JPH037399B2 - - Google Patents

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JPH037399B2
JPH037399B2 JP60123089A JP12308985A JPH037399B2 JP H037399 B2 JPH037399 B2 JP H037399B2 JP 60123089 A JP60123089 A JP 60123089A JP 12308985 A JP12308985 A JP 12308985A JP H037399 B2 JPH037399 B2 JP H037399B2
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JP
Japan
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transistor
voltage
phototransistor
emitter
light emitting
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JP60123089A
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Inventor
Shinichi Ito
Kenji Takenaka
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、アイロンの電源を切忘れて放置して
いた場合、この切忘れを自動的に検知するアイロ
ンに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to an iron that automatically detects if the iron has been left unattended with the power turned off.

従来の技術 従来、アイロンの電源切忘れ検知センサとし
て、水銀スイツチを用いたものがあつた。すなわ
ち、アイロンの使用時には、アイロンの往復運動
により水銀が動き、接点間をオン、オフし、不使
用時には接点間はオンあるいはオフのまま保持
し、この電圧を検知し使用中であるかあるいは不
使用中であるかを判定し、電源切忘れ検知をしよ
うとするものであつた。
Conventional Technology Conventionally, a mercury switch has been used as a sensor for detecting whether the iron has been turned off. In other words, when the iron is used, the mercury moves due to the reciprocating motion of the iron, turning the contacts on and off, and when not in use, the contacts remain on or off, and this voltage is detected to determine whether the iron is in use or not. The purpose was to determine whether the device was in use and to detect if the device had been forgotten to turn off.

発明が解決しようとする問題点 このような従来の水銀スイツチ方式では、水銀
を封じ込める必要があり、スイツチを構成する困
難さがあつた。
Problems to be Solved by the Invention In such a conventional mercury switch system, it was necessary to contain the mercury, and it was difficult to construct the switch.

問題点を解決するための手段 本発明は従来の水銀スイツチ方式をやめ、発光
ダイオードおよびホトトランジスタよりなる受発
光素子を用いて、アイロンを使用中には発光ダイ
オードとホトトランジスタ上を球がころがり、ハ
イ・ロウの変化する信号を得、アイロンの不使用
時には球は停止しているため、出力信号はハイま
たはロウで保持されるようになし、この電圧変化
を検知して電源の切り忘れ報知を行なおうとする
もので、この検知をホトトランジスタの出力電流
を規定の抵抗器に流し、抵抗器の両端電圧をトラ
ンジスタのベース、エミツタ間に印加し、トラン
ジスタのベースとエミツタ間の電圧がある規定の
値(以下VBEと記す)以上にならないとベース電
流が流れない特性を利用したスイツチング回路よ
りなる検出回路で検知し、かつこの検出回路と発
光ダイオードを直列に接続して、検出回路に必要
な電流を発光ダイオードに流すよう構成するもの
である。
Means for Solving the Problems The present invention eliminates the conventional mercury switch method and uses a light-receiving and emitting element consisting of a light-emitting diode and a phototransistor.While the iron is in use, a ball rolls on the light-emitting diode and phototransistor. Since the bulb is stopped when the iron is not in use, the output signal is held high or low, and this voltage change is detected to notify the user that the power has been turned off. This is done by passing the output current of the phototransistor through a specified resistor, applying the voltage across the resistor between the base and emitter of the transistor, and setting the voltage between the base and emitter of the transistor to a specified value. Detection is performed by a detection circuit consisting of a switching circuit that utilizes the characteristic that the base current does not flow unless the base current exceeds a value (hereinafter referred to as V BE ), and this detection circuit and a light emitting diode are connected in series to generate the necessary power for the detection circuit. It is configured to allow current to flow through the light emitting diode.

