JPH0373436A - 情報記録用部材 - Google Patents
情報記録用部材Info
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- JPH0373436A JPH0373436A JP2110060A JP11006090A JPH0373436A JP H0373436 A JPH0373436 A JP H0373436A JP 2110060 A JP2110060 A JP 2110060A JP 11006090 A JP11006090 A JP 11006090A JP H0373436 A JPH0373436 A JP H0373436A
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- Japan
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- thin film
- substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
レーザー光によって薄膜に記録を行う記録原理は種々あ
るが、膜材料の相転移（相変化とも呼ばれる）、フォト
ダークニングなどの原子配列変化による記録は、膜の形
状変化をほとんど伴わないので、２枚のディスクを樹脂
により直接貼りあわせた両面ディスクが出来るという長
所を持っている。この種の記録に関連する公知例として
は、例えば特願昭６０−２２６７２３号が挙げられる。
るが、膜材料の相転移（相変化とも呼ばれる）、フォト
ダークニングなどの原子配列変化による記録は、膜の形
状変化をほとんど伴わないので、２枚のディスクを樹脂
により直接貼りあわせた両面ディスクが出来るという長
所を持っている。この種の記録に関連する公知例として
は、例えば特願昭６０−２２６７２３号が挙げられる。
上記従来技術のうち、相変化による記録は記録用ビーム
の照射による熱によって膜形状変化をほとんど伴わない
原子配列変化を生じさせるものであるが、記録膜中に発
生し、記録膜に近接した保護層に伝わった熱によって基
板が局部的に温められることが無いようにしてやらない
と、基板が変形し、ノイズが増加したりトラッキングが
不安定になったりする。 従って、本発明の目的は、記録信号に忠実な再生波形が
得られ、上記の記録用ビームのレーザー光が基板の表面
の形状の変化により、散乱されない、また、上記の酸化
物、硫化物、炭化物あるいは窒化物を主成分とする薄膜
の熱伝導によって記録感度が低下しにくい記録用部材を
提供することにある。 ［課題を解決するための手段］ 上記目的は、基板上に形成された記録用ビームの照射を
受けて変化を生ずる情報記録用薄膜を有する情報記録用
部材において、上記の記録用薄膜に近接して適当な酸化
物、硫化物あるいは窒化物を主成分とする保護層を多層
に設けることにより達成される。上記の保護層を２層と
する場合は、記録膜に近い側の第一保護層としてはＳ１
０゜５ｉｎ２．ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，ＺｎＳ、ＣｄＳ。 Ｉｎ、Ｓ３．Ｚｎ５ｅ、ＣｄＳｅおよびＩ ｎ２Ｓ ｃ
。 より成るＡ群より選ばれた少なくとも一者に近い材料を
主成分とする薄膜を、記録膜から遠い側の第二保護層と
してはＡＱ２０．、Ｔａ２Ｏ，、Ｙ２Ｏ，。 ｇｉ、Ｎ、ＡＱＮ、Ｓｉ（、およびＡ Ｑ、Ｓ ｉ Ｎ
２などのＡＱ−５ｉ−Ｎ系材料およびＡＪ−８ｊ−Ｏ−
Ｎ系材料より成るＢ群より選ばれた少なくとも一者に近
い組成の材料を主成分とする薄膜を用いる。より好まし
くは、第一保護層としてＺｎＳまたはＺｎＳとＡ群の酸
化物のうちの少なくとも一者との混合材料を、第二保護
層としてＳｉ） Ｎ４ ＊ Ａ ｎ Ｓ ｘ Ｎ ２あ
るいはＡ１１ｉ、Ｏ，に近い組成の材料を用いる。 第一保護層の酸化物、炭化物、あるいは硫化物を主成分
とする薄膜は、熱伝導率が６Ｗ／ｍ−Ｋ（Ｋは絶対温度
）以下の範囲が好ましく、膜厚は１、 Ｏｎ ｍ以上１
． ＯＯＯｎ ｍ以下の範囲が好ましい。 特に、熱伝導率が２Ｗ／ｒｎ・Ｋ以上５Ｗ／ｍ・Ｋ以下
、膜厚が約５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の酸化物、硫化
物あるいは窒化物を主成分とする薄膜を用いると、上記
の記録用ビームの照射によって生ずる変質あるいは変形
を防止する効果が顕著である。熱拡散係数は０．４６ｃ
ｍ”／ｓｅｅ以上１．１５ｃｍ”／ｓｅｃ以下が好まし
い。上記の第二保護層の酸化物、炭化物、あるいは窒化
物を主成分とする薄膜は、熱伝導率が８Ｗ／ｍ・Ｋ以上
６０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の範囲が好ましく、膜厚は１０ｎｍ
