JPH0375291A - ＺｎＳｅ単結晶の製造方法 - Google Patents
ＺｎＳｅ単結晶の製造方法Info
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- JPH0375291A JPH0375291A JP1207894A JP20789489A JPH0375291A JP H0375291 A JPH0375291 A JP H0375291A JP 1207894 A JP1207894 A JP 1207894A JP 20789489 A JP20789489 A JP 20789489A JP H0375291 A JPH0375291 A JP H0375291A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
且玉立五五立夏
本発明は、青色ＬＥＤ用基板として有用なＺｎＳｅ単結
晶の製造方法に関する。
晶の製造方法に関する。
蓋来五五
青色ＬＥＤ用基板として、良質のＺｎＳｅ単結晶に対す
る要求が高まっており、その作製法について従来から、
高圧ブリッジマン法、ヨウ素輸送法、昇華法など種々の
方法が試みられている。
る要求が高まっており、その作製法について従来から、
高圧ブリッジマン法、ヨウ素輸送法、昇華法など種々の
方法が試みられている。
高圧ブリッジマン法は、数ｌＯ気圧という圧力をかけな
がら、１５００℃以上の高温でＺｎＳｅを坩堝中で溶融
させておき、それを１方向から凝固させながら単結晶を
育成する方法である。
がら、１５００℃以上の高温でＺｎＳｅを坩堝中で溶融
させておき、それを１方向から凝固させながら単結晶を
育成する方法である。
ヨウ素輸送法は、ＺｎＳｅとヨウ素を容器中に封入して
、温度勾配の中に保持することにより、低温部にＺｎＳ
ｅ単結晶を得る方法である。 昇華法は、ＺｎＳｅ原料
を容器中に真空封入して、これをｔｏｏｏ℃以上に加熱
して昇華させ、これを容器反対側の低温部に堆積させる
ことにより、単結晶を得る方法である。
、温度勾配の中に保持することにより、低温部にＺｎＳ
ｅ単結晶を得る方法である。 昇華法は、ＺｎＳｅ原料
を容器中に真空封入して、これをｔｏｏｏ℃以上に加熱
して昇華させ、これを容器反対側の低温部に堆積させる
ことにより、単結晶を得る方法である。
また、つい最近、ＺｎＳｅ多結晶体を熱処理し、固相を
保ったまま、粒成長させ、単結晶を得る方法が公開特許
公報 昭６３−２３０５９９号に報告されている。この
方法は、ＺｎＳｅ多結晶体を棒状に加工し、反応管にい
れ、Ｏ，１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの不活性ガス、窒
素又はＨ３Ｓｅガス或はこれらの混合ガス雰囲気とし、
室温から１００℃の低温部ＡＢと温度勾配が５０℃／
ｃ ｍ〜２００℃／ ｃ ｍである昇温部ＢＣと、温度
Ｔ。
保ったまま、粒成長させ、単結晶を得る方法が公開特許
公報 昭６３−２３０５９９号に報告されている。この
方法は、ＺｎＳｅ多結晶体を棒状に加工し、反応管にい
れ、Ｏ，１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの不活性ガス、窒
素又はＨ３Ｓｅガス或はこれらの混合ガス雰囲気とし、
室温から１００℃の低温部ＡＢと温度勾配が５０℃／
ｃ ｍ〜２００℃／ ｃ ｍである昇温部ＢＣと、温度
Ｔ。
が７００℃〜９００℃である高温部ＣＤと、温度勾配が
一り００℃／ ｃ ｍ〜−５０℃／ ｃ ｍである降温
部ＤＥと、室温〜１００℃の低温部ＥＦよりなる温度分
布の中を、０．０５ｍｍ／ｄａｙ〜５ｍｍ／ｄａｙの速
度で移動させることにより、固相を保ちながらＺｎＳｅ
多結晶をＺｎＳｅ単結晶に変化させる方法である。
