JPH0374436A - ポリシロキサン超薄膜 - Google Patents
ポリシロキサン超薄膜Info
- Publication number
- JPH0374436A JPH0374436A JP21064889A JP21064889A JPH0374436A JP H0374436 A JPH0374436 A JP H0374436A JP 21064889 A JP21064889 A JP 21064889A JP 21064889 A JP21064889 A JP 21064889A JP H0374436 A JPH0374436 A JP H0374436A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysiloxane
- film
- methoxy
- ultra
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（機側
ラング逅エア・プロジュツト（ＬＢ）法によって製膜し
て威るポリシロキサン超薄膜に関し、ｖＡ縁性や耐熱性
などの特性に優れ、膜厚がオングストローム（人）単位
で制御できる大面積で均一なポリシロキサン超薄膜薄膜
を開発することを目的とし、 式（■）： ３ （式中、Ｒ１及びＲ１はそれぞれ独立にメトキシ又はエ
トキシ基を示し、Ｒ３は炭素数６〜２４の脂肪族、脂環
族もしくは芳香族の疎水性基Ｚ又は−ＯＺを示し、Ｒ４
はＲ３がＺの場合にはビニル又はアリル基を示し、Ｒ３
が−ＯＺの場合にはメトキシ又はエトキシ基を示す）の
両親媒性シリコーン化合物をラングミュア・プロジェッ
ト法により製膜してポリシロキサン超薄膜を構成する。
て威るポリシロキサン超薄膜に関し、ｖＡ縁性や耐熱性
などの特性に優れ、膜厚がオングストローム（人）単位
で制御できる大面積で均一なポリシロキサン超薄膜薄膜
を開発することを目的とし、 式（■）： ３ （式中、Ｒ１及びＲ１はそれぞれ独立にメトキシ又はエ
トキシ基を示し、Ｒ３は炭素数６〜２４の脂肪族、脂環
族もしくは芳香族の疎水性基Ｚ又は−ＯＺを示し、Ｒ４
はＲ３がＺの場合にはビニル又はアリル基を示し、Ｒ３
が−ＯＺの場合にはメトキシ又はエトキシ基を示す）の
両親媒性シリコーン化合物をラングミュア・プロジェッ
ト法により製膜してポリシロキサン超薄膜を構成する。
本発明はラングミエア・プロジェット（ＬＢ）法によっ
て製膜して成るポリシロキサン超ｒｉＩＩｌｌに関する
０本発明のポリシロキサン超薄膜は耐熱性、耐薬品性、
機械的強度及び絶縁性に優れ、超微細な素子の絶縁膜、
サブ泉クロンパターン用レジスト及びジッセフソン素子
の絶縁層などとして有用である。
て製膜して成るポリシロキサン超ｒｉＩＩｌｌに関する
０本発明のポリシロキサン超薄膜は耐熱性、耐薬品性、
機械的強度及び絶縁性に優れ、超微細な素子の絶縁膜、
サブ泉クロンパターン用レジスト及びジッセフソン素子
の絶縁層などとして有用である。
ポリシロキサンは耐熱性、耐薬品性、機械的強度及び絶
縁性などの特性に優れた樹脂であり、ＩＣ５ＬＳＩなど
の電子部品の絶縁膜や湾クロリソグラフィー用レジスト
として用いられている。
縁性などの特性に優れた樹脂であり、ＩＣ５ＬＳＩなど
の電子部品の絶縁膜や湾クロリソグラフィー用レジスト
として用いられている。
このポリシロキサンのＬＢ膜は、前記のポリシロキサン
の優れた特性を有する超薄膜であり、超微細素子の絶縁
膜やサブミクロンパターン用レジスト、ジ茸セフソン素
子の絶縁層などへの応用が期待される。特に感光性を有
するポリシロキサンは、紫外線や電子線レジストとして
有用である。
の優れた特性を有する超薄膜であり、超微細素子の絶縁
膜やサブミクロンパターン用レジスト、ジ茸セフソン素
子の絶縁層などへの応用が期待される。特に感光性を有
するポリシロキサンは、紫外線や電子線レジストとして
有用である。
しかしながら、このようなポリシロキサンのＬＢＨが実
用化された例はない。
用化された例はない。
前記したように、ポリシロキサンＬＢ膜はその優れた特
性の故に、超微細素子の絶縁膜、サブミクロンパターン
用レジスト及びジ＝！々フソン素子の絶縁層などへの応
用が期待されているが、実際には適切な製膜分子並びに
製膜条件が確立されていなかったため実用化されていな
かった。
性の故に、超微細素子の絶縁膜、サブミクロンパターン
