JPH0374969B2 - - Google Patents
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- JPH0374969B2 JPH0374969B2 JP60101494A JP10149485A JPH0374969B2 JP H0374969 B2 JPH0374969 B2 JP H0374969B2 JP 60101494 A JP60101494 A JP 60101494A JP 10149485 A JP10149485 A JP 10149485A JP H0374969 B2 JPH0374969 B2 JP H0374969B2
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- gate
- input
- current
- write
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- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はジヨセフソンマスターフリツプフロツ
プに係り、特にAC駆動ジヨセフソンLSIに適用
して好適な動作マージンの広いジヨセフソンマス
ターフリツプフロツプに関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a Josephson master flip-flop, and in particular to a Josephson master flip-flop with a wide operating margin suitable for application to an AC-driven Josephson LSI. Regarding.
ラツチング動作を行う論理素子で構成される
AC駆動ジヨセフソン論理回路システムでは、一
サイクル毎にゲート電流を零に戻して論理素子を
リセツトする必要がある。従つて、あるサイクル
に論理回路網で得られたデータを記憶し、次のサ
イクルで再び論理回路網にそのデータを受け渡す
フリツプフロツプ回路が必要になる。このフリツ
プフロツプ回路は一サイクル内の不活性時間中に
データを貯えるマスターフリツプフロツプと次の
サイクルの活性時間の始まりの部分でマスター回
路のデータを読み取りそのサイクル中データを保
持するスレーブフリツプフロツプとから構成され
る。このようなフリツプフロツプの代表的なもの
が
アイ イーイーイー ジヤーナル オブ ソリ
ツド ステート サーキツツ
(IEEE Journal of Solid−State Circuits)第
17巻 No.6 1982年12月 第1201〜1210頁−1210
(以下文献(1)とする。)
に詳述されている。同文献(第2図)に記載され
ているマスターフリツプフロツプの構造を第1図
に示す。同図で101は2入力OR−ANDゲー
ト、102は書込ゲート、103は検出ゲート、
104,105は101を構成する2入力ORゲ
ート、106はやはり101を構成する2入力
ANDゲートである。111は書込イネーブル入
力(Iw)、112はデータ入力、113はAC電源
(VAC)、114は書込ゲートへの駆動入力(ID)、
121は負荷抵抗(RL)、112及び123は結
合抵抗(RS)、124は給電抵抗(Rp)、107
は永久電流115(IL)が蓄積されるストレージ
ループである。
Consists of logic elements that perform latching operations
In an AC-driven Josephson logic circuit system, it is necessary to reset the logic element by returning the gate current to zero every cycle. Therefore, a flip-flop circuit is required that stores data obtained by the logic network in one cycle and transfers the data to the logic network again in the next cycle. This flip-flop circuit consists of a master flip-flop that stores data during the inactive time within one cycle, and a slave flip-flop that reads data from the master circuit at the beginning of the active time of the next cycle and holds the data during that cycle. It consists of A typical example of such flip-flops is the one described in the IEEE Journal of Solid-State Circuits.
Volume 17 No. 6 December 1982 Pages 1201-1210-1210
(hereinafter referred to as Document (1)). FIG. 1 shows the structure of the master flip-flop described in the same document (FIG. 2). In the figure, 101 is a 2-input OR-AND gate, 102 is a write gate, 103 is a detection gate,
104 and 105 are two-input OR gates that make up 101, and 106 is a two-input OR gate that also makes up 101.
It is an AND gate. 111 is a write enable input (I w ), 112 is a data input, 113 is an AC power supply (V AC ), 114 is a drive input to the write gate (I D ),
121 is a load resistance (R L ), 112 and 123 are coupling resistances (R S ), 124 is a power supply resistance (R P ), 107
is a storage loop in which persistent current 115 (I L ) is stored.