一り００℃／ ｃ ｍ〜−５０℃／ ｃ ｍである降温
部ＤＥと、室温〜１００℃の低温部ＥＦよりなる温度分
布の中を、０．０５ｍｍ／ｄａｙ〜５ｍｍ／ｄａｙの速
度で移動させることにより、固相を保ちながらＺｎＳｅ
多結晶をＺｎＳｅ単結晶に変化させる方法である。
τ
しかしながら、上記方法は、それぞれ以下のような問題
点があった。高圧ブリッジマン法は、高温で坩堝と接触
するため、不純物の混入が多く、良質の結晶が得にくい
外、単結晶化率の再現性が悪く、必ずしも単結晶が得ら
れないという問題があった。ヨウ素輸送法は、得られる
結晶の大きさが小さく、また、ヨウ素の混入が避けられ
ないという問題があった。昇華法は、大型の単結晶が得
られないという問題があった。公開特許公報昭６３−２
３０５９９号の方法では、上記温度Ｔ、が、７００℃〜
９００℃という低温では、粒成長が進まず、単結晶が得
られない問題があった。さらに、Ｔ１を１０００℃迄上
げても、５ｍｍ／ｄａｙ以下と結晶成長速度が極めて遅
く生産性が悪く、また、原料とするＺｎＳｅ多結晶体も
その製法によっては単結晶化しない場合がある、得られ
る結晶は双晶が多い、５０℃／ｃｍ〜２００℃／ ｃ
ｍといった大きな温度勾配を必要とし、装置上の制約が
大きいといった問題があった。
点があった。高圧ブリッジマン法は、高温で坩堝と接触
するため、不純物の混入が多く、良質の結晶が得にくい
外、単結晶化率の再現性が悪く、必ずしも単結晶が得ら
れないという問題があった。ヨウ素輸送法は、得られる
結晶の大きさが小さく、また、ヨウ素の混入が避けられ
ないという問題があった。昇華法は、大型の単結晶が得
られないという問題があった。公開特許公報昭６３−２
３０５９９号の方法では、上記温度Ｔ、が、７００℃〜
９００℃という低温では、粒成長が進まず、単結晶が得
られない問題があった。さらに、Ｔ１を１０００℃迄上
げても、５ｍｍ／ｄａｙ以下と結晶成長速度が極めて遅
く生産性が悪く、また、原料とするＺｎＳｅ多結晶体も
その製法によっては単結晶化しない場合がある、得られ
る結晶は双晶が多い、５０℃／ｃｍ〜２００℃／ ｃ
ｍといった大きな温度勾配を必要とし、装置上の制約が
大きいといった問題があった。
且皿立盪戒
本発明は、上記の種々の問題点を解決したものであって
、ＣＶＤ法で作製したＺｎＳｅ多結晶体を、Ｓｅと共に
反応容器にいれ、真空封入したものを、８００℃以上９
５０℃以下の温度域にあるＡ部と、７００℃以上８００
℃以下の温度域のＢ部と、Ａ部とＢ部の間にあり、Ｂ部
からＡ部に向かって温度が高くなる０部よりなる温度分
布が形成された中を、６ｍｍ／日〜７２ｍｍ／日の速度
で、Ｂ部から０部を経て、Ａ部の方向へ移動させること
により、ＺｎＳｅ多結晶体を固相成長させ、単結晶化す
ることを特徴とするＺｎＳｅ単結晶の製造方法に関する
ものである。また、このときのＺｎＳｅ多結晶体が、６
００℃以上８００℃以下の温度で、Ｚｎ蒸気とＨ３Ｓｅ
ガス、またはＺｎ蒸気とＳｅ蒸気をＣＶＤ反応させて堆
積させたものであるＺｎＳｅ単結晶の製造方法に関する
ものである。
、ＣＶＤ法で作製したＺｎＳｅ多結晶体を、Ｓｅと共に
反応容器にいれ、真空封入したものを、８００℃以上９
５０℃以下の温度域にあるＡ部と、７００℃以上８００
℃以下の温度域のＢ部と、Ａ部とＢ部の間にあり、Ｂ部
からＡ部に向かって温度が高くなる０部よりなる温度分
布が形成された中を、６ｍｍ／日〜７２ｍｍ／日の速度
で、Ｂ部から０部を経て、Ａ部の方向へ移動させること
により、ＺｎＳｅ多結晶体を固相成長させ、単結晶化す
ることを特徴とするＺｎＳｅ単結晶の製造方法に関する
ものである。また、このときのＺｎＳｅ多結晶体が、６
００℃以上８００℃以下の温度で、Ｚｎ蒸気とＨ３Ｓｅ
ガス、またはＺｎ蒸気とＳｅ蒸気をＣＶＤ反応させて堆