作 用 この構成により、球が発光ダイオードおよびホ
トトランジスタ上にないとき(発光ダイオードか
ら出力された光はケース内の乱反射によりわずか
な光がホトトランジスタに入る)、ホトトランジ
スタにわずかの電流が流れ、このとき、トランジ
スタのベース、エミツタ間に印加される電圧は少
さく、トランジスタのVBE以下でトランジスタは
オフである。一方、球が発光ダイオードおよびホ
トトランジスタ上にあるとき、発光ダイオードか
ら出た光は球に反射されホトランジスタに入り、
従つて、ホトトランジスタに大きな電流が流れ、
トランジスタのベース、エミツタ間にVBEを越え
る大きな電圧が印加され、トランジスタはオンす
る。
Effect With this configuration, when the bulb is not above the light emitting diode and phototransistor (a small amount of light output from the light emitting diode enters the phototransistor due to diffuse reflection inside the case), a small amount of current flows through the phototransistor. At this time, the voltage applied between the base and emitter of the transistor is small, and the transistor is off when it is below the transistor's V BE . On the other hand, when the sphere is above the light emitting diode and phototransistor, the light emitted from the light emitting diode is reflected by the sphere and enters the phototransistor.
Therefore, a large current flows through the phototransistor,
A large voltage exceeding V BE is applied between the base and emitter of the transistor, turning the transistor on.

このように、アイロンの使用中には球のころが
りによりトランジスタはオン・オフし、信号を得
ることができる。また、アイロンを使つてない時
には球はホトトランジスタおよび発光ダイオード
からはずれた所あるいはその上に停止するため、
トランジスタはオフあるいはオンで保持してい
る。このトランジスタがオン・オフしているか、
オンあるいはオフで保持しているかを検知して、
アイロンを使用中か不使用中かを判定し、電源の
切忘れを検知する。
In this way, while the iron is in use, the rolling of the ball turns the transistor on and off, allowing a signal to be obtained. Also, when the iron is not in use, the bulb stops at or above the phototransistor and light emitting diode.
The transistor is held off or on. Is this transistor on or off?
Detects whether it is held on or off,
Determines whether the iron is in use or not and detects if you forget to turn off the power.

さらに検出回路と発光ダイオードを直列に接続
しているため、検出回路に必要な電流を発光ダイ
オードに流し、別に発光ダイオードに電流が必要
という構成にしないため、消費電流が少なく簡単
な電源回路で回路が構成される。
Furthermore, since the detection circuit and the light-emitting diode are connected in series, the current required for the detection circuit is passed through the light-emitting diode, and the light-emitting diode does not require a separate current, so the circuit can be completed using a simple power supply circuit with low current consumption. is configured.

実施例 以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。第1図は本発明のアイロンの電源切忘れ検知
回路の一実施例を示す。VACは交流電源電圧で、
抵抗R1により電圧を降下させ、ダイオードD1
整流している。コンデンサC1,C2は平滑用コン
デンサ、ZD1は定電圧用ツエナダイオードであ
る。LEDは発光ダイオードで、抵抗R2により
LEDに流す電流を制限している。Q1はホトトラ
ンジスタ、Q2はトランジスタ、抵抗R3はホトト
ランジスタQ1の出力電流を流し、抵抗R3の電圧
降下分をトランジスタQ2のベース、エミツタ間
に印加している。トランジスタQ2のエミツタ、
アース間に接続された抵抗R4の端子間電圧が出
力電圧V0となる。このQ1,Q2,R3,R4で構成す
る検出回路と、発光ダイオードLEDとを直列に
接続し、これを直流電源VC1に接続し、検出回路
に流れる電流が発光ダイオードLEDに流れるよ
うに構成し、LED電流を別に必要としない構成
にしている。すなわち、LEDとQ1,Q2,R3,R4
部が本発明の回路部となる。
Embodiment An embodiment of the present invention will be described below based on the drawings. FIG. 1 shows an embodiment of the iron power-off detection circuit according to the present invention. V AC is the alternating current supply voltage,
The voltage is dropped by resistor R1 and rectified by diode D1 . Capacitors C 1 and C 2 are smoothing capacitors, and ZD 1 is a constant voltage Zener diode. LED is a light emitting diode, with resistor R 2
Limits the current flowing to the LED. Q1 is a phototransistor, Q2 is a transistor, resistor R3 carries the output current of phototransistor Q1 , and the voltage drop across resistor R3 is applied between the base and emitter of transistor Q2 . Emitter of transistor Q 2 ,
The voltage across the terminals of the resistor R 4 connected between the ground becomes the output voltage V 0 . The detection circuit consisting of Q 1 , Q 2 , R 3 , and R 4 is connected in series with the light emitting diode LED, and this is connected to the DC power supply V C1 , so that the current flowing through the detection circuit flows to the light emitting diode LED. It is configured so that no separate LED current is required. That is, LED and Q 1 , Q 2 , R 3 , R 4
The part becomes the circuit part of the present invention.