さて、一般に臨界電流Inを有するジヨセフソン
理論ゲートの負荷抵抗RLは
アイ イーイーイー ジヤーナル オブ ソリ
ツド ステート サーキツツ
(IEEE Journal of Solid−State Circuits)第
14巻 No.5 1979年10月 第787〜793頁(以下文
献(2)とする。)
に記載のように出力電圧VOがギヤツプ電圧Vg以
下になるように設定される。同文献第1図(d)に記
載されているジヨセフソンデバイスの電流電圧特
性を第2図に示す。同図中挿入例において201
がジヨセフソンデバイス、202が負荷抵抗であ
る。第2図で、ジヨセフソンデバイスの電流電圧
特性と、傾きRL -1の負荷直線が交わる位置が出
力電圧VOの動作点である。出力電流IRLを大きく
とれるようにVO<VgとなるようにRLが選ばれ
る。 Now, in general, the load resistance R L of a Josephson theoretical gate with a critical current I n is given by IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol.
As described in Volume 14, No. 5, October 1979, pages 787 to 793 (hereinafter referred to as Document (2)), the output voltage V O is set to be equal to or less than the gap voltage V g . FIG. 2 shows the current-voltage characteristics of the Josephson device described in FIG. 1(d) of the same document. In the example inserted in the same figure, 201
is a Josephson device, and 202 is a load resistance. In FIG. 2, the position where the current-voltage characteristic of the Josefson device intersects with the load straight line with slope R L -1 is the operating point of the output voltage V O. R L is selected so that V O <V g so that the output current I RL can be large.
実際、文献〔1〕でも第1図に示すところの負
荷抵抗RL121が10〜16Ω(13±3Ω)として
設計されておりIg=0.2mA、Vg=2.8mVに対し
て
VO=IgRL=0.2×13=2.6mV<Vg
となるようになつている。負荷抵抗RL121を
このように選んでいると、当然出力電流IRLもゲ
ート電流Igに比例して変化する。第1図において
給電抵抗Rp124を標準的な値と思われる73Ω
に選ぶ。ゲート102〜106の臨界電流Inは等
しく0.2mAであるから、電源113(VAC)の大
きさは最大
VAC=InRp=0.2×73=14.6mV
にまで設定できる。この値を100%とし、VACの
どれだけの範囲でフリツプフロツプ全体が動作す
るかということがゲート電流マージンとして重要
な指標である。ここにおいて、電源113の、最
大電源電圧に対する電源電圧の割合をVACのバイ
アス率ということにする。第3図にはVACのバイ
アス率に対して第1図の回路の書込ゲートへの駆
動入力IDがどう変化するかを示す。結合抵抗RS1
12及びRL123はそれぞれ中心設計値11及び
13Ωとした。VACのバイアス率が100%に近いと
ころでIDが飽和しているのは、104及び105
のゲートの動作点が定電圧領域(VO=Vgとなる
領域)に入るためである。書込ゲート102臨界
電流Inは書込イネーブル入力Iwの関数In(Iw)と
して文献〔2〕第6図(b)に示されているがこれを
第4図に転載する。電流IDの全てがIL114にな
るわけではなく若干量が書込みゲート102のゲ
ート電流として残留する。この残留量は定常的に
は量子化されており、In(Iw)以下の値である。
ストレージループ107に‘1'を書込を行う場合
書込みイネーブル入力Iwは閾値特性の谷間(第4
図401の領域)に設定するので、102の残留
ゲート電流は同図IFLOOR以下の値となる。この値
は約50μAであるとされており、第3図に示した
IDから50μA以下の値を差し引いた値がストレー
ジループに蓄えられる電流値である。残留ゲート
電流は初期条件により確率的変化を示すので、抵
抗RS122,123、RL121が中心設計値で
あるとしても‘1'に対応したILの値は第5図に示
す範囲に分布することになる。一方検出ゲート1
03も第4図に類似の閾値特性を有しており、IL
がこの谷間にこないと、‘1'レベルとしての検出
が行えない。この谷間はIL=90〜160μAの範囲で
あるとされており、いかなる初期条件に対しても
安定に‘1'の検出が行えるのはVACが75%以上に
バイアスされている場合に限られることになる。
このようにゲート電流に対するバイアスマージン
が狭いと動作は不安定になり易い。 In fact, in Reference [1], the load resistance R L 121 shown in Fig. 1 is designed to be 10 to 16 Ω (13 ± 3 Ω), and V O = I g = 0.2 mA, V g = 2.8 mV. I g R L = 0.2 x 13 = 2.6 mV < V g . If the load resistance R L 121 is selected in this way, the output current I RL will naturally change in proportion to the gate current I g . In Figure 1, the power supply resistance R p 124 is 73Ω, which is considered to be the standard value.
