JPH037399B2 - - Google Patents
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- JPH037399B2 JPH037399B2 JP60123089A JP12308985A JPH037399B2 JP H037399 B2 JPH037399 B2 JP H037399B2 JP 60123089 A JP60123089 A JP 60123089A JP 12308985 A JP12308985 A JP 12308985A JP H037399 B2 JPH037399 B2 JP H037399B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- voltage
- phototransistor
- emitter
- light emitting
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、アイロンの電源を切忘れて放置して
いた場合、この切忘れを自動的に検知するアイロ
ンに関するものである。
いた場合、この切忘れを自動的に検知するアイロ
ンに関するものである。
従来の技術
従来、アイロンの電源切忘れ検知センサとし
て、水銀スイツチを用いたものがあつた。すなわ
ち、アイロンの使用時には、アイロンの往復運動
により水銀が動き、接点間をオン、オフし、不使
用時には接点間はオンあるいはオフのまま保持
し、この電圧を検知し使用中であるかあるいは不
使用中であるかを判定し、電源切忘れ検知をしよ
うとするものであつた。
て、水銀スイツチを用いたものがあつた。すなわ
ち、アイロンの使用時には、アイロンの往復運動
により水銀が動き、接点間をオン、オフし、不使
用時には接点間はオンあるいはオフのまま保持
し、この電圧を検知し使用中であるかあるいは不
使用中であるかを判定し、電源切忘れ検知をしよ
うとするものであつた。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の水銀スイツチ方式では、水銀
を封じ込める必要があり、スイツチを構成する困
難さがあつた。
を封じ込める必要があり、スイツチを構成する困
難さがあつた。
問題点を解決するための手段
本発明は従来の水銀スイツチ方式をやめ、発光
ダイオードおよびホトトランジスタよりなる受発
光素子を用いて、アイロンを使用中には発光ダイ
オードとホトトランジスタ上を球がころがり、ハ
イ・ロウの変化する信号を得、アイロンの不使用
時には球は停止しているため、出力信号はハイま
たはロウで保持されるようになし、この電圧変化
を検知して電源の切り忘れ報知を行なおうとする
もので、この検知をホトトランジスタの出力電流
を規定の抵抗器に流し、抵抗器の両端電圧をトラ
ンジスタのベース、エミツタ間に印加し、トラン
ジスタのベースとエミツタ間の電圧がある規定の
値（以下VBEと記す）以上にならないとベース電
流が流れない特性を利用したスイツチング回路よ
りなる検出回路で検知し、かつこの検出回路と発
光ダイオードを直列に接続して、検出回路に必要
な電流を発光ダイオードに流すよう構成するもの
である。
ダイオードおよびホトトランジスタよりなる受発
光素子を用いて、アイロンを使用中には発光ダイ
オードとホトトランジスタ上を球がころがり、ハ
イ・ロウの変化する信号を得、アイロンの不使用
時には球は停止しているため、出力信号はハイま
たはロウで保持されるようになし、この電圧変化
を検知して電源の切り忘れ報知を行なおうとする
もので、この検知をホトトランジスタの出力電流
を規定の抵抗器に流し、抵抗器の両端電圧をトラ
ンジスタのベース、エミツタ間に印加し、トラン
ジスタのベースとエミツタ間の電圧がある規定の
値（以下VBEと記す）以上にならないとベース電
流が流れない特性を利用したスイツチング回路よ
りなる検出回路で検知し、かつこの検出回路と発
光ダイオードを直列に接続して、検出回路に必要
な電流を発光ダイオードに流すよう構成するもの
である。
作 用
この構成により、球が発光ダイオードおよびホ
トトランジスタ上にないとき（発光ダイオードか
ら出力された光はケース内の乱反射によりわずか
な光がホトトランジスタに入る）、ホトトランジ