積させたものであるＺｎＳｅ単結晶の製造方法に関する
ものである。
本発明で使用する原料は、ＣＶＤ法で作製したＺｎＳｅ
多結晶体である。これは、第２図に示すように電気炉（
１）内でＺｎ （６）を加熱し、Ｚｎ蒸気を発生させ、
これをＡｒ、水素などのキャリアガスにより反、応堆積
部に導入し、別の導入管を用いて同郡に導いたＨ、Ｓｅ
ガスと反応させ、カーボン基板（８）上などにＺｎＳｅ
（７）として堆積させることによって得られる。Ｈ３
Ｓｅガスの代わりに、Ｓｅを加熱し、Ｓｅ蒸気をキャリ
アガスを用いて反応堆積部に導入してもよい。
多結晶体である。これは、第２図に示すように電気炉（
１）内でＺｎ （６）を加熱し、Ｚｎ蒸気を発生させ、
これをＡｒ、水素などのキャリアガスにより反、応堆積
部に導入し、別の導入管を用いて同郡に導いたＨ、Ｓｅ
ガスと反応させ、カーボン基板（８）上などにＺｎＳｅ
（７）として堆積させることによって得られる。Ｈ３
Ｓｅガスの代わりに、Ｓｅを加熱し、Ｓｅ蒸気をキャリ
アガスを用いて反応堆積部に導入してもよい。
反応堆積部の温度は６００℃〜８００℃の範囲で作製し
たものであることが必要である。
たものであることが必要である。
第１図に示すように６００℃以下の温度で堆積させたＺ
ｎＳｅ多結晶体（２）を、Ｓｅと共に反応容器（４）に
いれ、真空封入したものを、電気炉（５）において８０
０℃以上９５０℃以下の温度域にあるＡ部と、７００℃
以上８００℃以下の温度域のＢ部と、Ａ部とＢ部の間に
あり、Ｂ部からＡ部に向かって温度が高くなる０部より
なる温度分布が形成された中を、６ｍｍ／日〜７２ｍｍ
／日の速度で、Ｂ部から０部を経て、Ａ部の方向へ移動
させても、結晶中に穴のあいたものしか得られない。
ｎＳｅ多結晶体（２）を、Ｓｅと共に反応容器（４）に
いれ、真空封入したものを、電気炉（５）において８０
０℃以上９５０℃以下の温度域にあるＡ部と、７００℃
以上８００℃以下の温度域のＢ部と、Ａ部とＢ部の間に
あり、Ｂ部からＡ部に向かって温度が高くなる０部より
なる温度分布が形成された中を、６ｍｍ／日〜７２ｍｍ
／日の速度で、Ｂ部から０部を経て、Ａ部の方向へ移動
させても、結晶中に穴のあいたものしか得られない。
８００℃以上の温度で堆積させた原料を、Ｓｅと共に反
応容器（亭）にいれ、真空封入したものを、電気炉（５
）において８００℃以上９５０℃以下の温度域にあるＡ
部と、７００℃以上８００℃以下の温度域のＢ部と、Ａ
部とＢ部の間にあり、Ｂ部からＡ部に向かって温度が高
くなる０部よりなる温度分布が形成された中を、６ｍｍ
／日〜７２ ｍ ｍ ７日の速度で、Ｂ部から０部を経
て、Ａ部の方向へ移動させても、ＺｎＳｅ多結晶は粒成
長しなかったり、粒成長しても、双晶が著しく多く含ま
れる結晶しか得られいという問題がある。
応容器（亭）にいれ、真空封入したものを、電気炉（５
）において８００℃以上９５０℃以下の温度域にあるＡ
部と、７００℃以上８００℃以下の温度域のＢ部と、Ａ
部とＢ部の間にあり、Ｂ部からＡ部に向かって温度が高
くなる０部よりなる温度分布が形成された中を、６ｍｍ
／日〜７２ ｍ ｍ ７日の速度で、Ｂ部から０部を経
て、Ａ部の方向へ移動させても、ＺｎＳｅ多結晶は粒成
長しなかったり、粒成長しても、双晶が著しく多く含ま
れる結晶しか得られいという問題がある。
６００℃〜８００℃、好ましくは７００℃〜７５０℃の
範囲で堆積させたものは、Ｓｅと共に反応容器にいれ、
真空封入したものを、８００℃以上９５０℃以下の温度
域にあるＡ部と、７００℃以上８００℃以下の温度域の
Ｂ部と、Ａ部とＢ部の間にあり、Ｂ部からＡ部に向かっ
て温度が高くなる０部よりなる温度分布が形成された中
を、６ｍ ｍ ／日〜７２ｍｍ／日の速度で、Ｂ部から
０部を経て、Ａ部の方向へ移動させることによって、双