choose. Since the critical currents I n of the gates 102 to 106 are equally 0.2 mA, the magnitude of the power supply 113 (V AC ) can be set to a maximum of V AC =I n R p =0.2 x 73 = 14.6 mV. Taking this value as 100%, the gate current margin is an important indicator of the range of V AC in which the entire flip-flop operates. Here, the ratio of the power supply voltage to the maximum power supply voltage of the power supply 113 is referred to as the bias ratio of V AC . FIG. 3 shows how the drive input ID to the write gate of the circuit of FIG. 1 changes with the bias rate of V AC . Coupling resistance R S 1
12 and R L 123 are the central design values 11 and R L 123, respectively.
It was set to 13Ω. When the bias rate of V AC is close to 100%, I D is saturated at 104 and 105.
This is because the operating point of the gate falls within the constant voltage region (the region where V O =V g ). The critical current I n of the write gate 102 is shown as a function I n (I w ) of the write enable input I w in FIG. 6(b) of document [2], which is reproduced in FIG. 4. Not all of the current ID becomes I L 114, but some amount remains as the gate current of write gate 102. This residual amount is constantly quantized and has a value less than or equal to I n (I w ).
When writing '1' to the storage loop 107, the write enable input I w falls between the valleys of the threshold characteristics (the fourth
401), the residual gate current 102 has a value less than I FLOOR in the figure. This value is said to be approximately 50μA, and is shown in Figure 3.
The value obtained by subtracting a value of 50 μA or less from I D is the current value stored in the storage loop. Since the residual gate current shows stochastic changes depending on the initial conditions, even if the resistors R S 122, 123 and R L 121 are the central design values, the value of I L corresponding to '1' will fall within the range shown in Figure 5. It will be distributed. On the other hand, detection gate 1
03 also has threshold characteristics similar to those in Fig. 4, and I L
Unless it falls within this valley, it cannot be detected as a '1' level. This valley is said to be in the range of I L = 90 to 160 μA, and stable detection of '1' under any initial conditions is possible only when V AC is biased to 75% or more. It will be done.
If the bias margin for the gate current is narrow in this way, the operation tends to become unstable.
本発明の目的は十分広いゲート電流のバイアス
率の範囲においてストレージループの‘1'レベル
の蓄積電流が一定の範囲に収まるようにし、もつ
てフリツプフロツプ回路主体がゲート電流に対し
て広いバイアスマージンを有するようなジヨセフ
ソンマスターフリツプフロツプを提供することに
ある。
The purpose of the present invention is to ensure that the '1' level storage current of the storage loop falls within a certain range within a sufficiently wide range of gate current bias ratios, so that the main body of the flip-flop circuit has a wide bias margin with respect to the gate current. Josephson master flip-flops.
ジヨセフソン論理ゲートの出力電流は動作点が
定電圧領域にあれば(ギヤツプ電圧)/(負荷抵
抗)で定められる一定値になる。従つて、よく知
られているように負荷抵抗に対してジヨセフソン
デバイスの臨界電流を十分大きくとり、これによ
り十分大きいゲート電流のもとでゲートを駆動す
ることにより出力電流をバイアスの変動によらず
一定値に定めることができる。本発明はこの原理
をジヨセフソンマスターフリツプフロツプに応用
したものである。
If the operating point of the Josephson logic gate is in the constant voltage region, the output current of the Josephson logic gate will be a constant value determined by (gap voltage)/(load resistance). Therefore, as is well known, by setting the critical current of the Josephson device sufficiently large relative to the load resistance and driving the gate with a sufficiently large gate current, the output current can be adjusted to bias fluctuations. It can be set to a constant value regardless of the The present invention applies this principle to the Josephson master flip-flop.