用レジスト及びジ＝！々フソン素子の絶縁層などへの応
用が期待されているが、実際には適切な製膜分子並びに
製膜条件が確立されていなかったため実用化されていな
かった。
従って、本発明は、かかる従来技術の問題点を解決して
、絶縁性や耐熱性などの特性に優れ、膜厚がオングスト
ローム（入）単位で制御できる大面積で均一なポリシロ
キサン超薄膜薄膜を開発することを目的とする。
、絶縁性や耐熱性などの特性に優れ、膜厚がオングスト
ローム（入）単位で制御できる大面積で均一なポリシロ
キサン超薄膜薄膜を開発することを目的とする。
本発明に従えば、式（Ｉ）＝
３
（式中、Ｒ１及びＲｇはそれぞれ独立にメトキシ又はエ
トキシ基を示し、Ｒ３は炭素数６〜２４の脂肪族、脂環
族もしくは芳香族の疎水性基、好ましくは炭素数１６〜
２２の飽和脂肪族炭化水素基Ｚ又は−ＯＺを示し、Ｒ４
はＲ３が２の場合にはビニル又はアリル基を示し、Ｒ３
が−ＯＺの場合にはメトキシ又はエトキシ基を示す）の
両親媒性シリコーン化合物をラングミエア・プロジェッ
ト法により製膜してなるポリシロキサン超薄膜が提供さ
れる。
トキシ基を示し、Ｒ３は炭素数６〜２４の脂肪族、脂環
族もしくは芳香族の疎水性基、好ましくは炭素数１６〜
２２の飽和脂肪族炭化水素基Ｚ又は−ＯＺを示し、Ｒ４
はＲ３が２の場合にはビニル又はアリル基を示し、Ｒ３
が−ＯＺの場合にはメトキシ又はエトキシ基を示す）の
両親媒性シリコーン化合物をラングミエア・プロジェッ
ト法により製膜してなるポリシロキサン超薄膜が提供さ
れる。
本発明によれば、前記式（１）で示される両・親媒性有
機シリコーン化合物を用いることで、ポリシロキサンＬ
Ｂ膜の作製が可能となった。
機シリコーン化合物を用いることで、ポリシロキサンＬ
Ｂ膜の作製が可能となった。
本化合物（１）は常温常圧で水面上に単分子膜を形成可
能であり、ラングミエア・プロジェット（ＬＢ）法によ
り、基板上に任意の層数でポリシロキサン膜を累積させ
ることができる。また得られるＬＢ膜の膜厚は累積層数
を変化させることにより分子長単位で任意に制御可能す
ることができる。
能であり、ラングミエア・プロジェット（ＬＢ）法によ
り、基板上に任意の層数でポリシロキサン膜を累積させ
ることができる。また得られるＬＢ膜の膜厚は累積層数
を変化させることにより分子長単位で任意に制御可能す
ることができる。
前記式（１）において、Ｒ１及びＲｔがメトキシ又はエ
トキシ基であり、Ｒ３が炭素数６〜２４の脂肪族、脂環
族、又は芳香族の疎水性基、好ましくは炭素数１６〜２
２の飽和脂肪族炭化水素基を示し、Ｒ４はメトキシ又は
エトキシ基を示す化合物は水面上に単分子膜を形成させ
、ラングミュア・ブロジェッ） （ＬＢ）法により、基
板上に任意の層数で累積したポリシロキサン超薄膜は感
光性を有し、光照射により架橋してレジストとして使用
することができる。
トキシ基であり、Ｒ３が炭素数６〜２４の脂肪族、脂環
族、又は芳香族の疎水性基、好ましくは炭素数１６〜２
２の飽和脂肪族炭化水素基を示し、Ｒ４はメトキシ又は
エトキシ基を示す化合物は水面上に単分子膜を形成させ
、ラングミュア・ブロジェッ） （ＬＢ）法により、基
板上に任意の層数で累積したポリシロキサン超薄膜は感
光性を有し、光照射により架橋してレジストとして使用
することができる。
以下、実施例に従って本発明を更に詳しく説明するが、
本発明の技術的範囲をこれらの実施例に限定するもので
ないことはいうまでもない。
本発明の技術的範囲をこれらの実施例に限定するもので
ないことはいうまでもない。
裏旌旌上
式（１−１）
％式％
で表わされるトリメトキシオクタデシルオキシシランの
２．８７Ｘ１０−３Ｍのクロロホルム溶液を調製し、こ
の溶液を１５°Ｃの純水を満たした水面上に静かに滴下
し、化合物（Ｉ−１）の単分子膜を水面上に形成させた
（表面圧２５ ｍ Ｎ ／ ｍ ） ｅこの化合物（Ｉ
−１）の単分子膜は水面上で一部のメトキシ基が加水分
解を受けると同時に化合物（１−１）間でシロキサン結
合が生成し、重合体が生成して下記式（１−２）の単分
子膜として安定化された。
２．８７Ｘ１０−３Ｍのクロロホルム溶液を調製し、こ
の溶液を１５°Ｃの純水を満たした水面上に静かに滴下
し、化合物（Ｉ−１）の単分子膜を水面上に形成させた
（表面圧２５ ｍ Ｎ ／ ｍ ） ｅこの化合物（Ｉ
−１）の単分子膜は水面上で一部のメトキシ基が加水分
解を受けると同時に化合物（１−１）間でシロキサン結