晶が少なく非常に大きな単結晶が得られる。さらに、こ
の範囲の温度域で堆積させたＺｎＳｅ多結晶原料を用い
た場合、単結晶化した際の結晶方位は、ＣＶＤ法による
堆積面が（１１１）面となるという特徴があり、単結晶
基板として切りだして使用する際、非常に有利なものが
得られる。
範囲で堆積させたものは、Ｓｅと共に反応容器にいれ、
真空封入したものを、８００℃以上９５０℃以下の温度
域にあるＡ部と、７００℃以上８００℃以下の温度域の
Ｂ部と、Ａ部とＢ部の間にあり、Ｂ部からＡ部に向かっ
て温度が高くなる０部よりなる温度分布が形成された中
を、６ｍ ｍ ／日〜７２ｍｍ／日の速度で、Ｂ部から
０部を経て、Ａ部の方向へ移動させることによって、双
晶が少なく非常に大きな単結晶が得られる。さらに、こ
の範囲の温度域で堆積させたＺｎＳｅ多結晶原料を用い
た場合、単結晶化した際の結晶方位は、ＣＶＤ法による
堆積面が（１１１）面となるという特徴があり、単結晶
基板として切りだして使用する際、非常に有利なものが
得られる。
このようにして作製したＺｎＳｅ多結晶を本発明では原
料とするものである。これを、適当な大きさに棒状に切
りだし、石英アンプル等の容器に高純度のＳｅと共に真
空で封入する。使用するＳｅは９９．９９９９％以上の
純度をもつものであることが望ましい。これを第１図に
示すように、８００℃以上９５０℃以下の温度域にある
Ａ部と、７００℃以上８００℃以下の温度域のＢ部と、
Ａ部とＢ部の間にあり、Ｂ部からＡ部に向かって温度が
高くなる０部よりなる温度分布が形成された中を、６ｍ
ｍ／日〜７２ｍｍ／日の速度で、Ｂ部から０部を経て、
Ａ部の方向へ移動させることにより、ＺｎＳｅ多結晶体
を固相成長させ、単結晶化する。
料とするものである。これを、適当な大きさに棒状に切
りだし、石英アンプル等の容器に高純度のＳｅと共に真
空で封入する。使用するＳｅは９９．９９９９％以上の
純度をもつものであることが望ましい。これを第１図に
示すように、８００℃以上９５０℃以下の温度域にある
Ａ部と、７００℃以上８００℃以下の温度域のＢ部と、
Ａ部とＢ部の間にあり、Ｂ部からＡ部に向かって温度が
高くなる０部よりなる温度分布が形成された中を、６ｍ
ｍ／日〜７２ｍｍ／日の速度で、Ｂ部から０部を経て、
Ａ部の方向へ移動させることにより、ＺｎＳｅ多結晶体
を固相成長させ、単結晶化する。
本発明の最大の特徴であるＳｅを加えることにより、Ｓ
ｅ蒸気圧が加わった状態でＺｎＳｅ多結晶は熱処理され
る。この時、原料容器の低温部は７００℃以上である必
要がある。７００℃以下の温度では、その低温部にＳｅ
が凝縮し、必要なＳｅ蒸気圧が得られない。８００℃以
上では、結晶成長開始時で、そこに原料のＺｎＳｅ多結
晶が位置するアンプルの移動前にＺｎＳｅ多結晶がいろ
いろな位置で粒成長してしまって単結晶化することがで
きない。したがって、Ｂ部は７００℃〜８００℃である
必要がある。
ｅ蒸気圧が加わった状態でＺｎＳｅ多結晶は熱処理され
る。この時、原料容器の低温部は７００℃以上である必
要がある。７００℃以下の温度では、その低温部にＳｅ
が凝縮し、必要なＳｅ蒸気圧が得られない。８００℃以
上では、結晶成長開始時で、そこに原料のＺｎＳｅ多結
晶が位置するアンプルの移動前にＺｎＳｅ多結晶がいろ
いろな位置で粒成長してしまって単結晶化することがで
きない。したがって、Ｂ部は７００℃〜８００℃である
必要がある。
Ｓｅを加えた状態で本発明の熱処理を加えることによっ
て次の違いがある。
て次の違いがある。
窒素、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気の場合、熱処理によっ
て単結晶を得ようとするならば、９００壱以上の温度で
