JPH0373984B2 - - Google Patents
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- JPH0373984B2 JPH0373984B2 JP58164107A JP16410783A JPH0373984B2 JP H0373984 B2 JPH0373984 B2 JP H0373984B2 JP 58164107 A JP58164107 A JP 58164107A JP 16410783 A JP16410783 A JP 16410783A JP H0373984 B2 JPH0373984 B2 JP H0373984B2
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- mercury lamp
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- type mercury
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/04—Electrodes; Screens; Shields
- H01J61/06—Main electrodes
- H01J61/073—Main electrodes for high-pressure discharge lamps
- H01J61/0732—Main electrodes for high-pressure discharge lamps characterised by the construction of the electrode
Landscapes
- Discharge Lamp (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
本発明は、紫外線を利用して回路パターンの焼
付を行なうための半導体露光装置に関するもので
ある。 IC、LSI、超LSIなどの半導体電子回路の回路
パターンの焼付においては、通常シリコンウエハ
ーなどより成る基板上に紫外線感光性の樹脂層を
積層して設け、この樹脂層に回路パターンを介し
て紫外線を含む光を照射して焼付が行なわれる。
このような焼付に用いられる半導体露光装置にお
いては紫外線の放射効率がよいことからシヨート
アーク型水銀灯が露光用の光源として広く用いら
れている。 然るに最近、半導体電子回路の高集積化と共に
生産コストの低減等が強く要求されるようにな
り、このことから半導体露光装置においても、露
光用光源であるシヨートアーク型水銀灯の使用寿
命の延長を図ることが増々強く要求されるように
なつてきている。 従来の半導体露光装置に露光用光源として用い
られているシヨートアーク型水銀灯の一例を第１
図に示す。第２図は第１図の要部を拡大して示す
説明図である。図において、１は石英ガラス製封
体であり、この封体１は中央の発光部囲繞部１１
と両端の封止部１２Ａ，１２Ｂとにより構成され
ている。封止部１２Ａ，１２Ｂの外周には耐熱性
接着剤２Ａ，２Ｂを介して金属より成る口金３
Ａ，３Ｂが設けられている。 ４は陰極であり、この陰極４の長尺な柱状部４
１とコーン状先端部４２とより成り、柱状部４１
が封止部１２Ａを介して封体１内に突出して伸
び、かつ封止部１２Ａにおいて柱状部４１には封
止部１２Ａのガラス部分が気密に溶着している。
柱状部４１の封体１内に露出している外周部分に
は放熱用コイル５が巻回されており、コーン状先
端部４２は封体１内において後述する陽極と対向
して配置されている。 ６は陽極であり、この陽極６はリード棒６１の
一端に固定されており、リード棒６１の他端は封
止部１２Ｂの外方に突出して伸びかつ封止部１２
Ｂにおいてリード棒６１には封止部１２Ｂのガラ
ス部分が気密に溶着している。 陰極４の柱状部４１の外径Ｄは約0.5〜0.6mm程
度であり、コーン状先端部４２の頂角ａは約20度
程度である。これは柱状部４１の外径Ｄを大きく
すると点灯時における熱膨脹による外径の増加分
が大きくなつて封止部１２Ａにクラツクが発生し
易くなること、点灯起動を容易なものとするため
には陰極４の先端は鋭くとがつている方がよいこ
となどの理由によるものである。そして放熱用コ
イル５の長さｌは最大でも3.5mm程度である。 電極間距離即ちアーク長Ｌは例えば0.5mm程度