以上１１０００ｎ以下の範囲が好ましい。 特に、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上５０Ｗ／ｍ・Ｋ以
下１ｇＩ厚が約５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の酸化物、
炭化物、あるいは窒化物を主成分とする薄膜を用いると
、記録感度の低下が少ない。熱拡散係数は２．３ｃｍ２
／ｓｅＣ以上６．９ｃｍ”／ｓｅｃ以下が好ましい。記
録膜の膜厚は２０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の範囲が記録
感度、Ｓ／Ｎ比などの点で好ましく、第一保護層および
第二保護層の膜厚と合せて調整することが好ましい。第
一保護層および第二保護層の膜厚の和は１０ ＩＩ ｍ
以上１１０００ｎ以下の範囲が好ましい。この保護層の
膜厚は、光の干渉効果を利用して大きな再生信号を得る
ために、上記記録膜のｖ４厚と合せてα４整することが
好ましい。 一般に薄膜に光を照射すると、その反射光は薄膜表面か
らの反射光と薄膜裏面からの反射光との重ねあわせにな
るため干渉をおこす０反射率で信号を読み取る場合には
、上記のそれぞれの膜の膜厚を！！！！整して反射率の
値が小さい条件を満たすことが好ましい。これは、信号
読みだし時のコントラスト比が大きくなり、記録感度も
高くなるからである。第一保護層および第二保護層の総
和の特に好ましい膜厚範囲は８０ｎｍ以上６００ｎｒｒ
＋以下の範囲である。記録膜の屈折率と膜厚の積は１０
０ｒｚｎ以上、６００ｎｍ以下、第一保護層および第二
保護層の屈折率と膜厚の積の総和は１２０ｎｍ以上、１
５００ｎｍ以下の範囲が特に好ましい、ただし、記録膜
については、記録膜の少なくとも一部分の屈折率と膜厚
の積が上記の範囲内にあればよい。これらの屈折率と膜
厚の積の好ましい範囲は１本発明に含まれない低熱伝導
率の酸化物、硫化物あるいはセレン化物を主成分とする
保護層あるいは高熱伝導率の酸化物、炭化物あるいは窒
化物を主成分とする保護層を設ける場合にも有効である
。第一保護層および第二保護層は使用するレーザ光の消
衰係数ｋが０．０３以上１．０以下であると、記録感度
が高く好ましい。 第一保護層および第二保護層とは反対側（光入射側の反
対側）の保護層（反射層を設ける場合は記録膜と反射層
との間の層）にも第一保護層および第二保護層に用いる
ものに近い組成の物質を使用でき、また、同じように多
層にすることもできるが、消衰係数は０．１以下が好ま
しいので、例えば酸化物の場合、酸素欠陥を少なくする
方がよい。 上記の光入射側とは反対側の酸化物、硫化物および窒化
物を主成分とする薄膜に近接してさらに上記の第一保護
層および第二保護層に使用可能な材料の層や金ｆ：ＡＭ
を設ければさらに強度が増す。本発明の酸化物、硫化物
および窒化物を主成分とする薄膜は、記録膜と基板との
間に形成してもよいし、記録膜の基板とは反対の側に設
けてもよい。 両側に設ければさらに好ましい。基板は光入射側でもそ
の反対側にあっても良い。 Ｍ？！録膜の光入射側と反対側の保護層と、それに隣接
する金属層との間に、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒのうちの少なくと
も一元素を主成分とする接着性改善層を設ければさらに
好ましい。この層の膜厚はｌｎｍ以上３０ｎｍ以下が好
ましい。この層を設けるのは５本発明以外の記録媒体に
も有効である。 第一保護層と第二保ｒＩｉ層との界面は必ずしも明確で
ある必要はない。組成が連続的に変化していた方が、界
面の剥離のおそれがない。また、第−保Ｓ層および第二
保護層は均一な漕でなくてもよく、例えばそれぞれが多
層膜で平均の熱伝導率や屈折率、熱拡散係数が上記の範
囲内にあるものであってもよい。 本発明はディスク状記録媒体ばかりでなく、テープ状、
カード状などの記録媒体にも有効である。 また光磁気記＃を膜など、他の記録原理による記録媒体
にも有効である。
の照射による熱によって膜形状変化をほとんど伴わない
原子配列変化を生じさせるものであるが、記録膜中に発
生し、記録膜に近接した保護層に伝わった熱によって基
板が局部的に温められることが無いようにしてやらない
と、基板が変形し、ノイズが増加したりトラッキングが
不安定になったりする。 従って、本発明の目的は、記録信号に忠実な再生波形が
得られ、上記の記録用ビームのレーザー光が基板の表面
の形状の変化により、散乱されない、また、上記の酸化
物、硫化物、炭化物あるいは窒化物を主成分とする薄膜
の熱伝導によって記録感度が低下しにくい記録用部材を
提供することにある。 ［課題を解決するための手段］ 上記目的は、基板上に形成された記録用ビームの照射を
受けて変化を生ずる情報記録用薄膜を有する情報記録用
部材において、上記の記録用薄膜に近接して適当な酸化
物、硫化物あるいは窒化物を主成分とする保護層を多層
