JPH0372599B2 - - Google Patents
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- JPH0372599B2 JPH0372599B2 JP59104581A JP10458184A JPH0372599B2 JP H0372599 B2 JPH0372599 B2 JP H0372599B2 JP 59104581 A JP59104581 A JP 59104581A JP 10458184 A JP10458184 A JP 10458184A JP H0372599 B2 JPH0372599 B2 JP H0372599B2
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- Japan
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- oxygen
- core tube
- tube
- container
- hydrogen
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/005—Oxydation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はウエツト酸素雰囲気中での酸化処理ま
たは拡散処理を行なう技術に関するものである。
たとえば、熱処理技術に関してはElectronic
Integrated Circuits(J.Allison著)の48頁〜50頁
に紹介されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a technique for performing oxidation treatment or diffusion treatment in a wet oxygen atmosphere.
For example, regarding heat treatment technology, Electronic
It is introduced on pages 48 to 50 of Integrated Circuits (written by J. Allison).
半導体装置等の製造における半導体薄板(ウエ
ハ)の酸化・拡散プロセスにおいては、熱酸化膜
の生成や高精度のデポジシヨン濃度、拡散の深さ
を得るために、水素(H2)、酸素(O2)の直接反
応によるウエツト酸素生成法(バーンニング法)
が一般に採用されている。この種のウエツト酸素
生成法としては第1図に示すようにパイロジエニ
ツク用水素燃焼機構が知られている。すなわち、
炉の石英ガラスからなる炉心管(プロセスチユー
ブ)1の細い尾管2に石英ガラスからなる水素供
給管3を相互のすり合せ面を介して気密状態で挿
入して、炉心管1内に水素(H2)を供給するよ
うにする。また、尾管2と平行に炉心管1の閉塞
端に技管4を作り、この技管4を介して炉心管1
内に酸素(O2)を供給する。また、炉心管1の
外周には均熱管やヒータ等からなるヒータ部5が
配設され、炉心管1内の処理室6を適宜な温度に
加熱している。そして、ウエハに酸化膜を形成す
る場合には、所定の温度に加熱されている処理室
6内に図示しない熱処理治具等を用いてシリコン
ウエハを入れ、その後、技管4から酸素を処理室
6内に供給するとともに水素供給管3から処理室
6内に水素を入れる。処理室6内が所定温度に達
していることと、水素および酸素がそれぞれ所定
の比率で処理室6内に送られることから、水素お
よび酸素は爆発することなく燃焼(図示炎7を示
す)して水蒸気(図中点で示す。)となり、水蒸
気を含む酸素すなわちウエツト酸素を炉心管1の
中央方向に供給し、ウエハ表面に熱酸化(SiO2)
膜を形成させることが行なわれている。 In the oxidation/diffusion process of semiconductor thin plates (wafers) in the manufacture of semiconductor devices, hydrogen (H 2 ), oxygen (O 2 Wet oxygen generation method (burning method) by direct reaction of )
is generally adopted. As a method of producing wet oxygen of this type, a pyrogenic hydrogen combustion mechanism as shown in FIG. 1 is known. That is,
A hydrogen supply tube 3 made of quartz glass is inserted into a narrow tail tube 2 of a process tube 1 made of quartz glass in an airtight state through mutual rubbing surfaces to supply hydrogen ( H 2 ). In addition, a technical tube 4 is made at the closed end of the furnace core tube 1 in parallel with the tail tube 2, and the furnace core tube 1 is connected through this technique tube 4.
Oxygen (O 2 ) is supplied inside. Further, a heater section 5 consisting of a soaking tube, a heater, etc. is disposed around the outer periphery of the furnace core tube 1, and heats a processing chamber 6 within the furnace core tube 1 to an appropriate temperature. When forming an oxide film on the wafer, the silicon wafer is placed into the processing chamber 6 heated to a predetermined temperature using a heat treatment jig (not shown), and then oxygen is supplied from the technique tube 4 to the processing chamber 6. At the same time, hydrogen is supplied into the processing chamber 6 from the hydrogen supply pipe 3. Since the inside of the processing chamber 6 has reached a predetermined temperature and hydrogen and oxygen are each sent into the processing chamber 6 at a predetermined ratio, the hydrogen and oxygen burn without exploding (flame 7 is shown). Oxygen containing water vapor, that is, wet oxygen, is supplied toward the center of the reactor core tube 1 to thermally oxidize (SiO 2 ) on the wafer surface.