以下、本発明の一実施例を第6図を用いて説明
する。同図は本発明によるところのマスターフリ
ツプフロツプの構造を示すものであるが、ゲート
604,605,606の臨界電流値がゲート1
04,105,106よりも大きくなつているこ
ととそれに反比例して給電抵抗624,625の
抵抗値が給電抵抗124,125よりも小さくな
つていることのみが第1図と異なる。ゲート60
4,605,606の臨界電流値がゲート10
4,105,106の1.5倍であり、給電抵抗6
24,625の抵抗値が給電抵抗124,125
の2/3倍である場合を取扱う。その他の抵抗値
は第1図と同じである。この場合にストレージル
ープに蓄えられる‘1'レベルの永久電流ILの大き
さは、第5図と同様の手続きで第8図のように求
められる。同図から検出ゲートで‘1'の検出が安
定に行えるためにはAC電源VACの電圧値が55%
以上であればよいことになる。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described using FIG. 6. This figure shows the structure of a master flip-flop according to the present invention, in which the critical current values of gates 604, 605, and 606 are
The only difference from FIG. 1 is that the resistance values of the power supply resistors 624, 625 are smaller than those of the power supply resistors 124, 125 in inverse proportion to the power supply resistors 04, 105, and 106. gate 60
The critical current value of 4,605,606 is gate 10
It is 1.5 times 4,105,106, and the power supply resistance is 6
The resistance value of 24,625 is the power supply resistance 124,125
We will deal with the case where it is 2/3 times as large. Other resistance values are the same as in FIG. In this case, the magnitude of the ``1'' level persistent current I L stored in the storage loop is determined as shown in FIG. 8 using the same procedure as in FIG. 5. From the same figure, in order to stably detect '1' at the detection gate, the voltage value of AC power supply V AC must be 55%.
Anything above that is fine.
なお今までの議論では書込イネーブル入力Iw1
11の値は書込ゲート102の閾値曲線の谷間の
部分(第4図401)にくると仮定したがこれに
もIDの場合と同様の注意が必要である。書込イネ
ーブル入力Iwを標準の73Ωの給電抵抗で給電され
た通常の2入力ORゲート(入力なしの場合の臨
界電流In(0)=0.2mA)から負荷抵抗12Ωを介
して得られる出力電流とする。この場合のIwの
VACに対する変化を第9図の(a)に示す。書込イネ
ーブル入力Iwが書込ゲートの閾値曲線の谷間に入
るのはバイアス率51%〜100%の範囲である。一
方、給電抵抗を2/3倍にし臨界電流を3/2倍
にした2入力ORゲートから負荷抵抗19Ωを介し
て得られる書込イネーブル入力Iwは第9図の(b)の
ようである。書込イネーブル入力Iwが書込ゲート
の閾値曲線の谷間に入るのはバイアス率42%〜
100%の広い範囲であることがわかる。すなわち
書込イネーブル入力Iwも臨界電流の大きいゲート
から供給することが有効である。 In addition, in the discussion up to now, write enable input I w 1
It is assumed that the value of 11 falls in the valley of the threshold curve of the write gate 102 (401 in FIG. 4), but this also requires the same attention as in the case of ID . Output obtained from a normal two-input OR gate (critical current I n (0) = 0.2 mA with no input) powered by a standard 73 Ω supply resistor with a write enable input I w through a 12 Ω load resistor. Let it be a current. In this case I w
Figure 9(a) shows the change with respect to V AC . The write enable input Iw falls within the valley of the write gate threshold curve in the bias rate range of 51% to 100%. On the other hand, the write enable input Iw obtained through a load resistance of 19Ω from a 2-input OR gate with 2/3 times the power supply resistance and 3/2 times the critical current is as shown in Figure 9 (b). . The write enable input I w falls into the valley of the write gate threshold curve at a bias rate of 42% ~
It can be seen that the range is 100%. That is, it is effective to supply the write enable input I w from the gate with a large critical current.
