JPH11232694A - 記録媒体 - Google Patents
記録媒体Info
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- JPH11232694A JPH11232694A JP10333679A JP33367998A JPH11232694A JP H11232694 A JPH11232694 A JP H11232694A JP 10333679 A JP10333679 A JP 10333679A JP 33367998 A JP33367998 A JP 33367998A JP H11232694 A JPH11232694 A JP H11232694A
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- JP
- Japan
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- recording
- thin film
- protective layer
- film
- substrate
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】低いレーザーパワーで記録でき、雑音レベルを
低くする。書き換え可能回数を向上する。 【構成】情報記録用薄膜４に対して上記記録用ビームの
入射される側と反対の側に設けられたＳｉを主成分とす
る薄膜６を具備する。薄膜６と中間層５との間にW,Mo,C
rのうち少なくとも一元素を主成分とする接着性改善層
を設ける。 【効果】雑音レベルが低くなり、書き換え可能回数が向
上した。
低くする。書き換え可能回数を向上する。 【構成】情報記録用薄膜４に対して上記記録用ビームの
入射される側と反対の側に設けられたＳｉを主成分とす
る薄膜６を具備する。薄膜６と中間層５との間にW,Mo,C
rのうち少なくとも一元素を主成分とする接着性改善層
を設ける。 【効果】雑音レベルが低くなり、書き換え可能回数が向
上した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光などの記録用
エネルギービームによって、たとえば映像や音声などの
アナログ信号をＦＭ変調したものや、電子計算機のデー
タや、ファクシミリ信号やディジタルオーディオ信号な
どのディジタル情報を、リアルタイムで記録することが
可能な情報の記録用薄膜に関する。
エネルギービームによって、たとえば映像や音声などの
アナログ信号をＦＭ変調したものや、電子計算機のデー
タや、ファクシミリ信号やディジタルオーディオ信号な
どのディジタル情報を、リアルタイムで記録することが
可能な情報の記録用薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光によって薄膜に記録を行う記
録原理は種々あるが、膜材料の相移転（相変化とも呼ば
れる）、フォトダークニングなどの原子配列変化による
記録は、膜の形状変化をほとんど伴わないので、２枚の
ディスクを樹脂により直接貼りあわせた両面ディスクが
出来るという長所を持っている。この種の記録に関連す
る公知例としては、例えば特願昭６０−２２６７２３号
が挙げられる。
録原理は種々あるが、膜材料の相移転（相変化とも呼ば
れる）、フォトダークニングなどの原子配列変化による
記録は、膜の形状変化をほとんど伴わないので、２枚の
ディスクを樹脂により直接貼りあわせた両面ディスクが
出来るという長所を持っている。この種の記録に関連す
る公知例としては、例えば特願昭６０−２２６７２３号
が挙げられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のうち、
相変化による記録は記録用ビームの照射による熱によっ
て膜形状変化をほとんど伴わない原子配列変化を生じさ
せるものであるが、記録膜中に発生し、記録膜に近接し
た保護層に伝わった熱によって基板が局部的に温められ
ることが無いようにしてやらないと、基板が変形し、ノ
イズが増加したりトラッキングが不安定になったりす
る。
相変化による記録は記録用ビームの照射による熱によっ
て膜形状変化をほとんど伴わない原子配列変化を生じさ
せるものであるが、記録膜中に発生し、記録膜に近接し
た保護層に伝わった熱によって基板が局部的に温められ
ることが無いようにしてやらないと、基板が変形し、ノ
イズが増加したりトラッキングが不安定になったりす
る。
【０００４】従って、本発明の目的は、記録信号に忠実
な再生波形が得られ、上記の記録用ビームのレーザー光
が基板の表面の形状の変化により、散乱されない、ま
た、上記の酸化物、硫化物、炭化物あるいは窒化物を主
成分とする薄膜の熱伝導によって記録感度が低下しにく
い記録用部材を提供することにある。
な再生波形が得られ、上記の記録用ビームのレーザー光
が基板の表面の形状の変化により、散乱されない、ま
た、上記の酸化物、硫化物、炭化物あるいは窒化物を主