、３ｍｍ／ｄａｙ以下の非常にゆ毛＜りとした速度でア
ンプルを移動させることが必要である。この温度より低
い場合、またはこれ以上速度が速い場合、粒成長が起ら
ず、単結晶は得られない。また、これらの条件を単結晶
が得られる条件とした場合でも、作製された単結晶は多
くの双晶を含み、ＬＥＤ用基板を取り出すには不都合で
ある。
て単結晶を得ようとするならば、９００壱以上の温度で
、３ｍｍ／ｄａｙ以下の非常にゆ毛＜りとした速度でア
ンプルを移動させることが必要である。この温度より低
い場合、またはこれ以上速度が速い場合、粒成長が起ら
ず、単結晶は得られない。また、これらの条件を単結晶
が得られる条件とした場合でも、作製された単結晶は多
くの双晶を含み、ＬＥＤ用基板を取り出すには不都合で
ある。
また、Ｈ３Ｓｅガスを雰囲気とする場合、非常に毒性の
強いガスであるため、その安全性に問題があり、使用に
は安全設備に大きな費用をかける必要がある。
強いガスであるため、その安全性に問題があり、使用に
は安全設備に大きな費用をかける必要がある。
本発明のようにＳｅを、ＺｎＳｅ多結晶と共に容器中に
入れ、熱処理する場合、Ｓｅは固体であって、扱いやす
いし、また、不活性ガス雰囲気に比べ結晶の粒成長を著
しく促進する効果がある。
入れ、熱処理する場合、Ｓｅは固体であって、扱いやす
いし、また、不活性ガス雰囲気に比べ結晶の粒成長を著
しく促進する効果がある。
例えば、粒成長は８００℃以上で生じるほか、粒成長速
度も著しく早くなる。したがって、７２ｍ ｍ ７日と
いう不活性ガスに比べて非常に速い速度で、原料のＺｎ
Ｓｅ多結晶をいれた容器を移動しても単結晶化が可能で
ある。また、双晶もほとんど発生せず、さらに３５℃／
ｃ ｍという比較的緩い温度勾配でも単結晶が得られ
ており、５０℃／ ｃ ｍ〜２００℃／ ｃ ｍといっ
た大きな温度勾配は必要とされない。Ｓｅを加えること
の意義は非常に大きいことは明らかである。
度も著しく早くなる。したがって、７２ｍ ｍ ７日と
いう不活性ガスに比べて非常に速い速度で、原料のＺｎ
Ｓｅ多結晶をいれた容器を移動しても単結晶化が可能で
ある。また、双晶もほとんど発生せず、さらに３５℃／
ｃ ｍという比較的緩い温度勾配でも単結晶が得られ
ており、５０℃／ ｃ ｍ〜２００℃／ ｃ ｍといっ
た大きな温度勾配は必要とされない。Ｓｅを加えること
の意義は非常に大きいことは明らかである。
Ａ部の温度は８００℃以下では単結晶化しない。
又、特に本発明ではＳｅが添加されているため、９５０
℃以下でも充分実施できるのである。９５０℃以上では
、ＺｎＳｅが昇華してしまい、やはり単結晶を得ること
ができない。したがってＡ部の温度は８００℃〜９５０
℃とすることが必要である。
℃以下でも充分実施できるのである。９５０℃以上では
、ＺｎＳｅが昇華してしまい、やはり単結晶を得ること
ができない。したがってＡ部の温度は８００℃〜９５０
℃とすることが必要である。
また、容器の移動速度は６ｍｍ／日以上７２ｍｍ／日以
下に限定される。７２ｍｍ／日以上では粒成長が起らず
、単結晶化しない。６ｍｍ／日以下では生産性が低すぎ
る。６ｍｍ／日〜７２ｍｍ／日では単結晶（３）が得ら
れ、好ましくは６ｍｍ／日〜１０ｍｍ／日で良質の単結
晶が得られる。
下に限定される。７２ｍｍ／日以上では粒成長が起らず
、単結晶化しない。６ｍｍ／日以下では生産性が低すぎ
る。６ｍｍ／日〜７２ｍｍ／日では単結晶（３）が得ら
れ、好ましくは６ｍｍ／日〜１０ｍｍ／日で良質の単結
晶が得られる。
［実施例］
ち・
：Ｚｎ蒸気とＨおＳｅガスを用いて、カーボン基二二Ｉ
ヒ
板状（８〉に７５０℃でＣＶＤ反応、堆積して作製した
ＺｎＳｅ多結晶板（２）を２０ｍｍＸ ２０ｍｍＸ１０
０ｍｍの棒状に切断加工して原料ＺｎＳｅとした。これ