合が生成し、重合体が生成して下記式（１−２）の単分
子膜として安定化された。
ＯＣ＋＠Ｈｓｔ ＯＣ＋５Ｈｓｔ ０ＣｔｓＨ
３ｖ（Ｉ−２） この膜を従来公知のラングミュア・プロジェット（ＬＢ
）法によりシリコンウェファ−（基板）上に１９層累積
した。累積後の膜をＩＮ−塩酸溶液に常温で２時間浸漬
して重合を完結せしめ、高重合度のポリシロキサンが生
成したことを、ＩＲスペクトルのシロキサン由来の吸収
から確認した。
３ｖ（Ｉ−２） この膜を従来公知のラングミュア・プロジェット（ＬＢ
）法によりシリコンウェファ−（基板）上に１９層累積
した。累積後の膜をＩＮ−塩酸溶液に常温で２時間浸漬
して重合を完結せしめ、高重合度のポリシロキサンが生
成したことを、ＩＲスペクトルのシロキサン由来の吸収
から確認した。
次にこの試料をクロロホルム（ポリマーを溶解しない無
極性有機溶剤）に４時間浸種して、重合により脱離した
有機成分を完全に除去して、ポリシロキサンのみからな
る超薄膜を得た（ＩＲスペクトルで確認）。
極性有機溶剤）に４時間浸種して、重合により脱離した
有機成分を完全に除去して、ポリシロキサンのみからな
る超薄膜を得た（ＩＲスペクトルで確認）。
得られた膜はポリシロキサンのみからなる面積４ｃｍＸ
４ｃｍの超Ｉｌｌ （約３０人）であり、その絶縁性や
耐熱性は極めて良好であった。また基板との間でも第１
図に示すように酸素を介して強固な結合が形成されるた
め、基板との密着性も極めて良好であった。
４ｃｍの超Ｉｌｌ （約３０人）であり、その絶縁性や
耐熱性は極めて良好であった。また基板との間でも第１
図に示すように酸素を介して強固な結合が形成されるた
め、基板との密着性も極めて良好であった。
裏旌斑主
式（Ｉ−３）
ｃ＋５）ｌｓ’ｒ
で表わされるジメトキシオクタデシルビニルシランの２
．８７ ｘ １０− ’ Ｍのクロロホルム溶液を調製
し、この溶液を１５℃の純水を満たした水面上に静かに
清下し、化合物（１−３）の単分子膜を水面上に形成さ
せた（表面圧２５ ｍ Ｎ ／ ｍ ） ＊この化合物
（１−３）の単分子膜は水面上で一部のメトキシ基が加
水分解を受けると同時に化合物（１−３）間でシロキサ
ン結合が生成し、重合体が生成して下記式（１−４）の
単分子膜として安定化、された。
．８７ ｘ １０− ’ Ｍのクロロホルム溶液を調製
し、この溶液を１５℃の純水を満たした水面上に静かに
清下し、化合物（１−３）の単分子膜を水面上に形成さ
せた（表面圧２５ ｍ Ｎ ／ ｍ ） ＊この化合物
（１−３）の単分子膜は水面上で一部のメトキシ基が加
水分解を受けると同時に化合物（１−３）間でシロキサ
ン結合が生成し、重合体が生成して下記式（１−４）の
単分子膜として安定化、された。
ＣＩＩＨ３？
二の膜を従来公知のラングミュア・プロジェット（ＬＢ
）法によりシリコンウェファ−（基板）上に１９層累積
した。累積後の膜をＩＮ−塩酸溶液に常温で２時間浸漬
して重合を完結せしめ、高重合度のポリシロキサンが生
成したことをＩＲスペクトルのシロキサン由来の吸収か
らｉ！認し、得られた膜は実施例１の場合と同様基板上
に第１図のようにして結合した絶縁性、耐熱性及び密着
性の優れたものであった。
）法によりシリコンウェファ−（基板）上に１９層累積
した。累積後の膜をＩＮ−塩酸溶液に常温で２時間浸漬
して重合を完結せしめ、高重合度のポリシロキサンが生
成したことをＩＲスペクトルのシロキサン由来の吸収か
らｉ！認し、得られた膜は実施例１の場合と同様基板上
に第１図のようにして結合した絶縁性、耐熱性及び密着
性の優れたものであった。
次に、上で得られた膜に、マスクを介して２２０ｎｓの
紫外線照射を行った。光架橋により、露光された部分の
側鎖ビニル基同士が結合して架橋が進行した。露光後、
ポリシロキサンのＬＢ薄膜をメチルイソブチルケトンで
現像したところ、未露光部分のみが溶解し、マスクのパ
ターンが生成した。
紫外線照射を行った。光架橋により、露光された部分の
側鎖ビニル基同士が結合して架橋が進行した。露光後、
ポリシロキサンのＬＢ薄膜をメチルイソブチルケトンで
現像したところ、未露光部分のみが溶解し、マスクのパ
ターンが生成した。
この膜は膜厚が分子長レベルで制御された厚さ５００人
弱の均一な膜であるため、解像性は極めて良好で、０．
４μｍの描画が可能であった。
弱の均一な膜であるため、解像性は極めて良好で、０．