成分とする薄膜の熱伝導によって記録感度が低下しにく
い記録用部材を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、基板上に形
成された記録用ビームの照射を受けて変化を生ずる情報
記録用薄膜を有する情報記録用部材において、上記の記
録用薄膜に近接して適当な酸化物、硫化物あるいは窒化
物を主成分とする保護層を多層に設けることにより達成
される。上記の保護層を２層とする場合は、記録膜に近
い側の第一保護層としてはＳｉＯ，ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，
ＺｒＯ2，ＺｎＳ，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳｅ，Ｃｄ
ＳｅおよびＩｎ2Ｓｅ3より成るＡ群より選ばれた少なく
とも一者に近い材料を主成分とする薄膜を、記録膜から
遠い側の第二保護層としてはＡｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，Ｙ2
Ｏ3，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＳｉＣ，およびＡｌＳｉＮ2な
どのＡｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料およびＡｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系
材料よりなるＢ群より選ばれた少なくとも一者に近い組
成の材料を主成分とする薄膜を用いる。より好ましく
は、第一保護層としてＺｎＳまたはＺｎＳとＡ群の酸化
物のうちの少なくとも一者との混合材料を、第二保護層
としてＳｉ3Ｎ4，ＡｌＳｉＮ2あるいはＡｌ2Ｏ3に近い
組成の材料を用いる。
成された記録用ビームの照射を受けて変化を生ずる情報
記録用薄膜を有する情報記録用部材において、上記の記
録用薄膜に近接して適当な酸化物、硫化物あるいは窒化
物を主成分とする保護層を多層に設けることにより達成
される。上記の保護層を２層とする場合は、記録膜に近
い側の第一保護層としてはＳｉＯ，ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，
ＺｒＯ2，ＺｎＳ，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳｅ，Ｃｄ
ＳｅおよびＩｎ2Ｓｅ3より成るＡ群より選ばれた少なく
とも一者に近い材料を主成分とする薄膜を、記録膜から
遠い側の第二保護層としてはＡｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，Ｙ2
Ｏ3，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＳｉＣ，およびＡｌＳｉＮ2な
どのＡｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料およびＡｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系
材料よりなるＢ群より選ばれた少なくとも一者に近い組
成の材料を主成分とする薄膜を用いる。より好ましく
は、第一保護層としてＺｎＳまたはＺｎＳとＡ群の酸化
物のうちの少なくとも一者との混合材料を、第二保護層
としてＳｉ3Ｎ4，ＡｌＳｉＮ2あるいはＡｌ2Ｏ3に近い
組成の材料を用いる。
【０００６】第一保護層の酸化物、炭化物、あるいは硫
化物を主成分とする薄膜は、熱伝導率が６Ｗ／ｍ・Ｋ
（Ｋは絶対温度）以下の範囲が好ましく、膜厚は１０ｎ
ｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。特に、熱伝
導率が２Ｗ／ｍ・Ｋ以上５Ｗ／ｍ・Ｋ以下、膜厚が約５
０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の酸化物、硫化物あるいは窒
化物を主成分とする薄膜を用いると、上記の記録用ビー
ムの照射によって生ずる変質あるいは変形を防止する効
果が顕著である。熱拡散係数は０．４６ｃｍ2／ｓｅｃ
以上１．１５ｃｍ2／ｓｅｃ以下が好ましい。上記の第
二保護層の酸化物、炭化物、あるいは窒化物を主成分と
する薄膜は、熱伝導率が８Ｗ／ｍ・Ｋ以上６０Ｗ／ｍ・
Ｋ以下の範囲が好ましく、膜厚は１０ｎｍ以上１０００
ｎｍ以下の範囲が好ましい。特に、熱伝導率が１０Ｗ／
ｍ・Ｋ以上５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下、膜厚が約５０ｎｍ以上
２００ｎｍ以下の酸化物、炭化物、あるいは窒化物を主
成分とする薄膜を用いると、記録感度の低下が少ない。
熱拡散係数は２．３ｃｍ2／ｓｅｃ以上６．９ｃｍ2／ｓ
ｅｃ以下が好ましい。記録膜の膜厚は２０ｎｍ以上２５
０ｎｍ以下の範囲が記録感度、Ｓ／Ｎ比などの点で好ま
しく、第一保護層および第二保護層の膜厚と合せて調整