と極めて短く、アークはいわば点状とされ、この
アークが光学系の焦点に位置するようシヨートア
ーク型水銀灯１００が光学系に取付けられる。 半導体電子回路の露光焼付においては、半導体
ウエハーを照明する被照射面での光の照度の均一
性及び照度の大きさの一定性などの露光特性が特
に厳しく要求されるが、このような露光特性はシ
ヨートアーク型水銀灯１００におけるアークの状
態に密接に関係しており、アーク長Ｌが例えば30
％以上も長くなると、光学系による集光が不良と
なり、その結果上記被照射面での性能が著しく悪
化し、露光用光源としては使用に耐えないものと
なる。 このようなことから、アーク長Ｌの変化しない
ものが露光用光源として長時間に亘り使用が可能
であるといえるが、しかしながら、上述の従来の
シヨートアーク型水銀灯１００においては、陰極
４の形状において、柱状部４１の外径Ｄが小さ
く、しかもコーン状先端部４２の頂角ａが小さい
ため、点灯時においてコーン状先端部４２の材料
物質が容易に蒸発して当該先端部４２が損耗し易
く、この結果電極間距離即ちアーク長Ｌが長くな
つて早期に露光用光源として使用に耐えないもの
となる問題点を有している。 本発明は以上の如き事情に基いてなされたもの
であつて、シヨートアーク型水銀灯のアーク長の
変化を抑止し、長期間に亘り良好な露光焼付を行
なうことができる半導体露光装置を提供すること
を目的とし、その特徴とするところは、封止部を
介して封体内に突出して伸びるよう、外径が1.0
〜1.5mmの柱状部と頂角が30〜45度のコーン状先
端部とより成る陰極を設け、封止部の陰極外周を
囲む部分に封体内部空間に連通する筒状凹部を設
け、陰極の柱状部における筒状凹部内に位置する
部分及び封体内方に突出する部分に放熱用コイル
を巻回して設けて成るシヨートアーク型水銀灯を
組み込んだ点にある。 以下図面により本発明の一実施例を説明する。 第３図は露光用の光源として用いるシヨートア
ーク型水銀灯１００の一例を示す説明図、第４図
はその要部の拡大図である。 ７は陰極であり、この陰極７は、外径Ｄが1.0
〜1.5mmである長尺な柱状部７１と、頂角ａが30
〜45度のコーン状先端部７２とにより構成されて
いる。 ８は石英ガラス製封体であり、この封体８は中
央の発光部囲繞部８１と両端の封止部８２Ａ，８
２Ｂとにより構成され、一方の封止部８２Ａにお
いて陰極７の柱状部７１には当該封止部８２Ａの
ガラス部分が気密に溶着し、そのコーン状先端部
７２が発光部囲繞部８１内に突出して伸びるよう
位置され、柱状部７１の外端部７３が封止部８２
Ａの外方において口金３Ａと電気的に接続されて
いる。この封止部８２Ａの陰極７の外周を囲む部
分には、陰極７の柱状部７１の外径Ｄよりは大き
な内径の筒状凹部９が封体８の内部空間に連通し
て設けられており、この筒状凹部９のほぼ中央に
陰極７の柱状部７１が位置されている。この筒状
凹部９の深さｄは0.5〜1.5mm程度であり、その内
径Dinは1.5〜2.5mm程度である。 ５１は陰極７の柱状部７１の外周に巻回して設
けた放熱用コイルであり、この放熱用コイル５１
は、柱状部７１における前記筒状凹部９内に位置
する部分及び封体８の内方に突出する部分、即ち
柱状部７１の封体８内に露出する部分のほぼ全体
に亘つて設けられている。 他の部分については第１図に示した構成と同様
であり、同一部分には同一符号を付して示す。 このシヨートアーク型水銀灯１００の消費電力
は例えば50〜120W程度である。 シヨートアーク型水銀灯１００の具体的構成例
を下記第１表に示す。
付を行なうための半導体露光装置に関するもので
ある。 IC、LSI、超LSIなどの半導体電子回路の回路
パターンの焼付においては、通常シリコンウエハ
ーなどより成る基板上に紫外線感光性の樹脂層を
積層して設け、この樹脂層に回路パターンを介し
て紫外線を含む光を照射して焼付が行なわれる。
このような焼付に用いられる半導体露光装置にお
いては紫外線の放射効率がよいことからシヨート
アーク型水銀灯が露光用の光源として広く用いら
れている。 然るに最近、半導体電子回路の高集積化と共に
生産コストの低減等が強く要求されるようにな
り、このことから半導体露光装置においても、露
光用光源であるシヨートアーク型水銀灯の使用寿
命の延長を図ることが増々強く要求されるように
