JPH0375370A - 合成樹脂の帯電防止方法 - Google Patents
合成樹脂の帯電防止方法Info
- Publication number
- JPH0375370A JPH0375370A JP1213779A JP21377989A JPH0375370A JP H0375370 A JPH0375370 A JP H0375370A JP 1213779 A JP1213779 A JP 1213779A JP 21377989 A JP21377989 A JP 21377989A JP H0375370 A JPH0375370 A JP H0375370A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- jig
- synthetic resin
- wafer storage
- ions
- storage jig
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体ウェーハを収納するウェーハ収納治具等を構成す
る合成樹脂の帯電を防止する方法に関し、ウェーハ収納
治具などを構成する合成樹脂の帯電を防止することが可
能な合成樹脂の帯電防止方法の提供を目的とし、 合成樹脂からなる基材の表面にイオンを注入し、前記基
材の表面にイオンを含有するイオン注入層を形成するよ
う構成する。
る合成樹脂の帯電を防止する方法に関し、ウェーハ収納
治具などを構成する合成樹脂の帯電を防止することが可
能な合成樹脂の帯電防止方法の提供を目的とし、 合成樹脂からなる基材の表面にイオンを注入し、前記基
材の表面にイオンを含有するイオン注入層を形成するよ
う構成する。
本発明は、半導体ウェーハを収納するウェーハ収納治具
などを構成する合成樹脂の帯電を防止する方法に関する
ものである。
などを構成する合成樹脂の帯電を防止する方法に関する
ものである。
半導体装置の製造工程において半導体ウェーハを収納し
てウェーハの洗浄や運搬に用いるウェーハ収納治具には
弗素系樹脂が用いられており、ウェーハの保管や運搬に
用いるウェーハ収納治具にはポリプロピレンが用いられ
ているが、これらの合成樹脂の表面抵抗が高いために、
特に液中から空気中にこれらの材料からなるウェーハ収
納治具を引き上げた場合には帯電し易くなり、ウェーハ
収納治具が帯電すると空気中に浮遊している塵埃を吸着
し、その際ウェーハ収納治具に収納している半導体ウェ
ーハにもこの塵埃が吸着され、半導体ウェーハが汚染さ
れるために、半導体装置の製造工程において製造障害が
発生している。
てウェーハの洗浄や運搬に用いるウェーハ収納治具には
弗素系樹脂が用いられており、ウェーハの保管や運搬に
用いるウェーハ収納治具にはポリプロピレンが用いられ
ているが、これらの合成樹脂の表面抵抗が高いために、
特に液中から空気中にこれらの材料からなるウェーハ収
納治具を引き上げた場合には帯電し易くなり、ウェーハ
収納治具が帯電すると空気中に浮遊している塵埃を吸着
し、その際ウェーハ収納治具に収納している半導体ウェ
ーハにもこの塵埃が吸着され、半導体ウェーハが汚染さ
れるために、半導体装置の製造工程において製造障害が
発生している。
以上のような状況から、合成樹脂の帯電を防止すること
が可能な合成樹脂の帯電防止方法が要望されている。
が可能な合成樹脂の帯電防止方法が要望されている。
従来の半導体ウェーハを収納するウェーハ収納治具の場
合について第３図により説明する。
合について第３図により説明する。
図に示すように、ウェーハ収納治具１には溝１ａが設け
られており、この溝ｌａ内に半導体ウェーハを挿入して
収納している。
られており、この溝ｌａ内に半導体ウェーハを挿入して
収納している。
このような半導体ウェーハを収納して半導体ウェーハの
洗浄や運搬に用いるウェーハ収納治具１には弗素系樹脂
が用いられており、半導体ウェーハの保管や運搬に用い
るウェーハ収納治具１にはポリプロピレンが用いられて
いる。
洗浄や運搬に用いるウェーハ収納治具１には弗素系樹脂
が用いられており、半導体ウェーハの保管や運搬に用い
るウェーハ収納治具１にはポリプロピレンが用いられて
いる。
これらの合成樹脂は表面抵抗が高いために帯電し易くな
り、特に弗素系樹脂からなる洗浄用のウェーハ収納治具
１を液中から空気中に引き上げる際には、ウェーハ収納
治具１が帯電すると空気中に浮遊している塵埃を吸着し
、その際ウェーハ収納治具１に収納している半導体ウェ
ーハにもこの塵埃が吸着され、半導体ウェーハが汚染さ
れるために、半導体装置の製造工程において製造障害が
発生している。
り、特に弗素系樹脂からなる洗浄用のウェーハ収納治具
１を液中から空気中に引き上げる際には、ウェーハ収納
治具１が帯電すると空気中に浮遊している塵埃を吸着し
、その際ウェーハ収納治具１に収納している半導体ウェ
ーハにもこの塵埃が吸着され、半導体ウェーハが汚染さ
れるために、半導体装置の製造工程において製造障害が
発生している。
以上説明した従来のウェーハ収納治具においては、ウェ