することが好ましい。第一保護層および第二保護層の膜
厚の和は１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲が好まし
い。この保護層の膜厚は、光の干渉効果を利用して大き
な再生信号を得るために、上記記録膜の膜厚と合せて調
整することが好ましい。
化物を主成分とする薄膜は、熱伝導率が６Ｗ／ｍ・Ｋ
（Ｋは絶対温度）以下の範囲が好ましく、膜厚は１０ｎ
ｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。特に、熱伝
導率が２Ｗ／ｍ・Ｋ以上５Ｗ／ｍ・Ｋ以下、膜厚が約５
０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の酸化物、硫化物あるいは窒
化物を主成分とする薄膜を用いると、上記の記録用ビー
ムの照射によって生ずる変質あるいは変形を防止する効
果が顕著である。熱拡散係数は０．４６ｃｍ2／ｓｅｃ
以上１．１５ｃｍ2／ｓｅｃ以下が好ましい。上記の第
二保護層の酸化物、炭化物、あるいは窒化物を主成分と
する薄膜は、熱伝導率が８Ｗ／ｍ・Ｋ以上６０Ｗ／ｍ・
Ｋ以下の範囲が好ましく、膜厚は１０ｎｍ以上１０００
ｎｍ以下の範囲が好ましい。特に、熱伝導率が１０Ｗ／
ｍ・Ｋ以上５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下、膜厚が約５０ｎｍ以上
２００ｎｍ以下の酸化物、炭化物、あるいは窒化物を主
成分とする薄膜を用いると、記録感度の低下が少ない。
熱拡散係数は２．３ｃｍ2／ｓｅｃ以上６．９ｃｍ2／ｓ
ｅｃ以下が好ましい。記録膜の膜厚は２０ｎｍ以上２５
０ｎｍ以下の範囲が記録感度、Ｓ／Ｎ比などの点で好ま
しく、第一保護層および第二保護層の膜厚と合せて調整
することが好ましい。第一保護層および第二保護層の膜
厚の和は１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲が好まし
い。この保護層の膜厚は、光の干渉効果を利用して大き
な再生信号を得るために、上記記録膜の膜厚と合せて調
整することが好ましい。
【０００７】一般に薄膜に光を照射すると、その反射光
は薄膜表面からの反射光と薄膜裏面からの反射光との重
ねあわせになるため干渉をおこす。反射率で信号を読み
取る場合には、上記のそれぞれの膜の膜厚を調整して反
射率の値が小さい条件を満たすことが好ましい。これ
は、信号読みだし時のコントラスト比が大きくなり、記
録感度も高くなるからである。第一保護層および第二保
護層の総和の特に好ましい膜厚範囲は８０ｎｍ以上６０
０ｎｍ以下の範囲である。記録膜の屈折率と膜厚の積は
１００ｎｍ以上、６００ｎｍ以下、第一保護層および第
二保護層の屈折率と膜厚の積の総和は１２０ｎｍ以上、
１５００ｎｍ以下の範囲が特に好ましい。ただし、記録
膜については、記録膜の少なくとも一部分の屈折率と膜
厚の積が上記の範囲内にあればよい。これらの屈折率と
膜厚の積の好ましい範囲は、本発明に含まれない低熱伝
導率の酸化物、硫化物あるいはセレン化物を主成分とす
る保護層あるいは高熱伝導率の酸化物、炭化物あるいは
窒化物を主成分とする保護層を設ける場合にも有効であ
る。第一保護層および第二保護層は使用するレーザ光の
消衰係数ｋが０．０３以上１．０以下であると、記録感
度が高く好ましい。第一保護層および第二保護層とは反
対側（光入射側の反対側）の保護層（反射層を設ける場
合は記録膜と反射層との間の層）にも第一保護層および
第二保護層に用いるものに近い組成の物質を使用でき、
また、同じように多層にすることもできるが、消衰係数
は０．１以下が好ましいので、例えば酸化物の場合、酸
素欠陥を少なくする方がよい。上記の光入射側とは反射
側の酸化物、硫化物および窒化物を主成分とする薄膜に
近接してさらに上記の第一保護層および第二保護層に使
用可能な材料の層や金属層を設ければさらに強度が増
す。本発明の酸化物、硫化物および窒化物を主成分とす
る薄膜は、記録膜と基板との間に形成してもよいし、記
録膜の基板とは反対の側に設けてもよい。両側に設けれ
ばさらに好ましい。基板は光入射側でもその反対側にあ
っても良い。
は薄膜表面からの反射光と薄膜裏面からの反射光との重
ねあわせになるため干渉をおこす。反射率で信号を読み
取る場合には、上記のそれぞれの膜の膜厚を調整して反
射率の値が小さい条件を満たすことが好ましい。これ
は、信号読みだし時のコントラスト比が大きくなり、記
録感度も高くなるからである。第一保護層および第二保
護層の総和の特に好ましい膜厚範囲は８０ｎｍ以上６０
０ｎｍ以下の範囲である。記録膜の屈折率と膜厚の積は
１００ｎｍ以上、６００ｎｍ以下、第一保護層および第
二保護層の屈折率と膜厚の積の総和は１２０ｎｍ以上、
１５００ｎｍ以下の範囲が特に好ましい。ただし、記録
膜については、記録膜の少なくとも一部分の屈折率と膜
厚の積が上記の範囲内にあればよい。これらの屈折率と
膜厚の積の好ましい範囲は、本発明に含まれない低熱伝
