JPH0376036B2 - - Google Patents

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JPH0376036B2
JPH0376036B2 JP57051840A JP5184082A JPH0376036B2 JP H0376036 B2 JPH0376036 B2 JP H0376036B2 JP 57051840 A JP57051840 A JP 57051840A JP 5184082 A JP5184082 A JP 5184082A JP H0376036 B2 JPH0376036 B2 JP H0376036B2
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JP
Japan
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laser diode
heat sink
sink block
header
central axis
Prior art date
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Application number
JP57051840A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58168289A (ja
Inventor
Rumiko Suganuma
Yoshio Myake
Toshio Takei
Hirobumi Namisaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP57051840A priority Critical patent/JPS58168289A/ja
Publication of JPS58168289A publication Critical patent/JPS58168289A/ja
Publication of JPH0376036B2 publication Critical patent/JPH0376036B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
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    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はレーザダイオードチツプを装荷する
レーザダイオードパツケージに関するものであ
る。
従来のレーザダイオードパツケージにおいては
パツケージ外観は円形であるが、パツケージ内で
のレーザダイオードチツプの装着は角形のヒート
シンクブロツクを用いて行なわれているなどして
一般に同心円構造とはいいがたく、このため例え
ばこのヒートシンクブロツク上にレンズ等の光学
部品を装着する際レーザダイオードを中心とする
同心円構造をとることが困難であつた。この結
果、熱膨張によつてレーザダイオードとレンズの
軸ずれや、あるいはヘツダとレーザダイオードと
の軸ずれが生じる場合があつた。
この発明は円柱形でその一部が半径方向に円柱
中心軸より深くコの字形に切り込まれている。い
わゆる馬蹄形のヒートシンクブロツクの切り込み
部にレーザダイオードがその共振器の中心軸がほ
ぼこの円柱状のヒートシンクの中心軸に一致する
よう装着されていて、このヒートシンクブロツク
を円形ヘツダ上にレーザダイオードを中心とする
同心円状に装荷したことを特徴とし、その目的は
レーザダイオードの装着作業が容易で、かつ、レ
ンズ等の光学部品をこのヒートシンクブロツク上
にレーザダイオードを中心とする同心円構造に容
易に装着でき、熱的に安定な構造のレーザダイオ
ードモジユール等の構成に都合のよいレーザダイ
オードパツケージを構成するところにある。
第1図はこの発明の一実施例であつて、1は円
柱形のヒートシンクでこの円柱の一部がその母線
にそつて円柱中心軸より深くコの字形に切り込ま
れている。いわゆる馬蹄形状のヒートシンク(以
後、馬蹄形ヒートシンクと称す)の切り込み部に
レーザダイオード2がその共振器の中心軸がほぼ
この馬蹄形ヒートシンク1の中心軸に一致するよ
うに装着されていて、この馬蹄形ヒートシンク1
が円形で中央部にガラス窓3をそなえたT039形
ヘツダ4上にほぼ同心円状に装荷されているレー
ザダイオードパツケージである。第2図は第1図
のA−A′における断面図である。
この馬蹄形ヒートシンク1にレーザダイオード
2を装着しているので、レーザダイオード2の共
振器軸方向に障壁がなく、レーザダイオード2の
後方出射光が容易にとり出せ、ヘツダ4中央部の
ガラス窓3を通して受光素子で受光することも容
易にでき、レーザダイオード後方出射光をモニタ
として利用するのに都合が良い。また、馬蹄形ヒ
ートシンク1のコの字形の切り込みは円形構造を
大きくは損なわず、レーザダイオードの馬蹄形ヒ
ートシンクへの装着作業およびリード線5のボン
デイング作業を容易にする利点がある。
第3図は第1図、第2図に示したこの発明の実
施例によるレーザダイオードパツケージ上に光学
系を組み立て、シングルモードフアイバー用レー
ザダイオードモジユールを構成する場合のモジユ
ールの一例の構成を示す断面図である。
光学系は球レンズ6と屈折率分布形レンズ7を
用い、レーザ光をシングルモードフアイバ8に結
合させる。球レンズ6は円板形の球レンズホルダ
9のほぼ中心に装着されており、この球レンズホ
ルダ9が馬蹄形ヒートシンク1上にレーザダイオ
ード2と球レンズ6を位置合わせした状態でほぼ
同心円状に装着されている。なお、このレーザダ
イオードモジユール例では球レンズ装着後に窓付
の円形キヤツプ10によりハーメチツクシールし
てレーザダイオードの信頼性を高めている。ま
た、屈折率分布形レンズは円柱形の屈折率分布形
レンズホルダ11の中心軸にその光軸をほぼ一致
させて装着されており、円形キヤツプ10上に球
レンズ6よりのレーザ出射光を効率良くシングル
モードフアイバ8に入射させるよう位置合わせさ
れT039形ヘツダ4、馬蹄形ヒートシンク1、キ
