JPH0372683A - 反射型センサ - Google Patents
反射型センサInfo
- Publication number
- JPH0372683A JPH0372683A JP1208807A JP20880789A JPH0372683A JP H0372683 A JPH0372683 A JP H0372683A JP 1208807 A JP1208807 A JP 1208807A JP 20880789 A JP20880789 A JP 20880789A JP H0372683 A JPH0372683 A JP H0372683A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- window
- sensor
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
- H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
- H10F55/25—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/413—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with the devices, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/8506—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Fire-Detection Mechanisms (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は発光素子と受光素子を備え、発光素子から発
せられ、被検出物によって反射された反射光を受光素子
で検知することにより物体の検出を行う反射型センサに
関する。
せられ、被検出物によって反射された反射光を受光素子
で検知することにより物体の検出を行う反射型センサに
関する。
(従来の技術)
第10図は従来の反射型センサの構成を示す部分断面図
である。図において、31は例えば光不透過性の合成樹
脂利料を用いて構成されたハウジングケースである。こ
のハウジングケース31には二箇所に図示しない収納部
が設けられており、一方の収納部には例えば赤外発光ダ
イオード等の発光素子32が、他方の収納部には例えば
フォトトランジスタ等の受光素子33がそれぞれ収納さ
れる。そして、上記画素子が収納されることにより、発
光素子と受光素子の光軸どうしが所定の光結合角θを持
って交わるような反射型センサが構成される。
である。図において、31は例えば光不透過性の合成樹
脂利料を用いて構成されたハウジングケースである。こ
のハウジングケース31には二箇所に図示しない収納部
が設けられており、一方の収納部には例えば赤外発光ダ
イオード等の発光素子32が、他方の収納部には例えば
フォトトランジスタ等の受光素子33がそれぞれ収納さ
れる。そして、上記画素子が収納されることにより、発
光素子と受光素子の光軸どうしが所定の光結合角θを持
って交わるような反射型センサが構成される。
なお、34はこの反射型センサに対向した位置に配置さ
れた被検出物であり、35及び36は上記両収納部に対
応して開口された光通過用の窓である。
れた被検出物であり、35及び36は上記両収納部に対
応して開口された光通過用の窓である。
さらに従来では第11図に示すように、発光素子32及
び受光索子33それぞれの前方に集光用レンズ37.3
8が外付けされた反射型センサも開発されている。
び受光索子33それぞれの前方に集光用レンズ37.3
8が外付けされた反射型センサも開発されている。
ところで、第10図のような構成の反射型センサでは、
収納部に発光側及び受光側の各素子を収納する際に容易
に挿入ができるように、上記画素子と各収納部との間に
は所定のクリアランス(寸法差)が設定されている。こ
のため、発光素子及び受光素子を収納部に収納したとき
に、画素子が正規の位置からずれて挿入されることによ
って光軸(光結合角)にずれが発生し、光伝達特性が変
動するという不都合がある。この光伝達特性の変動は受
光素子側のコレクタ電流の低下や、検出距離特性のピー
ク位置の変動となって現れる。
収納部に発光側及び受光側の各素子を収納する際に容易
に挿入ができるように、上記画素子と各収納部との間に
は所定のクリアランス(寸法差)が設定されている。こ
のため、発光素子及び受光素子を収納部に収納したとき
に、画素子が正規の位置からずれて挿入されることによ
って光軸(光結合角)にずれが発生し、光伝達特性が変
動するという不都合がある。この光伝達特性の変動は受
光素子側のコレクタ電流の低下や、検出距離特性のピー
ク位置の変動となって現れる。
第12図は第10図中に示すように光軸にずれが発生し
たときの検出距離特性の変動状態を示す特性図であり、
横軸には検出距離を、縦軸には受光素子であるフォトト
ランジスタのコレクタ電流値(相対値)をそれぞれとっ
ている。図において実線は光軸のなす角度が第10図中
における正規の角度θのときの特性であり、破線はこの
正規の〉 角度θに対し小さな角度θ″(θSθ“)で両光軸が交