第2図は本発明の回路部と検知素子部を示す。
1はアイロンに取り付けたケースで、その中に球
2を入れ、アイロンを動かすことにより、球2は
ころがり、ホトトランジスタ及び発光ダイオード
を封入した受発光素子3上を通過する。球2が受
発光素子3上にないときは、トランジスタQ2
オフし、従つて出力電圧V0はロウ、受発光素子
3上にあるときはトランジスタQ2はオンし、出
力電圧V0はハイとなる。このときの出力電圧V0
の波形を第3図に示す。第3図のaはアイロンを
使用中の時で、球はころがり、V0はハイ、ロウ
のくり返し信号である。bはアイロンを不使用中
の時で、球は受発光素子上になく、出力電圧V0
はロウのまま保持する。cもアイロンを不使用中
の時で、球が受発光素子上に停止しており、出力
電圧V0はハイのまま保持されている。
FIG. 2 shows the circuit section and sensing element section of the present invention.
Reference numeral 1 denotes a case attached to an iron, in which a ball 2 is placed, and by moving the iron, the ball 2 rolls and passes over a light receiving/emitting element 3 containing a phototransistor and a light emitting diode. When the bulb 2 is not on the light emitting/receiving element 3, the transistor Q2 is off and the output voltage V0 is low; when it is on the light emitting/receiving element 3, the transistor Q2 is on and the output voltage V0 is low . Get high. Output voltage at this time V 0
The waveform of is shown in FIG. Figure 3a shows when the iron is being used, the ball is rolling, and V0 is a repeating signal of high and low. b is when the iron is not in use, the bulb is not on the light receiving/emitting element, and the output voltage V 0
is kept low. c is also a time when the iron is not in use, the bulb is stopped on the light emitting/receiving element, and the output voltage V 0 remains high.

第4図により検出回路を構成するスイツチング
回路について詳述する。第4図Aにおいて、iP
ホトトランジスタQ1の出力電流で、トランジス
タQ2のベース、エミツタ間にVB=iP×R3の大き
さの電圧が印加される。iPの電流値が小さいとき
にはVBは小さく、VB<VBEのときにトランジスタ
のQ2はONせず、V0=iP×R4の電圧が生ずる。iP
が大きくなつてVB>VBEとなると、トランジスタ
Q2にベース電流が流れ、トランジスタQ2は活性
領域となり、V0=(iP+iC)×R4となる。さらにiP
が大きくなると、トランジスタQ2は完全にオン
し、V0≒VDD(VDD:直流電源電圧)となる。
The switching circuit constituting the detection circuit will be described in detail with reference to FIG. In FIG. 4A, i P is the output current of phototransistor Q 1 , and a voltage of magnitude V B =i P ×R 3 is applied between the base and emitter of transistor Q 2 . When the current value of i P is small, V B is small, and when V B < V BE , transistor Q 2 is not turned on, and a voltage of V 0 = i P ×R 4 is generated. i P
becomes large and V B > V BE , the transistor
A base current flows through Q 2 , transistor Q 2 becomes an active region, and V 0 =(i P +i C )×R 4 . Furthermore i P
When becomes large, transistor Q 2 is completely turned on, and V 0 ≈V DD (V DD : DC power supply voltage).

このときの様子を第4図Bで縦軸に出力電圧
V0を、横軸にホトトランジスタの出力電流iPをと
つて示す。iPがi1以上のとき、トランジスタQ2
オフ、iPがi1とi2の間のとき、トランジスタQ2
活性領域、iPがi2以上のとき、トランジスタQ2
完全にONとなる。抵抗R3の大きさを変えること
により、i1、i2の値を適当な値に設定できる。従
つて、球が受発光素子上にないときは、iPがi1
り小になるように、また球が受発光素子上にある
ときは、iPがi2より大になるように抵抗R3を設定
してやればよい。
The situation at this time is shown in Figure 4B, where the vertical axis shows the output voltage.
V 0 is shown with the output current i P of the phototransistor plotted on the horizontal axis. When i P is greater than or equal to i 1 , transistor Q 2 is off, when i P is between i 1 and i 2 , transistor Q 2 is in the active region, and when i P is greater than or equal to i 2 , transistor Q 2 is fully turned off. It becomes ON. By changing the size of resistor R 3 , the values of i 1 and i 2 can be set to appropriate values. Therefore, when the ball is not on the light receiving/emitting element, the resistor is set so that i P is smaller than i 1 , and when the ball is on the light receiving/emitting element, the resistance is set so that i P is larger than i 2 . All you have to do is set R 3 .