ヤツプ10とほぼ同心円状に装着されている。こ
のようにレーザダイオード2の共振器の中心軸を
中心として馬蹄形ヒートシンク1上に同心円状に
組み立てられた光学系とレーザダイオードパツケ
ージとを一体化したものを、さらに、円柱状のレ
ーザダイオードモジユールパツケージとなるヒー
トシンクブロツク12にレーザダイオード2共振
器の中心軸を中心軸とするような同心円構造で装
荷し、円柱状フアイバホルダ13の中心軸に光軸
を合わせて装着したシングルモードフアイバ8を
光学系と位置合わせし、これらの同心円構造のレ
ーザダイオードパツケージ中心軸にその光軸をほ
ぼ合わせるように装荷する。また、レーザダイオ
ードモジユールのレーザ出力モニタのためフオト
ダイオード14がT039形ヘツダ4の中心部のガ
ラス窓3より取り出したレーザダイオード後方出
射光を屈折率分布形レンズ15を介して受光す
る。
このように、この実施例によるレーザダイオー
ドパツケージはレーザダイオードモジユール構成
品をレーザダイオード共振器の中心軸を中心軸と
する同心円構造に組み立てるのに都合が良く、シ
ングルモードフアイバ用レーザダイオードモジユ
ールのような高精度を要求される場合にも適用で
き、熱的に安定は構造のレーザダイオードモジユ
ールを構成できる。
なお、以上は馬蹄形ヒートシンクブロツクを
T039形ヘツダ上へ装着する場合について説明し
たが、この発明はこれに限らず円形構造のヘツダ
であればかまわない。また馬蹄形ヒートシンクブ
ロツクへの切り込みの形状は正確なコの字形でな
くても同心円構造を乱さないものであればかまわ
ない。
以上のように、この発明によればヒートシンク
ブロツクに外形が円柱形となり、その一部に切り
込みをもうけたヒートシンクブロツクを用い、そ
の中心部にレーザダイオードチツプを装荷して円
形のヘツダ上にレーザダイオードチツプを中心と
した同心状に装着した同心円構造のレーザダイオ
ードパツケージであるから、熱的に安定な構造で
あり、かつ、ヒートシンクブロツクに切り込みが
あるのでレーザダイオードチツプのヒートシンク
ブロツクへの装荷および電極リード線のボンデイ
ング作業などが容易にできる利点がある。しか
も、ヒートシンクの端面のうち切り込み部以外の
部分をレンズホルダの支持部として利用している
ので、レンズホルダの安定支持が可能である。さ
らに、ヒートシンクブロツク上へレンズホルダ等
の光学系を同心円構造で装着することができ、熱
的に安定な構成を実現できるので、シングルモー
ドフアイバ用レーザダイオードモジユールなどの
高精度を必要とする場合にも適用できる利点があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のレーザダイオードパツケー
ジの一実施例の上面図、第2図は第1図のA−
A′における断面図、第3図は第1図に示したレ
ーザダイオードパツケージ上に光学系を組み立
て、シングルモードフアイバ用レーザダイオード
モジユールを構成する場合のモジユールの一例の
構成図である。 図中、1は馬蹄形ヒートシンク、2はレーザダ
イオード、3はガラス窓、4はT039形ヘツダ、
5はリード線、6は球レンズ、7は屈折率分布形
レンズ、8はシングルモードフアイバ、9は球レ
ンズホルダ、10はキヤツプ、11は屈折率分布
形レンズホルダ、12はヒートシンクブロツク、
13はフアイバホルダ、14はフオトダイオー
ド、15は屈折率分布形レンズである。なお、図
中、同一あるいは相当部分には同一符号を付して
示してある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 母線にそつて円柱中心軸より深く切り込まれ
    た円柱をヒートシンクブロツクとし、このヒート
    シンクブロツクの切り込み部にレーザダイオード
    を共振器の中心軸が上記ヒートシンクブロツクの
    中心軸に一致するように装着し、更にこれを円形
    のヘツダ上に上記ヒートシンクブロツクの中心軸
    とヘツダの中心軸が一致するように装着したレー
    ザダイオードパツケージにおいて、上記ヒートシ
    ンクブロツクの上記ヘツダと反対側の端面のうち
    上記切り込み部以外の部分にレンズホルダを支持
    させたことを特徴とするレーザダイオードパツケ
    ージ。
JP57051840A 1982-03-30 1982-03-30 レ−ザダイオ−ドパツケ−ジ Granted JPS58168289A (ja)

Priority Applications (1)

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JP57051840A JPS58168289A (ja) 1982-03-30 1982-03-30 レ−ザダイオ−ドパツケ−ジ

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JP57051840A JPS58168289A (ja) 1982-03-30 1982-03-30 レ−ザダイオ−ドパツケ−ジ

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JPS58168289A JPS58168289A (ja) 1983-10-04
JPH0376036B2 true JPH0376036B2 (ja) 1991-12-04

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JPS6175587A (ja) * 1984-09-20 1986-04-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置
JPS61104575U (ja) * 1984-12-13 1986-07-03
JPH06314857A (ja) * 1993-03-04 1994-11-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光装置
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