Formation of a film is being carried out.
しかし、このような機構ではつぎのような欠点
がある。 However, such a mechanism has the following drawbacks.
(1) 細長い炉心管は一般に直列に並んだ3本ヒー
タA,B,Cによつて温度制御され、第2図で
示すように、その中央部は一定の温度分布とな
る。また、一定の長さに亘つて一定の温度分布
となるようにするために、両端部に位置するヒ
ータA,Cによつて、炉心管の両端部は中央部
に較べてわずかに温度が高くなるように制御さ
れる。しかし、炉心管の閉塞端部で水素と酸素
を反応させて燃焼させると、炉心管の奥は第2
図の二点鎖線で示すように部分的に温度が上
り、炉心管内の均一な温度分布が損なわれ、酸
化膜の生成が不均一となる。なお、一般的には
中央のヒータBは一定の温度を上下動するだけ
の役割しか果たさず、炉心管の両端の温度格差
を訂正する作用はしない。(1) The temperature of the elongated reactor core tube is generally controlled by three heaters A, B, and C arranged in series, and as shown in Figure 2, the temperature distribution is constant in the central part. In addition, in order to maintain a constant temperature distribution over a constant length, heaters A and C located at both ends keep the temperature at both ends of the core tube slightly higher than that at the center. controlled so that However, when hydrogen and oxygen are reacted and burned at the closed end of the core tube, the back of the core tube becomes the second
As shown by the two-dot chain line in the figure, the temperature rises locally, impairing the uniform temperature distribution within the reactor core tube, and making the formation of an oxide film uneven. Note that, in general, the central heater B only plays the role of raising and lowering a constant temperature, and does not have the function of correcting the temperature difference between the two ends of the reactor core tube.
(2) 安全性あるいは適正に酸化膜生成が成されて
いるか否か等を確かめるために点火(燃焼)状
態を確認する必要があるが、燃焼は炉心管内で
行なわれ、炉心管は外側をヒータ部で取り囲ま
れていることから、点火(炎7)を確認するに
は炉心管の開口部から覗かねばならない。しか
し、炉心管内にはウエハが林立状態等で挿入さ
れているため、点火(燃焼)を確認できにくい
難点がある。(2) It is necessary to check the ignition (combustion) state in order to confirm safety and whether an oxide film is being formed properly. Combustion takes place inside the core tube, and the outside of the core tube is heated. To check the ignition (flame 7), one must look through the opening of the core tube. However, because the wafers are inserted into the reactor core tube in a row, it is difficult to confirm ignition (combustion).
(3) 水素と酸素の混合比が変化したり、処理室の
温度が低くなつて爆発が生じた場合、炉心管は
石英ガラスで形作られているため粉粉に破壊し
て周辺に飛び散り、危険であるとともに、ウエ
ハやヒータ部を破損させる欠点がある。(3) If an explosion occurs due to a change in the mixture ratio of hydrogen and oxygen or the temperature in the processing chamber becomes low, the reactor core tube is made of quartz glass, so it will break into powder and scatter into the surrounding area, creating a dangerous situation. In addition, it has the disadvantage of damaging the wafer and heater section.
(4) 特に拡散炉の場合などには、反応ガスを供給
するために、炉心管の閉塞端側には尾管以外に
新に技管を設けるのが一般的である。しかしな
がら、上述したものでは、炉心管の構造が複雑
となり、製造コストが高くなる。また、炉心管
の一端には細くて折れ易い尾管、技管が2つも
あることから取扱いも従来の尾管だけの炉心管
に較べて面倒である。(4) Especially in the case of a diffusion furnace, it is common to install a new technical tube in addition to the tail tube at the closed end of the reactor core tube in order to supply the reactant gas. However, in the above-mentioned method, the structure of the furnace core tube becomes complicated and the manufacturing cost becomes high. In addition, because there are two thin and easily broken tail tubes and two tip tubes at one end of the furnace core tube, handling is more troublesome than the conventional furnace core tube that only has a tail tube.