に設けることにより達成される。上記の保護層を２層と
する場合は、記録膜に近い側の第一保護層としてはＳ１
０゜５ｉｎ２．ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，ＺｎＳ、ＣｄＳ。 Ｉｎ、Ｓ３．Ｚｎ５ｅ、ＣｄＳｅおよびＩ ｎ２Ｓ ｃ
。 より成るＡ群より選ばれた少なくとも一者に近い材料を
主成分とする薄膜を、記録膜から遠い側の第二保護層と
してはＡＱ２０．、Ｔａ２Ｏ，、Ｙ２Ｏ，。 ｇｉ、Ｎ、ＡＱＮ、Ｓｉ（、およびＡ Ｑ、Ｓ ｉ Ｎ
２などのＡＱ−５ｉ−Ｎ系材料およびＡＪ−８ｊ−Ｏ−
Ｎ系材料より成るＢ群より選ばれた少なくとも一者に近
い組成の材料を主成分とする薄膜を用いる。より好まし
くは、第一保護層としてＺｎＳまたはＺｎＳとＡ群の酸
化物のうちの少なくとも一者との混合材料を、第二保護
層としてＳｉ） Ｎ４ ＊ Ａ ｎ Ｓ ｘ Ｎ ２あ
るいはＡ１１ｉ、Ｏ，に近い組成の材料を用いる。 第一保護層の酸化物、炭化物、あるいは硫化物を主成分
とする薄膜は、熱伝導率が６Ｗ／ｍ−Ｋ（Ｋは絶対温度
）以下の範囲が好ましく、膜厚は１、 Ｏｎ ｍ以上１
． ＯＯＯｎ ｍ以下の範囲が好ましい。 特に、熱伝導率が２Ｗ／ｒｎ・Ｋ以上５Ｗ／ｍ・Ｋ以下
、膜厚が約５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の酸化物、硫化
物あるいは窒化物を主成分とする薄膜を用いると、上記
の記録用ビームの照射によって生ずる変質あるいは変形
を防止する効果が顕著である。熱拡散係数は０．４６ｃ
ｍ”／ｓｅｅ以上１．１５ｃｍ”／ｓｅｃ以下が好まし
い。上記の第二保護層の酸化物、炭化物、あるいは窒化
物を主成分とする薄膜は、熱伝導率が８Ｗ／ｍ・Ｋ以上
６０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の範囲が好ましく、膜厚は１０ｎｍ
以上１１０００ｎ以下の範囲が好ましい。 特に、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上５０Ｗ／ｍ・Ｋ以
下１ｇＩ厚が約５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の酸化物、
炭化物、あるいは窒化物を主成分とする薄膜を用いると
、記録感度の低下が少ない。熱拡散係数は２．３ｃｍ２
／ｓｅＣ以上６．９ｃｍ”／ｓｅｃ以下が好ましい。記
録膜の膜厚は２０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の範囲が記録
感度、Ｓ／Ｎ比などの点で好ましく、第一保護層および
第二保護層の膜厚と合せて調整することが好ましい。第
一保護層および第二保護層の膜厚の和は１０ ＩＩ ｍ
以上１１０００ｎ以下の範囲が好ましい。この保護層の
膜厚は、光の干渉効果を利用して大きな再生信号を得る
ために、上記記録膜のｖ４厚と合せてα４整することが
好ましい。 一般に薄膜に光を照射すると、その反射光は薄膜表面か
らの反射光と薄膜裏面からの反射光との重ねあわせにな
るため干渉をおこす０反射率で信号を読み取る場合には
、上記のそれぞれの膜の膜厚を！！！！整して反射率の
値が小さい条件を満たすことが好ましい。これは、信号
読みだし時のコントラスト比が大きくなり、記録感度も
高くなるからである。第一保護層および第二保護層の総
和の特に好ましい膜厚範囲は８０ｎｍ以上６００ｎｒｒ
＋以下の範囲である。記録膜の屈折率と膜厚の積は１０
０ｒｚｎ以上、６００ｎｍ以下、第一保護層および第二
保護層の屈折率と膜厚の積の総和は１２０ｎｍ以上、１
５００ｎｍ以下の範囲が特に好ましい、ただし、記録膜
については、記録膜の少なくとも一部分の屈折率と膜厚
の積が上記の範囲内にあればよい。これらの屈折率と膜
厚の積の好ましい範囲は１本発明に含まれない低熱伝導
率の酸化物、硫化物あるいはセレン化物を主成分とする
保護層あるいは高熱伝導率の酸化物、炭化物あるいは窒
化物を主成分とする保護層を設ける場合にも有効である
。第一保護層および第二保護層は使用するレーザ光の消
衰係数ｋが０．０３以上１．０以下であると、記録感度
が高く好ましい。 第一保護層および第二保護層とは反対側（光入射側の反
対側）の保護層（反射層を設ける場合は記録膜と反射層
との間の層）にも第一保護層および第二保護層に用いる
ものに近い組成の物質を使用でき、また、同じように多
層にすることもできるが、消衰係数は０．１以下が好ま
しいので、例えば酸化物の場合、酸素欠陥を少なくする
方がよい。 上記の光入射側とは反対側の酸化物、硫化物および窒化
物を主成分とする薄膜に近接してさらに上記の第一保護
層および第二保護層に使用可能な材料の層や金ｆ：ＡＭ
を設ければさらに強度が増す。本発明の酸化物、硫化物
および窒化物を主成分とする薄膜は、記録膜と基板との
