JPH0373515A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0373515A JPH0373515A JP1209430A JP20943089A JPH0373515A JP H0373515 A JPH0373515 A JP H0373515A JP 1209430 A JP1209430 A JP 1209430A JP 20943089 A JP20943089 A JP 20943089A JP H0373515 A JPH0373515 A JP H0373515A
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- JP
- Japan
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- wafer
- distribution
- temperature
- cooling
- cool plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
レジストをベーキングした後の冷却方法の改良に関し、
簡単且つ容易に製造できるウェーハの周辺部に対応する
領域に加熱手段を具備するクールプレートによりウェー
ハを冷却する半導体装置の製造方法の提供を目的とし、 ウェーハにレジストを塗布してレジスト膜を形成し、該
ウェーハを加熱して前記レジスト膜を硬化させた後、前
記ウェーハ及び前記レジスト膜の温度を常温まで低下さ
せる冷却工程において、前記ウェーへの周辺部を加熱す
ることにより、前記ウェーハ内の温度の均一化を図りつ
つ、前記ウェーハを冷却するよう構成する。
領域に加熱手段を具備するクールプレートによりウェー
ハを冷却する半導体装置の製造方法の提供を目的とし、 ウェーハにレジストを塗布してレジスト膜を形成し、該
ウェーハを加熱して前記レジスト膜を硬化させた後、前
記ウェーハ及び前記レジスト膜の温度を常温まで低下さ
せる冷却工程において、前記ウェーへの周辺部を加熱す
ることにより、前記ウェーハ内の温度の均一化を図りつ
つ、前記ウェーハを冷却するよう構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特にレジスト
をベーキングした後の冷却方法の改良に関するものであ
る。
をベーキングした後の冷却方法の改良に関するものであ
る。
近年の半導体集積回路装置は高集積化が一段り進んでお
り、４ＭＤＲＡＭに代表される半導体集積回路装置にお
いては、回路の線幅が益々小さくなっており、口径の大
きなウェーハにおいて線幅の小さな微細なパターンを高
精度で形成するこＬが必要になっている。
り、４ＭＤＲＡＭに代表される半導体集積回路装置にお
いては、回路の線幅が益々小さくなっており、口径の大
きなウェーハにおいて線幅の小さな微細なパターンを高
精度で形成するこＬが必要になっている。
以上のような状況から微小線幅のパターンを高精度で形
成することが可能な半導体装置の製造方法が要望されて
いる。
成することが可能な半導体装置の製造方法が要望されて
いる。
従来の半導体装置の製造方法を直径が２００ ｔｓのウ
ェーハの場合について第３図〜第４図により詳細に説明
する。
ェーハの場合について第３図〜第４図により詳細に説明
する。
従来のレジストのベーキング処理後の冷却方法は第４図
に示すように、クールプレート１１の表面にレジスト膜
３を形成したウェーハ２を載せ、ウェーハ２とクールプ
レート１１の表面とを接触させて伝導によりウェーハ２
の温度を低下させている。
に示すように、クールプレート１１の表面にレジスト膜
３を形成したウェーハ２を載せ、ウェーハ２とクールプ
レート１１の表面とを接触させて伝導によりウェーハ２
の温度を低下させている。
このクールプレー［１は自然の状態に保たれているので
、その表面の温度分布は第３図（ａｌに示すように、全
面にわたって均一になっている。
、その表面の温度分布は第３図（ａｌに示すように、全
面にわたって均一になっている。
したがってこのような冷却方法においては、ウェーハ２
の面内の中心と周辺部の冷却時間に対するウェーハ２の
温度は、第３図（ｂ）に示すように周辺部が急速に温度
が低下するのに対し、中心の温度の低下は緩やかになっ
ている。即ち、ウェーハ面内の冷却速度の分布は第３図
（Ｃ１に示すように、中心では冷却速度が遅く、周辺部
になるにしたがって冷却速度が速くなっている。
の面内の中心と周辺部の冷却時間に対するウェーハ２の
温度は、第３図（ｂ）に示すように周辺部が急速に温度
が低下するのに対し、中心の温度の低下は緩やかになっ
ている。即ち、ウェーハ面内の冷却速度の分布は第３図
（Ｃ１に示すように、中心では冷却速度が遅く、周辺部
になるにしたがって冷却速度が速くなっている。
第３図（Ｃ）に示すような冷却速度分布の場合には、同
一のレジストにおいては冷却速度が大なる場合には現像
時の感度が大となり、冷却速度が小なる場合には現像時
の感度が小となるので、残膜厚分布は第３図（ｄ）に示
すようになり、同一条件で現像すると周辺部が中心に比
して過度に現像されるようになっている。