スタにわずかの電流が流れ、このとき、トランジ
スタのベース、エミツタ間に印加される電圧は少
さく、トランジスタのVBE以下でトランジスタは
オフである。一方、球が発光ダイオードおよびホ
トトランジスタ上にあるとき、発光ダイオードか
ら出た光は球に反射されホトランジスタに入り、
従つて、ホトトランジスタに大きな電流が流れ、
トランジスタのベース、エミツタ間にVBEを越え
る大きな電圧が印加され、トランジスタはオンす
る。
トトランジスタ上にないとき（発光ダイオードか
ら出力された光はケース内の乱反射によりわずか
な光がホトトランジスタに入る）、ホトトランジ
スタにわずかの電流が流れ、このとき、トランジ
スタのベース、エミツタ間に印加される電圧は少
さく、トランジスタのVBE以下でトランジスタは
オフである。一方、球が発光ダイオードおよびホ
トトランジスタ上にあるとき、発光ダイオードか
ら出た光は球に反射されホトランジスタに入り、
従つて、ホトトランジスタに大きな電流が流れ、
トランジスタのベース、エミツタ間にVBEを越え
る大きな電圧が印加され、トランジスタはオンす
る。
このように、アイロンの使用中には球のころが
りによりトランジスタはオン・オフし、信号を得
ることができる。また、アイロンを使つてない時
には球はホトトランジスタおよび発光ダイオード
からはずれた所あるいはその上に停止するため、
トランジスタはオフあるいはオンで保持してい
る。このトランジスタがオン・オフしているか、
オンあるいはオフで保持しているかを検知して、
アイロンを使用中か不使用中かを判定し、電源の
切忘れを検知する。
りによりトランジスタはオン・オフし、信号を得
ることができる。また、アイロンを使つてない時
には球はホトトランジスタおよび発光ダイオード
からはずれた所あるいはその上に停止するため、
トランジスタはオフあるいはオンで保持してい
る。このトランジスタがオン・オフしているか、
オンあるいはオフで保持しているかを検知して、
アイロンを使用中か不使用中かを判定し、電源の
切忘れを検知する。
さらに検出回路と発光ダイオードを直列に接続
しているため、検出回路に必要な電流を発光ダイ
オードに流し、別に発光ダイオードに電流が必要
という構成にしないため、消費電流が少なく簡単
な電源回路で回路が構成される。
しているため、検出回路に必要な電流を発光ダイ
オードに流し、別に発光ダイオードに電流が必要
という構成にしないため、消費電流が少なく簡単
な電源回路で回路が構成される。
実施例
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。第１図は本発明のアイロンの電源切忘れ検知
回路の一実施例を示す。VACは交流電源電圧で、
抵抗R1により電圧を降下させ、ダイオードD1で
整流している。コンデンサC1，C2は平滑用コン
デンサ、ZD1は定電圧用ツエナダイオードであ
る。LEDは発光ダイオードで、抵抗R2により
LEDに流す電流を制限している。Q1はホトトラ
ンジスタ、Q2はトランジスタ、抵抗R3はホトト
ランジスタQ1の出力電流を流し、抵抗R3の電圧
降下分をトランジスタQ2のベース、エミツタ間
に印加している。トランジスタQ2のエミツタ、
アース間に接続された抵抗R4の端子間電圧が出
力電圧V0となる。このQ1，Q2，R3，R4で構成す
る検出回路と、発光ダイオードLEDとを直列に
接続し、これを直流電源VC1に接続し、検出回路
に流れる電流が発光ダイオードLEDに流れるよ
うに構成し、LED電流を別に必要としない構成
にしている。すなわち、LEDとQ1，Q2，R3，R4
部が本発明の回路部となる。
る。第１図は本発明のアイロンの電源切忘れ検知
回路の一実施例を示す。VACは交流電源電圧で、
抵抗R1により電圧を降下させ、ダイオードD1で
整流している。コンデンサC1，C2は平滑用コン
デンサ、ZD1は定電圧用ツエナダイオードであ
る。LEDは発光ダイオードで、抵抗R2により
LEDに流す電流を制限している。Q1はホトトラ
ンジスタ、Q2はトランジスタ、抵抗R3はホトト
ランジスタQ1の出力電流を流し、抵抗R3の電圧
降下分をトランジスタQ2のベース、エミツタ間
に印加している。トランジスタQ2のエミツタ、
アース間に接続された抵抗R4の端子間電圧が出