間に形成してもよいし、記録膜の基板とは反対の側に設
けてもよい。 両側に設ければさらに好ましい。基板は光入射側でもそ
の反対側にあっても良い。 Ｍ？！録膜の光入射側と反対側の保護層と、それに隣接
する金属層との間に、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒのうちの少なくと
も一元素を主成分とする接着性改善層を設ければさらに
好ましい。この層の膜厚はｌｎｍ以上３０ｎｍ以下が好
ましい。この層を設けるのは５本発明以外の記録媒体に
も有効である。 第一保護層と第二保ｒＩｉ層との界面は必ずしも明確で
ある必要はない。組成が連続的に変化していた方が、界
面の剥離のおそれがない。また、第−保Ｓ層および第二
保護層は均一な漕でなくてもよく、例えばそれぞれが多
層膜で平均の熱伝導率や屈折率、熱拡散係数が上記の範
囲内にあるものであってもよい。 本発明はディスク状記録媒体ばかりでなく、テープ状、
カード状などの記録媒体にも有効である。 また光磁気記＃を膜など、他の記録原理による記録媒体
にも有効である。
【実施例）
以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。まず
、案内溝を有する基板ｌ （ポリカーボネート、直径１
３０ ｍ ｍ、厚さ１．２ｍｍ）に、本発明の第二保護
層としてＡＱ２０．に近い組成の窒化物よりなる薄膜２
（約１０１００ｎを積層し。 第−保ｆｆ層として（ＺｎＳ）、。（Ｓ ｉ Ｏ，）
、、に近い組成のＳ膜３（約１２０ｒｘｒｒ＋）を積層
した後。 上記光入射側第二保護層および第−保！！ＩＩ、１１を
介して形成した記録用ビームの照射を受けてほとんど変
形を伴わないで原子配列変化を生ずるＧｅ−５ｂ−Ｔｅ
系ｆＲ報記録用薄膜４（厚さ約３０ｎｍ）に（ＺｎＳ）
ｇ。（Ｓ ｉ Ｏ，） ｚａに近い組成よりなる中ｎｌ
’Ｈｆ！５（Ｂさ約２１０ｎｍ）を積層し、さらに金属
元素を主成分とする薄膜６としてＡｌ２−Ｍｇ合金の薄
膜（約５０ｎｍ）を積層した後、紫外線の照射により硬
化する欄脂７を塗布し、真空中（約１０Ｐａ）で紫外線
に約２分間露光し、前記金属元素を主成分とする薄膜６
ともう一枚の同じ構造のディスク８を貼りあわせた。次
に、上記の情報記録用薄膜４に基板１．側（紙面上で下
方）より記録用レーザビームを照射し、情報の記録を行
った。次に、上記第二保護層の１８２と基板との界面付
近を上記基板１側（紙面」二で下方）よりＮ微＠ （ｘ
４００倍）でＩ！察し、上記基板に変質および変形が生
じていないことを確認した６本実施例の第二保護層のＡ
Ｑ、Ｏ，のＦＩＪ￥を変化させたとき、記録に必要なレ
ーザパワーと１００回記録書き換え後の反射率変化分を
補正した雑音レベルは次のように変化した。 ｆｌｌ厚（ｎｍ） 記録レーザパワー 雑音レベル５
１０ｍＷ １０ １３ｍＷ ５０ １５ｍＷ １００ １６ｍＷ ２Ｏ０１７ｍＷ １．０００ １９ｍＷ １５００ ２２ｍＷ ７５ｄＢｍ ８０ｄＢｍ ８３ｄＢｍ ８５ｄＢｍ −８５ｄ Ｂｍ ８５ｄＢｍ ８５ｄＢｍ また、第一保護層の膜厚は５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下
のとき、低いレーザパワーで記録でき、雑音レベルも低
い値となった。 上記の金属元素を主成分とする薄膜６のＡＱ−Ｍｇ合金
の一部または全部をＡ Ｑ ｔ Ｃｕ Ｔ Ａ ｇ ＋
Ａｕ、Ｓｉｔ Ｎｉｐ Ｍｇ＋ Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ
。 Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ。 Ｒｈ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔａ、ＷｔＩｒ
、Ｐｔ、Ｐｂ、ＢｉおよびＣより成る群より選ばれた少
なくとも一者を主成分とするもので置き換えても同様の
特性が得られた０例えばＮｉ−Ｃｒ合金を用いると記録
感度が向上した。 また、上記の金属元素を主成分とする薄膜６がＡｕを主
成分とする薄膜などの接着性の悪い薄膜である場合、こ
の膜と中間層５との間にＭｏ、Ｗ＋Ｃｒのうちの一者よ
りなる接着性改良層を設けると、書き換え可能回数が大
幅に向上した。この膜厚はｌｎｍ以上３０ ｎ、 ｍ以
下が適当であった。また、上記の第一保護層の（Ｚ ｎ
Ｓ） ＠、、（Ｓ ｌ ０２）８゜の一部または全部
をＺｎ ＳＨＣｄ Ｓ、Ｉ ｎ２ｓｉｔＺｎＳｅ、Ｃｄ
Ｓｅ、Ｉｎ２Ｓｅ３、５ｉｎ２゜ｓｉｏ、’ｒｉｏ□お
よびＺｒＯ□より成るＡ群より選ばれた少なくとも一者
に近い組成のもので置き換え、上記の第二保護層のＡＱ
Ｎの一部または全部をＡＱｔＯ，、Ｔａ、Ｏ，、Ｙ２Ｏ
３，Ｓ ｊ、、Ｎ、、ＡＱＮ、Ａ悲Ｓ ｉ Ｎ２１ Ａ
＋２．Ｓ ｉ Ｎ、。 ＡＱ Ｓ ｉ、Ｎ３． Ｓ ｉ −Ａ ｌ −０−Ｎｒ
