JPH0372599B2 - - Google Patents

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JPH0372599B2
JPH0372599B2 JP59104581A JP10458184A JPH0372599B2 JP H0372599 B2 JPH0372599 B2 JP H0372599B2 JP 59104581 A JP59104581 A JP 59104581A JP 10458184 A JP10458184 A JP 10458184A JP H0372599 B2 JPH0372599 B2 JP H0372599B2
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JP
Japan
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oxygen
core tube
tube
container
hydrogen
Prior art date
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JP59104581A
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English (en)
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JPS60122799A (ja
Inventor
Tamotsu Sasaki
Masamoto Akeyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/005Oxydation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はウエツト酸素雰囲気中での酸化処理ま
たは拡散処理を行なう技術に関するものである。
たとえば、熱処理技術に関してはElectronic
Integrated Circuits(J.Allison著)の48頁〜50頁
に紹介されている。
半導体装置等の製造における半導体薄板(ウエ
ハ)の酸化・拡散プロセスにおいては、熱酸化膜
の生成や高精度のデポジシヨン濃度、拡散の深さ
を得るために、水素(H2)、酸素(O2)の直接反
応によるウエツト酸素生成法(バーンニング法)
が一般に採用されている。この種のウエツト酸素
生成法としては第1図に示すようにパイロジエニ
ツク用水素燃焼機構が知られている。すなわち、
炉の石英ガラスからなる炉心管(プロセスチユー
ブ)1の細い尾管2に石英ガラスからなる水素供
給管3を相互のすり合せ面を介して気密状態で挿
入して、炉心管1内に水素(H2)を供給するよ
うにする。また、尾管2と平行に炉心管1の閉塞
端に技管4を作り、この技管4を介して炉心管1
内に酸素(O2)を供給する。また、炉心管1の
外周には均熱管やヒータ等からなるヒータ部5が
配設され、炉心管1内の処理室6を適宜な温度に
加熱している。そして、ウエハに酸化膜を形成す
る場合には、所定の温度に加熱されている処理室
6内に図示しない熱処理治具等を用いてシリコン
ウエハを入れ、その後、技管4から酸素を処理室
6内に供給するとともに水素供給管3から処理室
6内に水素を入れる。処理室6内が所定温度に達
していることと、水素および酸素がそれぞれ所定
の比率で処理室6内に送られることから、水素お
よび酸素は爆発することなく燃焼(図示炎7を示
す)して水蒸気(図中点で示す。)となり、水蒸
気を含む酸素すなわちウエツト酸素を炉心管1の
中央方向に供給し、ウエハ表面に熱酸化(SiO2
膜を形成させることが行なわれている。
しかし、このような機構ではつぎのような欠点
がある。
(1) 細長い炉心管は一般に直列に並んだ3本ヒー
タA,B,Cによつて温度制御され、第2図で
示すように、その中央部は一定の温度分布とな
る。また、一定の長さに亘つて一定の温度分布
となるようにするために、両端部に位置するヒ
ータA,Cによつて、炉心管の両端部は中央部
に較べてわずかに温度が高くなるように制御さ
れる。しかし、炉心管の閉塞端部で水素と酸素
を反応させて燃焼させると、炉心管の奥は第2
図の二点鎖線で示すように部分的に温度が上
り、炉心管内の均一な温度分布が損なわれ、酸
化膜の生成が不均一となる。なお、一般的には
中央のヒータBは一定の温度を上下動するだけ
の役割しか果たさず、炉心管の両端の温度格差
を訂正する作用はしない。
(2) 安全性あるいは適正に酸化膜生成が成されて
いるか否か等を確かめるために点火(燃焼)状