わるとき特性であり、さらに−点鎖線は正く 規の角度θに対し大きな角度θ″ (θ〜θ/)で両光
軸が交わるときの特性である。
たときの検出距離特性の変動状態を示す特性図であり、
横軸には検出距離を、縦軸には受光素子であるフォトト
ランジスタのコレクタ電流値(相対値)をそれぞれとっ
ている。図において実線は光軸のなす角度が第10図中
における正規の角度θのときの特性であり、破線はこの
正規の〉 角度θに対し小さな角度θ″(θSθ“)で両光軸が交
わるとき特性であり、さらに−点鎖線は正く 規の角度θに対し大きな角度θ″ (θ〜θ/)で両光
軸が交わるときの特性である。
いま、第10図及び第12図に示すように、角度θのと
きの検出距離がDの場合、角度θ″のときの検出距離は
Dよりも短いD′となり、角度θ″のときの検出距離は
Dよりも長いD″となる。
きの検出距離がDの場合、角度θ″のときの検出距離は
Dよりも短いD′となり、角度θ″のときの検出距離は
Dよりも長いD″となる。
また、第13図は検出距離かり、D’ 、D″それぞれ
のときの、被検出物34の表面に照n=tされる発光ス
ポットL及び受光素子33が光を感知する受光スポット
Pの領域を示したものであり、両スポットが重なってい
る領域が光結合している部分である。
のときの、被検出物34の表面に照n=tされる発光ス
ポットL及び受光素子33が光を感知する受光スポット
Pの領域を示したものであり、両スポットが重なってい
る領域が光結合している部分である。
このように、発光素子と受光素子の光軸のなす角度に差
が生じると、検出距離にも差が発生する。
が生じると、検出距離にも差が発生する。
このように第10図に示す従来のセンサでは、各製品毎
に検出距離特性が異なる可能性があるため、使用者が調
整を行って検出距離を設定する必要があり、取扱いが極
めて繁雑になるという問題がある。また、被検出物が紙
のように薄く、波打った状態のときにこれを検出しよう
とする場合に、誤検出する可能性が大きくなるという問
題もある。
に検出距離特性が異なる可能性があるため、使用者が調
整を行って検出距離を設定する必要があり、取扱いが極
めて繁雑になるという問題がある。また、被検出物が紙
のように薄く、波打った状態のときにこれを検出しよう
とする場合に、誤検出する可能性が大きくなるという問
題もある。
さらに第11図に示すように外付レンズで集光するセン
サの場合、ハウジングケースと外付レンズとの間にもク
リアランスがあり、それに加えて狭指向性となっている
ため第10図のものの問題点がより拡大されることにな
る。
サの場合、ハウジングケースと外付レンズとの間にもク
リアランスがあり、それに加えて狭指向性となっている
ため第10図のものの問題点がより拡大されることにな
る。
(発明が解決しようとする課題)
この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
あり、従来のセンサで問題になっていた光伝達特性のば
らつきを抑えることにより、誤検出の防止及び調整の簡
略化又は無調整化をも可能にする反射型センサを提供す
ることを目的とする。
あり、従来のセンサで問題になっていた光伝達特性のば
らつきを抑えることにより、誤検出の防止及び調整の簡
略化又は無調整化をも可能にする反射型センサを提供す
ることを目的とする。
[発明の構成]
(課題、を解決するための手段)
この発明の反射型センナは、ハウジングケースに設けら
れた光通過用の窓の開口面積が発光素子側よりも受光素
子側で小さくされてなることを特徴とする。
れた光通過用の窓の開口面積が発光素子側よりも受光素
子側で小さくされてなることを特徴とする。
さらにこの発明の反射型センサは、発光素子及び受光素
子に集光用レンズがそれぞれ設けられた反射型センサで
あって、両集光用レンズの曲率か発光素子側よりも受光
素子側で小さくされてなることを特徴とする。
子に集光用レンズがそれぞれ設けられた反射型センサで
あって、両集光用レンズの曲率か発光素子側よりも受光
素子側で小さくされてなることを特徴とする。
(作用)
光通過用の窓の開口面積を発光素子側よりも受光素子側
で小さくするか、もしくは発光素子及び受光素子に集光
用レンズがそれぞれ設けられた反射型センサにおいては
両集光用レンズの曲率が発光素子側よりも受光素子側で
小さくすることにより、受光素子の出力値のピークがあ
る範囲を持つようになる。
で小さくするか、もしくは発光素子及び受光素子に集光
用レンズがそれぞれ設けられた反射型センサにおいては
両集光用レンズの曲率が発光素子側よりも受光素子側で
小さくすることにより、受光素子の出力値のピークがあ
る範囲を持つようになる。
(実施例)
以下、図面を参照してこの発明を実施例により説明する
。
。
第1図はこの発明に係る反射型センサの一実施例による
外観形状を示す斜視図である。図において、1は光不透
過性の合成樹脂材料、例えば黒色色素を混合したポリカ
ーボネート樹脂等からなるハウジングケースであり、こ
のハウジングケース1の中央部には発光素子及び受光素
子を収納するための収納部2.3が設けられている。そ
して、一方の収納部2には発光素子、例えば赤外発光ダ
イオード4が挿入され、かつ接着剤を用いて収納部2内
に固定されるようになっている。他方の収納部3には受