４μｍの描画が可能であった。
本発明によれば絶縁性や耐熱性に優れ、膜厚がオングス
トローム（人）オーダーで制御された大面積で均一なポ
リシロキサン超薄膜を高真空や高温加熱を必要としない
製膜条件で作製可能であり、電子材料用絶縁樹脂として
幅広く利用可能である。
トローム（人）オーダーで制御された大面積で均一なポ
リシロキサン超薄膜を高真空や高温加熱を必要としない
製膜条件で作製可能であり、電子材料用絶縁樹脂として
幅広く利用可能である。
更に、−紋穴（Ｉ）においてＲ４がビニル基又はアリル
基の場合には、絶縁性や耐熱性に優れ、膜厚がオングス
トローム（人）オーダーで制御された大面積で均一な感
光性ポリシロキサン超薄膜を容易に作製することができ
、更に超微細パターン用レジストとして幅広く利用する
ことができる。
基の場合には、絶縁性や耐熱性に優れ、膜厚がオングス
トローム（人）オーダーで制御された大面積で均一な感
光性ポリシロキサン超薄膜を容易に作製することができ
、更に超微細パターン用レジストとして幅広く利用する
ことができる。
第１図は実施例１で得られたポリシロキサン超薄膜の基
板上への結合様式を模式的に表した図面である。
板上への結合様式を模式的に表した図面である。
Claims (3)
- １．式（Ｉ）： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１及びＲ＾２はそれぞれ独立にメトキシ又
はエトキシ基を示し、Ｒ＾３は炭素数６〜２４の脂肪族
、脂環族もしくは芳香族の疎水性基Ｚ又は−ＯＺを示し
、Ｒ＾４はＲ＾３がＺの場合にはビニル又はアリル基を
示し、Ｒ＾３が−ＯＺの場合にはメトキシ又はエトキシ
基を示す）の両親媒性シリコーン化合物ラングミュア・
プロジェット法により製膜してなるポリシロキサン超薄
膜。 - ２．前記式（Ｉ）において、Ｒ＾１及びＲ＾２はそれぞ
れ独立にメトキシ又はエトキシ基を示し、Ｒ＾３は−Ｏ
Ｚを示し、Ｒ４はメトキシ又はエトキシ基である請求項
１記載のポリシロキサン超薄膜。 - ３．前記式（Ｉ）において、Ｒ＾１及びＲ＾２はそれぞ
れ独立にメトキシ又はエトキシ基を示し、Ｒ＾３はＺを
示し、Ｒ＾４はビニル又はアリル基である請求項１記載
のポリシロキサン超薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21064889A JPH0374436A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | ポリシロキサン超薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21064889A JPH0374436A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | ポリシロキサン超薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0374436A true JPH0374436A (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16592789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21064889A Pending JPH0374436A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | ポリシロキサン超薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0374436A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0548996A3 (en) * | 1991-12-27 | 1994-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | A film capacitor and method for manufacturing the same |
| JP2005023199A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Chisso Corp | 機能性超薄膜およびその形成方法 |
-
1989
