 3700090A JP H0372569 A JPH0372569 A JP H0372569A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、カチオン重合性組成物、重合触媒および重合
方法に関する。更に詳しくは、カチオン重合性物質を光
−1電子線等の放射線および/または熱により短時間に
重合させ、良好な物性をもった硬fヒ物や、実用性のあ
るカチオン重合性ビニル化合物のオリゴマーを得るため
の重合組成狗、その重合のための触媒および重合方法に
関する。
[従来の技術および解決すべき問題点]一般に、カチオ
ン重合性物質、とりわけエポキシ樹脂は、高性能材料を
必要とする種々の用途に使われている。特に、紫外線等
所定め波長の放射線の照射により、重合硬化させる方法
は、短時間で硬化させることが可能で、重合工程が簡易
であるため、各種用途に供せられている。
従来、エポキシ樹脂は硬化剤として活性なアミン含有化
合物やカルボン酸無水物を混入し、2液系で広く利用さ
れている。しかし、これらの硬化剤を用いた2液系は、
完全に成分を混合する必要があり、硬化時間も数時間に
及ぶ。
エポキシ樹脂を1液系として硬化するのにフッ化ホウ素
−モノエチルアミンの系があるが、これは160℃ある
いはそれ以上の温度でも1〜8時間を要している。この
改良として米国特許3565861号が挙げられるが、
やはり高温を必要としている。従ってこれらの組成物は
、熱に敏感な電子部品等の被覆には使用できない。更に
、光によりエポキシ樹脂を硬化させるのに金属ハロゲン
化合物アリールジアゾニウム塩が提案されている。しか
し、これらは、急速に重合し、また早過ぎるゲル化を受
は易く、そのため暗所においてさえ寸時も満足に貯蔵で
きない組成物になってしまうことが予想される。金属ハ
ロゲン化物アリールジアゾニウム塩を含有するエポキシ
材料に、その組成物の早過ぎるゲル化を抑制し、また暗
所における貯蔵性を与えることが提案されたが、コスト
が増大し、また全く満足すべき結果は得られていない。
 また、これら組成物は、硬化中に窒素が放出されるた
め、これにより得られる硬化物質が好ましくない気胞を
含むという問題がある。
ところで、オニウム塩については種々の光分解性スルホ
ニウム塩が公知である。例えば特開昭54−53181
号にはp−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム 
へキサフルオロアルセネー1・類を光硬化剤とすること
が、また特開昭50−151997号においては、フェ
ニルスルホニウム塩をエポキシ用光硬化剤とすることが
知られている。しかし、これらは光でエポキシ樹脂を硬
化させるが、熱を加えただけでは、エポキシ樹脂を硬化
させることはできない、また上記の開示においては、下
記一般式[I]および/または一般式[I1]のような
ベンジルスルホニウム塩は含まれていない。
一方、熱を加えることによりオニウム塩を活性1ヒさせ
、エポキシ樹脂を硬化させることのできる熱潜在性触媒
について、特開昭58−37003号や特開昭63−2
23002号にはジアルキルベンジルスルホニウム ヘ
キサフルオロアンチモネート塩のごときベンジルスルホ
ニウム塩が、特開昭56−152833号にはトリアル
キル型のスルホニウム塩が報告されている。しかし、こ
のスルホニウム塩は光に対しては不活性で短時間でエポ
キシ樹脂を硬化させることはできないうえ、例えば15
0℃以上を必要とするなど、加熱時間、温度とも実用的
とはいえない。
また、スピロ型エステルのごとき特殊エステルについて
は特開昭60−188425号にその加熱重合に関する
硬化剤が開示されている。
一方、カチオン重合性ビニル化合物のカチオン重合触媒
としては、鉱酸、BF3.ZnC1z。
AlCl3などのルイス酸型触媒や、AlR1Cl。
AIRC12といったハロゲン含有有機アルミニウム化
合物などが公知である。しかしながら、これら触媒は0
℃以上の温度ではカチオン重合反応があまりにも激しく
、重合反応の調整が思うように制御できず重合度が高ま
らない。もちろん、カチオン重合性モノマーとこれら触
媒をあらかじめ0℃以上で一液化し、保存することも不
可能である。
ビニル化合物を重合させようとすると、連鎖移動反応や