導率の酸化物、硫化物あるいはセレン化物を主成分とす
る保護層あるいは高熱伝導率の酸化物、炭化物あるいは
窒化物を主成分とする保護層を設ける場合にも有効であ
る。第一保護層および第二保護層は使用するレーザ光の
消衰係数ｋが０．０３以上１．０以下であると、記録感
度が高く好ましい。第一保護層および第二保護層とは反
対側（光入射側の反対側）の保護層（反射層を設ける場
合は記録膜と反射層との間の層）にも第一保護層および
第二保護層に用いるものに近い組成の物質を使用でき、
また、同じように多層にすることもできるが、消衰係数
は０．１以下が好ましいので、例えば酸化物の場合、酸
素欠陥を少なくする方がよい。上記の光入射側とは反射
側の酸化物、硫化物および窒化物を主成分とする薄膜に
近接してさらに上記の第一保護層および第二保護層に使
用可能な材料の層や金属層を設ければさらに強度が増
す。本発明の酸化物、硫化物および窒化物を主成分とす
る薄膜は、記録膜と基板との間に形成してもよいし、記
録膜の基板とは反対の側に設けてもよい。両側に設けれ
ばさらに好ましい。基板は光入射側でもその反対側にあ
っても良い。
【０００８】記録膜の光入射側と反対側の保護層と、そ
れに隣接する金属層との間に、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒのうちの
少なくとも一元素を主成分とする接着性改善層を設けれ
ばさらに好ましい。この層の膜厚は１ｎｍ以上３０ｎｍ
以下が好ましい。この層を設けるのは、本発明以外の記
録媒体にも有効である。
れに隣接する金属層との間に、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒのうちの
少なくとも一元素を主成分とする接着性改善層を設けれ
ばさらに好ましい。この層の膜厚は１ｎｍ以上３０ｎｍ
以下が好ましい。この層を設けるのは、本発明以外の記
録媒体にも有効である。
【０００９】第一保護層と第二保護層との界面は必ずし
も明確である必要はない。組成が連続的に変化していた
方が、界面の剥離のおそれがない。また、第一保護層お
よび第二保護層は均一な層でなくてもよく、例えばそれ
ぞれが多層膜で平均の熱伝導率や屈折率、熱拡散係数が
上記の範囲内にあるものであってもよい。
も明確である必要はない。組成が連続的に変化していた
方が、界面の剥離のおそれがない。また、第一保護層お
よび第二保護層は均一な層でなくてもよく、例えばそれ
ぞれが多層膜で平均の熱伝導率や屈折率、熱拡散係数が
上記の範囲内にあるものであってもよい。
【００１０】本発明はディスク状記録媒体ばかりでな
く、テープ状、カード状などの記録媒体にも有効であ
る。また光磁気記録膜など、他の記録原理による記録媒
体にも有効である。
く、テープ状、カード状などの記録媒体にも有効であ
る。また光磁気記録膜など、他の記録原理による記録媒
体にも有効である。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。まず、案内溝を有する基板１（ポリカーボネート、
直径１３０ｎｍ、厚さ１．２ｍｍ）に、本発明の第二保
護層としてＡｌ2Ｏ3に近い組成の窒化物よりなる薄膜２
（約１００ｎｍ）を積層し、第一保護層として（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20に近い組成の薄膜３（約１２０ｎ
ｍ）を積層した後、上記光入射側第二保護層および第一
保護層を介して形成した記録用ビームの照射を受けてほ
とんど変形を伴わないで原子配列変化を生ずるＧｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系情報記録用薄膜４（厚さ約３０ｎｍ）に（Ｚ
ｎＳ）80（ＳｉＯ2）20に近い組成よりなる中間層５
（厚さ約２１０ｎｍ）を積層し、さらに金属元素を主成
分とする薄膜６としてＡｌ−Ｍｇ合金の薄膜（約５０ｎ
ｍ）を積層した後、紫外線の照射により硬化する樹脂７
を塗布し、真空中（約１０Ｐａ）で紫外線に約２分間露
光し、前記金属元素を主成分とする薄膜６ともう一枚の
同じ構造のディスク８を貼りあわせた。次に、上記の情
報記録用薄膜４に基板１側（紙面上で下方）より記録用
レーザビームを照射し、情報の記録を行った。次に、上
記第二保護層の薄膜２と基板との界面付近を上記基板１
側（紙面上で下方）より顕微鏡（×４００倍）で観察
し、上記基板に変質および変形が生じていないことを確
認した。本実施例の第二の保護層のＡｌ2Ｏ3の膜厚を変
化させたとき、記録に必要なレーザパワーと１００回記
録書き換え後の反射率変化分を補正した雑音レベルは次
のように変化した。
る。まず、案内溝を有する基板１（ポリカーボネート、
直径１３０ｎｍ、厚さ１．２ｍｍ）に、本発明の第二保
護層としてＡｌ2Ｏ3に近い組成の窒化物よりなる薄膜２
（約１００ｎｍ）を積層し、第一保護層として（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20に近い組成の薄膜３（約１２０ｎ
