JPH0373565A - 基板電位発生回路 - Google Patents
基板電位発生回路Info
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- JPH0373565A JPH0373565A JP1210305A JP21030589A JPH0373565A JP H0373565 A JPH0373565 A JP H0373565A JP 1210305 A JP1210305 A JP 1210305A JP 21030589 A JP21030589 A JP 21030589A JP H0373565 A JPH0373565 A JP H0373565A
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/205—Substrate bias-voltage generators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
- H03K17/6872—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor using complementary field-effect transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は基板電位発生回路に関し、特に半導体集積回路
の基板へ所定の電位を供給する基板電位発生回路に関す
る。
の基板へ所定の電位を供給する基板電位発生回路に関す
る。
従来、この種の基板電位発生回路は、−例として第5図
に示すよりに、インバータI、〜I3を備え所定の周波
数で発振する発振回路lと、インバータエ4*Iiを備
え発振回路lの出力信号を矩形波に整形する回路2と、
トランジスタテ9*Tl(1で形成されたインバータr
tttキャパシタC4及びダイオードD、、D、を備え
負の基板電位Vsubを発生するチャージポンプ回路3
人とを有する構成となっていた。
に示すよりに、インバータI、〜I3を備え所定の周波
数で発振する発振回路lと、インバータエ4*Iiを備
え発振回路lの出力信号を矩形波に整形する回路2と、
トランジスタテ9*Tl(1で形成されたインバータr
tttキャパシタC4及びダイオードD、、D、を備え
負の基板電位Vsubを発生するチャージポンプ回路3
人とを有する構成となっていた。
上述した従来の基板電位発生回路は、半導体集積回路全
体の基板に対し、基板電位vsub ’e安定して供給
するために十分な供給能力が必要であるので、チャージ
ポンプ回路3ムを構成するトランジスタT、、Tl・や
キャパシタ04等を全般的に大きなサイズにし、かつ発
振回路工の発振周波数を比較的高くする必要があり、消
費電流が増大するという欠点があり、lた、自身の高速
スイッチング動作のために発生する基板電流が増大して
、十分に安定した基板電位Vsubを与えることができ
なくなるという欠点がある。
体の基板に対し、基板電位vsub ’e安定して供給
するために十分な供給能力が必要であるので、チャージ
ポンプ回路3ムを構成するトランジスタT、、Tl・や
キャパシタ04等を全般的に大きなサイズにし、かつ発
振回路工の発振周波数を比較的高くする必要があり、消
費電流が増大するという欠点があり、lた、自身の高速
スイッチング動作のために発生する基板電流が増大して
、十分に安定した基板電位Vsubを与えることができ
なくなるという欠点がある。
本発明の目的は、消費電流が増大するのを抑え、かつ安
定して基板電位を供給することができる基板電位発生回
路を提供することにある。
定して基板電位を供給することができる基板電位発生回
路を提供することにある。
本発明の基板電位発生回路は、所定の周波数で発振する
発振回路と、この発振回路の出力信号によりオン・オフ
する第1のトランジスタ、第1のキャパシタ、及び第1
のダイオードを備え電源電圧より高いレベルの電圧を発
生する第Iのチャージポンプ回路と、この第1のチャー
ジポンプ回路から電源電圧より高いレベルの電圧を電源
として前記発振回路の出力信号によりオン・オフする第
2のトランジスタ、第2のキャパシタ、及び第2のダイ
オードを備え所定のレベルの基板電位を発生する第2の
チャージポンプ回路とを有している。
発振回路と、この発振回路の出力信号によりオン・オフ
する第1のトランジスタ、第1のキャパシタ、及び第1
のダイオードを備え電源電圧より高いレベルの電圧を発
生する第Iのチャージポンプ回路と、この第1のチャー
ジポンプ回路から電源電圧より高いレベルの電圧を電源
として前記発振回路の出力信号によりオン・オフする第
2のトランジスタ、第2のキャパシタ、及び第2のダイ
オードを備え所定のレベルの基板電位を発生する第2の
チャージポンプ回路とを有している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の第1の実施例を示す回路図である。
この実施例は、奇数段のインバータエ!〜工3を備え所
定の周波数で発振する発振回路1と、インバータI4.