力電圧V0となる。このQ1，Q2，R3，R4で構成す
る検出回路と、発光ダイオードLEDとを直列に
接続し、これを直流電源VC1に接続し、検出回路
に流れる電流が発光ダイオードLEDに流れるよ
うに構成し、LED電流を別に必要としない構成
にしている。すなわち、LEDとQ1，Q2，R3，R4
部が本発明の回路部となる。
第２図は本発明の回路部と検知素子部を示す。
１はアイロンに取り付けたケースで、その中に球
２を入れ、アイロンを動かすことにより、球２は
ころがり、ホトトランジスタ及び発光ダイオード
を封入した受発光素子３上を通過する。球２が受
発光素子３上にないときは、トランジスタQ2は
オフし、従つて出力電圧V0はロウ、受発光素子
３上にあるときはトランジスタQ2はオンし、出
力電圧V0はハイとなる。このときの出力電圧V0
の波形を第３図に示す。第３図のａはアイロンを
使用中の時で、球はころがり、V0はハイ、ロウ
のくり返し信号である。ｂはアイロンを不使用中
の時で、球は受発光素子上になく、出力電圧V0
はロウのまま保持する。ｃもアイロンを不使用中
の時で、球が受発光素子上に停止しており、出力
電圧V0はハイのまま保持されている。
１はアイロンに取り付けたケースで、その中に球
２を入れ、アイロンを動かすことにより、球２は
ころがり、ホトトランジスタ及び発光ダイオード
を封入した受発光素子３上を通過する。球２が受
発光素子３上にないときは、トランジスタQ2は
オフし、従つて出力電圧V0はロウ、受発光素子
３上にあるときはトランジスタQ2はオンし、出
力電圧V0はハイとなる。このときの出力電圧V0
の波形を第３図に示す。第３図のａはアイロンを
使用中の時で、球はころがり、V0はハイ、ロウ
のくり返し信号である。ｂはアイロンを不使用中
の時で、球は受発光素子上になく、出力電圧V0
はロウのまま保持する。ｃもアイロンを不使用中
の時で、球が受発光素子上に停止しており、出力
電圧V0はハイのまま保持されている。
第４図により検出回路を構成するスイツチング
回路について詳述する。第４図Ａにおいて、iPは
ホトトランジスタQ1の出力電流で、トランジス
タQ2のベース、エミツタ間にVB＝iP×R3の大き
さの電圧が印加される。iPの電流値が小さいとき
にはVBは小さく、VB＜VBEのときにトランジスタ
のQ2はONせず、V0＝iP×R4の電圧が生ずる。iP
が大きくなつてVB＞VBEとなると、トランジスタ
Q2にベース電流が流れ、トランジスタQ2は活性
領域となり、V0＝（iP＋iC）×R4となる。さらにiP
が大きくなると、トランジスタQ2は完全にオン
し、V0≒VDD（VDD：直流電源電圧）となる。
回路について詳述する。第４図Ａにおいて、iPは
ホトトランジスタQ1の出力電流で、トランジス
タQ2のベース、エミツタ間にVB＝iP×R3の大き
さの電圧が印加される。iPの電流値が小さいとき
にはVBは小さく、VB＜VBEのときにトランジスタ
のQ2はONせず、V0＝iP×R4の電圧が生ずる。iP
が大きくなつてVB＞VBEとなると、トランジスタ
Q2にベース電流が流れ、トランジスタQ2は活性
領域となり、V0＝（iP＋iC）×R4となる。さらにiP
が大きくなると、トランジスタQ2は完全にオン
し、V0≒VDD（VDD：直流電源電圧）となる。
このときの様子を第４図Ｂで縦軸に出力電圧
V0を、横軸にホトトランジスタの出力電流iPをと
つて示す。iPがi1以上のとき、トランジスタQ2は
オフ、iPがi1とi2の間のとき、トランジスタQ2は
活性領域、iPがi2以上のとき、トランジスタQ2は
完全にONとなる。抵抗R3の大きさを変えること
により、i1、i2の値を適当な値に設定できる。従
つて、球が受発光素子上にないときは、iPがi1よ
り小になるように、また球が受発光素子上にある
ときは、iPがi2より大になるように抵抗R3を設定
してやればよい。
V0を、横軸にホトトランジスタの出力電流iPをと
つて示す。iPがi1以上のとき、トランジスタQ2は
オフ、iPがi1とi2の間のとき、トランジスタQ2は
活性領域、iPがi2以上のとき、トランジスタQ2は
完全にONとなる。抵抗R3の大きさを変えること
により、i1、i2の値を適当な値に設定できる。従
つて、球が受発光素子上にないときは、iPがi1よ
り小になるように、また球が受発光素子上にある