停止反応を制御する必要があり、通常適当な溶媒に溶解
したカチオン重合性モノマーを所定の極低温まで冷却し
た後に、触媒液が仕込まれ重合反応が行われる。しかし
、重合反応を工業的に極めて低温(例えば−130〜−
40℃〉で行うためには、低温の冷媒を使用する必要が
あるため操作が煩雑であり、また冷却費用がかさむなど
決して満足すべき方法とはいえない。また、加えるに、
米国特許3283010号にはベンジルカチオンの放出
についての記載があるが、この公報においては、ポリマ
ーの重合を意図していない。
[発明の目的] 本発明の目的は、放射線および/または、熱でエポキシ
樹脂などのカチオン重合性物質を重合することができ、
かつまた、5℃以下での貯蔵安定性にすぐれ、封止剤、
複合材用マトリックス樹脂などに利用されるカチオン重
合性組成物を提供し、その重合の方法、重合用の触媒を
提案することにある。または、スチレンなどのカチオン
重合性ビニル化合物を一定の条件のもとに重合させると
ともに、重合触媒と混合物との5℃以下での貯蔵安定性
に優れたモノマー組成物を提供するとともに、実用性の
あるビニル化合物のオリゴマーを工業的に提供し、その
重合の方法、重合用の触媒を提案することにある。
[問題点を解決するための手段] 本発明者らは、前記したような問題点を解決すべく鋭意
研究を重ねた結果、本発明に至った。
111ち、本発明は、カチオン重合性物質と、これを放
射線および/または熱により重合させることのできる下
記一般式[I]および、/または一般式[II]で示さ
れるベンジルスルホニウム塩を含む重合性組成物、およ
び下記一般式[I]および/または一般式[[I]を主
成分とする重合触媒、更には重合方法に関する。
R1:エトキシ、タージャリーブ1〜キシ。
ベンジルオキシ、フェニル、フェノキシ。
9・−フルオレニルメトキシ、クロルメチル、ジクロル
メチル、トリクロルメチル。
トリフルオロメチルのいずれかである。
R,、R3:それぞれ独立して水素、ハロゲン。
Cl−C4のアルキル基のいずれかである。
R4:水素、メチル、メトキシ、ハロゲンのいずれかで
ある。
Rs:Ct〜C4のアルキル基である。
RG:水素、アセチル、メトキシカルボニル。
メチルのいずれかである。
n :1〜3である。
X  : SbF6.ASF6.PF6.BF4のいず
れかである。
[発明の栴戒] 本発明の重合触媒は、(置換あるいは非置換)−ベンジ
ル−4−〈置換あるいは非置換オキシ)フェニル スル
ホニウム化合物と所定の陰イオンとの対の化合物であり
、これらを構成要件としている。また、本発明に使用さ
れるカチオン重合性物質とは、酸重合性または酸硬化性
物質、とりわけエポキシ樹脂が好ましく用いられる。適
当な物質の例は、エポキシド単量体類、エビサルファイ
ド単量体類、ポリエポキシド類(あるいはエポキシ樹脂
)、ポリエビサルファイド類(あるいはエビサルファイ
ド樹脂)、フェノール/ホルムアルデヒド樹脂、メラミ
ン/ホルムアルデヒド樹脂、尿素/ホルムアルデヒド樹
脂、スピロオルトエステル、ビシクロオルソエステル、
スピロオルトカーボネートのような環状エーテルおよび
環状ヂオエーテル(エポキシドおよびエビサルファイド
以外のもの)およびそれらの重合体、ラクトン、スチレ
ン、ビニルエーテルおよびビニルヂオエーテルならびに
、酸により処理されたとき樹脂を交叉結合または硬化さ
せる交叉結合剤を含有する樹脂であり、単独でも2種類
以上の混合でもかまわない。
[作用] 本発明の重合触媒として使用されるベンジルスルホニウ
ム塩は前述のとおりであり、このベンジルスルホニウム
塩は、対応する4−(置換オキシ)ベンゼンチオール類
をアルキル化し、更にベンジルハライド類と反応させ、
ハロゲンイオンを有するスルホニウム塩を合成し、しか
る後に所定の錯塩と陰イオン交換を行うか、もしくは、
置換あるいは非置換ベンジル−4−ヒドロキシフェニル
アルキルスルホニウム塩を塩基存在下、アセトニトリル
等の溶媒中でクロルギ酸エステル類、ベンゾイルクロラ
イドなどの相当するフロラ、イドと反応させることで高
収率に得られる。
本発明におけるベンジルスルホニウム塩として好ましい
のは、4−(ベンゾイルオキシ)フェニルベンジルメチ
ルスルホニウム へキサフルオロアンチモネート、4−