およびＳｊＣより成るＢ群より選ばれた少なくとも一者
に近い組成の材料を主成分とするもので置き換えても同
様の結果が得られるこれらのうちではＡＱｚＯ□および
Ａｎ−Ｓｉ−Ｎ系材料が特に好ましい。これらの材料の
熱伝導率は例として下記の通りである。 Ｓｉｎ、 ： Ｉ Ｗ／ｍ−ＫＺｎＳ ：
２Ｗ／ｍ −Ｋ Ｔｉｅ、 ： ５ Ｗ／ｍ−ＫＺｒＯ２：
３ Ｗ／ｍ −Ｋ Ｓ ｉ３Ｎ４： １．８ Ｗ／ｍ −ＫＡ Ｑ、Ｏ
，： ４６ Ｗ／ｍ −ＫＹ、Ｏ，：１５ Ｗ／ｍ
−Ｋ ＡＱＮ ：３０Ｗ／ｍ −Ｋ ＳｉＣ： ８Ｗ／ｒｎ −Ｋ 例えば、上記の第一保護層を（ＺｎＳ）、。 （Ｓ ｉ Ｏ，） 、、、 上記（ｆ）第二保護層をＡ
ＱＳｉＮ、、または上記の第−保ｍ層をＺｒＯ，、上記
の第二保護層をＡ Ｑ Ｓ ｉ Ｎ２、あるいは、上記
の第一保護層をＳｉＯ□、上記の第二保護層をＡｌ２Ｏ
，。 もしくは上記の第一保護層をＹ、Ｏ，を少量含むＺｒＯ
□、上記の第二保護層をＡｌ２Ｏ，としても同様の結果
が得られた８本実施例の第一保護層の酸化物、あるいは
硫化物を主成分とする薄膜の熱伝導率はＩＷ／ｍ・Ｋ以
上６Ｗ／ｒｎ・Ｋ以下、上記の第二保護層の酸化物、あ
るいは窒化物を主成分とする薄膜の熱伝導率は８Ｗ／ｍ
・Ｋ以上６０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が好ましく １．０Ｗ／ｍ
・Ｋ以上５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が特に好ましい。熱伝導率
の異なる材質を用いた場合、記録レーザパワーと１０ｓ
回オーバーライドした時のノイズ増加は次のように変化
した。 ト！護層の熱伝導率 （Ｖ／ｍ４） ０ ０ ０ ０ ０ 記録レーザパワー 消え残り １２ｍＷ ６ｄＢ １２ｒｎＷ ３ｄＢ １３ｍＷ ＯｄＢ １４ｍＷ ＯｄＢ １５ｍＷ ＯｄＢ １７ｍＷ ＯｄＢ １９ｍＷ ＯｄＢ また、記録膜の非晶質に近い状態の部分の屈折率と膜厚
の積が１００ｎｒｎ以上、６００ｎｍ以下。 中間層の屈折率と膜厚の積が５０層ｍ以上。 ６００ｒ＋ｍ以下の範囲で再生信号ＣＮ比４６ｄＢ以上
が得られた。記録膜の結晶状態の部分の屈折率と膜厚の
積が上記の範囲内に有るようにしても差し支えない。中
間層を形成しない場合は、記録感度が約５０％低下する
が、他の特性に大きな変化は無く、使用可能であった。 第２図に示したように、ガラス基板１０上に形成した紫
外線硬化樹脂層１１の表面に案内溝を形成し、その上に
第１図のディスクと同様な記録層を順序を逆に（金属元
素を主成分とする薄膜６から）構成し、もう−枚のディ
スクと貼り合せずに使用しても、はぼ同様な効果が得ら
れた。この場合、薄膜２の上にさらに有機物保護膜を形
成するのが好ましい、ただし、これらの場合はレーザ光
は基板とは反対の側から入射させた。 第３図に示すように、従来は１０層回の情報の書き換え
によって雑音レベル（図中Ｂ）が約１０ｄＢ増加するが
５本発明の第一保護層に熱伝導率の低い酸化物、あるい
は硫化物を主成分とする薄膜にし、上記の第二保護層に
熱伝導率の高い酸化物、あるいは窒化物を主成分とする
薄（摸を導入することによって、多数回オーバーライド
を行っても雑音レベル（図中Ａ）はほとんど変化せず、
消え残りも少ないことがわかった。上記の第一第二保護
層の形成の際、第４図に示したように。 たとえばＡＱ、０．のターゲットとＺｎＳのターゲット
を並べたものを用い、インラインスパッタ装置で基板を
移動させながらスパッタすると、１つのスパッタ室で、
Ａｆｌ、０３層とＺｎＳ層の積層膜が容易に得られる。 これらの眉間では組成が連続的に変化している。 【発明の効果】 本発明によれば、レーザー光などの記録用ビームを記録
用薄膜に照射して情報を記録しても、上記記録用ビーム
の照射によって生ずる熱は、上記第二保護層である熱伝
導率の高い酸化物、炭化物。 あるいは窒化物を主成分とする薄膜によって拡散され、
上記第一保護層である熱伝導率の低い酸化物、あるいは
硫化物を主成分とする薄膜によって遮断されるため９デ
イスクの樹脂基板あるいはガラス基板面に接して設けた
溝付き樹脂に伝播する熱が少ない、また、上記記録用ビ
ームの照射によって生ずる熱は、上記金属元素を主成分
とする薄膜によって吸収され、拡散されるため、上記デ
ィスクの貼りあわせに用いる樹脂に伝播する熱が少ない
、また、ピンホールが少なく、さらに記録消ム時に生ず
る応力に対して強く、樹脂が変質あるいは変形すること
がない。
、案内溝を有する基板ｌ （ポリカーボネート、直径１
３０ ｍ ｍ、厚さ１．２ｍｍ）に、本発明の第二保護
層としてＡＱ２０．に近い組成の窒化物よりなる薄膜２
（約１０１００ｎを積層し。 第−保ｆｆ層として（ＺｎＳ）、。（Ｓ ｉ Ｏ，）
、、に近い組成のＳ膜３（約１２０ｒｘｒｒ＋）を積層
した後。 上記光入射側第二保護層および第−保！！ＩＩ、１１を