したがつて、本発明の目的は、処理室内の温度
分布を乱すことのないウエツト酸素中での熱処理
技術を提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to provide a heat treatment technique in wet oxygen that does not disturb the temperature distribution within the processing chamber.
また、本発明の他の目的は、点火状態が確認し
易く、かつ安全性の高いものを提供することにあ
る。 Another object of the present invention is to provide a device that allows easy confirmation of the ignition state and is highly safe.
このような目的を達成するために本発明は、反
応管の外部で酸素および水素を燃焼させることに
より、ウエハ等への悪影響を除去することのでき
る熱処理方法にある。 In order to achieve these objects, the present invention provides a heat treatment method that can eliminate adverse effects on wafers and the like by burning oxygen and hydrogen outside a reaction tube.
第3図は本発明の一実施例で使用するウエツト
酸素生成装置及びそれを有する拡散炉を示す略図
である。同図には石英ガラスからなる気密性の容
器(ボツクス)8が示されている。この容器8は
拡散炉のドーピングボツクス9内に収容される。
また、前記容器8は三層構造からなり、最内層ボ
ツクス10は不純物を発生したりせず、また高温
にも耐えられることのできるように石英ガラスか
らなつている。また、最外層ボツクス11は容器
内で爆発が起きても破損しない強度を有する金属
容器、たとえばステンレスからなつている。ま
た、最外層ボツクス11と最内層ボツクス10と
の間には断熱効果を高めるために石英ウール等の
断熱材が入られ、断熱層12を形作つている。 FIG. 3 is a schematic diagram showing a wet oxygen generating apparatus and a diffusion furnace including the wet oxygen generating apparatus used in one embodiment of the present invention. The figure shows an airtight container (box) 8 made of quartz glass. This container 8 is housed in a doping box 9 of a diffusion furnace.
Further, the container 8 has a three-layer structure, and the innermost layer box 10 is made of quartz glass so that it does not generate impurities and can withstand high temperatures. The outermost box 11 is made of a metal container, such as stainless steel, which has a strength that will not cause damage even if an explosion occurs inside the container. Further, a heat insulating material such as quartz wool is inserted between the outermost box 11 and the innermost box 10 to enhance the heat insulating effect, forming a heat insulating layer 12.
前記最内層ボツクス10にはその上面および側
部に複数のパイプ13が一体的に取り付けられて
いる。すなわち、一側壁には水素ガス容器8内に
導入する水素供給管14および酸素ガスを容器8
内に導入する酸素供給管15が設けられている。
水素供給管14は最内層ボツクス10を貫通して
容器内に延び、その先端は最内層ボツクス10の
天井の中央の下方に突出している。また、容器8
内の水素供給管14部分には蝶旋形のヒータ16
が巻き付けられ、その両端は最内層ボツクス1
0、断熱層12、最外層ボツクス11を貫いて容
器外に延び、図示しない所定の電源部に接続され
ている。また、このヒータ16は外側を石英ガラ
スで被われるとともに、最内層ボツクス10には
石英ガラスを介して溶着され、挿入部の気密性が
保たれている。また、ヒータ16の螺旋部17の
上部は水素供給管14の先端部のノズル部18の
延長上に亘つて延び、ノズル部18の周囲を加熱
するようになつている。 A plurality of pipes 13 are integrally attached to the innermost box 10 on its upper surface and side portions. That is, one side wall has a hydrogen supply pipe 14 for introducing it into the hydrogen gas container 8 and a pipe for introducing oxygen gas into the container 8.
An oxygen supply pipe 15 is provided to introduce the oxygen into the inside.