態を確認する必要があるが、燃焼は炉心管内で
行なわれ、炉心管は外側をヒータ部で取り囲ま
れていることから、点火(炎7)を確認するに
は炉心管の開口部から覗かねばならない。しか
し、炉心管内にはウエハが林立状態等で挿入さ
れているため、点火(燃焼)を確認できにくい
難点がある。
(3) 水素と酸素の混合比が変化したり、処理室の
温度が低くなつて爆発が生じた場合、炉心管は
石英ガラスで形作られているため粉粉に破壊し
て周辺に飛び散り、危険であるとともに、ウエ
ハやヒータ部を破損させる欠点がある。
(4) 特に拡散炉の場合などには、反応ガスを供給
するために、炉心管の閉塞端側には尾管以外に
新に技管を設けるのが一般的である。しかしな
がら、上述したものでは、炉心管の構造が複雑
となり、製造コストが高くなる。また、炉心管
の一端には細くて折れ易い尾管、技管が2つも
あることから取扱いも従来の尾管だけの炉心管
に較べて面倒である。
したがつて、本発明の目的は、処理室内の温度
分布を乱すことのないウエツト酸素中での熱処理
技術を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、点火状態が確認し
易く、かつ安全性の高いものを提供することにあ
る。
このような目的を達成するために本発明は、反
応管の外部で酸素および水素を燃焼させることに
より、ウエハ等への悪影響を除去することのでき
る熱処理方法にある。
第3図は本発明の一実施例で使用するウエツト
酸素生成装置及びそれを有する拡散炉を示す略図
である。同図には石英ガラスからなる気密性の容
器(ボツクス)8が示されている。この容器8は
拡散炉のドーピングボツクス9内に収容される。
また、前記容器8は三層構造からなり、最内層ボ
ツクス10は不純物を発生したりせず、また高温
にも耐えられることのできるように石英ガラスか
らなつている。また、最外層ボツクス11は容器
内で爆発が起きても破損しない強度を有する金属
容器、たとえばステンレスからなつている。ま
た、最外層ボツクス11と最内層ボツクス10と
の間には断熱効果を高めるために石英ウール等の
断熱材が入られ、断熱層12を形作つている。
前記最内層ボツクス10にはその上面および側
部に複数のパイプ13が一体的に取り付けられて
いる。すなわち、一側壁には水素ガス容器8内に
導入する水素供給管14および酸素ガスを容器8
内に導入する酸素供給管15が設けられている。
水素供給管14は最内層ボツクス10を貫通して
容器内に延び、その先端は最内層ボツクス10の
天井の中央の下方に突出している。また、容器8
内の水素供給管14部分には蝶旋形のヒータ16
が巻き付けられ、その両端は最内層ボツクス1
0、断熱層12、最外層ボツクス11を貫いて容
器外に延び、図示しない所定の電源部に接続され
ている。また、このヒータ16は外側を石英ガラ
スで被われるとともに、最内層ボツクス10には
石英ガラスを介して溶着され、挿入部の気密性が
保たれている。また、ヒータ16の螺旋部17の
上部は水素供給管14の先端部のノズル部18の
延長上に亘つて延び、ノズル部18の周囲を加熱
するようになつている。
また、前記ノズル部18に対面する最内層ボツ
クス10の天井には導管19が設けられ、ノズル
部18から噴き出される水素ガスと容器内に充満
する酸素ガスとの燃焼反応によつて生じた水蒸気
(図中散点で示す。)を容器8の外に酸素と共に導
くようになつている。また、燃焼による炎20の
温度を検出するために、熱電対端子21が炎20
の近傍にまで容器外から侵入している。この熱電
対端子21は内端が閉塞した最内層ボツクス10
から延びる石英ガラスからなる保護管22で被わ
れている。また、容器8の下部側面には容器底に
溜つた水を抜く石英ガラスからなるドレーンパイ
プ23が取り付けられている。このドレーンパイ
プ23にはドレーンコツク24が設けられてい
る。また、図示しないが、被処理体を処理するた
めの反応ガス供給管が容器8に設けられている。
さらに、容器8内で燃える炎20を容器外から観
察できるように、最外層ボツクス11および断熱
層12は部分的に取り除かれて観察窓25が作ら
れている。なお、この観察窓25には最内層ボツ
クス10が爆発した際保護板となる耐熱性の優れ
た透明保護板を取り付けておいてもよい。さら
に、前記最内層ボツクス10、断熱層12は最外
層ボツクス11から順次取り外し可能な構造とな
つている。
一方、容器8から突出した導管19は標準型の
炉心管26の細い尾管27にフツ素樹脂などから
なるチユーブからなる補助導管28を介して連結
される。なお、連結部には一般公知のこの種パイ
プを連結するコネクタ29がそれぞれ用いられ
