JPS6160596B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6160596B2 JPS6160596B2 JP15794480A JP15794480A JPS6160596B2 JP S6160596 B2 JPS6160596 B2 JP S6160596B2 JP 15794480 A JP15794480 A JP 15794480A JP 15794480 A JP15794480 A JP 15794480A JP S6160596 B2 JPS6160596 B2 JP S6160596B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- semiconductor laser
- optical fiber
- single mode
- mode optical
- Prior art date
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4206—Optical features
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体レーザと単一モード光フア
イバとの光結合を行うモジユール装置に関し、特
に気密封止を実現し、しかも結合効率のよい単一
モード光フアイバ用半導体レーザモジユール装置
を得ようとするものである。
イバとの光結合を行うモジユール装置に関し、特
に気密封止を実現し、しかも結合効率のよい単一
モード光フアイバ用半導体レーザモジユール装置
を得ようとするものである。
従来、半導体レーザと単一モード光フアイバと
を結合させる半導体レーザモジユール装置は、結
合効率を高めるため第１乃至第４図に示すように
構成されていた。即ち第１図及び第２図に示すよ
うに半導体レーザ１１よりの光は円柱レンズ１２
により集束され、単一モード光フアイバ１３の端
面のコア１４に入射される。或は第３図及び第４
図に示すように単一モード光フアイバ１３の一端
はテーパ部１５とされ、そのテーパ部１５の先端
に半球レンズ１６が形成され、その半球レンズ１
６で半導体レーザ１１からの光を集束してテーパ
部１５を通じてコア１４内に入射させている。な
お第２図及び第４図においては１７は半導体レー
ザ１１に対するヒートシンク（放熱体）を示し、
そのヒートシンク１７の一端面と半導体レーザ１
１の光放射面とが同一面上にあるようにレーザ１
１はヒートシンク１７に取付けられている。
を結合させる半導体レーザモジユール装置は、結
合効率を高めるため第１乃至第４図に示すように
構成されていた。即ち第１図及び第２図に示すよ
うに半導体レーザ１１よりの光は円柱レンズ１２
により集束され、単一モード光フアイバ１３の端
面のコア１４に入射される。或は第３図及び第４
図に示すように単一モード光フアイバ１３の一端
はテーパ部１５とされ、そのテーパ部１５の先端
に半球レンズ１６が形成され、その半球レンズ１
６で半導体レーザ１１からの光を集束してテーパ
部１５を通じてコア１４内に入射させている。な
お第２図及び第４図においては１７は半導体レー
ザ１１に対するヒートシンク（放熱体）を示し、
そのヒートシンク１７の一端面と半導体レーザ１
１の光放射面とが同一面上にあるようにレーザ１
１はヒートシンク１７に取付けられている。
半導体レーザ１１の光を単一モード光フアイバ
１３へ効率よく結合させるには円柱レンズ１２の
外径として10〜20μｍ、テーパ先の半球レンズ１
６の直径として10〜30μｍと極めて小さなものが
要求される。さらに単一モード光フアイバ１３と
半導体レーザ１１の発光端面との距離D1および
D2はそれぞれ30μｍ以内である。したがつて半
導体レーザの信頼性確保のため、半導体レーザ１
１と光フアイバ１３との間に気密用の窓を挿入し
ようとすると、その窓の厚さは少くとも数100μ
ｍは必要となるため、この窓を挿入すれば結合効
率が著しく減少してしまい、レンズ１２，１６を
用いた効果がなくなる。
１３へ効率よく結合させるには円柱レンズ１２の
外径として10〜20μｍ、テーパ先の半球レンズ１
６の直径として10〜30μｍと極めて小さなものが
要求される。さらに単一モード光フアイバ１３と
