JPH037278A - チオフェン系化合物及びその製造方法 - Google Patents

チオフェン系化合物及びその製造方法

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JPH037278A
JPH037278A JP14134289A JP14134289A JPH037278A JP H037278 A JPH037278 A JP H037278A JP 14134289 A JP14134289 A JP 14134289A JP 14134289 A JP14134289 A JP 14134289A JP H037278 A JPH037278 A JP H037278A
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JP
Japan
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bis
thiophene
formula
dichloro
thienyl
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Pending
Application number
JP14134289A
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English (en)
Inventor
Kyoji Kaeriyama
帰山 享二
Susumu Tanaka
進 田中
Masao Senuma
瀬沼 正男
Aizo Yamauchi
山内 愛造
Yoshinori Matsuzaki
松崎 善徳
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
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Agency of Industrial Science and Technology
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  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、新規なチオフェン系化合物、詳しくは、チオ
フェン及びその誘導体を重合して有機電子材料を製造す
る際にこれを添加することにより当該有機電子材料の特
性を向上させるために広く利用しろる新規なチオフェン
系化合物及びその製造方法に関するものである。
従来の技術 チオフェン等の複素環化合物を電解重合または化学酸化
重合して得られる有機導電性組成物としては、ポリチオ
フェン、ポリ (3−アルキルチオフェン)、ポリベン
ゾチオフェン、ポリ (3−メトキシチオフェン)、ポ
リピロール等が知られている。
これら組成物は、成形性、可とう性及び溶解性に優れて
おり、高分子導電体として広(利用しうるものである。
また、電解重合膜を形成、または塗膜を形成するなどの
方法で導電基板上に薄膜を作成することにより修飾電極
として利用することができる。しかし、これらポリチオ
フェン誘導体では化学構造が極めて尿定されているため
に、材料の力学的特性向上の方法が限定されているので
ポリチオフェン誘導体の利用分野が制限されるのを免れ
なかった。
発明が解決しようとするviIIl! チオフ、エン及びその誘導体を電解重合または化学重合
して得た有機電子材料は力学的特性に劣るために利用分
野が制限されるのを免れなかった。
ポリチオフェン及びその誘導体の力学的特性を向上する
ことが強く望まれている0本発明は、優れた力学的特性
を有するポリチオフェン系有機電子材料を開発するため
に鋭意検討を行った結果、ビス(3−チエニル)アルカ
ンがこの目的にi合t ルことを見出し、この知見に基
づいて本発明を完成するに至ったもので1本発明の目的
は、従来知られていなかった重合性を有する新規なビス
(2−チエニル)アルカン及びその製造方法を提供する
ことにある。
課題を解決するための手段 本発明は、チオフェン及びその誘導体を重合する際に添
加することにより、得られる有機電子材料の力学的特性
が向上するビス(3−チエニル)アルカン及びその製造
方法を提供するものである。
3−アルキルチオフェン、3−ベンジルチオフェン。
3−フェニルチオフェン等酸化重合により共役高分子を
形成するチオフェン誘導体及びその製造方法は公知であ
る。しかし9両末端に3−チエニル基を有する高級アル
カン及びその製造方法は文献未載である。そこで、チオ
フェン及びその誘導体を重合する際に添加すると、高分
子鎖の共役を切断することがなく、シかもチオフェン及
びその誘導体と共重合することにより高分子鎖の架橋を
誘起し、生成する有機電子材料の力学的特性を向上させ
るのに有用な新規チオフェン誘導体を鋭意設計し、その
製造方法を鋭意検討した結果9本発明を完成するに至っ
た。
本発明は。
一般式 (式中nは6以上16以下の整数) で示されるチオフェン系化合物であり。
一般式 %式% (式中nは6以上16以下の整数、Xはハロゲン元素) で示されるジグリニャール試薬と3−ハロゲン化チオフ
ェンとの反応によって得られる。
チオフェン及びその誘導体の重合においては。
チオフェン環の2及び5位でカップリングが起きること
は公知である。従って1反応点が2催しが残っていない
ビス(2−チエニル)アルカンでは架橋剤とならない。
ビス(,3−チエニル)アルカンにおいても、メチレン
基の数が5以下では環化反応が起きるので本発明の目的
に適合しない。また、メチレン基の数が17以上ではビ
ス(3−チエニル)アルカンの合成効率が低下する。
具体的に本発明の化合物を例示すると、1.4−ビス(
3−チエニル)ブタン、1.6−ビス(3−チエニル)
ヘキサン、1,8・ビス(3−チエニル)オクタン、 
1.11−ビス(3−チエニル)ヘンデカン、 1.1
6−ビス(3−チエニル)ヘキサデカンなどであり、い
ずれも文献未載の新規物質である。
本発明の化合物を製造するために使用するジグリニ+−
ル試薬は。
一般式 %式% (式中nは6以上16以下の整数、Xはハロゲン元素) で示すことができる。ハロゲン元素としては、塩素、臭
素、よう素をあげることができる。
本発明の化合物を製造するために使用する3−ハロゲン