一のレジストにおいては冷却速度が大なる場合には現像
時の感度が大となり、冷却速度が小なる場合には現像時
の感度が小となるので、残膜厚分布は第３図（ｄ）に示
すようになり、同一条件で現像すると周辺部が中心に比
して過度に現像されるようになっている。
したがって、この場合のレジストの現像速度分布は第３
図（ｅ）に示すようなものとなっている。
図（ｅ）に示すようなものとなっている。
以上説明した従来の半導体装置の製造方法においては、
クールプレートの表面の温度分布が均一になっているか
ら、このクールプレートの上にウェーハを載せて冷却す
ると周辺部が速く冷却されて現像速度が大きくなり、周
辺部が中心に比して過度に現像されるという問題点があ
った。
クールプレートの表面の温度分布が均一になっているか
ら、このクールプレートの上にウェーハを載せて冷却す
ると周辺部が速く冷却されて現像速度が大きくなり、周
辺部が中心に比して過度に現像されるという問題点があ
った。
本発明は以上のような状況から簡単且つ容易に製造でき
るウェーハの周辺部に対応する領域に加熱手段を具備す
るクールプレートにまりウェーハを冷却する半導体装置
の製造方法の提供を目的としたものである。
るウェーハの周辺部に対応する領域に加熱手段を具備す
るクールプレートにまりウェーハを冷却する半導体装置
の製造方法の提供を目的としたものである。
本発明の半導体装置の製造方法は、ウェーハにレジスト
を塗布してレジスト膜を形成し、このウェーハを加熱し
てこのレジスト膜を硬化させた後、このウェーハ及びこ
のレジスト膜の温度を常温まで低下させる冷却工程にお
いて、このウェーハの周辺部を加熱することにより、ウ
ェーハ内の温度の均一化を図りつつ、ウェーハを冷却す
るよう構成する。
を塗布してレジスト膜を形成し、このウェーハを加熱し
てこのレジスト膜を硬化させた後、このウェーハ及びこ
のレジスト膜の温度を常温まで低下させる冷却工程にお
いて、このウェーハの周辺部を加熱することにより、ウ
ェーハ内の温度の均一化を図りつつ、ウェーハを冷却す
るよう構成する。
即ち本発明においては、ウェーハにレジスト膜を形成し
、このレジスト膜を加熱して硬化させた後、このウェー
ハ及びこのレジスト膜の温度を常温まで低下させる冷却
工程において、冷却速度が大なるこのウェーハの周辺部
に対応する領域に、加熱手段を具備する第１図（ａ）に
示すような温度分布を有するクールプレートを用いてウ
ェーハを冷却し、ウェーハ面内の時間の経過にたいする
温度変化を第１図山）に示すように均一にする、即ち、
ウェーハ面内の冷却速度分布を第１図（Ｃ１に示すよう
に均一にするので、第１図（ｄ）に示すようにレジスト
の残膜厚分布も均一になり、したがって第１図（ｅ）に
示すようにウェーハ面内の現像速度分布が均一になるの
で全面のパターンの線幅が均一になり、高品質の半導体
装置を製造することが可能となる。
、このレジスト膜を加熱して硬化させた後、このウェー
ハ及びこのレジスト膜の温度を常温まで低下させる冷却
工程において、冷却速度が大なるこのウェーハの周辺部
に対応する領域に、加熱手段を具備する第１図（ａ）に
示すような温度分布を有するクールプレートを用いてウ
ェーハを冷却し、ウェーハ面内の時間の経過にたいする
温度変化を第１図山）に示すように均一にする、即ち、
ウェーハ面内の冷却速度分布を第１図（Ｃ１に示すよう
に均一にするので、第１図（ｄ）に示すようにレジスト
の残膜厚分布も均一になり、したがって第１図（ｅ）に
示すようにウェーハ面内の現像速度分布が均一になるの
で全面のパターンの線幅が均一になり、高品質の半導体
装置を製造することが可能となる。
以下第１図〜第２図について本発明の一実施例を説明す
る。
る。
本発明による一実施例は第２図に示すようにり−ルプレ
ートｌの、ウェーハ２の冷却速度が速い周辺部に対応す
る部分に、ヒータ１ａを内蔵させている。
ートｌの、ウェーハ２の冷却速度が速い周辺部に対応す
る部分に、ヒータ１ａを内蔵させている。
このようなり−小プレート１の表面の温度分布は第１図
（ａ）に示すような周辺部の温度が高いものとなり、こ
のようなり−小プレート１の上にウェーハ２を載せて冷
却すると、冷却効果が上記の温度分布を相殺して第１図
（Ｃ）に示すような冷却速度分布になる。
（ａ）に示すような周辺部の温度が高いものとなり、こ
のようなり−小プレート１の上にウェーハ２を載せて冷
却すると、冷却効果が上記の温度分布を相殺して第１図
（Ｃ）に示すような冷却速度分布になる。
したがってウェーハ２面内の現像後の残膜厚分布は第１
図（ｄ）に示すようなものとなり、現像速度分布は第１
図（８１に示すようになるので、現像を行った後のパタ
ーンの線幅が中心部においても、周辺部においても同一
となり、ウェーハ２全面にわたって差異のない高品質の
半導体装置を製造することが可能となる。
図（ｄ）に示すようなものとなり、現像速度分布は第１
図（８１に示すようになるので、現像を行った後のパタ
ーンの線幅が中心部においても、周辺部においても同一
となり、ウェーハ２全面にわたって差異のない高品質の
半導体装置を製造することが可能となる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、極めて