The hydrogen supply pipe 14 extends into the container through the innermost box 10, and its tip protrudes below the center of the ceiling of the innermost box 10. Also, container 8
A spiral-shaped heater 16 is installed in the hydrogen supply pipe 14 portion inside.
is wrapped around the innermost box 1 at both ends.
0, the heat insulating layer 12, the outermost box 11, and extends outside the container, and is connected to a predetermined power source (not shown). The heater 16 is covered on the outside with quartz glass and is welded to the innermost box 10 via the quartz glass to maintain airtightness of the insertion portion. Further, the upper part of the spiral part 17 of the heater 16 extends over the extension of the nozzle part 18 at the tip of the hydrogen supply pipe 14, and heats the area around the nozzle part 18.
また、前記ノズル部18に対面する最内層ボツ
クス10の天井には導管19が設けられ、ノズル
部18から噴き出される水素ガスと容器内に充満
する酸素ガスとの燃焼反応によつて生じた水蒸気
(図中散点で示す。)を容器8の外に酸素と共に導
くようになつている。また、燃焼による炎20の
温度を検出するために、熱電対端子21が炎20
の近傍にまで容器外から侵入している。この熱電
対端子21は内端が閉塞した最内層ボツクス10
から延びる石英ガラスからなる保護管22で被わ
れている。また、容器8の下部側面には容器底に
溜つた水を抜く石英ガラスからなるドレーンパイ
プ23が取り付けられている。このドレーンパイ
プ23にはドレーンコツク24が設けられてい
る。また、図示しないが、被処理体を処理するた
めの反応ガス供給管が容器8に設けられている。
さらに、容器8内で燃える炎20を容器外から観
察できるように、最外層ボツクス11および断熱
層12は部分的に取り除かれて観察窓25が作ら
れている。なお、この観察窓25には最内層ボツ
クス10が爆発した際保護板となる耐熱性の優れ
た透明保護板を取り付けておいてもよい。さら
に、前記最内層ボツクス10、断熱層12は最外
層ボツクス11から順次取り外し可能な構造とな
つている。 Further, a conduit 19 is provided on the ceiling of the innermost box 10 facing the nozzle part 18, and water vapor generated by the combustion reaction between the hydrogen gas spouted from the nozzle part 18 and the oxygen gas filling the container. (indicated by scattered dots in the figure) is led out of the container 8 together with oxygen. Further, in order to detect the temperature of the flame 20 due to combustion, a thermocouple terminal 21 is connected to the flame 20.
from outside the container. This thermocouple terminal 21 is connected to the innermost box 10 whose inner end is closed.
It is covered with a protective tube 22 made of quartz glass that extends from the quartz glass. Further, a drain pipe 23 made of quartz glass is attached to the lower side of the container 8 to drain water accumulated at the bottom of the container. This drain pipe 23 is provided with a drain pot 24. Although not shown, the container 8 is provided with a reaction gas supply pipe for processing the object to be processed.
Further, the outermost box 11 and the heat insulating layer 12 are partially removed to form an observation window 25 so that the flame 20 burning inside the container 8 can be observed from outside the container. Note that a transparent protective plate with excellent heat resistance may be attached to the observation window 25 to serve as a protective plate when the innermost box 10 explodes. Furthermore, the innermost box 10 and the heat insulating layer 12 are constructed to be sequentially removable from the outermost box 11.
一方、容器8から突出した導管19は標準型の
炉心管26の細い尾管27にフツ素樹脂などから
なるチユーブからなる補助導管28を介して連結
される。なお、連結部には一般公知のこの種パイ
プを連結するコネクタ29がそれぞれ用いられ
る。また、コネクタ29および補助導管28の外
周にはリボンヒータ30が巻き付けられ、補助導
管28内を流れる水蒸気の水滴化を防止するとと
もに常に一定温度のウエツト酸素が炉心管に供給
されるようになつている。また、図中31は炉心
管26を加熱するヒータ部である。 On the other hand, a conduit 19 protruding from the container 8 is connected to a narrow tail tube 27 of a standard type core tube 26 via an auxiliary conduit 28 made of a tube made of fluororesin or the like. Incidentally, a connector 29 for connecting this type of pipe, which is generally known, is used in each of the connecting portions. Furthermore, a ribbon heater 30 is wrapped around the outer periphery of the connector 29 and the auxiliary conduit 28 to prevent the water vapor flowing inside the auxiliary conduit 28 from becoming water droplets, and to constantly supply wet oxygen at a constant temperature to the reactor core tube. There is. Further, numeral 31 in the figure is a heater section that heats the furnace core tube 26.