ーハ収納治具が弗素系樹脂やポリプロピレンなどの材料
から構成されているので帯電し易くなっており、塵埃を
吸着し易くなっている。このためにウェーハ収納治具に
収納している半導体ウェーハにもこの塵埃が吸着されて
半導体ウェーハが汚染され、半導体装置の製造工程にお
いて製造障害が発生するという問題点があった。
ーハ収納治具が弗素系樹脂やポリプロピレンなどの材料
から構成されているので帯電し易くなっており、塵埃を
吸着し易くなっている。このためにウェーハ収納治具に
収納している半導体ウェーハにもこの塵埃が吸着されて
半導体ウェーハが汚染され、半導体装置の製造工程にお
いて製造障害が発生するという問題点があった。
本発明は以上のような状況から、ウェーハ収納治具など
を構成する合成樹脂の帯電を防止することが可能な合成
樹脂の帯電防止方法の提供を目的としたものである。
を構成する合成樹脂の帯電を防止することが可能な合成
樹脂の帯電防止方法の提供を目的としたものである。
本発明の合成樹脂の帯電防止方法は、合成樹脂からなる
基材の表面にイオンを注入し、前記基材の表面にイオン
を含有するイオン注入層を形成するよう構成する。
基材の表面にイオンを注入し、前記基材の表面にイオン
を含有するイオン注入層を形成するよう構成する。
即ち本発明においては、半導体ウェーハを収納するウェ
ーハ収納治具などを構成する合成樹脂の表面にイオンを
注入し、この合成樹脂の表面にイオンを含有するイオン
注入層を形成するので、表面に発生する静電気の量を減
少させることができ、また、このイオン注入層の電気抵
抗が非常に小さいので、使用に際してこのウェーハ収納
治具を接地することにより、表面に発生した静電気を完
全に伝導させて除去することが可能となる。
ーハ収納治具などを構成する合成樹脂の表面にイオンを
注入し、この合成樹脂の表面にイオンを含有するイオン
注入層を形成するので、表面に発生する静電気の量を減
少させることができ、また、このイオン注入層の電気抵
抗が非常に小さいので、使用に際してこのウェーハ収納
治具を接地することにより、表面に発生した静電気を完
全に伝導させて除去することが可能となる。
以下第１図により本発明による一実施例を弗素樹脂から
なるウェーハ収納治具の場合について説明する。
なるウェーハ収納治具の場合について説明する。
第１図は本発明による一実施例を示す図であり、ウェー
ハ収納治具１の全表面に図における矢印のようにイオン
をムラなく注入するために、イオン注入装置内ではウェ
ーハ収納治具ｌを移動させることが必要となる。
ハ収納治具１の全表面に図における矢印のようにイオン
をムラなく注入するために、イオン注入装置内ではウェ
ーハ収納治具ｌを移動させることが必要となる。
イオン注入による効果を確認するために、直径１００ｗ
、厚さ３ｆｌの弗素樹脂製の円板と、同じ円板に下記条
件でイオンを注入したものとを作ってその帯電状態を比
較した。
、厚さ３ｆｌの弗素樹脂製の円板と、同じ円板に下記条
件でイオンを注入したものとを作ってその帯電状態を比
較した。
イオン種−−−−−−−−−一−−−−−・−・−−−
−−−−一・−・〜−−−−−シリコン（Ｓｉ”）注入
エネルギー・−・−・・−・−・−一−−−−・−・・
・・・−−−−−１５０ＫｅＶドーズ量−−−−−−−
−−−−・−−−−−−−−−−−−−−−−−−５Ｘ
１０ ” ｃｍ−”このイオン注入を行った弗素樹脂
の円板の表面は基材とは異なる褐色になる。
−−−−一・−・〜−−−−−シリコン（Ｓｉ”）注入
エネルギー・−・−・・−・−・−一−−−−・−・・
・・・−−−−−１５０ＫｅＶドーズ量−−−−−−−
−−−−・−−−−−−−−−−−−−−−−−−５Ｘ
１０ ” ｃｍ−”このイオン注入を行った弗素樹脂
の円板の表面は基材とは異なる褐色になる。
これらの円板を純水中から引き上げて、その直後の静電
気による帯電電圧を測定した測定結果は下表の通りであ
る。
気による帯電電圧を測定した測定結果は下表の通りであ
る。
このようにイオンを注入しない場合には、接地を行って
も−１０，０００〜−２０，０ＯＯＶ（７）帯電電圧が
認められるが、イオンを注入した場合には、接地を行わ
ない場合においても実用的には静電気障害が発生しない
−２，０ＯＯＶ以下であり、接地を行った場合において
はＯＶになり、完全に帯電を防止することが可能となる
。
も−１０，０００〜−２０，０ＯＯＶ（７）帯電電圧が
認められるが、イオンを注入した場合には、接地を行わ
ない場合においても実用的には静電気障害が発生しない
−２，０ＯＯＶ以下であり、接地を行った場合において
はＯＶになり、完全に帯電を防止することが可能となる
。
ウェーハ収納治具１を純水２中から引き上げる場合には
、第２図に示すようにウェーハ収納治具ｌをケーブル３
によって接地すると上記のように帯電電圧をＯｖにする
ことが可能となる。
、第２図に示すようにウェーハ収納治具ｌをケーブル３
によって接地すると上記のように帯電電圧をＯｖにする