光素子、例えばフォトトランジスタ5が挿入され、かつ
接着剤を用いて収納部3内に固定されるようになってい
る。そして、上記収納部2.3に上記画素子が収納され
た状態のときに、画素子の主面からの垂線が所定の角度
を持って一点で交わるように、上記画素子が配置される
ようになっている。なお、6〜9は上記赤外発光ダイオ
ード4及びフォトトランジスタ5の外部リードである。
外観形状を示す斜視図である。図において、1は光不透
過性の合成樹脂材料、例えば黒色色素を混合したポリカ
ーボネート樹脂等からなるハウジングケースであり、こ
のハウジングケース1の中央部には発光素子及び受光素
子を収納するための収納部2.3が設けられている。そ
して、一方の収納部2には発光素子、例えば赤外発光ダ
イオード4が挿入され、かつ接着剤を用いて収納部2内
に固定されるようになっている。他方の収納部3には受
光素子、例えばフォトトランジスタ5が挿入され、かつ
接着剤を用いて収納部3内に固定されるようになってい
る。そして、上記収納部2.3に上記画素子が収納され
た状態のときに、画素子の主面からの垂線が所定の角度
を持って一点で交わるように、上記画素子が配置される
ようになっている。なお、6〜9は上記赤外発光ダイオ
ード4及びフォトトランジスタ5の外部リードである。
また、上記ハウジングケース1の収納部2.3に対応し
た位置には正方形の光通過用の窓l0111がそれぞれ
開口されている。上記両窓10.11は第2図の正面図
に示すように、受光側のフォトトランジスタ5が収納さ
れる収納部3に設けられた窓IIの開口面積が、発光側
の赤外発光ダイオード4が収納される収納部2に設けら
れた窓■0の開口面積よりも小さくなるように設定され
ている。
た位置には正方形の光通過用の窓l0111がそれぞれ
開口されている。上記両窓10.11は第2図の正面図
に示すように、受光側のフォトトランジスタ5が収納さ
れる収納部3に設けられた窓IIの開口面積が、発光側
の赤外発光ダイオード4が収納される収納部2に設けら
れた窓■0の開口面積よりも小さくなるように設定され
ている。
第3図は、′上記実施例のセンサを一部断面して被検出
物20と共に示す部分断面図である。図において、赤外
発光ダイオード4内の図示しない発光ダイオードチップ
から発射された赤外光はこの赤外発光ダイオード4に一
体的に形成された集光用レンズ12で集光され、上記窓
lOを通過して被検出物20に照射される。被検出物2
0からの反射光は上記窓11を通過し、フォトトランジ
スタ5に一体的に形成された集光用レンズ13で集光さ
れ、図示しないフォトトランジスタチップで検出される
。
物20と共に示す部分断面図である。図において、赤外
発光ダイオード4内の図示しない発光ダイオードチップ
から発射された赤外光はこの赤外発光ダイオード4に一
体的に形成された集光用レンズ12で集光され、上記窓
lOを通過して被検出物20に照射される。被検出物2
0からの反射光は上記窓11を通過し、フォトトランジ
スタ5に一体的に形成された集光用レンズ13で集光さ
れ、図示しないフォトトランジスタチップで検出される
。
ここで、上記ハウジングケース1の収納部2.3は、上
記赤外発光ダイオード4及びフォトトランジスタ5が収
納された状態のときに、画素子の主面からの垂線が所定
の角度θを持って被検出物20の検出面で交わるように
形成されている。
記赤外発光ダイオード4及びフォトトランジスタ5が収
納された状態のときに、画素子の主面からの垂線が所定
の角度θを持って被検出物20の検出面で交わるように
形成されている。
ところで、上記実施例のセンサでも、従来と同様に、収
納部2.3に各素子を収納する際に容易に押入ができる
ように、上記画素子と各収納部との間には所定のクリア
ランスが設定されている。
納部2.3に各素子を収納する際に容易に押入ができる
ように、上記画素子と各収納部との間には所定のクリア
ランスが設定されている。
このため、画素子を収納部に収納したときに、画素子が
正規の位置からずれて挿入されることによって光軸にず
れが発生し、光軸の交差角度θにずれが発生することが
ある。
正規の位置からずれて挿入されることによって光軸にず
れが発生し、光軸の交差角度θにずれが発生することが
ある。
しかしながら、上記実施例のセンサでは、フォトトラン
ジスタ5が収納される収納部3に設けられた窓11の開
口面積が、赤外発光ダイオード4が収納される収納部2
に設けられた窓10の開口面積よりも小さくなるように
設定されているので、赤外発光ダイオード4とフォトト
ランジスタ5の光軸のなす角度にある程度の差が生じた
としても、検出距離に生じる差は極めて小さくすること
かできる。
ジスタ5が収納される収納部3に設けられた窓11の開
口面積が、赤外発光ダイオード4が収納される収納部2
に設けられた窓10の開口面積よりも小さくなるように
設定されているので、赤外発光ダイオード4とフォトト
ランジスタ5の光軸のなす角度にある程度の差が生じた
としても、検出距離に生じる差は極めて小さくすること
かできる。
第4図は上記実施例のセンサにおける検出距離の特性図
である。ここで従来の場合と異なるのは、従来は検出距
離のピークが一点であったのに対し、上記実施例のセン
サではピークがある範囲を持つていることである。すな