介して形成した記録用ビームの照射を受けてほとんど変
形を伴わないで原子配列変化を生ずるＧｅ−５ｂ−Ｔｅ
系ｆＲ報記録用薄膜４（厚さ約３０ｎｍ）に（ＺｎＳ）
ｇ。（Ｓ ｉ Ｏ，） ｚａに近い組成よりなる中ｎｌ
’Ｈｆ！５（Ｂさ約２１０ｎｍ）を積層し、さらに金属
元素を主成分とする薄膜６としてＡｌ２−Ｍｇ合金の薄
膜（約５０ｎｍ）を積層した後、紫外線の照射により硬
化する欄脂７を塗布し、真空中（約１０Ｐａ）で紫外線
に約２分間露光し、前記金属元素を主成分とする薄膜６
ともう一枚の同じ構造のディスク８を貼りあわせた。次
に、上記の情報記録用薄膜４に基板１．側（紙面上で下
方）より記録用レーザビームを照射し、情報の記録を行
った。次に、上記第二保護層の１８２と基板との界面付
近を上記基板１側（紙面」二で下方）よりＮ微＠ （ｘ
４００倍）でＩ！察し、上記基板に変質および変形が生
じていないことを確認した６本実施例の第二保護層のＡ
Ｑ、Ｏ，のＦＩＪ￥を変化させたとき、記録に必要なレ
ーザパワーと１００回記録書き換え後の反射率変化分を
補正した雑音レベルは次のように変化した。 ｆｌｌ厚（ｎｍ） 記録レーザパワー 雑音レベル５
１０ｍＷ １０ １３ｍＷ ５０ １５ｍＷ １００ １６ｍＷ ２Ｏ０１７ｍＷ １．０００ １９ｍＷ １５００ ２２ｍＷ ７５ｄＢｍ ８０ｄＢｍ ８３ｄＢｍ ８５ｄＢｍ −８５ｄ Ｂｍ ８５ｄＢｍ ８５ｄＢｍ また、第一保護層の膜厚は５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下
のとき、低いレーザパワーで記録でき、雑音レベルも低
い値となった。 上記の金属元素を主成分とする薄膜６のＡＱ−Ｍｇ合金
の一部または全部をＡ Ｑ ｔ Ｃｕ Ｔ Ａ ｇ ＋
Ａｕ、Ｓｉｔ Ｎｉｐ Ｍｇ＋ Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ
。 Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ。 Ｒｈ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔａ、ＷｔＩｒ
、Ｐｔ、Ｐｂ、ＢｉおよびＣより成る群より選ばれた少
なくとも一者を主成分とするもので置き換えても同様の
特性が得られた０例えばＮｉ−Ｃｒ合金を用いると記録
感度が向上した。 また、上記の金属元素を主成分とする薄膜６がＡｕを主
成分とする薄膜などの接着性の悪い薄膜である場合、こ
の膜と中間層５との間にＭｏ、Ｗ＋Ｃｒのうちの一者よ
りなる接着性改良層を設けると、書き換え可能回数が大
幅に向上した。この膜厚はｌｎｍ以上３０ ｎ、 ｍ以
下が適当であった。また、上記の第一保護層の（Ｚ ｎ
Ｓ） ＠、、（Ｓ ｌ ０２）８゜の一部または全部
をＺｎ ＳＨＣｄ Ｓ、Ｉ ｎ２ｓｉｔＺｎＳｅ、Ｃｄ
Ｓｅ、Ｉｎ２Ｓｅ３、５ｉｎ２゜ｓｉｏ、’ｒｉｏ□お
よびＺｒＯ□より成るＡ群より選ばれた少なくとも一者
に近い組成のもので置き換え、上記の第二保護層のＡＱ
Ｎの一部または全部をＡＱｔＯ，、Ｔａ、Ｏ，、Ｙ２Ｏ
３，Ｓ ｊ、、Ｎ、、ＡＱＮ、Ａ悲Ｓ ｉ Ｎ２１ Ａ
＋２．Ｓ ｉ Ｎ、。 ＡＱ Ｓ ｉ、Ｎ３． Ｓ ｉ −Ａ ｌ −０−Ｎｒ
およびＳｊＣより成るＢ群より選ばれた少なくとも一者
に近い組成の材料を主成分とするもので置き換えても同
様の結果が得られるこれらのうちではＡＱｚＯ□および
Ａｎ−Ｓｉ−Ｎ系材料が特に好ましい。これらの材料の
熱伝導率は例として下記の通りである。 Ｓｉｎ、 ： Ｉ Ｗ／ｍ−ＫＺｎＳ ：
２Ｗ／ｍ −Ｋ Ｔｉｅ、 ： ５ Ｗ／ｍ−ＫＺｒＯ２：
３ Ｗ／ｍ −Ｋ Ｓ ｉ３Ｎ４： １．８ Ｗ／ｍ −ＫＡ Ｑ、Ｏ
，： ４６ Ｗ／ｍ −ＫＹ、Ｏ，：１５ Ｗ／ｍ
−Ｋ ＡＱＮ ：３０Ｗ／ｍ −Ｋ ＳｉＣ： ８Ｗ／ｒｎ −Ｋ 例えば、上記の第一保護層を（ＺｎＳ）、。 （Ｓ ｉ Ｏ，） 、、、 上記（ｆ）第二保護層をＡ
ＱＳｉＮ、、または上記の第−保ｍ層をＺｒＯ，、上記
の第二保護層をＡ Ｑ Ｓ ｉ Ｎ２、あるいは、上記
の第一保護層をＳｉＯ□、上記の第二保護層をＡｌ２Ｏ
，。 もしくは上記の第一保護層をＹ、Ｏ，を少量含むＺｒＯ
□、上記の第二保護層をＡｌ２Ｏ，としても同様の結果
が得られた８本実施例の第一保護層の酸化物、あるいは
硫化物を主成分とする薄膜の熱伝導率はＩＷ／ｍ・Ｋ以
上６Ｗ／ｒｎ・Ｋ以下、上記の第二保護層の酸化物、あ
るいは窒化物を主成分とする薄膜の熱伝導率は８Ｗ／ｍ
・Ｋ以上６０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が好ましく １．０Ｗ／ｍ
・Ｋ以上５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が特に好ましい。熱伝導率
の異なる材質を用いた場合、記録レーザパワーと１０ｓ
回オーバーライドした時のノイズ増加は次のように変化