第5図は別の実施例を示し、第4図の抵抗R3
をトランジスタQ2のベース、エミツタ間に入れ
ずに、ベース、アース間に入れた例である。動作
は第4図と同様である。
FIG. 5 shows another embodiment in which the resistor R 3 of FIG.
This is an example in which Q2 is not inserted between the base and emitter of transistor Q2 , but between the base and ground. The operation is similar to that shown in FIG.

第6図はさらに別の実施例で、トランジスタ
Q2にPNP型のトランジスタを使い、その動作も
第4図と同様となるが、プリント基板の絶縁抵抗
が低下したときにリータ電流が小さいという利点
を有している。これは、第2図に示すように、発
光ダイオードとホトトランジスタを同一のプリン
ト基板上に近接して配置する必要があるとき、有
利である。
FIG. 6 shows yet another embodiment, in which a transistor
A PNP type transistor is used for Q2 , and its operation is similar to that shown in Figure 4, but it has the advantage that the retarder current is small when the insulation resistance of the printed circuit board decreases. This is advantageous when the light emitting diode and phototransistor need to be placed in close proximity on the same printed circuit board, as shown in FIG.

第6図において、球が受発光素子上にないと
き、ホトトランジスタQ1にごく小さい電流iPが流
れ、トランジスタQ2のベース、エミツタ間にR3
×iPの電圧が印加される。プリント基板の絶縁抵
抗が劣化し、無視できなくなつたとき、その絶縁
抵抗をrとすると、ほぼ(VC1−VDD)/rのリ
ーク電流が流れる。このとき抵抗R3の両端電圧
はR3×{iP+(VC1−VDD)/r}となる。ところ
が、第1図の回路の場合リーク電流はVC1/rと
なり、抵抗R3の両端電圧はR3×{iP+VC1/r}
となり、第6図の回路の方がリーク電流に対して
有利となる。
In Fig. 6, when the sphere is not above the light emitting/receiving element, a very small current i P flows through the phototransistor Q 1 , and R 3 flows between the base and emitter of the transistor Q 2 .
A voltage of ×i P is applied. When the insulation resistance of the printed circuit board deteriorates and cannot be ignored, a leakage current of approximately (V C1 -V DD )/r flows, where r is the insulation resistance. At this time, the voltage across the resistor R 3 is R 3 ×{i P +(V C1 −V DD )/r}. However, in the case of the circuit shown in Figure 1, the leakage current is V C1 /r, and the voltage across the resistor R 3 is R 3 × {i P +V C1 /r}
Therefore, the circuit shown in FIG. 6 is more advantageous in terms of leakage current.