- 1989-08-17 JP JP21064889A patent/JPH0374436A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0548996A3 (en) * | 1991-12-27 | 1994-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | A film capacitor and method for manufacturing the same |
| JP2005023199A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Chisso Corp | 機能性超薄膜およびその形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101164014B (zh) | 用于形成光交联固化的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成组合物 | |
| CN102308260B (zh) | 使用聚硅氮烷形成反色调图像的硬掩模方法 | |
| JP5534246B2 (ja) | ナノインプリント用レジスト下層膜形成組成物 | |
| US4985342A (en) | Polysiloxane pattern-forming material with SiO4/2 units and pattern formation method using same | |
| US5385804A (en) | Silicon containing negative resist for DUV, I-line or E-beam lithography comprising an aromatic azide side group in the polysilsesquioxane polymer | |
| EP2657767B1 (en) | Patterning process | |
| JPS60229026A (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
| JPS6184642A (ja) | 感光フイルムと感光フイルムを用いたマスキング方法 | |
| KR20230007391A (ko) | 탄소 재료, 금속 유기 화합물 및 용매를 포함하는 스핀 코팅 조성물, 및 기판 위 금속 산화물 막의 제조 방법 | |
| KR102409830B1 (ko) | 자가-조립 적용을 위한 중합체 조성물 | |
| JP2004038142A (ja) | ポリシロキサンを製造する方法及びそれを含むフォトレジスト組成物 | |
| JPH04366958A (ja) | 放射線感応性樹脂組成物 | |
| KR20230018877A (ko) | 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법 | |
| TWI588610B (zh) | 用於裝置製造的可光圖案化及可顯影之倍半矽氧烷樹脂 | |
| JP2020535467A (ja) | 窒化シリコン上のフォトレジスト・パターニング | |
| JPS63187237A (ja) | パターン化レジスト像の形成方法 | |
| JPH0374436A (ja) | ポリシロキサン超薄膜 | |
| JPS58207041A (ja) | 放射線感応性高分子レジスト | |
| CN118050954A (zh) | 半导体光刻胶组合物和使用组合物形成图案的方法 | |
| JP3132885B2 (ja) | レジスト組成物及びそれを用いるパターン形成方法 | |
| JPH02307572A (ja) | 均斉薄膜の形成方法 | |
| JP2606321B2 (ja) | 感光性耐熱樹脂組成物と半導体装置の製造方法 | |
| JP2738131B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| KR20240021015A (ko) | 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법 | |
| JP3085775B2 (ja) | レジストパターン形成方法 |