わち、第5図に示すように、広い距離範囲で、発光ダイ
オード4の発光スポットL内にフォトトランジスタ5の
受光スポットPが含まれている。このように、発光ダイ
オード4の発光スポットL内にフォトトランジスタ5の
受光スポットPが含まれている間は、光結合している部
分が一定となっている。従って、発光ダイオード4とフ
ォトトランジスタ5とを収納部2.3内に収納して組み
立てを行う際に光軸ずれが生じたとしても、発光スポッ
トL内に受光スポットPが包含されている間はフォトト
ランジスタ5側のコレクタ電流値に変化はない。また、
ピーク位置の変動については、ある範囲で一定のコレク
タ電流が出力されるため、問題はなくなると思われる。
である。ここで従来の場合と異なるのは、従来は検出距
離のピークが一点であったのに対し、上記実施例のセン
サではピークがある範囲を持つていることである。すな
わち、第5図に示すように、広い距離範囲で、発光ダイ
オード4の発光スポットL内にフォトトランジスタ5の
受光スポットPが含まれている。このように、発光ダイ
オード4の発光スポットL内にフォトトランジスタ5の
受光スポットPが含まれている間は、光結合している部
分が一定となっている。従って、発光ダイオード4とフ
ォトトランジスタ5とを収納部2.3内に収納して組み
立てを行う際に光軸ずれが生じたとしても、発光スポッ
トL内に受光スポットPが包含されている間はフォトト
ランジスタ5側のコレクタ電流値に変化はない。また、
ピーク位置の変動については、ある範囲で一定のコレク
タ電流が出力されるため、問題はなくなると思われる。
従って、組み立て時における歩留まりも改善され、製品
のコストダウン化や量産性も高いものになり、誤検出の
防止及び調整の簡略化さらには無調整化も可能である。
のコストダウン化や量産性も高いものになり、誤検出の
防止及び調整の簡略化さらには無調整化も可能である。
なお、上記実施例では、ハウジングケース1の収納部2
.3に対応した位置に開口された光通過0 用の窓10.11の形状が第6図に示すように正方形で
ある場合について説明したが、これは第7図に示すよう
に共に円形状であってもよい。
.3に対応した位置に開口された光通過0 用の窓10.11の形状が第6図に示すように正方形で
ある場合について説明したが、これは第7図に示すよう
に共に円形状であってもよい。
第8図はこの発明の他の実施例に係る反射型センサの一
部の断面図である。この実施例は、前記集光用レンズ1
2が一体的に形成された赤外発光ダイオード4の発光面
に外付けの集光用のレンズ14が設けられていると共に
、前記集光用レンズ13が一体的に形成されたフォトト
ランジスタ5の受光面にも外付けの集光用のレンズ15
が設けられている反射型センサにこの発明を実施した場
合のものである。すなわち、この実施例は、外付けの集
光用レンズを設け、狭ビーム化することによって光結合
特性の改善を図ったセンサにこの発明を適用したもので
ある。
部の断面図である。この実施例は、前記集光用レンズ1
2が一体的に形成された赤外発光ダイオード4の発光面
に外付けの集光用のレンズ14が設けられていると共に
、前記集光用レンズ13が一体的に形成されたフォトト
ランジスタ5の受光面にも外付けの集光用のレンズ15
が設けられている反射型センサにこの発明を実施した場
合のものである。すなわち、この実施例は、外付けの集
光用レンズを設け、狭ビーム化することによって光結合
特性の改善を図ったセンサにこの発明を適用したもので
ある。
この実施例のセンサでは、赤外発光ダイオード4及びフ
ォトトランジスタ5に対してそれぞれ一体的に形成され
ている集光用レンズ12.13のレンズ径は同じにされ
ているが、外付けの集光用レンズ14.15のレンズ径
はフォトトランジスタ5側が1 赤外発光ダイオード4側よりも小さくされ、フォトトラ
ンジスタ5側の外付けの集光用レンズ15の曲率が小さ
くなるよう設定されている。
ォトトランジスタ5に対してそれぞれ一体的に形成され
ている集光用レンズ12.13のレンズ径は同じにされ
ているが、外付けの集光用レンズ14.15のレンズ径
はフォトトランジスタ5側が1 赤外発光ダイオード4側よりも小さくされ、フォトトラ
ンジスタ5側の外付けの集光用レンズ15の曲率が小さ
くなるよう設定されている。
このように外付レンズのlb率が受光索子側か発光側よ
りも小さくなるように設定しても、前記実施例のセンサ
において窓の開口面積を異ならせた場合と同様の効果を
得ることかできる。
りも小さくなるように設定しても、前記実施例のセンサ
において窓の開口面積を異ならせた場合と同様の効果を
得ることかできる。
なお、上記実施例では、外(=Iレンズの量率を異なら
せる場合について説明したが、これは第9囚の変形例に
示すように、外(=1レンズが没けられていないセンサ
では、赤外発光ダイオード4に一体的に形成された集光
用レンズ12及び赤外発光ダイオード4に一体的に形成
された集光用のレンズ13の曲率を異ならせるようにし
てもよい。
せる場合について説明したが、これは第9囚の変形例に
示すように、外(=1レンズが没けられていないセンサ
では、赤外発光ダイオード4に一体的に形成された集光
用レンズ12及び赤外発光ダイオード4に一体的に形成
された集光用のレンズ13の曲率を異ならせるようにし
てもよい。