なつてきている。 従来の半導体露光装置に露光用光源として用い
られているシヨートアーク型水銀灯の一例を第１
図に示す。第２図は第１図の要部を拡大して示す
説明図である。図において、１は石英ガラス製封
体であり、この封体１は中央の発光部囲繞部１１
と両端の封止部１２Ａ，１２Ｂとにより構成され
ている。封止部１２Ａ，１２Ｂの外周には耐熱性
接着剤２Ａ，２Ｂを介して金属より成る口金３
Ａ，３Ｂが設けられている。 ４は陰極であり、この陰極４の長尺な柱状部４
１とコーン状先端部４２とより成り、柱状部４１
が封止部１２Ａを介して封体１内に突出して伸
び、かつ封止部１２Ａにおいて柱状部４１には封
止部１２Ａのガラス部分が気密に溶着している。
柱状部４１の封体１内に露出している外周部分に
は放熱用コイル５が巻回されており、コーン状先
端部４２は封体１内において後述する陽極と対向
して配置されている。 ６は陽極であり、この陽極６はリード棒６１の
一端に固定されており、リード棒６１の他端は封
止部１２Ｂの外方に突出して伸びかつ封止部１２
Ｂにおいてリード棒６１には封止部１２Ｂのガラ
ス部分が気密に溶着している。 陰極４の柱状部４１の外径Ｄは約0.5〜0.6mm程
度であり、コーン状先端部４２の頂角ａは約20度
程度である。これは柱状部４１の外径Ｄを大きく
すると点灯時における熱膨脹による外径の増加分
が大きくなつて封止部１２Ａにクラツクが発生し
易くなること、点灯起動を容易なものとするため
には陰極４の先端は鋭くとがつている方がよいこ
となどの理由によるものである。そして放熱用コ
イル５の長さｌは最大でも3.5mm程度である。 電極間距離即ちアーク長Ｌは例えば0.5mm程度
と極めて短く、アークはいわば点状とされ、この
アークが光学系の焦点に位置するようシヨートア
ーク型水銀灯１００が光学系に取付けられる。 半導体電子回路の露光焼付においては、半導体
ウエハーを照明する被照射面での光の照度の均一
性及び照度の大きさの一定性などの露光特性が特
に厳しく要求されるが、このような露光特性はシ
ヨートアーク型水銀灯１００におけるアークの状
態に密接に関係しており、アーク長Ｌが例えば30
％以上も長くなると、光学系による集光が不良と
なり、その結果上記被照射面での性能が著しく悪
化し、露光用光源としては使用に耐えないものと
なる。 このようなことから、アーク長Ｌの変化しない
ものが露光用光源として長時間に亘り使用が可能
であるといえるが、しかしながら、上述の従来の
シヨートアーク型水銀灯１００においては、陰極
４の形状において、柱状部４１の外径Ｄが小さ
く、しかもコーン状先端部４２の頂角ａが小さい
ため、点灯時においてコーン状先端部４２の材料
物質が容易に蒸発して当該先端部４２が損耗し易
く、この結果電極間距離即ちアーク長Ｌが長くな
つて早期に露光用光源として使用に耐えないもの
となる問題点を有している。 本発明は以上の如き事情に基いてなされたもの
であつて、シヨートアーク型水銀灯のアーク長の
変化を抑止し、長期間に亘り良好な露光焼付を行
なうことができる半導体露光装置を提供すること
を目的とし、その特徴とするところは、封止部を
介して封体内に突出して伸びるよう、外径が1.0
〜1.5mmの柱状部と頂角が30〜45度のコーン状先
端部とより成る陰極を設け、封止部の陰極外周を
囲む部分に封体内部空間に連通する筒状凹部を設
け、陰極の柱状部における筒状凹部内に位置する
部分及び封体内方に突出する部分に放熱用コイル
を巻回して設けて成るシヨートアーク型水銀灯を
組み込んだ点にある。 以下図面により本発明の一実施例を説明する。 第３図は露光用の光源として用いるシヨートア
ーク型水銀灯１００の一例を示す説明図、第４図
はその要部の拡大図である。 ７は陰極であり、この陰極７は、外径Ｄが1.0
〜1.5mmである長尺な柱状部７１と、頂角ａが30
〜45度のコーン状先端部７２とにより構成されて
いる。 ８は石英ガラス製封体であり、この封体８は中
央の発光部囲繞部８１と両端の封止部８２Ａ，８
２Ｂとにより構成され、一方の封止部８２Ａにお
いて陰極７の柱状部７１には当該封止部８２Ａの
ガラス部分が気密に溶着し、そのコーン状先端部
７２が発光部囲繞部８１内に突出して伸びるよう
位置され、柱状部７１の外端部７３が封止部８２
Ａの外方において口金３Ａと電気的に接続されて