(ベンゾイルオキシ)フェニルベンジルエチルスルホニ
ウム へキサフルオロアンチモネー?−14−(ベンゾ
イルオキシ)フェニルベンジルメチルスルホニウム へ
キサフルオロホスフェート、4−(ベンゾイルオキシ)
フェニルベンジルメチルスルホニウム テトラフルオロ
ボレート、4−(ベンゾイルオキシ〉ベンジルフェニル
メチルスルホニウム へキサフルオロアルセネート、ベ
ンジル−4−(エトキシカルボニルオキシ)フェニルメ
チルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ベ
ンジル−4−(エトキシカルボニルオキシ)フェニルメ
チルスルホニウム へキサフルオロホスフェート、ベン
ジル−4−(ベンジルオキシカルボニルオキシ)フェニ
ルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート
、ベンジル−4−(フェノキシカルボニルオキシ)フェ
ニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
、ベンジル−3−クロロ−4−(ベンゾイルオキシ)フ
ェニルメチルスルホニウム へキサフルオロホスフェ−
1・、p−メトキシベンジル−4−(tert−ブトキ
シカルボニルオキシ)フェニルメチルスルホニウム ヘ
キサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−(ter
t−ブトキシカルボニルオキシ)フェニルメチルスルホ
ニウム ヘキサフルオロアンチモネート、p−メチルベ
ンジル−4−メトキシカルボニルオキシフェニルメチル
スルホニウム ヘキサフルオロアンチモネー1・、p−
メチルベンジル−4−(ベンジルオキシカルボニルオキ
シ)フェニルメチルスルホニウム へキサフルオロアン
チモネート、p−メチルベンジル−4−クロルアセT・
キシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアン
チモネート、p−メチルベンジル−4−アセトキシフェ
ニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネー
ト、p−メチルベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチ
ルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げ
られる。
本発明において曲用されるベンジルスルホニウム塩は、
熱に対して活性を上げるだけでなく、光、電子線などの
放射線に対しても活性がある。すなわち、熱または放射
線で励起されたこれらベンジルスルホニウム塩は、ベン
ジルカチオンを放出し、前述のカチオン重合性物質の重
合を進行させると考えられる。
また本発明において、カチオン重合性物質がビニル化合
物の場合は、重合反応に際して通常、触媒、モノマーな
どに不活性な溶媒を用いた溶液重合法が行われるが、場
合によっては塊状重合法も行われる。溶媒としては、例
えば、トルエン、ベンゼン、キシレンのような芳香族炭
化水素類、n−ヘキサン、n−へブタンのような脂肪族
炭化水素類、シクロヘキサンのような脂環式炭化水素類
、石油エーテル、リグロインのような炭化水素混合物類
、クロルベンゼン、ジクロルエタンのようなハロゲン化
炭化水素類などが使用でき、また、これらビニル化合物
の重合反応は常圧または加圧下で行われ、反応温度は2
0℃以上の温度、好ましくは工業的に加熱が容易な30
〜120℃である。
また、本発明において重合触媒として使用されるスルホ
ニウム塩は5℃以下でカチオン重合反応を開始しないた
め、必要によってはあらかじめモノマーと触媒を適当な
溶媒を用いて一液化し、保存しておくことも可能である
本発明に使用されるベンジルスルホニウム塩は、樹脂1
00重量部に対してo、 o i〜20重量部、好まし
くは0.1〜5重量部である。0.01重量部より少な
いと充分な重合物が得られない。20重量部を越える添
加量では、重合後の物性において好ましいものが得られ
ず、コストの面においても好ましくない。また、重合硬
化は、放射線処理または加熱処理により行われ、必要に
よっては加熱と放射線照射を併用することも可能である