また、上記各実施例では受光素子としてフォトトランジ
スタ単体を用いる場合について説明したが、これはフォ
トトランジスタを含む〕I−トICを用いるようにして
もよい。
スタ単体を用いる場合について説明したが、これはフォ
トトランジスタを含む〕I−トICを用いるようにして
もよい。
[発明の効果]
以上説明したように、この発明によれば誤検出2
の防止及び調整の簡略化又は無調整化をも可能にする反
射型センサを提供することができる。
射型センサを提供することができる。
第1図はこの発明に係る反射型センサの一実施例による
外観形状を示す斜視図、第2図は上記実施例のセンサの
正面図、第3図は上記実施例のセンサの部分断面図、第
4図は上記実施例のセンサにおける検出距離特性図、第
5図は上記実施例における発光素子と受光素子の発光及
び受光スポットの領域を示す図、第6図は上記実施例の
センサにおける窓の形状を示す図、第7図は上記実施例
の変形例による窓の形状を示す図、第8図はこの発明の
他の実施例に係る反射型センサの部分断面図、第9図は
上記実施例に係る反射型センサの部分断面図、第10図
は従来の反射型センサの構成を示す部分断面図、第11
図は上記とは異なる従来の反射型センサの構成を示す部
分断面図、第12図は上記第10図のセンサの検出距離
特性図、第13図は上記従来のセンサにおける種々の検
出距離に対する発光スポットと受光スポットの領域3 を示す図である。 1・・・ハウジングケース、2.3・・・収納部、4・
・・赤外発光ダイオード(発光素子)、5・・・フォl
−トランジスタ(受光素子)、6〜9・・・外部リード
、10、.11・・・光a適用の窓、12.13・・・
集光用レンズ、14、15・・・外付けの集光用レンズ
、2o・・・被検出物。
外観形状を示す斜視図、第2図は上記実施例のセンサの
正面図、第3図は上記実施例のセンサの部分断面図、第
4図は上記実施例のセンサにおける検出距離特性図、第
5図は上記実施例における発光素子と受光素子の発光及
び受光スポットの領域を示す図、第6図は上記実施例の
センサにおける窓の形状を示す図、第7図は上記実施例
の変形例による窓の形状を示す図、第8図はこの発明の
他の実施例に係る反射型センサの部分断面図、第9図は
上記実施例に係る反射型センサの部分断面図、第10図
は従来の反射型センサの構成を示す部分断面図、第11
図は上記とは異なる従来の反射型センサの構成を示す部
分断面図、第12図は上記第10図のセンサの検出距離
特性図、第13図は上記従来のセンサにおける種々の検
出距離に対する発光スポットと受光スポットの領域3 を示す図である。 1・・・ハウジングケース、2.3・・・収納部、4・
・・赤外発光ダイオード(発光素子)、5・・・フォl
−トランジスタ(受光素子)、6〜9・・・外部リード
、10、.11・・・光a適用の窓、12.13・・・
集光用レンズ、14、15・・・外付けの集光用レンズ
、2o・・・被検出物。
Claims (2)
- (1)発光素子と受光素子とを所定の角度で光結合させ
るハウジングケースを有する反射型センサにおいて、 上記ハウジングケースに設けられた光通過用の窓の開口
面積が発光素子側よりも受光素子側で小さくされてなる
ことを特徴とする反射型センサ。 - (2)発光素子と受光素子とを所定の角度で光結合させ
るハウジングケースを有し、発光素子及び受光素子に集
光用レンズがそれぞれ設けられた反射型センサにおいて
、 上記両集光用レンズの曲率が発光素子側よりも受光素子
側で小さくされてなることを特徴とする反射型センサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1208807A JPH0372683A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 反射型センサ |
| KR1019900012285A KR940003743B1 (ko) | 1989-08-11 | 1990-08-10 | 반사형 센서 |
| US07/565,431 US5105239A (en) | 1989-08-11 | 1990-08-10 | Reflective type optical sensor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1208807A JPH0372683A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 反射型センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0372683A true JPH0372683A (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=16562449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1208807A Pending JPH0372683A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 反射型センサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5105239A (ja) |