いる。この封止部８２Ａの陰極７の外周を囲む部
分には、陰極７の柱状部７１の外径Ｄよりは大き
な内径の筒状凹部９が封体８の内部空間に連通し
て設けられており、この筒状凹部９のほぼ中央に
陰極７の柱状部７１が位置されている。この筒状
凹部９の深さｄは0.5〜1.5mm程度であり、その内
径Dinは1.5〜2.5mm程度である。 ５１は陰極７の柱状部７１の外周に巻回して設
けた放熱用コイルであり、この放熱用コイル５１
は、柱状部７１における前記筒状凹部９内に位置
する部分及び封体８の内方に突出する部分、即ち
柱状部７１の封体８内に露出する部分のほぼ全体
に亘つて設けられている。 他の部分については第１図に示した構成と同様
であり、同一部分には同一符号を付して示す。 このシヨートアーク型水銀灯１００の消費電力
は例えば50〜120W程度である。 シヨートアーク型水銀灯１００の具体的構成例
を下記第１表に示す。
【表】
すなわち本発明で用いるシヨートアーク型水銀
灯とは、直流電源で駆動される高圧若しくは超高
圧のシヨートアーク型水銀灯であり、点灯時にお
ける封体内圧力は上記構成例を含めて約７〜30気
圧の範囲内のものである。 斯かる構成のシヨートアーク型水銀灯１００を
露光用光源として用い、適宜の光学系に組み込ん
で露光装置を構成する。 以上のような半導体露光装置によれば、シヨー
トアーク型水銀灯１００において、陰極７の柱状
部７１の外径Ｄが1.0〜1.5mmであり、かつコーン
状先端部７２の頂角ａが30〜45度であることか
ら、陰極７の先端の機械的強度が従来に比して大
きくなり、このため点灯時における陰極７の先端
の損耗が小さく抑制され、この結果アーク長Ｌが
長くなることが抑止されてアーク長Ｌが所期の長
さに長期間安定して維持される。一方封止部８２
Ａの陰極７の柱状部７１を囲む部分に筒状凹部９
を設けて当該柱状部７１の封体８内に露出する長
さを大きくしてこの柱状部７１の露出する部分の
ほぼ全体に亘つて放熱用コイル５１を巻回して設
けているため、シヨートアーク型水銀灯１００を
大きくすることなくその全長は従来と同程度とし
ながら放熱用コイル５１の長さｌを従来に比して
長くすることができ、従つて大きな放熱効果が得
られて陰極７の温度上昇が従来よりは小さくな
り、この結果柱状部７１の外径Ｄが従来より大き
い割には熱膨脹による外径Ｄの増加分が従来と同
等若しくはそれ以下に抑制されて封止部８２Ａに
クラツクが発生することが抑止される。 このように、陰極７を従来よりは太くしたこと
により生じ易い封止部８２Ａのクラツク発生の問
題点をシヨートアーク型水銀灯１００の全長を大
きくすることなく放熱用コイル５１の長さを長く
することにより解決し、この結果従来と同程度の
小型の構造でありながら陰極７の損耗を著しく抑
制することができてアーク長さ長期間一定とする
ことができ、結局半導体電子回路の露光焼付を長
期間に亘り良好に行なうことができ、生産コスト
の低減化に大きく貢献することができる。 因みに第１図に示した構成のシヨートアーク型
水銀灯を組み込んだ半導体露光装置においては、
約200時間の使用によりアーク長が30％以上も長
くなつて使用に耐えないものとなつたのに対し、
第１表に示した構成のシヨートアーク型水銀灯を
組み込んだ半導体露光装置において同様の条件で
試験したところ約400時間に至るまでアーク長に
ほとんど変化が見られず良好な露光焼付を行なう
ことができ、使用寿命は２倍以上に延びた。 以上において、陰極７の柱状部７１の外径Ｄが
1.0mm未満の場合には陰極７の先端の損耗防止の
効果が小さく、逆に1.5mmを越える場合には熱膨
脹による外径Ｄの増加分が大きくなりすぎて封止
部８２Ａにクラツクが発生し易くなる。陰極７の
コーン状先端部７２の頂角ａが30度未満の場合に
は陰極７の先端が脆くなつて損耗し易くなり、逆
に45度を越える場合にはアークの発生が不安定と
なり易い。 以上本発明の一実施例について説明したが、本
発明においては種々変更が可能であつて、シヨー
トアーク型水銀灯１００のアークの光をどのよう
な光学系によつて集光整形するかは自由に選定し
てよい。 以上のように本発明は、封止部を介して封体内
に突出して伸びるよう、外径が1.0〜1.5mmの柱状
部と頂角が30〜45度のコーン状先端部とより成る
陰極を設け、封止部の陰極外周を囲む部分に封体