半導体レーザ１１の発光端面との距離D1および
D2はそれぞれ30μｍ以内である。したがつて半
導体レーザの信頼性確保のため、半導体レーザ１
１と光フアイバ１３との間に気密用の窓を挿入し
ようとすると、その窓の厚さは少くとも数100μ
ｍは必要となるため、この窓を挿入すれば結合効
率が著しく減少してしまい、レンズ１２，１６を
用いた効果がなくなる。
そこで円柱レンズとセルフオツクレンズとを組
合せた第５図に示す構成が考えられた。即ちレー
ザパツケージとしてステム１８内にヒートシンク
１７上に取付けた半導体レーザ１７を収容し、か
つ円柱レンズ１２も収容した状態でサフアイアな
どの気密用窓１９でステム１８を気密封してい
る。窓１９を介して半導体レーザ１１の発光端面
と、セルフオツクレンズ（円柱状の集束形レン
ズ）２１の一端面を対向させ、セルフオツクレン
ズ２１の他端面と光フアイバ１３の端面を対向さ
せる。レンズ２１はレンズホルダ２２に、光フア
イバ１３はフアイバホルダ２３にそれぞれ保持さ
れる。円柱レンズ１２はヒートシンク１７により
半導体レーザ１１と光軸を合致させる。
合せた第５図に示す構成が考えられた。即ちレー
ザパツケージとしてステム１８内にヒートシンク
１７上に取付けた半導体レーザ１７を収容し、か
つ円柱レンズ１２も収容した状態でサフアイアな
どの気密用窓１９でステム１８を気密封してい
る。窓１９を介して半導体レーザ１１の発光端面
と、セルフオツクレンズ（円柱状の集束形レン
ズ）２１の一端面を対向させ、セルフオツクレン
ズ２１の他端面と光フアイバ１３の端面を対向さ
せる。レンズ２１はレンズホルダ２２に、光フア
イバ１３はフアイバホルダ２３にそれぞれ保持さ
れる。円柱レンズ１２はヒートシンク１７により
半導体レーザ１１と光軸を合致させる。
この構成において結合効率をよくするためには
円柱レンズ１２の直径として10〜20μｍを選ばな
ければならない。このような微小レンズを半導体
レーザ１１と一体化する際に要求されるレンズの
位置精度は、レンズの焦点距離に比例し、目安と
しては焦点距離の20分の１が許容位置ずれとな
る。したがつて従来の窓つき半導体レーザモジユ
ールでは円柱レンズ１２に対する実装精度とし
て、0.5〜１μｍが要求され、製作上の大きな障
害となつていた。
円柱レンズ１２の直径として10〜20μｍを選ばな
ければならない。このような微小レンズを半導体
レーザ１１と一体化する際に要求されるレンズの
位置精度は、レンズの焦点距離に比例し、目安と
しては焦点距離の20分の１が許容位置ずれとな
る。したがつて従来の窓つき半導体レーザモジユ
ールでは円柱レンズ１２に対する実装精度とし
て、0.5〜１μｍが要求され、製作上の大きな障
害となつていた。
この発明は単一モード光フアイバ用の気密封止
を保証した半導体レーザモジユールを得るため、
比較的長焦点のレンズ系を使用して、従つて許容
位置ずれが比較的大きく、製作が容易であり、し
かも半導体レーザと単一モード光フアイバとの高
効率結合を実現するものである。第６図以下の図
面を参照して詳細に説明する。
を保証した半導体レーザモジユールを得るため、
比較的長焦点のレンズ系を使用して、従つて許容
位置ずれが比較的大きく、製作が容易であり、し
かも半導体レーザと単一モード光フアイバとの高
効率結合を実現するものである。第６図以下の図
面を参照して詳細に説明する。
第６図はこの発明の結合原理を説明する原理図
である。ここでW0〓およびW0〓は半導体レーザ
の発振ビーム２４の半径でそれぞれ接合面に垂直
方向および平行方向のビーム半径に対応する。発
振ビーム２４はビーム変換用レンズ２５でビーム
径が変換されて光ビーム２６とされ、このビーム
２６はビーム変換用レンズ２７で更にビーム径が
変換されて光ビーム２８とされる。ビーム変換用
レンズ２５，２７の各焦点距離f1およびf2とする
と、W0〓，W0〓は変換されて光ビーム２６の半
径はそれぞれW1〓＝λf1／πW0〓，W1〓＝λ
f1／πW0〓となり、これが更に変換されて光ビ
ーム２８の半径はW2〓＝λf2／πW1〓，W2〓＝
λf2／πW1〓となる。したがつてレーザのビー
ム半径W0〓，W0〓はf1およびf2によりW2〓＝
（f2／f1）W0〓，W2〓＝（f2／f1）W0〓に変換され
ることがわかる。これは第１レンズ２５と第２レ
ンズ２７の焦点距離の比を選ぶことで任意の倍率
にレーザのビーム半径を変換できることを示して
いる。単一モード光フアイバのビーム半径をW0
とすると、W0＞W0〓＞W0〓の関係があるので、
W2〓＞W0＞W2〓となるように、正確にはW0＝
√2〓2〓となるように、f2／f1を選べばよ
い。通常W0＝５μｍでW0〓＝0.6〜0.8μｍ，W0
〓＝１〜２μｍであるのでf2／f1＝３〜７倍に選
べばよい。以上の考察から第２レンズ２７として
焦点距離を１〜３mmとすると第１レンズ２５の焦
点距離は数100μｍ〜１mmとなり、第５図のレン
ズ１２と比較して著しく長い焦点距離のものを使
用することができる。このように焦点距離を数
100μｍ〜１mmにすると小さくなりすぎず、かつ
大きくなりすぎず取扱いし易いものとなる。
である。ここでW0〓およびW0〓は半導体レーザ
の発振ビーム２４の半径でそれぞれ接合面に垂直
方向および平行方向のビーム半径に対応する。発
振ビーム２４はビーム変換用レンズ２５でビーム
径が変換されて光ビーム２６とされ、このビーム
２６はビーム変換用レンズ２７で更にビーム径が
変換されて光ビーム２８とされる。ビーム変換用
レンズ２５，２７の各焦点距離f1およびf2とする
と、W0〓，W0〓は変換されて光ビーム２６の半
径はそれぞれW1〓＝λf1／πW0〓，W1〓＝λ
f1／πW0〓となり、これが更に変換されて光ビ
ーム２８の半径はW2〓＝λf2／πW1〓，W2〓＝
λf2／πW1〓となる。したがつてレーザのビー
ム半径W0〓，W0〓はf1およびf2によりW2〓＝
（f2／f1）W0〓，W2〓＝（f2／f1）W0〓に変換され
ることがわかる。これは第１レンズ２５と第２レ
ンズ２７の焦点距離の比を選ぶことで任意の倍率
にレーザのビーム半径を変換できることを示して
いる。単一モード光フアイバのビーム半径をW0
とすると、W0＞W0〓＞W0〓の関係があるので、
W2〓＞W0＞W2〓となるように、正確にはW0＝
√2〓2〓となるように、f2／f1を選べばよ
い。通常W0＝５μｍでW0〓＝0.6〜0.8μｍ，W0
〓＝１〜２μｍであるのでf2／f1＝３〜７倍に選
べばよい。以上の考察から第２レンズ２７として
焦点距離を１〜３mmとすると第１レンズ２５の焦
点距離は数100μｍ〜１mmとなり、第５図のレン
ズ１２と比較して著しく長い焦点距離のものを使
用することができる。このように焦点距離を数
100μｍ〜１mmにすると小さくなりすぎず、かつ
大きくなりすぎず取扱いし易いものとなる。
第７図はこの発明の一実施例を示す。半導体レ
ーザ１１はステム１８内でヒートシンク１７上に
マウントしてありメタライズしたサフアイア等の
窓１９を用いて気密封止したパツケージに納めら
れている。単一モード光フアイバ１３との結合用
レンズとして、サフアイア、ルビー又はガラス等
でできた口径に対する焦点距離が大きいレンズ、
例えば球レンズ２９と収が小さいレンズ、例えば
屈折率分布形レンズとして集束形レンズ３１を使
用し、各々の焦点距離は使用する半導体レーザ１
１のビーム半径に応じて第６図について説明した
ように選んである。第１レンズ２９はレンズホル
ダ３２を介して、窓１９に接着されており、レー
ザ１１の光軸とほぼ合致するようにして調整して
ある。この時、レンズ２９の焦点距離を500μｍ
以上にしていると、光軸からの位置ずれは先に述
べたように焦点距離の20分の１程度まで許される
からこの場合の位置ずれ許容値は25μｍとなり、
従来の単一モード光フアイバ用に使用されていた
円柱レンズがテーパ先球フアイバ等の実装精度に
比べて著しく緩和される。
ーザ１１はステム１８内でヒートシンク１７上に
マウントしてありメタライズしたサフアイア等の
窓１９を用いて気密封止したパツケージに納めら
れている。単一モード光フアイバ１３との結合用
レンズとして、サフアイア、ルビー又はガラス等
でできた口径に対する焦点距離が大きいレンズ、
例えば球レンズ２９と収が小さいレンズ、例えば
屈折率分布形レンズとして集束形レンズ３１を使
用し、各々の焦点距離は使用する半導体レーザ１
１のビーム半径に応じて第６図について説明した
ように選んである。第１レンズ２９はレンズホル
ダ３２を介して、窓１９に接着されており、レー
ザ１１の光軸とほぼ合致するようにして調整して
ある。この時、レンズ２９の焦点距離を500μｍ
以上にしていると、光軸からの位置ずれは先に述
べたように焦点距離の20分の１程度まで許される
からこの場合の位置ずれ許容値は25μｍとなり、
従来の単一モード光フアイバ用に使用されていた
円柱レンズがテーパ先球フアイバ等の実装精度に
比べて著しく緩和される。
第２レンズ３１はレンズホルダ２２に取りつけ
た状態でその一端面を第１レンズ２９と対向させ
て窓１９の面に固定してある。第２レンズ３１の
固定は第１レンズ２９の軸ずれを補償するように
光軸に垂直な面内で調整して行なう。この時要求
される位置ずれは第２レンズ３１の焦点距離が大
きいためより一層緩和される。
た状態でその一端面を第１レンズ２９と対向させ
て窓１９の面に固定してある。第２レンズ３１の
固定は第１レンズ２９の軸ずれを補償するように
光軸に垂直な面内で調整して行なう。この時要求
される位置ずれは第２レンズ３１の焦点距離が大
きいためより一層緩和される。
単一モード光フアイバ１３は通常被覆３３でお
おわれており、フアイバホルダ２３にフアイバ素
線のホルダ３４を介して固定する。この時光軸方
向および光軸に垂直な面内で調整しつつホルダ２
２，２３を接着剤等を用いて互に固定する。
おわれており、フアイバホルダ２３にフアイバ素
線のホルダ３４を介して固定する。この時光軸方
向および光軸に垂直な面内で調整しつつホルダ２
２，２３を接着剤等を用いて互に固定する。
以上の説明ではレーザ１１と第１レンズ２９と
の間隔、また第１レンズ２９と第２レンズ３１と
の間隔は第６図に示したようにそれぞれ第１レン
ズ２９の焦点距離および第１と第２レンズの両焦
点距離の和になる場合に限つていたが、これらの
間隔が多少ずれても結像の大きさは殆んど変らず
効率に与える影響は小さい。従つて第１レンズ２
９および第２レンズ３１が光軸方向にずれても結
合用の単一モード光フアイバ１２の光軸上の位置
を調整することで高い結合効率が得られる。なお
３５はステム１８及び窓１９間のスペーサであ
る。
の間隔、また第１レンズ２９と第２レンズ３１と
の間隔は第６図に示したようにそれぞれ第１レン
ズ２９の焦点距離および第１と第２レンズの両焦
点距離の和になる場合に限つていたが、これらの
間隔が多少ずれても結像の大きさは殆んど変らず
効率に与える影響は小さい。従つて第１レンズ２
９および第２レンズ３１が光軸方向にずれても結
合用の単一モード光フアイバ１２の光軸上の位置
を調整することで高い結合効率が得られる。なお
３５はステム１８及び窓１９間のスペーサであ
る。
第８図はこの発明の他の一実施例を示す。この
例では第１レンズ２９は気密封止用のメタライズ
したサフアイア等の窓１９の内部にレーザ１１と
ともに実装されている。このレンズ２９の位置は
前に説明したものと同様にレーザの発光端面が第
１レンズ２９の物空間焦点面の近くにあればよ
く、その精度としては±50μｍ以内に入れば充分
である。したがつてあらかじめスペーサ３５のホ
ルダ３２側の面とレーザ１１の発光端面との距離
をはかつておき、第１レンズのホルダ３２のレー
ザ側の面とレンズ２９の面との距離を選んだもの
を一体化すればよい。従来の第１図に示した単一
モード光フアイバ用のモジユールでは円柱レンズ
とレーザ端面との距離が２〜４μｍと非常に小さ
くかつこの範囲に納めなければならないため、配
線パターン１１の実装の際ヒートシンク１７やス
テム１８と１μｍ以内の位置出しが必要とされて
いた。この発明ではレーザ１１の発光端面と第１
レンズ２９との間隔が広くとれ、第１レンズ２９
として直径が１mmのルビー球の場合、前記間隔は
80μｍ±50μｍとなる。したがつてレーザ１１と
レンズ２９との距離が大きくかつ精度もゆるいた
め一般に使用されているエポキシ系の接着剤を用
いずレンズホルダ３２と窓１９とをメタライズし
ておいてハンダ材による固定で気密シールを実現
することができる。さらにこの発明ではレーザ１
１の発光端面の面出しの精度がゆるくなるため、
量産性もあがり経済化がはかれる。この例では第
２レンズと単一モード光フアイバ１３との間にガ
ラス等でできたスペーサ３６を入れてある。この
スペーサ３６の厚みはフアイバ１３の入射面に第
２レンズ３１からの光が集束される位置にくるよ
うに選び、数10μｍの調整は光学接着剤等を用い
て行なう。したがつて光フアイバ入射端からの反
射をなくすことができる。なお、第１レンズ２９
から光フアイバ入射端まで空気層をなくして一体
化することができる。また、第１レンズ２９の入
射側は反射防止膜をつけることも可能である。
例では第１レンズ２９は気密封止用のメタライズ
したサフアイア等の窓１９の内部にレーザ１１と
ともに実装されている。このレンズ２９の位置は
前に説明したものと同様にレーザの発光端面が第
１レンズ２９の物空間焦点面の近くにあればよ
く、その精度としては±50μｍ以内に入れば充分
である。したがつてあらかじめスペーサ３５のホ
ルダ３２側の面とレーザ１１の発光端面との距離
をはかつておき、第１レンズのホルダ３２のレー
ザ側の面とレンズ２９の面との距離を選んだもの
を一体化すればよい。従来の第１図に示した単一
モード光フアイバ用のモジユールでは円柱レンズ
とレーザ端面との距離が２〜４μｍと非常に小さ
くかつこの範囲に納めなければならないため、配
線パターン１１の実装の際ヒートシンク１７やス
テム１８と１μｍ以内の位置出しが必要とされて
いた。この発明ではレーザ１１の発光端面と第１
レンズ２９との間隔が広くとれ、第１レンズ２９
として直径が１mmのルビー球の場合、前記間隔は
80μｍ±50μｍとなる。したがつてレーザ１１と
レンズ２９との距離が大きくかつ精度もゆるいた
め一般に使用されているエポキシ系の接着剤を用
いずレンズホルダ３２と窓１９とをメタライズし
ておいてハンダ材による固定で気密シールを実現
することができる。さらにこの発明ではレーザ１
１の発光端面の面出しの精度がゆるくなるため、
量産性もあがり経済化がはかれる。この例では第
２レンズと単一モード光フアイバ１３との間にガ
ラス等でできたスペーサ３６を入れてある。この
スペーサ３６の厚みはフアイバ１３の入射面に第
２レンズ３１からの光が集束される位置にくるよ
うに選び、数10μｍの調整は光学接着剤等を用い
て行なう。したがつて光フアイバ入射端からの反
射をなくすことができる。なお、第１レンズ２９
から光フアイバ入射端まで空気層をなくして一体
化することができる。また、第１レンズ２９の入
射側は反射防止膜をつけることも可能である。
以上説明したように、この発明では比較的長焦
点のレンズ系を組合せているため半導体レーザと
第１レンズとの間、もしくは第１レンズと第２レ
ンズとの間にメタライズによる気密封止用の窓を
設けることが可能となり、レーザの信頼性を確保
することができる。また第１レンズの実装精度が
従来のモジユールより10倍以上もゆるいためレン
ズ系の実装における歩留りが大幅に向上でき、製
作性、経済性の上でも大きな利点がある。さらに
マルチモードフアイバ用としてもフアイバを交換
するだけでよく適応領域が広い。
点のレンズ系を組合せているため半導体レーザと
第１レンズとの間、もしくは第１レンズと第２レ
ンズとの間にメタライズによる気密封止用の窓を
設けることが可能となり、レーザの信頼性を確保
することができる。また第１レンズの実装精度が
従来のモジユールより10倍以上もゆるいためレン
ズ系の実装における歩留りが大幅に向上でき、製
作性、経済性の上でも大きな利点がある。さらに
マルチモードフアイバ用としてもフアイバを交換
するだけでよく適応領域が広い。
第１図は従来の単一モード光フアイバ用半導体
レーザモジユール装置の構成図、第２図はその正
面図、第３図は従来の他の単一モード光フアイバ
用半導体レーザモジユール装置の構成図、第４図
はその正面図、第５図は従来装置の更に他の例を
示す断面図、第６図はこの発明装置の原理を示す
図、第７図はこの発明装置の一実施例の構成図を
示す断面図、第８図はこの発明装置の他の実施例
の構成を示す断面図である。 １１……半導体レーザ、１３……単一モード光
フアイバ、１４……フアイバ、１７……レーザチ
ツプのヒートシンク、１８……ステム、１９……
気密用の窓、２２……集束形レンズホルダ、２３
……フアイバホルダ、２９……球レンズ（第１レ
ンズ）、３１……集束形レンズ（第２レンズ）、３
２……球レンズホルダ、３３……フアイバ被覆、
３４……フアイバ素線のホルダ、３５……スペー
サ。
レーザモジユール装置の構成図、第２図はその正
面図、第３図は従来の他の単一モード光フアイバ
用半導体レーザモジユール装置の構成図、第４図
はその正面図、第５図は従来装置の更に他の例を
示す断面図、第６図はこの発明装置の原理を示す
図、第７図はこの発明装置の一実施例の構成図を
示す断面図、第８図はこの発明装置の他の実施例
の構成を示す断面図である。 １１……半導体レーザ、１３……単一モード光
フアイバ、１４……フアイバ、１７……レーザチ
ツプのヒートシンク、１８……ステム、１９……
気密用の窓、２２……集束形レンズホルダ、２３
……フアイバホルダ、２９……球レンズ（第１レ
ンズ）、３１……集束形レンズ（第２レンズ）、３
２……球レンズホルダ、３３……フアイバ被覆、
３４……フアイバ素線のホルダ、３５……スペー
サ。
Claims (1)
- １ 半導体レーザチツプ、第１レンズ、第２レン
ズおよび単一モード光フアイバが順次配列して設
けられ、前記半導体レーザと前記単一モード光フ
アイバと結合させるように構成され、前記第１レ
ンズとして焦点距離が数100μｍから１mm程度の
球レンズが用いられ、前記第２レンズとして前記
第１レンズよりも焦点距離の長い屈折率分布形の
レンズが使用され、前記半導体レーザチツプと前
記第１レンズとの間、もしくは前記第１レンズと
前記第２レンズとの間に気密封止用の窓が設けて
いる単一モード光フアイバ用半導体レーザモジユ
ール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15794480A JPS5783081A (en) | 1980-11-10 | 1980-11-10 | Semiconductor laser module for single mode optical fiber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15794480A JPS5783081A (en) | 1980-11-10 | 1980-11-10 | Semiconductor laser module for single mode optical fiber |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5783081A JPS5783081A (en) | 1982-05-24 |
| JPS6160596B2 true JPS6160596B2 (ja) | 1986-12-22 |
Family
ID=15660876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15794480A Granted JPS5783081A (en) | 1980-11-10 | 1980-11-10 | Semiconductor laser module for single mode optical fiber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5783081A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5988886A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-22 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JPS59170812U (ja) * | 1983-05-02 | 1984-11-15 | 三菱電機株式会社 | 光半導体モジユ−ル |
| JPS608812A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Fujitsu Ltd | レンズアセンブリ |
| DE10013932A1 (de) * | 2000-03-21 | 2001-10-04 | Infineon Technologies Ag | Lasermodul |
-
1980
- 1980-11-10 JP JP15794480A patent/JPS5783081A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5783081A (en) | 1982-05-24 |
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