I、を備え発振回路lの出力信号を矩形波に整形する波
形整形回路2と、この波形整形回路2の出力信号により
オン・オフするP型及びN型のトランジスタT、、T4
で形e、されたインバータエフ、一端をこのインバータ
エフの出力端と接続するキャパシタC25一端を電源端
子(電源電圧Vccl例えば5V)と接続し他端をキャ
パシタC2の他端と接続するダイオードD3、及び−端
をダイオードD3の他端と接続し他端から電源この第1
のチャージポンプ回路4からの電圧Vchを電源として
波形整形回路2の出力信号によりオン・オフするP型及
びN型のトランジスタTl。
定の周波数で発振する発振回路1と、インバータI4.
I、を備え発振回路lの出力信号を矩形波に整形する波
形整形回路2と、この波形整形回路2の出力信号により
オン・オフするP型及びN型のトランジスタT、、T4
で形e、されたインバータエフ、一端をこのインバータ
エフの出力端と接続するキャパシタC25一端を電源端
子(電源電圧Vccl例えば5V)と接続し他端をキャ
パシタC2の他端と接続するダイオードD3、及び−端
をダイオードD3の他端と接続し他端から電源この第1
のチャージポンプ回路4からの電圧Vchを電源として
波形整形回路2の出力信号によりオン・オフするP型及
びN型のトランジスタTl。
T!で形成されたインバータエ・、一端をこのイタC1
の他端と接続するダイオードD2、及び−端金ダイオー
ドD2の他端と接続し他端から負の電位の基板電位Vs
ubを発生するダイオードD1を備えた第2のチャージ
ポンプ回路3とを有する構成となっている。
の他端と接続するダイオードD2、及び−端金ダイオー
ドD2の他端と接続し他端から負の電位の基板電位Vs
ubを発生するダイオードD1を備えた第2のチャージ
ポンプ回路3とを有する構成となっている。
この実施例によると、第2のチャージポンプ回路3を構
成するインバータI4の出力端の振幅が、従来は0−V
cc(5V)であったものが、0〜vch(8■)に拡
がるので、トランジスタ”1*TtやキャパシタC1等
のサイズを大きくしなくても基板電位の供給能力が上り
、安定して基板電位を供給することができ、しかも消費
電Rが増大するのを防止することができる。
成するインバータI4の出力端の振幅が、従来は0−V
cc(5V)であったものが、0〜vch(8■)に拡
がるので、トランジスタ”1*TtやキャパシタC1等
のサイズを大きくしなくても基板電位の供給能力が上り
、安定して基板電位を供給することができ、しかも消費
電Rが増大するのを防止することができる。
第2図は本発明の第2の実施例を示す回路図である。
この実施例は、高電位制御回路5を設け、インバータI
4[源の電圧Vchが高くなυすぎてトランジスタT1
. T2が破壊されるのを防止し、信頼性の向上をはか
るより((したものである。
4[源の電圧Vchが高くなυすぎてトランジスタT1
. T2が破壊されるのを防止し、信頼性の向上をはか
るより((したものである。
高電圧制御回路5は、チャージポンプ回路4からの電圧
Vchが予め設定された電圧VchM■を越えたか否か
を検知する高電位検知部51と、インバータI8と、N
ANDゲートGlとを備え、電圧VehがVch WA
Xを越えると、波形整形回路2の出力信号をチャージポ
ンプ回路4へ伝達しないよりにして電圧Vchの最高電
位を制御している。
Vchが予め設定された電圧VchM■を越えたか否か
を検知する高電位検知部51と、インバータI8と、N
ANDゲートGlとを備え、電圧VehがVch WA
Xを越えると、波形整形回路2の出力信号をチャージポ
ンプ回路4へ伝達しないよりにして電圧Vchの最高電
位を制御している。
高電位検知部51の入出力特性は第3図のとDすであり
、その具体的な回路例は第4図のとかりである。
、その具体的な回路例は第4図のとかりである。
なレキャバ7りC3は、電圧Vchの急激な変化を防止
するためのものである。
するためのものである。
以上説明したよりに本発明は、基板電位を発生するチャ
ージポンプ回路の、発振回路の出力によってオン・オフ
するトランジスタを、他のチヤージポンプ回路によって
発生する通常の電源電圧よシ高い電圧を電源として駆動
する構成とすることにより、トランジスタやキャパシタ
等のサイズを大きくしなくても基板電位の供給能力を上
げることができるので、安定して基板電位を供給するこ
とができ、かつ消費電流が増大するのを防止することが
でさる効果がある。