内部空間に連通する筒状凹部を設け、陰極の柱状
部における筒状凹部内に位置する部分及び封体内
方に突出する部分に放熱用コイルを巻回して設け
て成るシヨートアーク型水銀灯を組み込んだこと
を特徴とする半導体露光装置であるから、シヨー
トアーク型水銀灯のアーク長の変化を抑止し、長
期間に亘り良好な露光焼付を行なうことができる
半導体露光装置を提供することができる。
灯とは、直流電源で駆動される高圧若しくは超高
圧のシヨートアーク型水銀灯であり、点灯時にお
ける封体内圧力は上記構成例を含めて約７〜30気
圧の範囲内のものである。 斯かる構成のシヨートアーク型水銀灯１００を
露光用光源として用い、適宜の光学系に組み込ん
で露光装置を構成する。 以上のような半導体露光装置によれば、シヨー
トアーク型水銀灯１００において、陰極７の柱状
部７１の外径Ｄが1.0〜1.5mmであり、かつコーン
状先端部７２の頂角ａが30〜45度であることか
ら、陰極７の先端の機械的強度が従来に比して大
きくなり、このため点灯時における陰極７の先端
の損耗が小さく抑制され、この結果アーク長Ｌが
長くなることが抑止されてアーク長Ｌが所期の長
さに長期間安定して維持される。一方封止部８２
Ａの陰極７の柱状部７１を囲む部分に筒状凹部９
を設けて当該柱状部７１の封体８内に露出する長
さを大きくしてこの柱状部７１の露出する部分の
ほぼ全体に亘つて放熱用コイル５１を巻回して設
けているため、シヨートアーク型水銀灯１００を
大きくすることなくその全長は従来と同程度とし
ながら放熱用コイル５１の長さｌを従来に比して
長くすることができ、従つて大きな放熱効果が得
られて陰極７の温度上昇が従来よりは小さくな
り、この結果柱状部７１の外径Ｄが従来より大き
い割には熱膨脹による外径Ｄの増加分が従来と同
等若しくはそれ以下に抑制されて封止部８２Ａに
クラツクが発生することが抑止される。 このように、陰極７を従来よりは太くしたこと
により生じ易い封止部８２Ａのクラツク発生の問
題点をシヨートアーク型水銀灯１００の全長を大
きくすることなく放熱用コイル５１の長さを長く
することにより解決し、この結果従来と同程度の
小型の構造でありながら陰極７の損耗を著しく抑
制することができてアーク長さ長期間一定とする
ことができ、結局半導体電子回路の露光焼付を長
期間に亘り良好に行なうことができ、生産コスト
の低減化に大きく貢献することができる。 因みに第１図に示した構成のシヨートアーク型
水銀灯を組み込んだ半導体露光装置においては、
約200時間の使用によりアーク長が30％以上も長
くなつて使用に耐えないものとなつたのに対し、
第１表に示した構成のシヨートアーク型水銀灯を
組み込んだ半導体露光装置において同様の条件で
試験したところ約400時間に至るまでアーク長に
ほとんど変化が見られず良好な露光焼付を行なう
ことができ、使用寿命は２倍以上に延びた。 以上において、陰極７の柱状部７１の外径Ｄが
1.0mm未満の場合には陰極７の先端の損耗防止の
効果が小さく、逆に1.5mmを越える場合には熱膨
脹による外径Ｄの増加分が大きくなりすぎて封止
部８２Ａにクラツクが発生し易くなる。陰極７の
コーン状先端部７２の頂角ａが30度未満の場合に
は陰極７の先端が脆くなつて損耗し易くなり、逆
に45度を越える場合にはアークの発生が不安定と
なり易い。 以上本発明の一実施例について説明したが、本
発明においては種々変更が可能であつて、シヨー
トアーク型水銀灯１００のアークの光をどのよう
な光学系によつて集光整形するかは自由に選定し
てよい。 以上のように本発明は、封止部を介して封体内
に突出して伸びるよう、外径が1.0〜1.5mmの柱状
部と頂角が30〜45度のコーン状先端部とより成る
陰極を設け、封止部の陰極外周を囲む部分に封体
内部空間に連通する筒状凹部を設け、陰極の柱状
部における筒状凹部内に位置する部分及び封体内
方に突出する部分に放熱用コイルを巻回して設け
て成るシヨートアーク型水銀灯を組み込んだこと
を特徴とする半導体露光装置であるから、シヨー
トアーク型水銀灯のアーク長の変化を抑止し、長
期間に亘り良好な露光焼付を行なうことができる
半導体露光装置を提供することができる。
第１図は従来の半導体露光装置に用いられてい
るシヨートアーク型水銀灯の一例を示す説明用断
面図、第２図は第１図の要部を拡大して示す説明