した。 ト！護層の熱伝導率 （Ｖ／ｍ４） ０ ０ ０ ０ ０ 記録レーザパワー 消え残り １２ｍＷ ６ｄＢ １２ｒｎＷ ３ｄＢ １３ｍＷ ＯｄＢ １４ｍＷ ＯｄＢ １５ｍＷ ＯｄＢ １７ｍＷ ＯｄＢ １９ｍＷ ＯｄＢ また、記録膜の非晶質に近い状態の部分の屈折率と膜厚
の積が１００ｎｒｎ以上、６００ｎｍ以下。 中間層の屈折率と膜厚の積が５０層ｍ以上。 ６００ｒ＋ｍ以下の範囲で再生信号ＣＮ比４６ｄＢ以上
が得られた。記録膜の結晶状態の部分の屈折率と膜厚の
積が上記の範囲内に有るようにしても差し支えない。中
間層を形成しない場合は、記録感度が約５０％低下する
が、他の特性に大きな変化は無く、使用可能であった。 第２図に示したように、ガラス基板１０上に形成した紫
外線硬化樹脂層１１の表面に案内溝を形成し、その上に
第１図のディスクと同様な記録層を順序を逆に（金属元
素を主成分とする薄膜６から）構成し、もう−枚のディ
スクと貼り合せずに使用しても、はぼ同様な効果が得ら
れた。この場合、薄膜２の上にさらに有機物保護膜を形
成するのが好ましい、ただし、これらの場合はレーザ光
は基板とは反対の側から入射させた。 第３図に示すように、従来は１０層回の情報の書き換え
によって雑音レベル（図中Ｂ）が約１０ｄＢ増加するが
５本発明の第一保護層に熱伝導率の低い酸化物、あるい
は硫化物を主成分とする薄膜にし、上記の第二保護層に
熱伝導率の高い酸化物、あるいは窒化物を主成分とする
薄（摸を導入することによって、多数回オーバーライド
を行っても雑音レベル（図中Ａ）はほとんど変化せず、
消え残りも少ないことがわかった。上記の第一第二保護
層の形成の際、第４図に示したように。 たとえばＡＱ、０．のターゲットとＺｎＳのターゲット
を並べたものを用い、インラインスパッタ装置で基板を
移動させながらスパッタすると、１つのスパッタ室で、
Ａｆｌ、０３層とＺｎＳ層の積層膜が容易に得られる。 これらの眉間では組成が連続的に変化している。 【発明の効果】 本発明によれば、レーザー光などの記録用ビームを記録
用薄膜に照射して情報を記録しても、上記記録用ビーム
の照射によって生ずる熱は、上記第二保護層である熱伝
導率の高い酸化物、炭化物。 あるいは窒化物を主成分とする薄膜によって拡散され、
上記第一保護層である熱伝導率の低い酸化物、あるいは
硫化物を主成分とする薄膜によって遮断されるため９デ
イスクの樹脂基板あるいはガラス基板面に接して設けた
溝付き樹脂に伝播する熱が少ない、また、上記記録用ビ
ームの照射によって生ずる熱は、上記金属元素を主成分
とする薄膜によって吸収され、拡散されるため、上記デ
ィスクの貼りあわせに用いる樹脂に伝播する熱が少ない
、また、ピンホールが少なく、さらに記録消ム時に生ず
る応力に対して強く、樹脂が変質あるいは変形すること
がない。
第１図は案内溝を有する、基板を用いて本発明の記録用
部材の一実施例の構成を示す断面図、第２図は案内溝を
有する樹脂を設けた基板を用いて本発明の記録用部材の
一実施例の構成を示す断面図、第３図は本発明の記録用
部材による情報の書換え回数に対する雑音レベルの変化
を示す図である。第４図は複数のターゲットを用いて本
発明の記録用部材の構成を作製する方法の一実施例を示
す断面図。 １・・・案内溝を有する基板、２．１６・・・第二保護
層、３．１７・・・第一保護層、４，１４・・・情報記
録用薄膜、５，１３・・・中間層、６．１２・・・金属
元素を主成分とする薄膜、７．１７・・・樹脂、８，１
８・・・ディスク、１１・・・案内溝を有する樹脂、１
９・・・第一保護層用ターゲット、２０・・・第二保護
層用ターゲット、２１・・・基板、２２・・・基板の移
動を示す矢印、２３・・・スパッタ室、Ａ・・・本発明
の雑音レベル、Ｂ・・・従来の雑音レベル。 第 ３ 囚 １く綾太８駅 第 目 ２ノ ２ ２、？
部材の一実施例の構成を示す断面図、第２図は案内溝を
有する樹脂を設けた基板を用いて本発明の記録用部材の
一実施例の構成を示す断面図、第３図は本発明の記録用
部材による情報の書換え回数に対する雑音レベルの変化
を示す図である。第４図は複数のターゲットを用いて本
発明の記録用部材の構成を作製する方法の一実施例を示
す断面図。 １・・・案内溝を有する基板、２．１６・・・第二保護
層、３．１７・・・第一保護層、４，１４・・・情報記
録用薄膜、５，１３・・・中間層、６．１２・・・金属
元素を主成分とする薄膜、７．１７・・・樹脂、８，１
８・・・ディスク、１１・・・案内溝を有する樹脂、１
９・・・第一保護層用ターゲット、２０・・・第二保護
層用ターゲット、２１・・・基板、２２・・・基板の移
動を示す矢印、２３・・・スパッタ室、Ａ・・・本発明
の雑音レベル、Ｂ・・・従来の雑音レベル。 第 ３ 囚 １く綾太８駅 第 目 ２ノ ２ ２、？
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に形成された記録用ビームの照射を受けて変