以上、書込ゲートへの駆動入力IDや書込イネー
ブル入力Iwを発生するゲートの臨界電流と書込ゲ
ートや検出ゲートの臨界電流との比を大きくとる
ことによりマスターフリツプフロツプ出力ILとス
レーブフリツプフロツプ入力段との整合性を向上
できることを示したが、この比はいくらでも大き
くとればよいというわけではない。スレーブフリ
ツプフロツプや通常の組合せ論理回路の出力と、
臨界電流を増加させたゲートとの整合性の低下も
考慮しなくてはならない。2入力ORゲートでは
臨界電流Inを大きくとつていくとデバイスのLIn
積が大きくなつて入力マージンが減少するからで
ある。第10図には書込イネーブル入力Iw、およ
び駆動入力IDを発生するゲートの臨界電流をそれ
以外のゲートに比べてα倍に増加した場合に、(a)
マスターフリツプフロツプ出力とスレーブフリツ
プフロツプ入力段とで整合がとれるバイアス範囲
の下限及び(b)通常の論理回路出力と書込イネーブ
ル入力Iwや駆動入力IDを発生するゲートの入力段
との整合がとれるバイアス範囲の下限の一例を示
す。この例ではα=1.6以上に増加してもフリツ
プフロツプ全体でのマージンの向上は得られな
い。最適のαの値はデバイスのインダクタンスや
回路間の結合抵抗、出力抵抗、給電抵抗等の選び
方にもよるが概ね2以内である。 As described above, by increasing the ratio of the critical current of the gate that generates the drive input ID and write enable input Iw to the write gate and the critical current of the write gate and detection gate, the master flip-flop output Although it has been shown that the matching between L and the slave flip-flop input stage can be improved, this does not mean that it is better to make this ratio as large as possible. The output of a slave flip-flop or ordinary combinational logic circuit,
The reduction in gate compatibility with increased critical current must also be considered. In a two-input OR gate, if the critical current I n is increased, the LI n of the device increases.
This is because the input margin decreases as the product increases. Figure 10 shows (a) when the critical current of the gate that generates the write enable input I w and the drive input ID is increased by α times compared to other gates.
(b) the lower limit of the bias range that allows matching between the master flip-flop output and the slave flip-flop input stage; and (b) the input of the gate that generates the normal logic circuit output and write enable input I w and drive input I D. An example of the lower limit of the bias range that can be matched with the stage is shown. In this example, even if α is increased beyond 1.6, the margin of the entire flip-flop cannot be improved. The optimal value of α depends on the selection of device inductance, coupling resistance between circuits, output resistance, power supply resistance, etc., but is generally within 2.
以上述べた如く、本発明によれば十分広いゲー
ト電流のバイアス率の範囲においてストレージル
ープの‘1'レベルの蓄積電流が一定の範囲に収ま
りマスターフリツプフロツプ出力とスレーブフリ
ツプフロツプ入力段との整合が広いバイアス率の
範囲でとれるようになり、フリツプフロツプ全体
が広いゲート電流のバイアス率の範囲で動作する
ようになる。
As described above, according to the present invention, the '1' level storage current of the storage loop falls within a certain range within a sufficiently wide range of gate current bias ratios, and the output of the master flip-flop and the input stage of the slave flip-flop are The flip-flop can now be matched over a wide range of bias ratios, and the entire flip-flop can operate over a wide range of gate current bias ratios.