用断面図、第３図は本発明半導体露光装置に用い
ることができるシヨートアーク型水銀灯の一例を
示す説明用断面図、第４図は第３図の要部を拡大
して示す説明用断面図である。 １……封体、１１……発光部囲繞部、１２Ａ，
１２Ｂ……封止部、２Ａ，２Ｂ……接着剤、３
Ａ，３Ｂ……口金、４……陰極、４１……柱状
部、４２……コーン状先端部、５……放熱用コイ
ル、６……陽極、１００……シヨートアーク型水
銀灯、７……陰極、７１……柱状部、７２……コ
ーン状先端部、８……封体、８１……発光部囲繞
部、８２Ａ，８２Ｂ……封止部、９……筒状凹
部、５１……放熱用コイル。
るシヨートアーク型水銀灯の一例を示す説明用断
面図、第２図は第１図の要部を拡大して示す説明
用断面図、第３図は本発明半導体露光装置に用い
ることができるシヨートアーク型水銀灯の一例を
示す説明用断面図、第４図は第３図の要部を拡大
して示す説明用断面図である。 １……封体、１１……発光部囲繞部、１２Ａ，
１２Ｂ……封止部、２Ａ，２Ｂ……接着剤、３
Ａ，３Ｂ……口金、４……陰極、４１……柱状
部、４２……コーン状先端部、５……放熱用コイ
ル、６……陽極、１００……シヨートアーク型水
銀灯、７……陰極、７１……柱状部、７２……コ
ーン状先端部、８……封体、８１……発光部囲繞
部、８２Ａ，８２Ｂ……封止部、９……筒状凹
部、５１……放熱用コイル。
Claims (1)
- １ 封止部を介して封体内に突出して伸びるよ
う、外径が1.0〜1.5mmの柱状部と頂角が30〜45度
のコーン状先端部とより成る陰極を設け、封止部
の陰極外周を囲む部分に封体内部空間に連通する
筒状凹部を設け、陰極の柱状部における筒状凹部
内に位置する部分及び封体内方に突出する部分に
放熱用コイルを巻回して設けて成るシヨートアー
ク型水銀灯を組み込んだことを特徴とする半導体
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164107A JPS6056346A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164107A JPS6056346A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 半導体露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6056346A JPS6056346A (ja) | 1985-04-01 |
| JPH0373984B2 true JPH0373984B2 (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=15786887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58164107A Granted JPS6056346A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 半導体露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6056346A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02304857A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Ushio Inc | ショートアーク型高圧水銀蒸気ランプ |
| JPH03225742A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-04 | Ushio Inc | ショートアーク放電灯 |
| JP3298453B2 (ja) * | 1997-03-18 | 2002-07-02 | ウシオ電機株式会社 | ショートアーク型放電ランプ |
-
1983
- 1983-09-08 JP JP58164107A patent/JPS6056346A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6056346A (ja) | 1985-04-01 |
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