また、重合時には、必要により溶媒を用いることもでき
る。
本発明による放射線としては、波長250〜400nm
範囲の紫外線が最も効率よく、それゆえ、光源としては
、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンラン
プ、カーボンアーク灯などが挙げられ、さらに電子線を
照射することによっても重合、硬化させることができる
本発明の組成物は、更に場合によっては、増量剤、難燃
剤、静電防止剤、界面活性剤、酸無水物に代表される助
剤等を混合して用いられる。
本発明の組成物は、艶出しワニス、インキ、塗料、接着
剤、積層板、プリプレグ、成型材料、封止材料等に使用
できる。
本発明の硬化性組成物は、5℃以下で長期間の保存が可
能で、光や電子線などの放射線の照射や120℃以下の
加熱あるいは加熱と放射線処理の併用で速やかに重合を
開始する機能を備え、高温硬化性に優れ、吸湿性がなく
、耐水性、耐薬品性、電気性に優れた硬化物を与える。
また、カチオン重合性ビニル化合物組成物においては、
従来困難であったモノマーと触媒の一液化保存、更には
20℃以上でのカチオン重合反応を可能とし、かつ、簡
単な加熱で実用性のある重合度の高い重合体を得ること
が可能になった点にある。
[実施例] 以下実施例にて本発明を詳細にするが、本発明は以下の
みに限定されるものではない。
実施例4 フェニルグリシジルエーテル1.0gに対して、ベンジ
ル−4−(ベンジルオキシカルボニルオキシ)フェニル
メチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートお
よび4−(ベンゾイルオキシ)フェニルベンジルメチル
スルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートをそれぞ
れ0.040g。
0.038g混合した。この混合物をそれぞれ脱気、封
管中50℃で1時間塊状重合させ、転化率を’H−NM
Rを用いて決定した。結果はそれぞれ75%、68%で
あった。
実施例2〜・11 フェニルグリシジルエーテル1.0gに対して種々のベ
ンジルスルホニウム塩を0.030g混合した。この混
合物を脱気、封管し、30℃、60℃で、それぞれ1時
間重合させ、転化率を’ H−N M Rを用いて決定
した。結果を族1に示す。また、ここで調製した組成物
を5℃にて1力月放置したところ著しい増粘は見られな
かった。
(以下成葉〉 実施例42〜21 エピコート828(油化シェルエポキシ製ビスフェノー
ルA型エポキシ樹脂)100重量部と種々のベンジルス
ルホニウム塩3重量部からなる配合物をfiし、各々約
100mgをとり、100℃に加熱した熱板上(日新科
学株式会社製ゲル化試験器 GT−D−JIS型)でゲ
ル化時間を測定した。結果を表2に示す。
(以下成葉) 実施例22〜29 フェニルグリシジルエーテル1.0gに対して種々のベ
ンジルスルホニウム塩を0.030g混合溶解した。こ
の混合物を脱気、封管し、90分、光塊状重合を行い、
転化率を1)[−NMRより求めた。光源は400w高
圧水銀灯を用い、理工科学産業製のロータリー光化学反
応装置を使用した。重合温度は10℃(水冷下)とした
結果を表3に示す。
(以下成葉) 実施例30 1−フェニル−4−エチル−2,6,7−ドリオキサビ
シクロ[2,2,2]オクタン 0.5gに対して、4
−(ベンゾイルオキシ〉フェニルベンジルメチルスルホ
ニウム ヘキサフルオロアンチモネートを0.039g
混合し、脱気、封管した。この混合物を、80℃で24
時間、塊状重合させた。重合後、IH−NMRスペクト
ルより、転化率100%を確認した。次に重合体を塩化
スチレン2mlで溶解し、ヘキサン100m l中に注
入した。ヘキサン不溶部を乾燥させ、0.40gのポリ
マーを得た。
実施例31 3.9−ジベンジル−1,5,7,11−テトラオキサ
スピロ[5,5]ウンデカン 0.5gに対して、4−
(ベンゾイルオキシ)フェニルベンジルメチルスルホニ
ウム へキサフルオロアンチモネートを0.025 g
混合し、脱気、封管した。
この混合物を80℃で2時間塊状重合させた。
重合後、’H−NMr(スペクトルより転化率99%を
確認した。