る。また、コネクタ29および補助導管28の外
周にはリボンヒータ30が巻き付けられ、補助導
管28内を流れる水蒸気の水滴化を防止するとと
もに常に一定温度のウエツト酸素が炉心管に供給
されるようになつている。また、図中31は炉心
管26を加熱するヒータ部である。
つぎに、炉心部26にウエツト酸素を供給する
作業について説明する。ヒータ16によつて水素
供給管14のノズル部18の近傍を所定温度に加
熱するとともに、容器8内に酸素供給管15から
酸素ガスを噴射させて酸素を充満させる。また、
ノズル部18から水素ガスを噴射させる。なお、
水素ガスおよび酸素ガスの供給量は所定比となる
ように供給する。この結果、ノズル部18から噴
射される水素は酸素と反応して燃焼し、水蒸気を
発生する。そして、容器8内の圧力が高いことも
あつて、容器内の水蒸気の酸素と(必要に応じて
拡散不純物などの反応ガスと)とは導管19、補
助導管28を通つて炉心管26内に順次供給され
る。
このような実施例によれば、つぎのような効果
を奏する。
(1) 炉心管へ供給されるウエツト酸素はリボンヒ
ータによつて常に一定温度に維持されて炉心管
に供給される。このため、炉心管の温度分布は
安定するため、品質および信頼性の優れたウエ
ハ処理が行なえ、歩留も向上する。
(2) 燃焼状態は容器の観察窓から簡単に観察でき
ることから、炉心管に確実に水蒸気が送られて
いるか否かを確認できる。したがつて、水蒸気
が行なわれていない状態でウエハ処理を行なう
ことも避けられる。
(3) 容器内で爆発が生じても、容器の最外層ボツ
クスは耐圧性で強度が大きいことから、従来の
ように容器外に石英ガラスの破片が飛び散るこ
ともない。したがつて、安全である。また、従
来のようにウエハを飛散する石英ガラス片で破
損させることもないので、保留の低下を引き起
こすこともない。さらに、飛散する石英ガラス
片でヒータ部を破壊させることもないので、熱
処理炉装置各部の寿命も長くなり、製品の処理
コストの軽減化にも繋がる。
(4) 炉心管は尾管を有する標準品を使用すること
ができることから、設備費も安価となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の拡散炉の炉心管へウエツト酸素
を供給するウエツト酸素生成機構を示す一部断面
図、第2図は同じく炉心管における温度分布を示
す温度曲線図、第3図は本発明に使用するウエツ
ト酸素生成装置及びそれを有する拡散炉を示す断
面図である。 1……炉心管、3……水素供給管、5……ヒー
タ部、6……処理室、7……炎、8……容器、1
0……最内層ボツクス、11……最外層ボツク
ス、12……断熱層、14……水素供給管、15
……酸素供給管、16……ヒータ、18……ノズ
ル部、19……導管、20……炎、21……熱電
対端子、25……観察窓、26……炉心管、27
……尾管、28……補助導管、30……リボンヒ
ータ、31……ヒータ部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 半導体ウエハをウエツト酸素雰囲気中で熱処
    理するにあたり、反応管の外部で酸素および水素
    を燃焼させてウエツト酸素雰囲気を生成し、この
    ウエツト酸素雰囲気を上記反応管の尾管部に接続
    される導管を通して上記反応管に導入することを
    特徴とする半導体ウエハの熱処理方法。
JP10458184A 1984-05-25 1984-05-25 半導体ウエハの熱処理方法 Granted JPS60122799A (ja)

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NL8603111A (nl) * 1986-12-08 1988-07-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij een siliciumplak aan zijn oppervlak wordt voorzien van veldoxidegebieden.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6028138B2 (ja) * 1976-12-10 1985-07-03 三菱電機株式会社 半導体装置の製造装置
JPS53123667A (en) * 1977-04-04 1978-10-28 Mitsubishi Electric Corp Generator for semiconuctor oxidized film

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