| JP (1) | JPH0372683A (ja) |
| KR (1) | KR940003743B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007321232A (ja) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 金コロイドの製造方法及び金コロイド |
| JP2014232852A (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-11 | 京セラ株式会社 | センサ用素子収納用パッケージおよび近接センサ装置 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04337403A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-25 | Olympus Optical Co Ltd | 光集積型変位センサー |
| DE4311530A1 (de) * | 1992-10-02 | 1994-04-07 | Telefunken Microelectron | Optoelektronisches Bauelement mit engem Öffnungswinkel |
| US5349210A (en) * | 1993-02-02 | 1994-09-20 | Motorola, Inc. | Optical reading head with angled array |
| US5883913A (en) * | 1993-12-27 | 1999-03-16 | Sony Corporation | Optical device |
| JPH08330608A (ja) * | 1995-05-29 | 1996-12-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 受光センサおよび受発光センサ |
| US5723881A (en) * | 1996-12-04 | 1998-03-03 | Quarton Inc. | Dual-beam laser diode |
| IL122806A0 (en) * | 1997-12-30 | 1999-01-26 | Elpas Electro Optic Systems Lt | Infra red receiver having improved angle of sight |
| US6344664B1 (en) * | 1999-12-02 | 2002-02-05 | Tera Connect Inc. | Electro-optical transceiver system with controlled lateral leakage and method of making it |
| DE10120937C2 (de) * | 2001-04-20 | 2003-05-08 | Edgar Melzner | Optosensor |
| JP3991227B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2007-10-17 | 船井電機株式会社 | 光ヘッド装置 |
| US20100096553A1 (en) * | 2008-10-22 | 2010-04-22 | Honeywell International Inc. | Reflective optical sensor and switches and systems therefrom |
| TWI427312B (zh) * | 2011-07-11 | 2014-02-21 | 凌耀科技股份有限公司 | 反射光探測系統 |
| TW201505134A (zh) * | 2013-07-25 | 2015-02-01 | 菱生精密工業股份有限公司 | 光學模組的封裝結構 |
| KR102480234B1 (ko) * | 2017-07-21 | 2022-12-22 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 센서 패키지 |
| WO2021199548A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 三洋電機株式会社 | 電池モジュール |
| KR102830415B1 (ko) * | 2022-12-08 | 2025-07-04 | 주식회사 에스지에스코리아 | 공정챔버의 광학검사장치용 지그 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62179179A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4368481A (en) * | 1979-06-19 | 1983-01-11 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Light-driven semiconductor device |