化を生ずる情報記録用薄膜を有する記録媒体において、
上記情報記録用薄膜に近接して、もしくは上記の情報記
録用薄膜に隣接して熱伝導率が０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上６
Ｗ／ｍ・Ｋ以下の範囲の酸化物、硫化物あるいはセレン
化物を主成分とする材料より選ばれた少なくとも一者か
らなり、上記情報記録用薄膜に近い側に有る第一保護層
と、熱伝導率が８Ｗ／ｍ・Ｋ以上５０Ｗ／ｍ・Ｋ（Ｋは
絶対温度）以下の酸化物、炭化物あるいは窒化物を主成
分とする材料より選ばれた少なくとも一者からなる第二
保護層を有することを特徴とする記録用部材。 ２、第一保護層がＳｉＯ、ＳｉＯ＿２、ＴｉＯ＿２、Ｚ
ｒＯ＿２およびＺｎＳ、ＣｄＳ、Ｉｎ＿２Ｓ＿３、Ｚｎ
Ｓｅ、ＣｄＳｅおよびＩｎ＿２Ｓｅ＿３より成るＡ群よ
り選ばれた少なくとも一者に近い組成の材料からなり、
第二保護層がＡｌ＿２Ｏ＿３、Ｔａ＿２Ｏ＿５、Ｙ＿２
Ｏ＿３、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、ＡｌＮ、ＳｉＣ、およびＡｌ
ＳｉＮ＿２などのＡｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料およびＡｌ−Ｓ
ｉ−Ｏ−Ｎ系材料より成るＢ群より選ばれた少なくとも
一者に近い組成の材料からなることを特徴とする請求項
１記載の記録用部材。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-113715 | 1989-05-08 | ||
| JP11371589 | 1989-05-08 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10333679A Division JPH11232694A (ja) | 1989-05-08 | 1998-11-25 | 記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0373436A true JPH0373436A (ja) | 1991-03-28 |
Family
ID=14619314
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2110060A Pending JPH0373436A (ja) | 1989-05-08 | 1990-04-27 | 情報記録用部材 |
| JP10333679A Pending JPH11232694A (ja) | 1989-05-08 | 1998-11-25 | 記録媒体 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10333679A Pending JPH11232694A (ja) | 1989-05-08 | 1998-11-25 | 記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPH0373436A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04358334A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-11 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的情報記録用媒体 |
| WO2003098619A1 (en) * | 2002-04-22 | 2003-11-27 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2110060A patent/JPH0373436A/ja active Pending
-
1998
- 1998-11-25 JP JP10333679A patent/JPH11232694A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04358334A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-11 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的情報記録用媒体 |
| WO2003098619A1 (en) * | 2002-04-22 | 2003-11-27 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11232694A (ja) | 1999-08-27 |
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