ことが可能となる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、極めて
簡単なイオン注入処理を行うことにより、合成樹脂の基
材の表面にイオン注入層を形成することが可能となり、
合成樹脂の表面の静電気の量を減少させることができ、
更に接地することにより、表面に発生した静電気を完全
に伝導させて除去することが可能となる利点があり、著
しい信頼性向上の効果が期待できる合成樹脂の帯電防止
方法の提供が可能となる。
簡単なイオン注入処理を行うことにより、合成樹脂の基
材の表面にイオン注入層を形成することが可能となり、
合成樹脂の表面の静電気の量を減少させることができ、
更に接地することにより、表面に発生した静電気を完全
に伝導させて除去することが可能となる利点があり、著
しい信頼性向上の効果が期待できる合成樹脂の帯電防止
方法の提供が可能となる。
第１図は本発明による一実施例を示す図、第２図はウェ
ーハ収納治具を接地して純水中から引き上げる状態を示
す図、 第３図はウェーハ収納治具の斜視図、 である。 図において、 １はウェーハ収納治具、 １ａは溝、 ２は純水、 ３はケーブル、 を示す。 本発明による一実施例を示す図 第１図 ウェーハ収納治具を接地して純水中から引き上げる状態
を示す図ウェーハ収納治具の斜視図 第 ３ 図 第 ２ 図
ーハ収納治具を接地して純水中から引き上げる状態を示
す図、 第３図はウェーハ収納治具の斜視図、 である。 図において、 １はウェーハ収納治具、 １ａは溝、 ２は純水、 ３はケーブル、 を示す。 本発明による一実施例を示す図 第１図 ウェーハ収納治具を接地して純水中から引き上げる状態
を示す図ウェーハ収納治具の斜視図 第 ３ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 合成樹脂からなる基材の表面にイオンを注入し、前記
基材の表面にイオンを含有するイオン注入層を形成する
ことを特徴とする合成樹脂の帯電防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213779A JPH0375370A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | 合成樹脂の帯電防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213779A JPH0375370A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | 合成樹脂の帯電防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375370A true JPH0375370A (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16644899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1213779A Pending JPH0375370A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | 合成樹脂の帯電防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0375370A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021744A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 半導体ウェーハ収納容器 |
| JP2022036902A (ja) * | 2020-08-24 | 2022-03-08 | セメス カンパニー，リミテッド | 基板処理装置、イオン注入処理装置、及びイオン注入処理方法 |
-
1989
- 1989-08-17 JP JP1213779A patent/JPH0375370A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021744A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 半導体ウェーハ収納容器 |
| JP2022036902A (ja) * | 2020-08-24 | 2022-03-08 | セメス カンパニー，リミテッド | 基板処理装置、イオン注入処理装置、及びイオン注入処理方法 |
| US11961695B2 (en) | 2020-08-24 | 2024-04-16 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus, ion implantation apparatus, and ion implantation method |
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