| JPS5648188A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-01 | Toshiba Corp | Photoenergized semiconductor device |
| JPS59154083A (ja) * | 1983-02-23 | 1984-09-03 | Toshiba Corp | 反射型フオトセンサ |
| JPS62132377A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-15 | Omron Tateisi Electronics Co | フオトマイクロセンサ |
| JPS63104486A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Nec Corp | 反射型光センサ− |
| JPS63138785A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-10 | Yoshio Otsuka | フオトカプラ− |
-
1989
- 1989-08-11 JP JP1208807A patent/JPH0372683A/ja active Pending
-
1990
- 1990-08-10 KR KR1019900012285A patent/KR940003743B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-10 US US07/565,431 patent/US5105239A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62179179A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007321232A (ja) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 金コロイドの製造方法及び金コロイド |
| JP2014232852A (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-11 | 京セラ株式会社 | センサ用素子収納用パッケージおよび近接センサ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940003743B1 (ko) | 1994-04-28 |
| US5105239A (en) | 1992-04-14 |
| KR910005492A (ko) | 1991-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940003743B1 (ko) | 반사형 센서 | |
| US5818062A (en) | Original edge detecting system and optical sensor using distance detecting light-receiving means | |
| US4201910A (en) | Photosensor assembly | |
| KR850000078A (ko) | 포커스 오차 검출장치 | |
| CN214622308U (zh) | 一种折光仪和智能杯 | |
| KR100374244B1 (ko) | 광디바이스 | |
| US5047625A (en) | Optical system of laser beam reader | |
| JPS6111637A (ja) | 液体センサ | |
| US5043569A (en) | Optical system of laser beam reader | |
| JPS6269111A (ja) | 反射型傾き検出素子 | |
| US5099109A (en) | Optical reader with reduced regular reflection errors | |
| JPS59125709A (ja) | 限定反射型光電スイツチのレンズ配置構造 | |
| JP3182953B2 (ja) | 光電センサ | |
| JPH02226626A (ja) | 色識別光センサ | |
| JP2588667Y2 (ja) | 反射型フォトセンサ | |
| JPH09329669A (ja) | 透明物体の光学的検出方法及びその光学的検出装置及び受光装置並びにこれら方法又は装置を用いた透明容器の液体注入方法 | |
| US6684034B2 (en) | Optical signal receiving device | |
| JPH086307Y2 (ja) | 光センサ | |
| JPS6234459Y2 (ja) | ||
| JPS5984201A (ja) | 一次元広視野受光レンズ | |
| JP7341819B2 (ja) | 炎感知器 | |
| JPH02112783A (ja) | 光センサ | |
| JPH06843Y2 (ja) | 反射型光センサ | |
| JP2750593B2 (ja) | レーザー読取器の光学系 | |
| JPS62132377A (ja) | フオトマイクロセンサ |