ｍ）を積層した後、上記光入射側第二保護層および第一
保護層を介して形成した記録用ビームの照射を受けてほ
とんど変形を伴わないで原子配列変化を生ずるＧｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系情報記録用薄膜４（厚さ約３０ｎｍ）に（Ｚ
ｎＳ）80（ＳｉＯ2）20に近い組成よりなる中間層５
（厚さ約２１０ｎｍ）を積層し、さらに金属元素を主成
分とする薄膜６としてＡｌ−Ｍｇ合金の薄膜（約５０ｎ
ｍ）を積層した後、紫外線の照射により硬化する樹脂７
を塗布し、真空中（約１０Ｐａ）で紫外線に約２分間露
光し、前記金属元素を主成分とする薄膜６ともう一枚の
同じ構造のディスク８を貼りあわせた。次に、上記の情
報記録用薄膜４に基板１側（紙面上で下方）より記録用
レーザビームを照射し、情報の記録を行った。次に、上
記第二保護層の薄膜２と基板との界面付近を上記基板１
側（紙面上で下方）より顕微鏡（×４００倍）で観察
し、上記基板に変質および変形が生じていないことを確
認した。本実施例の第二の保護層のＡｌ2Ｏ3の膜厚を変
化させたとき、記録に必要なレーザパワーと１００回記
録書き換え後の反射率変化分を補正した雑音レベルは次
のように変化した。
【００１２】 また、第一保護層の膜厚は５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下
のとき、低いレーザパワーで記録でき、雑音レベルも低
い値となった。
のとき、低いレーザパワーで記録でき、雑音レベルも低
い値となった。
【００１３】上記の金属元素を主成分とする薄膜６のＡ
ｌ−Ｍｇ合金の一部または全部をＡｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｚｒ，Ｐ
ｄ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｂ，
ＢｉおよびＣより成る群より選ばれた少なくとも一者を
主成分とするもので置き換えても同様の特性が得られ
た。例えばＮｉ−Ｃｒ合金を用いると記録感度が向上し
た。また、上記の金属元素を主成分とする薄膜６がＡｕ
を主成分とする薄膜などの接着性の悪い薄膜である場
合、この膜と中間層５との間にＭｏ，Ｗ，Ｃｒのうちの
一者よりなる接着性改良層を設けると、書き換え可能回
数が大幅に向上した。この膜厚は１ｎｍ以上３０ｎｍ以
下が適当であった。また、上記の第一保護層の（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20の一部または全部をＺｎＳ，Ｃｄ
Ｓ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳｅ，ＣｄＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｓｉ
Ｏ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2およびＺｒＯ2より成るＡ群より
選ばれた少なくとも一者に近い組成のもので置き換え、
上記第二の保護層のＡｌＮの一部または全部をＡｌ
2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，Ｙ2Ｏ3，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＡｌＳｉ
Ｎ2，Ａｌ2ＳｉＮ3，ＡｌＳｉ2Ｎ3，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ，およびＳｉＣより成るＢ群より選ばれた少なくと一
者に近い組成の材料を主成分とするもので置き換えても
同様の結果が得られるこれらのうちではＡｌ2Ｏ3および
Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料が特に好ましい。これらの材料の
熱伝導率は例として下記の通りである。
ｌ−Ｍｇ合金の一部または全部をＡｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｚｒ，Ｐ
ｄ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｂ，
ＢｉおよびＣより成る群より選ばれた少なくとも一者を
主成分とするもので置き換えても同様の特性が得られ
た。例えばＮｉ−Ｃｒ合金を用いると記録感度が向上し
た。また、上記の金属元素を主成分とする薄膜６がＡｕ
を主成分とする薄膜などの接着性の悪い薄膜である場
合、この膜と中間層５との間にＭｏ，Ｗ，Ｃｒのうちの
一者よりなる接着性改良層を設けると、書き換え可能回
数が大幅に向上した。この膜厚は１ｎｍ以上３０ｎｍ以
下が適当であった。また、上記の第一保護層の（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20の一部または全部をＺｎＳ，Ｃｄ