をアルコールで洗浄した後、２゜２ｇの９９．９９９９
％の純度のＳｅとともに、内径３０ｍｍの石英管にいれ
、真空封入した。
ＺｎＳｅ多結晶板（２）を２０ｍｍＸ ２０ｍｍＸ１０
０ｍｍの棒状に切断加工して原料ＺｎＳｅとした。これ
をアルコールで洗浄した後、２゜２ｇの９９．９９９９
％の純度のＳｅとともに、内径３０ｍｍの石英管にいれ
、真空封入した。
これを、第３図に示すように、Ａ部の温度９４０℃、Ｂ
部の温度７５０℃の温度分布をもつ縦型電気炉（５）中
に、石英アンプルの下端がＢ部のＡ部寄り端部になるよ
うにつり下げ、７ｍｍ／ｄａｙで下方に引き下げた。
部の温度７５０℃の温度分布をもつ縦型電気炉（５）中
に、石英アンプルの下端がＢ部のＡ部寄り端部になるよ
うにつり下げ、７ｍｍ／ｄａｙで下方に引き下げた。
２０日後、はぼすべての原料結晶がＡ部に入ったことを
確認後、アンプルを電気炉からとりだした後、石英管を
割って結晶を取りだした。結晶は、最初にＡ部に入った
端部を除き、単結晶になっていることが確認された。ま
た、双晶は結晶の長手方向に数本穴っているだけであり
、１５ｍｍ角の双晶の入っていない基板を３７枚作製す
ることができた。
確認後、アンプルを電気炉からとりだした後、石英管を
割って結晶を取りだした。結晶は、最初にＡ部に入った
端部を除き、単結晶になっていることが確認された。ま
た、双晶は結晶の長手方向に数本穴っているだけであり
、１５ｍｍ角の双晶の入っていない基板を３７枚作製す
ることができた。
［比較例］
結晶のアンプルを作製する際に、Ｓｅをいれずに、Ａｒ
雰囲気１００Ｔｏ ｒ ｒで封入した。他の条件は実施
例に示したのと同じ条件である。 ＺｎＳｅ多結晶はわ
ずかに粒成長したものの、実施例のごと＜Ｓｅが入って
いないため、３ｍｍ角程度の粒界の大きさであった。ま
た、双晶が著しく多く、双晶を避けて結晶基板を作製す
ることができなかった。
雰囲気１００Ｔｏ ｒ ｒで封入した。他の条件は実施
例に示したのと同じ条件である。 ＺｎＳｅ多結晶はわ
ずかに粒成長したものの、実施例のごと＜Ｓｅが入って
いないため、３ｍｍ角程度の粒界の大きさであった。ま
た、双晶が著しく多く、双晶を避けて結晶基板を作製す
ることができなかった。
且里立立来
本発明により、ＺｎＳｅ多結晶体を固相を保ったまま結
晶成長させる方法において、５ｍｍ／ｄａｙ以下と結晶
成長速度が極めて遅く生産性が悪く、また、原料とする
ＣＶＤ法によって得られたＺｎＳｅ多結晶体もその製法
によっては単結晶化しない場合がある、５０〜２００℃
といった大きな温度勾配を必要とし、装置上の制約が大
きいといった問題を解決し、良好な単結晶基板を再現性
よく得られるようになるという効果がある。
晶成長させる方法において、５ｍｍ／ｄａｙ以下と結晶
成長速度が極めて遅く生産性が悪く、また、原料とする
ＣＶＤ法によって得られたＺｎＳｅ多結晶体もその製法
によっては単結晶化しない場合がある、５０〜２００℃
といった大きな温度勾配を必要とし、装置上の制約が大
きいといった問題を解決し、良好な単結晶基板を再現性
よく得られるようになるという効果がある。
第１図は、本発明の概略図を示したものである。
第な図は、本発明で使用したＺｎＳｅ多結晶体を作製し
たＣＶＤ装置の概略図である。第３図は実施例での温度
分布とアンプルの位置を示したものである。 電気炉 ＺｎＳｅ多結晶体 ＺｎＳｅ単結晶体 容器 電気炉 亜鉛 ＺｎＳｅ多結晶体 カーボン基板
たＣＶＤ装置の概略図である。第３図は実施例での温度
分布とアンプルの位置を示したものである。 電気炉 ＺｎＳｅ多結晶体 ＺｎＳｅ単結晶体 容器 電気炉 亜鉛 ＺｎＳｅ多結晶体 カーボン基板
Claims (2)
- （１）ＣＶＤ法で作製したＺｎＳｅ多結晶体を、Ｓｅと
共に反応容器にいれ、真空封入したものを、８００℃以