次に、重合物を塩化メチレン 2mlで溶解し、ヘキサ
ン100m1中に注入した。ついでヘキサン不溶部を乾
燥させ、0.45gのポリマーを得た。
実施例32 精製したスチレン0.5gに対してベンジル−11−(
ベンジルオキシカルボニルオキシ〉フェニルメチルスル
ホニウム ヘキサフルオロアンチモネート 0.030
gを混合し、脱気、封管した。
ついで、撹拌下、60℃で重合を行った。60分後、固
化した反応液を四塩化炭素2mlで溶解し、この’H−
NMRスペクトルより転化率97%を確認した。次にメ
タノール中にこれを注入し、重合を停止させ重合体を析
出させた。精製乾燥した重合体は白色結晶で収率85%
であった。
また、GPC(ポリスチレン換算)によりMn=420
0 、 MW/M11=2.01 ”Cアラf、:。
実施例33〜・41 実施例32に準じ種々のスルホニウム塩を用いてスチレ
ンの重合を行った。結果を表4に示す。
実施例42 実施例32に準じ10℃で60分でスチレンの重きを行
ったが、転化率は0%であった。
実施例43 スチレン0.5gの代わりにn−ブチルビニルエーテル
0.5gを用いた他は、実施例31と同様にして重、合
を行いn−ブチルビニルエーテルのポリマーを得た。
転化率90%、収率71%、VVn=4700゜術W/
術n=1.91 実施例44 実施例32における条件でクロルベン4フ2を溶媒とし
て溶液重合させ、ポリスチレンを得た。
転「ヒ率99%,収率85%,πーn = 3 9 0
 0 。
Mw/Mn=1.86 実施例45 精製したスチレン10gとベンジル−4−(ベンジルオ
キシカルボニルオキシ)フェニルメチルスルホニウム 
ヘキサフルオロアンチモネート 1.73gをクロルベ
ンゼン20m1で溶解させ、脱気、封管し5℃でlか月
装置したが、スチレンの重合はおこらなかった。
[発明の効果〕 以上のとおり本発明に係る所定のベンジルスルホニウム
塩は、カチオン重合性物質の重合触媒として有効であり
、これらを含有する重合組成物は光、電子線などの放射
線の照射および/l.たは加熱処理による重合方法で重
合、硬化することができる。またこの−液化した組成物
は混合後も安定であり、5℃以下での貯蔵性に優れてい
る。よって所期の目的を達成できる。

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)カチオン重合性物質の一種または二種以上と、一
    般式[ I ]および/または一般式[II]で示されるベ
    ンジルスルホニウム塩を含む重合性組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼[ I ] ▲数式、化学式、表等があります▼[II] R_1:エトキシ、ターシャリーブトキシ、ベンジルオ
    キシ、フェニル、フェノキシ、 9−フルオレニルメトキシ、クロルメチ ル、ジクロルメチル、トリクロルメチル、 トリフルオロメチルのいずれかである。 R_2、R_3:それぞれ独立して水素、ハロゲン、C
    _1〜C_4のアルキル基のいずれかである。 R_4:水素、メチル、メトキシ、ハロゲンのいずれか
    である。 R_5:C_1〜C_4のアルキル基である。 R_6:水素、アセチル、メトキシカルボニル、メチル
    のいずれかである。 n:1〜3である。 X:SbF_6、ASF_6、PF_6、BF_4のい
    ずれかである。
  2. (2)カチオン重合性物質が、エポキシ基を有する化合
    物である特許請求の範囲第1項記載の重合性組成物。
  3. (3)カチオン重合性物質がカチオン重合性ビニル化合
    物である特許請求の範囲第1項記載の重合性組成物。
  4. (4)カチオン重合性物質が、スピロオルトエステル基
    、ビシクロオルトエステル基、スピロオルトカーボネー
    ト基のいずれかを一種または二種以上有する化合物であ
    る特許請求の範囲第1項記載の重合性組成物。
  5. (5)カチオン重合性物質100重量部に対して一般式
    [ I ]および/または一般式[II]で示されるベンジ
    ルスルホニウム塩が、0.01〜20重量部を添加して
    なる特許請求の範囲第1項記載の重合性組成物。
  6. (6)特許請求の範囲第1項記載の一般式[ I ]およ