ージポンプ回路の、発振回路の出力によってオン・オフ
するトランジスタを、他のチヤージポンプ回路によって
発生する通常の電源電圧よシ高い電圧を電源として駆動
する構成とすることにより、トランジスタやキャパシタ
等のサイズを大きくしなくても基板電位の供給能力を上
げることができるので、安定して基板電位を供給するこ
とができ、かつ消費電流が増大するのを防止することが
でさる効果がある。
第1図及び第2図はそれぞれ本発明の第1及びj12の
実施例を示す回路図、第3図及び第4図はそれぞれ+4
2図に示された実施例の高電位検知部の入出力特性図及
び具体的な回路例を示す回路図、第5図は従来の基板電
位発生回路の一例を示す回路図である。 l・・・・・・発振回路、2・・・・・・波形整形回路
% 313 A +4・・・・・・チャージポンプ回路
、5・・・・・・高電位制御回路、51・・・・・・高
電位検知部、C1〜C4・・・・・・キャパシタ、D1
〜D6・・・・・・ダイオード、G1−・・・・−NA
NDゲート、I、−4,□…・・・インバータ、TIN
T菫。 ・・・・・・トランジスタ@
実施例を示す回路図、第3図及び第4図はそれぞれ+4
2図に示された実施例の高電位検知部の入出力特性図及
び具体的な回路例を示す回路図、第5図は従来の基板電
位発生回路の一例を示す回路図である。 l・・・・・・発振回路、2・・・・・・波形整形回路
% 313 A +4・・・・・・チャージポンプ回路
、5・・・・・・高電位制御回路、51・・・・・・高
電位検知部、C1〜C4・・・・・・キャパシタ、D1
〜D6・・・・・・ダイオード、G1−・・・・−NA
NDゲート、I、−4,□…・・・インバータ、TIN
T菫。 ・・・・・・トランジスタ@
Claims (1)
- 所定の周波数で発振する発振回路と、この発振回路の出
力信号によりオン・オフする第1のトランジスタ、第1
のキャパシタ、及び第1のダイオードを備え電源電圧よ
り高いレベルの電圧を発生する第1のチャージポンプ回
路と、この第1のチャージポンプ回路からの電源電圧よ
り高いレベルの電圧を電源として前記発振回路の出力信
号によりオン・オフする第2のトランジスタ、第2のキ
ャパシタ、及び第2のダイオードを備え所定のレベルの
基板電位を発生する第2のチャージポンプ回路とを有す
ることを特徴とする基板電位発生回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1210305A JP2780365B2 (ja) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | 基板電位発生回路 |
| US07/566,913 US5041739A (en) | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Substrate potential generating circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1210305A JP2780365B2 (ja) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | 基板電位発生回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0373565A true JPH0373565A (ja) | 1991-03-28 |
| JP2780365B2 JP2780365B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=16587209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1210305A Expired - Fee Related JP2780365B2 (ja) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | 基板電位発生回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5041739A (ja) |
| JP (1) | JP2780365B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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