上９５０℃以下の温度域にあるＡ部と、７００℃以上８
００℃以下の温度域のＢ部と、Ａ部とＢ部の間にあり、
Ｂ部からＡ部に向かって温度が高くなるＣ部よりなる温
度分布が形成された中を、６ｍｍ／日〜７２ｍｍ／日の
速度で、Ｂ部からＣ部を経て、Ａ部の方向へ移動させる
ことにより、ＺｎＳｅ多結晶体を固相成長させ、単結晶
化することを特徴とするＺｎＳｅ単結晶の製造方法。 - （２）ＺｎＳｅ多結晶体が、６００℃以上８００℃以下
の温度で、Ｚｎ蒸気とＨ＿３Ｓｅガス、またはＺｎ蒸気
とＳｅ蒸気をＣＶＤ反応させて堆積させたものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＺｎＳｅ単
結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1207894A JPH0375291A (ja) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | ＺｎＳｅ単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1207894A JPH0375291A (ja) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | ＺｎＳｅ単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375291A true JPH0375291A (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16547335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1207894A Pending JPH0375291A (ja) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | ＺｎＳｅ単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0375291A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08119792A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-05-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 昇華法における結晶化速度の測定方法、結晶の精製方法及び単結晶の成長方法 |
| JP2007231430A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Hashisen:Kk | ゴルフ用手袋 |
-
1989
- 1989-08-14 JP JP1207894A patent/JPH0375291A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08119792A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-05-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 昇華法における結晶化速度の測定方法、結晶の精製方法及び単結晶の成長方法 |
| JP2007231430A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Hashisen:Kk | ゴルフ用手袋 |
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