簡単な構造のクールプレートを用いることにより、ウェ
ーハ面内の冷却速度分布を均一にし、ウェーハ面内の残
膜厚分布を均一にし、ウェーハ面内の現像速度分布を均
一にすることが可能となる等の利点があり、著しい品質
向上の効果が期待できる半導体装置の製造方法の提供が
可能である。
簡単な構造のクールプレートを用いることにより、ウェ
ーハ面内の冷却速度分布を均一にし、ウェーハ面内の残
膜厚分布を均一にし、ウェーハ面内の現像速度分布を均
一にすることが可能となる等の利点があり、著しい品質
向上の効果が期待できる半導体装置の製造方法の提供が
可能である。
第１図は本発明の原理図、
第２図は本発明による一実施例を示す側断面図、第３図
は従来のウェーハ冷却方法を説明する図、第４図は従来
のウェーハをクールプレートで冷却する状態を示す側断
面図、である。 図において、 ｌはクールプレート、 １ａはヒータ、 ２はウェーハ、 ３はレジスト膜、 を示す。 −１０００＋１００ 周辺部 中心 周辺部＋ａ＋
クールプレート上の温度分布ｌｄｌ ウェーハ面
内の残１ｌｌｉ軍分布時藺（Ｓ） ｆｂｌ ウェーハロ内の冷却曲線 （ｅ） ウェーハ面内の］ｊＩ像速度分布本発明の原
理図 第 １ 図（その２） ｔｅｌ ウェーハロ内の冷却速度分布本発明の原理図 第 １ 図（そのｌ） 本発明による一実施例を示す側断面図 第２図 ｆａｔ クールプレート上の温度分布 （ｂ） ウェーハ面内の冷却曲線 ｔｃ＋ ウェーハ面内の冷却速度分布 従来のウェーハ冷却方法を説明する図 第 ３ 図（その１） ＋ｄｉ ウェーハ面内の艦腹厚分布 （−） ウェーハ面内の現像速度分布 従来のウェーハ冷却方法を説明する図 第 ３ 図（その２）
は従来のウェーハ冷却方法を説明する図、第４図は従来
のウェーハをクールプレートで冷却する状態を示す側断
面図、である。 図において、 ｌはクールプレート、 １ａはヒータ、 ２はウェーハ、 ３はレジスト膜、 を示す。 −１０００＋１００ 周辺部 中心 周辺部＋ａ＋
クールプレート上の温度分布ｌｄｌ ウェーハ面
内の残１ｌｌｉ軍分布時藺（Ｓ） ｆｂｌ ウェーハロ内の冷却曲線 （ｅ） ウェーハ面内の］ｊＩ像速度分布本発明の原
理図 第 １ 図（その２） ｔｅｌ ウェーハロ内の冷却速度分布本発明の原理図 第 １ 図（そのｌ） 本発明による一実施例を示す側断面図 第２図 ｆａｔ クールプレート上の温度分布 （ｂ） ウェーハ面内の冷却曲線 ｔｃ＋ ウェーハ面内の冷却速度分布 従来のウェーハ冷却方法を説明する図 第 ３ 図（その１） ＋ｄｉ ウェーハ面内の艦腹厚分布 （−） ウェーハ面内の現像速度分布 従来のウェーハ冷却方法を説明する図 第 ３ 図（その２）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェーハ（２）にレジストを塗布してレジスト膜（３）
を形成し、該ウェーハ（２）を加熱して前記レジスト膜
（３）を硬化させた後、前記ウェーハ（２）及び前記レ
ジスト膜（３）の温度を常温まで低下させる冷却工程に
おいて、 前記ウェーハ（２）の周辺部を加熱することにより、前
記ウェーハ（２）内の温度の均一化を図りつつ、前記ウ
ェーハ（２）を冷却することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1209430A JPH0373515A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1209430A JPH0373515A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0373515A true JPH0373515A (ja) | 1991-03-28 |
Family
ID=16572736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1209430A Pending JPH0373515A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0373515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008037620A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Shinko Electric Co Ltd | 部品供給装置、及びトラック調整方法 |
-
1989
- 1989-08-11 JP JP1209430A patent/JPH0373515A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008037620A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Shinko Electric Co Ltd | 部品供給装置、及びトラック調整方法 |
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