ときは、iPがi2より大になるように抵抗R3を設定
してやればよい。
第５図は別の実施例を示し、第４図の抵抗R3
をトランジスタQ2のベース、エミツタ間に入れ
ずに、ベース、アース間に入れた例である。動作
は第４図と同様である。
をトランジスタQ2のベース、エミツタ間に入れ
ずに、ベース、アース間に入れた例である。動作
は第４図と同様である。
第６図はさらに別の実施例で、トランジスタ
Q2にPNP型のトランジスタを使い、その動作も
第４図と同様となるが、プリント基板の絶縁抵抗
が低下したときにリータ電流が小さいという利点
を有している。これは、第２図に示すように、発
光ダイオードとホトトランジスタを同一のプリン
ト基板上に近接して配置する必要があるとき、有
利である。
Q2にPNP型のトランジスタを使い、その動作も
第４図と同様となるが、プリント基板の絶縁抵抗
が低下したときにリータ電流が小さいという利点
を有している。これは、第２図に示すように、発
光ダイオードとホトトランジスタを同一のプリン
ト基板上に近接して配置する必要があるとき、有
利である。
第６図において、球が受発光素子上にないと
き、ホトトランジスタQ1にごく小さい電流iPが流
れ、トランジスタQ2のベース、エミツタ間にR3
×iPの電圧が印加される。プリント基板の絶縁抵
抗が劣化し、無視できなくなつたとき、その絶縁
抵抗をｒとすると、ほぼ（VC1−VDD）／ｒのリ
ーク電流が流れる。このとき抵抗R3の両端電圧
はR3×｛iP＋（VC1−VDD）／ｒ｝となる。ところ
が、第１図の回路の場合リーク電流はVC1／ｒと
なり、抵抗R3の両端電圧はR3×｛iP＋VC1／ｒ｝
となり、第６図の回路の方がリーク電流に対して
有利となる。
き、ホトトランジスタQ1にごく小さい電流iPが流
れ、トランジスタQ2のベース、エミツタ間にR3
×iPの電圧が印加される。プリント基板の絶縁抵
抗が劣化し、無視できなくなつたとき、その絶縁
抵抗をｒとすると、ほぼ（VC1−VDD）／ｒのリ
ーク電流が流れる。このとき抵抗R3の両端電圧
はR3×｛iP＋（VC1−VDD）／ｒ｝となる。ところ
が、第１図の回路の場合リーク電流はVC1／ｒと
なり、抵抗R3の両端電圧はR3×｛iP＋VC1／ｒ｝
となり、第６図の回路の方がリーク電流に対して
有利となる。
発明の効果
以上本発明によれば、きわめて簡単な回路構成
によりアイロンの不使用状態が検知できて、電源
の切忘れ防止を行うことができ、さらに検出回路
と発光ダイオードを直列に接続することで消費電
流を少なくでき、実用的に極めて有用である。
によりアイロンの不使用状態が検知できて、電源
の切忘れ防止を行うことができ、さらに検出回路
と発光ダイオードを直列に接続することで消費電
流を少なくでき、実用的に極めて有用である。
第１図は本発明の一実施例を示す電源切忘れ検
知回路の回路図、第２図は受発光素子上を球が通
過することによる検知を説明する図、第３図は出
力電圧の波形図、第４図は第１図の回路の動作説
明図、第５図および第６図はそれぞれ別の実施例
を示す回路図である。 LED……発光ダイオード、Q1……ホトトラン
ジスタ、Q2……トランジスタ、R3，R4……抵抗
器、２……球、３……受発光素子。
知回路の回路図、第２図は受発光素子上を球が通
過することによる検知を説明する図、第３図は出
力電圧の波形図、第４図は第１図の回路の動作説
明図、第５図および第６図はそれぞれ別の実施例
を示す回路図である。 LED……発光ダイオード、Q1……ホトトラン
ジスタ、Q2……トランジスタ、R3，R4……抵抗
器、２……球、３……受発光素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 発光ダイオードおよびこの発光ダイオードの
発光出力を受光するホトトランジスタよりなる発
受光素子と、アイロンの使用により受発光素子上
をころがり通過する球と、前記ホトトランジスタ
の出力電流を第１の抵抗器に流し、この第１の抵
抗器の両端電圧をトランジスタのベースとエミツ
タ間に印加し、前記トランジスタのエミツタとア
ース間の電圧を電源切忘れ検知電圧として取り出
す検出回路とを備え、前記検出回路と前記発光ダ
イオードを直列に接続したアイロンの電源切忘れ
検知回路。 ２ 検出回路はホトトランジスタのエミツタを、