Ｓ，Ｉｎ2Ｓ3，ＺｎＳｅ，ＣｄＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｓｉ
Ｏ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2およびＺｒＯ2より成るＡ群より
選ばれた少なくとも一者に近い組成のもので置き換え、
上記第二の保護層のＡｌＮの一部または全部をＡｌ
2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，Ｙ2Ｏ3，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＡｌＳｉ
Ｎ2，Ａｌ2ＳｉＮ3，ＡｌＳｉ2Ｎ3，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ，およびＳｉＣより成るＢ群より選ばれた少なくと一
者に近い組成の材料を主成分とするもので置き換えても
同様の結果が得られるこれらのうちではＡｌ2Ｏ3および
Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料が特に好ましい。これらの材料の
熱伝導率は例として下記の通りである。
【００１４】ＳｉＯ2 ： １Ｗ／ｍ・Ｋ ＺｎＳ ： ２Ｗ／ｍ・Ｋ ＴｉＯ2 ： ５Ｗ／ｍ・Ｋ ＺｒＯ2 ： ３Ｗ／ｍ・Ｋ Ｓｉ3Ｎ4 ：１８Ｗ／ｍ・Ｋ Ａｌ2Ｏ3 ：４６Ｗ／ｍ・Ｋ Ｙ2Ｏ3 ：１５Ｗ／ｍ・Ｋ ＡｌＮ ：３０Ｗ／ｍ・Ｋ ＳｉＣ ： ８Ｗ／ｍ・Ｋ 例えば、上記の第一保護層を（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20、上記の第二保護層をＡｌＳｉＮ2、または上記の第
一保護層をＺｒＯ2、上記の第二保護層をＡｌＳｉＮ2、
あるいは、上記の第一保護層をＳｉＯ2、上記の第二の
保護層をＡｌ2Ｏ3、もしくは上記の第一保護層をＹ2Ｏ3
を少量含むＺｒＯ2、上記の第二保護層をＡｌ2Ｏ3とし
ても同様の結果が得られた。本実施例の第一保護層の酸
化物、あるいは硫化物を主成分とする薄膜の熱伝導率は
１Ｗ／ｍ・Ｋ以上６Ｗ／ｍ・Ｋ以下、上記の第二保護層
の酸化物、あるいは窒化物を主成分とする薄膜の熱伝導
率は８Ｗ／ｍ・Ｋ以上６０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が好ましく１
０Ｗ／ｍ・Ｋ以上５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が特に好ましい。
熱伝導率の異なる材質を用いた場合、記録レーザパワー
と１０5回オーバーライトした時のノイズ増加は次のよ
うに変化した。
20、上記の第二保護層をＡｌＳｉＮ2、または上記の第
一保護層をＺｒＯ2、上記の第二保護層をＡｌＳｉＮ2、
あるいは、上記の第一保護層をＳｉＯ2、上記の第二の
保護層をＡｌ2Ｏ3、もしくは上記の第一保護層をＹ2Ｏ3
を少量含むＺｒＯ2、上記の第二保護層をＡｌ2Ｏ3とし
ても同様の結果が得られた。本実施例の第一保護層の酸
化物、あるいは硫化物を主成分とする薄膜の熱伝導率は
１Ｗ／ｍ・Ｋ以上６Ｗ／ｍ・Ｋ以下、上記の第二保護層
の酸化物、あるいは窒化物を主成分とする薄膜の熱伝導
率は８Ｗ／ｍ・Ｋ以上６０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が好ましく１
０Ｗ／ｍ・Ｋ以上５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が特に好ましい。
熱伝導率の異なる材質を用いた場合、記録レーザパワー
と１０5回オーバーライトした時のノイズ増加は次のよ
うに変化した。
【００１５】 第一保護層の熱伝導率 記録レーザパワー 消え残り (Ｗ/ｍ・Ｋ) ６ １２ｍＷ ６ｄＢ ８ １２ｍＷ ３ｄＢ １０ １３ｍＷ ０ｄＢ ３０ １４ｍＷ ０ｄＢ ５０ １５ｍＷ ０ｄＢ ６０ １７ｍＷ ０ｄＢ ７０ １９ｍＷ ０ｄＢ また、記録膜の非晶質に近い状態の部分の屈折率と膜厚
の積が１００ｎｍ以上、６００ｎｍ以下、中間層の屈折
率と膜厚の積が５０ｎｍ以上、６００ｎｍ以下の範囲で
再生信号ＣＮ比４６ｄＢ以上が得られた。記録膜の結晶
状態の部分の屈折率と膜厚の積が上記の範囲内に有るよ
うにしても差し支えない。中間層を形成しない場合は、
記録感度が約５０％低下するが、他の特性に大きな変化
は無く、使用可能であった。
の積が１００ｎｍ以上、６００ｎｍ以下、中間層の屈折
率と膜厚の積が５０ｎｍ以上、６００ｎｍ以下の範囲で
再生信号ＣＮ比４６ｄＢ以上が得られた。記録膜の結晶
状態の部分の屈折率と膜厚の積が上記の範囲内に有るよ
うにしても差し支えない。中間層を形成しない場合は、
記録感度が約５０％低下するが、他の特性に大きな変化
は無く、使用可能であった。
【００１６】図２に示したように、ガラス基板１０上に
形成した紫外線硬化樹脂層１１の表面に案内溝を形成
し、その上に図１のディスクと同様な記録層を順序を逆
に（金属元素を主成分とする薄膜６から）構成し、もう
一枚のディスクと貼り合せずに使用しても、ほぼ同様な
効果が得られた。この場合、薄膜２の上にさらに有機物
保護膜を形成するのが好ましい。ただし、これらの場合
はレーザ光は基板とは反対の側から入射させた。
形成した紫外線硬化樹脂層１１の表面に案内溝を形成
し、その上に図１のディスクと同様な記録層を順序を逆
に（金属元素を主成分とする薄膜６から）構成し、もう
一枚のディスクと貼り合せずに使用しても、ほぼ同様な
効果が得られた。この場合、薄膜２の上にさらに有機物
保護膜を形成するのが好ましい。ただし、これらの場合
はレーザ光は基板とは反対の側から入射させた。
【００１７】図３に示すように、従来は１０5回の情報
の書き換えによって雑音レベル（図中Ｂ）が約１０ｄＢ
増加するが、本発明の第一保護層に熱伝導率の低い酸化
物、あるいは硫化物を主成分とする薄膜にし、上記の第
二保護層二熱伝導率の高い酸化物、あるいは窒化物を主
成分とする薄膜を導入することによって、多数回オーバ
ーライトを行っても雑音レベル（図中Ａ）はほとんど変
化せず、消え残りも少ないことがわかった。上記の第
一、第二保護層の形成の際、図４に示したように、たと
えばＡｌ2Ｏ3のターゲットとＺｎＳのターゲットを並べ
たものを用い、インラインスパッタ装置で基板を移動さ
せながらスパッタすると、１つのスパッタ室で、Ａｌ2
Ｏ3層とＺｎＳ層の積層膜が容易に得られる。これらの
層間では組成が連続的に変化している。
の書き換えによって雑音レベル（図中Ｂ）が約１０ｄＢ
増加するが、本発明の第一保護層に熱伝導率の低い酸化
物、あるいは硫化物を主成分とする薄膜にし、上記の第
二保護層二熱伝導率の高い酸化物、あるいは窒化物を主
成分とする薄膜を導入することによって、多数回オーバ
ーライトを行っても雑音レベル（図中Ａ）はほとんど変
化せず、消え残りも少ないことがわかった。上記の第
一、第二保護層の形成の際、図４に示したように、たと
えばＡｌ2Ｏ3のターゲットとＺｎＳのターゲットを並べ
たものを用い、インラインスパッタ装置で基板を移動さ
せながらスパッタすると、１つのスパッタ室で、Ａｌ2
Ｏ3層とＺｎＳ層の積層膜が容易に得られる。これらの
層間では組成が連続的に変化している。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、レーザー光などの記録
用ビームを記録用薄膜に照射して情報を記録しても、上
記記録用ビームの照射によって生ずる熱は、上記第二保
護層である熱伝導率の高い酸化物、炭化物、あるいは窒
化物を主成分とする薄膜によって拡散され、上記第一保
護層である熱伝導率の低い酸化物、あるいは硫化物を主
成分とする薄膜によって遮断されるため、ディスクの樹
脂基板あるいはガラス基板面に接して設けた溝付き樹脂
に伝播する熱が少ない。また、上記記録用ビームの照射
によって生ずる熱は、上記金属元素を主成分とする薄膜
によって吸収され、拡散されるため、上記ディスクの貼
りあわせに用いる樹脂に伝播する熱が少ない。また、ピ
ンホールが少なく、さらに記録消去時に生ずる応力に対
して強く、樹脂が変質あるいは変形することがない。
用ビームを記録用薄膜に照射して情報を記録しても、上
記記録用ビームの照射によって生ずる熱は、上記第二保
護層である熱伝導率の高い酸化物、炭化物、あるいは窒
化物を主成分とする薄膜によって拡散され、上記第一保
護層である熱伝導率の低い酸化物、あるいは硫化物を主
成分とする薄膜によって遮断されるため、ディスクの樹
脂基板あるいはガラス基板面に接して設けた溝付き樹脂
に伝播する熱が少ない。また、上記記録用ビームの照射
によって生ずる熱は、上記金属元素を主成分とする薄膜
によって吸収され、拡散されるため、上記ディスクの貼
りあわせに用いる樹脂に伝播する熱が少ない。また、ピ
ンホールが少なく、さらに記録消去時に生ずる応力に対
して強く、樹脂が変質あるいは変形することがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】案内溝を有する、基板を用いて本発明の記録用
部材の一実施例の構成を示す断面図
部材の一実施例の構成を示す断面図
【図2】案内溝を有する樹脂を設けた基板を用いて本発
明の記録用部材の一実施例の構成を示す断面図
明の記録用部材の一実施例の構成を示す断面図
【図3】本発明の記録用部材による情報の書換え回数に
対する雑音レベルの変化を示す図である。
対する雑音レベルの変化を示す図である。
【図4】複数のターゲットを用いて本発明の記録用部材
の構成を作製する方法の一実施例を示す断面図。
の構成を作製する方法の一実施例を示す断面図。
【符号の説明】 １…案内溝を有する基板、２、１６…第二保護層、３、
１７…第一保護層、４、１４…情報記録用薄膜、５、１
３…中間層、６、１２…金属元素を主成分とする薄膜、
７、１７…樹脂、８、１８…ディスク、１１…案内溝を
有する樹脂、１９…第一保護層用ターゲット、２０…第
二保護層用ターゲット、２１…基板、２２…基板の移動
を示す矢印、２３…スパッタ室、Ａ…本発明の雑音レベ
ル、Ｂ…従来の雑音レベル。