つぎに、炉心部26にウエツト酸素を供給する
作業について説明する。ヒータ16によつて水素
供給管14のノズル部18の近傍を所定温度に加
熱するとともに、容器8内に酸素供給管15から
酸素ガスを噴射させて酸素を充満させる。また、
ノズル部18から水素ガスを噴射させる。なお、
水素ガスおよび酸素ガスの供給量は所定比となる
ように供給する。この結果、ノズル部18から噴
射される水素は酸素と反応して燃焼し、水蒸気を
発生する。そして、容器8内の圧力が高いことも
あつて、容器内の水蒸気の酸素と(必要に応じて
拡散不純物などの反応ガスと)とは導管19、補
助導管28を通つて炉心管26内に順次供給され
る。 Next, the operation of supplying wet oxygen to the reactor core 26 will be explained. The vicinity of the nozzle portion 18 of the hydrogen supply pipe 14 is heated to a predetermined temperature by the heater 16, and oxygen gas is injected from the oxygen supply pipe 15 into the container 8 to fill it with oxygen. Also,
Hydrogen gas is injected from the nozzle part 18. In addition,
The hydrogen gas and oxygen gas are supplied in a predetermined ratio. As a result, the hydrogen injected from the nozzle portion 18 reacts with oxygen and burns, generating water vapor. Since the pressure inside the vessel 8 is high, the oxygen in the steam in the vessel (and reactant gases such as diffusion impurities, if necessary) pass through the conduit 19 and the auxiliary conduit 28 into the core tube 26. Supplied sequentially.
このような実施例によれば、つぎのような効果
を奏する。 According to such an embodiment, the following effects are achieved.
(1) 炉心管へ供給されるウエツト酸素はリボンヒ
ータによつて常に一定温度に維持されて炉心管
に供給される。このため、炉心管の温度分布は
安定するため、品質および信頼性の優れたウエ
ハ処理が行なえ、歩留も向上する。(1) Wet oxygen supplied to the reactor core tube is always maintained at a constant temperature by a ribbon heater and then supplied to the reactor core tube. Therefore, the temperature distribution in the furnace tube is stabilized, so that wafer processing with excellent quality and reliability can be performed, and yields can also be improved.
(2) 燃焼状態は容器の観察窓から簡単に観察でき
ることから、炉心管に確実に水蒸気が送られて
いるか否かを確認できる。したがつて、水蒸気
が行なわれていない状態でウエハ処理を行なう
ことも避けられる。(2) Since the combustion status can be easily observed through the observation window of the vessel, it can be confirmed whether steam is being reliably sent to the reactor core tube. Therefore, it is also possible to avoid performing wafer processing in a state where water vapor is not applied.
(3) 容器内で爆発が生じても、容器の最外層ボツ
クスは耐圧性で強度が大きいことから、従来の
ように容器外に石英ガラスの破片が飛び散るこ
ともない。したがつて、安全である。また、従
来のようにウエハを飛散する石英ガラス片で破
損させることもないので、保留の低下を引き起
こすこともない。さらに、飛散する石英ガラス
片でヒータ部を破壊させることもないので、熱
処理炉装置各部の寿命も長くなり、製品の処理
コストの軽減化にも繋がる。(3) Even if an explosion occurs inside the container, the outermost layer of the container is pressure-resistant and strong, so fragments of quartz glass will not scatter outside the container, unlike conventional methods. Therefore, it is safe. Furthermore, since the wafer is not damaged by flying quartz glass pieces as in the conventional case, there is no possibility of a decrease in holding capacity. Furthermore, since the heater part is not destroyed by flying quartz glass pieces, the life of each part of the heat treatment furnace apparatus is extended, which also leads to a reduction in product processing costs.
(4) 炉心管は尾管を有する標準品を使用すること
ができることから、設備費も安価となる。(4) Since a standard core tube with a tail tube can be used, equipment costs are also low.
第1図は従来の拡散炉の炉心管へウエツト酸素
を供給するウエツト酸素生成機構を示す一部断面
図、第2図は同じく炉心管における温度分布を示
す温度曲線図、第3図は本発明に使用するウエツ
ト酸素生成装置及びそれを有する拡散炉を示す断
面図である。
1……炉心管、3……水素供給管、5……ヒー
タ部、6……処理室、7……炎、8……容器、1
0……最内層ボツクス、11……最外層ボツク
ス、12……断熱層、14……水素供給管、15
……酸素供給管、16……ヒータ、18……ノズ
ル部、19……導管、20……炎、21……熱電
対端子、25……観察窓、26……炉心管、27
……尾管、28……補助導管、30……リボンヒ
ータ、31……ヒータ部。
Figure 1 is a partial sectional view showing a wet oxygen generation mechanism that supplies wet oxygen to the core tube of a conventional diffusion furnace, Figure 2 is a temperature curve diagram showing the temperature distribution in the core tube, and Figure 3 is a diagram of the present invention. 1 is a cross-sectional view showing a wet oxygen generation device and a diffusion furnace including the same. 1... Furnace core tube, 3... Hydrogen supply pipe, 5... Heater section, 6... Processing chamber, 7... Flame, 8... Container, 1
0... Innermost layer box, 11... Outermost layer box, 12... Heat insulation layer, 14... Hydrogen supply pipe, 15
... Oxygen supply pipe, 16 ... Heater, 18 ... Nozzle section, 19 ... Conduit, 20 ... Flame, 21 ... Thermocouple terminal, 25 ... Observation window, 26 ... Reactor core tube, 27
... tail pipe, 28 ... auxiliary conduit, 30 ... ribbon heater, 31 ... heater section.
Claims (1)
理するにあたり、反応管の外部で酸素および水素
を燃焼させてウエツト酸素雰囲気を生成し、この
ウエツト酸素雰囲気を上記反応管の尾管部に接続
される導管を通して上記反応管に導入することを
特徴とする半導体ウエハの熱処理方法。1. When heat-treating semiconductor wafers in a wet oxygen atmosphere, oxygen and hydrogen are burned outside the reaction tube to generate a wet oxygen atmosphere, and this wet oxygen atmosphere is passed through a conduit connected to the tail tube of the reaction tube. A method for heat treating a semiconductor wafer, which method comprises introducing the semiconductor wafer into the reaction tube.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10458184A JPS60122799A (en) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | Heat treatment method for semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10458184A JPS60122799A (en) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | Heat treatment method for semiconductor wafers |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15986078A Division JPS5590405A (en) | 1978-12-27 | 1978-12-27 | Forming device for wet oxygen and heat treatment furnace provided with the said device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60122799A JPS60122799A (en) | 1985-07-01 |
| JPH0372599B2 true JPH0372599B2 (en) | 1991-11-19 |
Family
ID=14384398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10458184A Granted JPS60122799A (en) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | Heat treatment method for semiconductor wafers |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60122799A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8603111A (en) * | 1986-12-08 | 1988-07-01 | Philips Nv | METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE APPLYING A SILICONE SURFACE ON ITS SURFACE WITH FIELD OXIDE AREAS. |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6028138B2 (en) * | 1976-12-10 | 1985-07-03 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device manufacturing equipment |
| JPS53123667A (en) * | 1977-04-04 | 1978-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | Generator for semiconuctor oxidized film |
-
1984
- 1984-05-25 JP JP10458184A patent/JPS60122799A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60122799A (en) | 1985-07-01 |
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