発明の効果 以上本発明によれば、きわめて簡単な回路構成
によりアイロンの不使用状態が検知できて、電源
の切忘れ防止を行うことができ、さらに検出回路
と発光ダイオードを直列に接続することで消費電
流を少なくでき、実用的に極めて有用である。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, it is possible to detect when the iron is not in use with an extremely simple circuit configuration, and to prevent forgetting to turn off the power. It can reduce current consumption and is extremely useful in practice.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す電源切忘れ検
知回路の回路図、第2図は受発光素子上を球が通
過することによる検知を説明する図、第3図は出
力電圧の波形図、第4図は第1図の回路の動作説
明図、第5図および第6図はそれぞれ別の実施例
を示す回路図である。 LED……発光ダイオード、Q1……ホトトラン
ジスタ、Q2……トランジスタ、R3,R4……抵抗
器、2……球、3……受発光素子。
Fig. 1 is a circuit diagram of a power-off detection circuit showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a diagram illustrating detection by a ball passing over a light receiving/emitting element, and Fig. 3 is a waveform of the output voltage. 4 are explanatory diagrams of the operation of the circuit of FIG. 1, and FIGS. 5 and 6 are circuit diagrams showing different embodiments. LED...Light emitting diode, Q1 ...Phototransistor, Q2 ...Transistor, R3 , R4 ...Resistor, 2...Ball, 3...Receiving/emitting element.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 発光ダイオードおよびこの発光ダイオードの
発光出力を受光するホトトランジスタよりなる発
受光素子と、アイロンの使用により受発光素子上
をころがり通過する球と、前記ホトトランジスタ
の出力電流を第1の抵抗器に流し、この第1の抵
抗器の両端電圧をトランジスタのベースとエミツ
タ間に印加し、前記トランジスタのエミツタとア
ース間の電圧を電源切忘れ検知電圧として取り出
す検出回路とを備え、前記検出回路と前記発光ダ
イオードを直列に接続したアイロンの電源切忘れ
検知回路。 2 検出回路はホトトランジスタのエミツタを、
NPN型トランジスタのベースに接続するととも
に第1の抵抗器を介してNPN型トランジスタの
エミツタに接続し、前記トランジスタのエミツタ
を第2の抵抗器を介してアース電位に接続し、前
記ホトトランジスタおよびトランジスタのコレク
タを直流電源に接続し、前記トランジスタのエミ
ツタとアース間の電圧を検知電圧として取り出す
回路よりなる特許請求の範囲第1項記載のアイロ
ンの電源切忘れ検知回路。 3 検出回路は、ホトトランジスタのエミツタを
NPN型トランジスタのベースに接続するととも
に、第1の抵抗器を介してアース電位に接続し、
前記トランジスタのエミツタを第2の抵抗器を介
してアース電位に接続し、前記ホトトランジスタ
およびトランジスタのコレクタを直流電源に接続
し、前記トランジスタのエミツタとアース間の電
圧を検知電圧として取り出す回路よりなる特許請
求の範囲第1項記載のアイロンの電源切忘れ検知
回路。 4 検出回路は、ホトトランジスタのコレクタを
第1の抵抗器を介して第1の直流電源に接続する
とともに、PNP型トランジスタのベースに接続
し、前記トランジスタのエミツタを前記第1の直
流電源に接続し、前記ホトトランジスタのエミツ
タを前記第1の直流電源より電圧値が低い第2の
直流電源に接続し、前記トランジスタのコネクタ
を第2の抵抗器を介してアースに接続し、前記ト
ランジスタのコレクタとアース間の電圧を検知電
圧として取り出す回路よりなる特許請求の範囲第
1項記載のアイロンの電源切忘れ検知回路。
[Scope of Claims] 1. A light emitting/receiving element consisting of a light emitting diode and a phototransistor that receives the light emitting output of the light emitting diode, a ball that rolls over the light emitting/receiving element by using an iron, and an output current of the phototransistor. a detection circuit that applies the voltage across the first resistor between the base and emitter of the transistor, and extracts the voltage between the emitter of the transistor and ground as a power-off detection voltage. , a circuit for detecting a forgetting to turn off the power of an iron, which includes the detection circuit and the light emitting diode connected in series. 2 The detection circuit detects the emitter of the phototransistor,
The phototransistor and the transistor 2. A power-off detection circuit for an iron according to claim 1, comprising a circuit that connects a collector of said transistor to a DC power source and extracts the voltage between the emitter of said transistor and ground as a detection voltage. 3 The detection circuit detects the emitter of the phototransistor.
connected to the base of the NPN transistor and connected to ground potential via the first resistor;
The emitter of the transistor is connected to a ground potential via a second resistor, the phototransistor and the collector of the transistor are connected to a DC power supply, and the circuit extracts the voltage between the emitter of the transistor and the ground as a detection voltage. A circuit for detecting a forgetting to turn off the power of an iron according to claim 1. 4. The detection circuit connects the collector of the phototransistor to the first DC power supply via the first resistor, the base of the PNP transistor, and the emitter of the transistor to the first DC power supply. The emitter of the phototransistor is connected to a second DC power source having a lower voltage value than the first DC power source, the connector of the transistor is connected to ground via a second resistor, and the collector of the transistor is connected to a second DC power source having a lower voltage than the first DC power source. 2. The iron power-off detection circuit according to claim 1, comprising a circuit that extracts the voltage between the ground and the ground as a detection voltage.
JP60123089A 1985-06-06 1985-06-06 Power source cutting forget detection circuit of iron Granted JPS61280898A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2627158C2 (en) * 1976-06-16 1983-06-30 Braun Ag, 6000 Frankfurt Iron without significant heat storage capacity with a safety switch-off device located in the heating circuit
FR2540148B1 (en) * 1983-02-02 1986-03-21 Seb Sa ELECTRONIC SECURITY DEVICE FOR ELECTRIC IRON

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