１７…第一保護層、４、１４…情報記録用薄膜、５、１
３…中間層、６、１２…金属元素を主成分とする薄膜、
７、１７…樹脂、８、１８…ディスク、１１…案内溝を
有する樹脂、１９…第一保護層用ターゲット、２０…第
二保護層用ターゲット、２１…基板、２２…基板の移動
を示す矢印、２３…スパッタ室、Ａ…本発明の雑音レベ
ル、Ｂ…従来の雑音レベル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 礼仁 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号日立マク セル株式会社内 (72)発明者 宮内 靖 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 西田 哲也 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 太田 憲雄 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号日立マク セル株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に形成された記録用ビームの照射を
受けて変化を生ずる情報記録用薄膜を有する記録媒体に
おいて、上記情報記録用薄膜に対して上記記録用ビーム
の入射される側と反対の側に設けられたＳｉを主成分と
する薄膜を具備することを特徴とする記録媒体。 - 【請求項２】基板上に形成された記録用ビームの照射を
受けて変化を生ずる情報記録用薄膜を有する記録媒体に
おいて、上記情報記録用薄膜に対して上記記録用ビーム
の入射される側と反対の側に設けられたＡｌ，Ｃｕ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｐ
ｄ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｂ，
ＢｉおよびＣより成る群より選ばれた少なくとも一者を
主成分とする薄膜と上記情報記録用薄膜との間にＷ，Ｍ
ｏ，Ｃｒのうちの少なくとも一者を主成分とする層を具
備することを特徴とする記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-113715 | 1989-05-08 | ||
| JP11371589 | 1989-05-08 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2110060A Division JPH0373436A (ja) | 1989-05-08 | 1990-04-27 | 情報記録用部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11232694A true JPH11232694A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=14619314
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2110060A Pending JPH0373436A (ja) | 1989-05-08 | 1990-04-27 | 情報記録用部材 |
| JP10333679A Pending JPH11232694A (ja) | 1989-05-08 | 1998-11-25 | 記録媒体 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2110060A Pending JPH0373436A (ja) | 1989-05-08 | 1990-04-27 | 情報記録用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPH0373436A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2967949B2 (ja) * | 1991-06-05 | 1999-10-25 | 三菱化学株式会社 | 光学的情報記録用媒体 |
| EP1515321A4 (en) * | 2002-04-22 | 2009-05-27 | Tdk Corp | OPTICAL RECORDING MEDIUM |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2110060A patent/JPH0373436A/ja active Pending
-
1998
- 1998-11-25 JP JP10333679A patent/JPH11232694A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0373436A (ja) | 1991-03-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010306 |