    び/または一般式[II]で示されるベンジルスルホニウ
    ム塩を主成分とするカチオン重合性物質の重合触媒。
  7. (7)ベンジルスルホニウム塩がベンジル−4−(エト
    キシカルボニルオキシ)フェニルメチルスルホニウムヘ
    キサフルオロアンチモネートである特許請求の範囲第6
    項記載の重合触媒。
  8. (8)ベンジルスルホニウム塩が4−(ベンゾイルオキ
    シ)フェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオ
    ロアンチモネートである特許請求の範囲第6項記載の重
    合触媒。
  9. (9)ベンジルスルホニウム塩がベンジル−4−(ベン
    ジルオキシカルボニルオキシ)フェニルメチルスルホニ
    ウムヘキサフルオロアンチモネートである特許請求の範
    囲第6項記載の重合触媒。
  10. (10)ベンジルスルホニウム塩が4−(ベンゾイルオ
    キシ)フェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフル
    オロホスフェートである特許請求の範囲第6項記載の重
    合触媒。
  11. (11)ベンジルスルホニウム塩が4−(ベンゾイルオ
    キシ)フェニルベンジルエチルスルホニウムヘキサフル
    オロアンチモネートである特許請求の範囲第6項記載の
    重合触媒。
  12. (12)ベンジルスルホニウム塩が、ベンジルメチル−
    4−(フェノキシカルボニルオキシ)フェニルスルホニ
    ウムヘキサフルオロアンチモネートである特許請求の範
    囲第6項記載の重合触媒。
  13. (13)ベンジルスルホニウム塩が、p−メチルベンジ
    ル−4−(ベンジルオキシカルボニルオキシ)フェニル
    メチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートであ
    る特許請求の範囲第6項記載の重合触媒。
  14. (14)ベンジルスルホニウム塩が、p−メチルベンジ
    ル−4−クロルアセトキシフェニルメチルスルホニウム
    ヘキサフルオロアンチモネートである特許請求の範囲第
    6項記載の重合触媒。
  15. (15)ベンジルスルホニウム塩が、p−メチルベンジ
    ル−4−アセトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサ
    フルオロアンチモネートである特許請求の範囲第6項記
    載の重合触媒。
  16. (16)ベンジルスルホニウム塩が、p−メチルベンジ
    ル−4−メトキシカルボニルオキシフェニルメチルスル
    ホニウムヘキサフルオロアンチモネートである特許請求
    の範囲第6項記載の重合触媒。
  17. (17)ベンジルスルホニウム塩がp−メチルベンジル
    −4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフ
    ルオロアンチモネートである特許請求の範囲第6項記載
    の重合触媒。
  18. (18)カチオン重合性物質の一種または二種以上に特
    許請求の範囲第1項記載の一般式[ I ]および/また
    は一般式[II]で示されるベンジルスルホニウム塩の一
    種または二種以上を触媒として加え、これを放射線およ
    び/または熱により重合させることを特徴とするカチオ
    ン重合性物質の重合方法。
  19. (19)放射線が紫外線である特許請求の範囲第18項
    記載の重合方法。
  20. (20)重合を20℃以上の温度で行うことを特徴とす
    る特許請求の範囲第18項記載の重合方法。
  21. (21)カチオン重合性物質100重量部に対して、特
    許請求の範囲第1項記載の一般式[ I ]および/また
    は一般式[II]で示されるベンジルスルホニウム塩を、
    0.01〜20重量部添加してなる特許請求の範囲第1
    8項記載の重合方法。
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