化チオフェンとしては、3−塩化チオフェン。
3−臭化チオフェン、3−よう化チオフェンをあげるこ
とができる。
本発明の化合物を製造するにはジグリニャール試薬と3
−ハロゲン化チオフェンをカップリング反応させるので
あるが、この反応は有機金属錯体の存在で行うのが望ま
しく、有機金属錯体としてはジクロロ〔ビス(トリフェ
ニルホスフィン)〕ニッケル、ジクロロ〔ビス(ジメチ
ルホスフィノ)エタン〕ニッケル、ジクロロ〔ビス(ジ
フェニルホスフィノ)メタン〕ニッケル、ジクロロ〔ビ
ス(ジフェニルホスフィノ)エタン〕ニッケル〕。
ジクロロ〔ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン〕ニ
ッケル、ジクロロ〔ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタ
ン〕ニッケル、ジクロロ(2,2″−ジピリジル)ニッ
ケル、ジクロロ(フェナントロリン)ニッケル、ジクロ
ロ〔ビス(トリフェニルホスフィン)〕パラジウム、ジ
クロロ 〔ビス(ジメチルホスフィノ)エタン〕パラジ
ウム、ジクロロ〔ビス(ジフェニルホスフィノ)メタン
〕パラジウム、ジクロロ〔ビス(ジフェニルホスフィノ
)エタン〕パラジウム、ジクロロ〔ビス(ジフェニルホ
スフィノ)プロパンクパラジウム、ジクロロ〔ビス(ジ
フェニルホスフィノ)ブタン〕パラジウム、ジクロロ(
2,2−ジピリジル)パラジウム。
ジクロロ(フェナントロリン)パラジウムなどがあげら
れ、その使用量はハロゲンに対し0.1〜2.0モル%
、望ましくは0.8〜1.2モル%である。このカップ
リング反応は空気および水にきわめて敏感なので、脱水
した溶媒を用い不活性雰囲気下で行うのが望ましい、こ
の際の溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジグリム、ベンゼンなどが望ましい、また不活
性雰囲気としては窒素、アルゴンなどが用いられる。
本発明の化合物は、ジグリニャール試薬と3−ハロゲン
化チオフェンのモル比1.0/1.8〜1.0/3.0
゜望ましくは1.0/2.0〜1.0/2.5.有機金
属錯体0.1〜2.0モル%、望ましくは0.8〜1.
2モル%の存在下で2反応温度0℃〜還流温度、望まし
くは30℃〜還流温還流層造される。
次の実施例により9本発明を更に詳細に説明する。
発明の効果 チオフェン及びその誘導体の電解重合又は化学重合を行
う際に1本発明の化合物を添加すると生成する有機電子
材料の力学的ならびに電気的特性を向上させることがで
きるので、ポリチオフェン及びその誘導体を有機電子材
料として利用範囲を広くすることができる。
実施例1 還流および攪拌装置の付いた1000+nlの四ロフラ
スコに49.4g (0,3モル)の3−ブロモチオフ
ェン。
870m1(1,74ミリモル)のジクロロCビス(ジ
フェニルホスフィノ)プロパン〕ニッケルおよび200
m1の無水エーテルを入れ、不活性雰囲気下で0℃に保
つ。これに、 7.9g(0,3グラム原子)のマグネ
シウムリボン、 200mの無水エーテルおよび37.
5g(0,15モル)の1.6−ジブロモヘキサンより
調整したグリニヤール試薬を攪拌しながら20分以上か
けて滴下する。次に、2時間還流した後、アイスバスで
冷却しながら稀塩酸溶液で加水分解する。
次いでジクロロメタンで抽出し、有機層を水洗。
乾燥した後、濃縮した残留物に5倍量のエタノールを加
えて活性炭処理する。得られた溶液を一30℃以下に冷
却すると、ビス−(3−チエニル)へキサンが結晶とし
て析出する。収量: 21.0g(対3−ブロモチオフ
ェン収率: 55.9%)。融点31.5−32.5℃
。元素分析の結果は次の通りであった。核磁気共鳴吸収
スペクトルを示す。
計算値(%)  C: 67.15.  H: 7.2
4実験値(%)C: 68.08.  H: 7.68
実施例2 59.5g(0,37モル)の3−ブロモチオフェン、
 1.05g(2,1ミリモル)のジクロロ〔ビス(ジ
フェニルホスフィノ)プロパンクニッケル、 9.5g
(0,4グラム原子)のマグネシウムリボンおよび50
g(0,19モルの1.8−ジブロモオクタンを使用し
て実施例1と同様の操作を行い、ビス−(3−チエニル
)オクタンを得た。収量: 29.3g(対3−ブロモ
チオフェン収率: 57.4%)。融点 34.5−3
5.5℃。元素分析の結果は次の通りであった。核磁気
共鳴吸収スペクトルを示す。
計算値(%’)  C: 69.01.  H: 7.
96実験値(%)C: 69.78.  H: 8.3
【図面の簡単な説明】
第1図はビス−(3−チエニル)へキサンの核磁気共鳴
吸収スペクトル、第2図はビス−(3−チエニル)オク
タンの核磁気共鳴吸収スペクトルを示す。 ”l、+C4

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のnは6以上16以下の整数) で示されるチオフェン系化合物。
  2. (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のnは6以上16以下の整数、Xはハロゲン元素
    ) で示されるジグリニャール試薬と2倍モルの3−ハロゲ
    ン化チオフェンを反応させることを特徴とする 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のnは6以上16以下の整数) で示されるチオフェン系化合物の製造方法。
JP14134289A 1989-06-02 1989-06-02 チオフェン系化合物及びその製造方法 Pending JPH037278A (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01108224A (ja) * 1987-10-20 1989-04-25 Mitsui Toatsu Chem Inc 複素5員環式化合物共重合体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01108224A (ja) * 1987-10-20 1989-04-25 Mitsui Toatsu Chem Inc 複素5員環式化合物共重合体

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