第1図はマスターフリツプフロツプの従来の構
造を示す図、第2図は論理ゲートの負荷抵抗の設
定法を示す図、第3図は従来の構造における2入
力OR−ANDゲート出力電流のバイアス率依存性
を示す図、第4図は書込ゲートの閾値特性を示す
図、第5図はストレージループに蓄えられる‘1'
レベルの永久電流の分布範囲を示す図、第6図は
本発明によるマスターフリツプフロツプの、従来
と異なる部分を示す図、第7図は論理ゲートの負
荷抵抗の設定法を示す図、第8図は本発明による
マスターフリツプフロツプにおいてストレージル
ープに蓄えられる‘1'レベルの永久電流の分布範
囲を示す図、第9図は2入力ORゲート出力電流
のバイアス率依存性を示す図、第10図は書込イ
ネーブル入力およびIw駆動入力IDを発生するゲー
トの臨界電流をそれ以外のゲートに比べてα倍に
増加した場合の各回路間接続部で整合がとれるバ
イアス率の範囲を示す図。
符号の説明、101……2入力OR−ANDゲー
ト、102……書込ゲート、103……検出ゲー
ト、104,105,604,605……2入力
ORゲート、105,606……2入力ANDゲー
ト、111……書込イネーブル入力、112……
データ入力、113……AC電源、114……書
込ゲートへのドライブ入力、121……負荷抵
抗、122,123……結合抵抗、124,12
5,624,625……給電抵抗、107……ス
トレージループ、115……107に蓄積される
永久電流。
Figure 1 shows the conventional structure of a master flip-flop, Figure 2 shows how to set the load resistance of the logic gate, and Figure 3 shows the two-input OR-AND gate output current in the conventional structure. Figure 4 shows the bias rate dependence, Figure 4 shows the threshold characteristics of the write gate, Figure 5 shows the '1' stored in the storage loop.
6 is a diagram showing a different part from the conventional master flip-flop according to the present invention. FIG. 7 is a diagram showing a method of setting the load resistance of a logic gate. Figure 8 is a diagram showing the distribution range of the persistent current at the '1' level stored in the storage loop in the master flip-flop according to the present invention, and Figure 9 is a diagram showing the bias rate dependence of the output current of the two-input OR gate. Figure 10 shows the range of bias ratios that can be matched at the connections between each circuit when the critical current of the gate that generates the write enable input and I w drive input I D is increased by α times compared to other gates. Diagram showing. Explanation of symbols, 101...2 input OR-AND gate, 102...Write gate, 103...Detection gate, 104, 105, 604, 605...2 input
OR gate, 105,606...2 input AND gate, 111...Write enable input, 112...
Data input, 113... AC power supply, 114... Drive input to write gate, 121... Load resistance, 122, 123... Coupling resistance, 124, 12
5,624,625...Power supply resistance, 107...Storage loop, 115...Persistent current accumulated in 107.
Claims (1)
と、これに並列に設けられたインダクタンスで構
成される超伝導ループと、該書込ゲートへの駆動
入力及び該書込ゲートの書込イネーブル入力を発
生する、ジヨセフソンデバイスからなる駆動ゲー
トとを有し、該超伝導ループに蓄えられる永久電
流を該書込ゲートのスイツチングで変化させるジ
ヨセフソンマスターフリツプフロツプにおいて、
該駆動ゲートの臨界電流値を、該書込みゲートお
よびその他のゲートの臨界電流値に比べてより大
きい比率にし、該駆動ゲートにつながる給電抵抗
をその比率の逆数だけ小さくしたことを特徴とす
るジヨセフソンマスターフリツプフロツプ。1 A superconducting loop consisting of a write gate made of a Josephson device and an inductance provided in parallel with the write gate, and a drive input to the write gate and a write enable input for the write gate. , and a driving gate consisting of a Josephson device, in which the persistent current stored in the superconducting loop is varied by switching the write gate,
JOSEPH, characterized in that the critical current value of the drive gate is set to a larger ratio than the critical current values of the write gate and other gates, and the power supply resistance connected to the drive gate is reduced by the reciprocal of the ratio. Song Master Flip Flop.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60101494A JPS61261916A (en) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | Jesephson master flip-flop |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60101494A JPS61261916A (en) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | Jesephson master flip-flop |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61261916A JPS61261916A (en) | 1986-11-20 |
| JPH0374969B2 true JPH0374969B2 (en) | 1991-11-28 |
Family
ID=14302214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60101494A Granted JPS61261916A (en) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | Jesephson master flip-flop |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61261916A (en) |
-
1985
- 1985-05-15 JP JP60101494A patent/JPS61261916A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61261916A (en) | 1986-11-20 |
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