NPN型トランジスタのベースに接続するととも
に第１の抵抗器を介してNPN型トランジスタの
エミツタに接続し、前記トランジスタのエミツタ
を第２の抵抗器を介してアース電位に接続し、前
記ホトトランジスタおよびトランジスタのコレク
タを直流電源に接続し、前記トランジスタのエミ
ツタとアース間の電圧を検知電圧として取り出す
回路よりなる特許請求の範囲第１項記載のアイロ
ンの電源切忘れ検知回路。 ３ 検出回路は、ホトトランジスタのエミツタを
NPN型トランジスタのベースに接続するととも
に、第１の抵抗器を介してアース電位に接続し、
前記トランジスタのエミツタを第２の抵抗器を介
してアース電位に接続し、前記ホトトランジスタ
およびトランジスタのコレクタを直流電源に接続
し、前記トランジスタのエミツタとアース間の電
圧を検知電圧として取り出す回路よりなる特許請
求の範囲第１項記載のアイロンの電源切忘れ検知
回路。 ４ 検出回路は、ホトトランジスタのコレクタを
第１の抵抗器を介して第１の直流電源に接続する
とともに、PNP型トランジスタのベースに接続
し、前記トランジスタのエミツタを前記第１の直
流電源に接続し、前記ホトトランジスタのエミツ
タを前記第１の直流電源より電圧値が低い第２の
直流電源に接続し、前記トランジスタのコネクタ
を第２の抵抗器を介してアースに接続し、前記ト
ランジスタのコレクタとアース間の電圧を検知電
圧として取り出す回路よりなる特許請求の範囲第
１項記載のアイロンの電源切忘れ検知回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60123089A JPS61280898A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | アイロンの電源切忘れ検知回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60123089A JPS61280898A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | アイロンの電源切忘れ検知回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61280898A JPS61280898A (ja) | 1986-12-11 |
| JPH037399B2 true JPH037399B2 (ja) | 1991-02-01 |
Family
ID=14851934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60123089A Granted JPS61280898A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | アイロンの電源切忘れ検知回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61280898A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2627158C2 (de) * | 1976-06-16 | 1983-06-30 | Braun Ag, 6000 Frankfurt | Bügeleisen ohne nennenswertes Wärmespeichervermögen mit einer im Heizstromkreis liegenden Sicherheitsausschalteinrichtung |
| FR2540148B1 (fr) * | 1983-02-02 | 1986-03-21 | Seb Sa | Dispositif electronique de securite pour fer a repasser electrique |
-
1985
- 1985-06-06 JP JP60123089A patent/JPS61280898A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61280898A (ja) | 1986-12-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |