JPH0376038A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は光磁気記録媒体に関するものであり、特にＯ
Ｎ比（Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｎｏ１ｓｅ　Ｒａｔｉｏ：搬送
波対雑音比）と記録感度とに優れた反射Ｓを具える光磁
気記録媒体に関する。

（従来の技術） 光磁気記録媒体（以下、単に記録媒体と称する場合もあ
る。）は、書換えの出来る磁性ｌｌｌを具えた高密度記
録媒体としで、研究開発が活発に行なわれている。

このような記録媒体の磁性膜を構成する光磁気記録材料
の内でも、希土類金属と遷移金属との非晶質合金（以下
、単に日Ｅ−ＴＭ合金と称する場合もある。）は、磁化
方向が成膜面に対して垂直に配向した垂直磁化膜となる
こと、保持力が数（ＫＯｅ）と大きいこと、スパッタ、
真空蒸着またはその他の被着技術で比較的容易に成膜が
可能であること等の点で、最も研究が進み、実用化が進
んでいる。

このような日Ｅ−ＴＭ合金を用いた記録媒体では、磁性
膜が垂直磁化膜であることから１０’（ビット／ｃｍ２
）という極めて高密度な記録が可能であり、ざらに、原
理的には、情報の消去と再書込みとの繰り返しを無限回
に近く行なうことができるという優れた特色を有する。

しかしながら、ＲＥ−ＴＭ金合金ら成る磁性膜は耐食性
が低く（例えば文献工：「光磁気ディスク」　（今村修
武監修、（株）トリケブス発行、第４２７頁）参照）、
シかも、磁気光学的な効果（カー（Ｋｅ　ｒ　ｒ）効果
）が小さいという欠点がある。

そこで、上述した磁性膜の、読取り側とは相反する位置
に反射ｌｌＩを設けたり、保護膜によって磁性膜を挟ん
で配設すること（こより、光の屈折及び反射を利用して
見掛は上のカー（Ｋｅ　ｒ　ｒ）回転角を大きくする構
造が知られている（前記文献工：第１１９頁）。

以下、図面を参照して、上述した従来の光磁気記録媒体
につき説明する。

第６図（Ａ）は、従来の記録媒体の一構成例を説明する
ため、概略的な断面により示す説明図である。

この第６図（Ａ）からも理解出来るように、基板１１の
表面に保護膜１３ａ、磁性膜１５、保護膜＋３ｂ及び反
射１１１７１Ｆｒ順次形成することによって記録媒体１
９が構成される。

このうち、基板１１は記録媒体の書込みや読出しに用い
られる光の波長で透明な材料から構成され、例えばポリ
カーボネート樹脂、ガラス、エポキシ樹脂またはその他
の材料が用いられている。

また、保護！１３ａと＋３ｂとは、例えばＳｉ○、Ｓｉ
○、　、Ａｌ２Ｎ、５ｉ３Ｎａ　、Ａｕ５ｉＮ、ＡＡ　
Ｓ　ｉ　ＯＮまたはその他の保護膜材料を被着させて形
成する。

さらに、磁性１１１５は前述したＲＥ−ＴＭ金合金ら構
成され、このような合金として例えばＴｂ−Ｆｅ合金、
Ｔｂ−Ｃｏ合金、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金またはその他、
希土類金属と遷移金属との組み合わせが種々、知られて
いる。

これに加えて、反射膜１７を構成する材料としては、ア
ルミニウム（Ａｌが最も広く用いられており、この他、
例えば金（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）といっ
た反射膜材料が知られている。

また、上述の反射１１１１７を具えて構成した記録媒体
としては、基板１１の表面に、保護膜１３ａ、磁性膜１
５、反射膜１７及び保護膜＋３ｂを順次積層した構成の
記録媒体２１（第６図（Ｂ）参照）も知られている。

このような記録媒体は、外部磁界をかけた状態で、基板
１１から磁性１！＋５へ向かう方向に１（ｕｎ）程度の
スポット径に絞ったレーザビームを照射し、所謂、熱磁
気書込み方式によって情報の書込みが行なわれる。即ち
、上述のレーザビームによって局部的に加熱された磁性
膜は保磁力が低下し、この際、記録情報を担った外部磁
界により、磁性膜に情報が書込まれる。また、このよう
な記録情報の書込みを上述したレーザビームのビット長
や間隔によって行なうことも威されている。

上述した説明からも理解出来るように、光磁気記録媒体
の記録感度は、磁性膜に対する保温性と多重反射の度合
とに大きく影ＩＦヲ受ける。

従って、このような観点から反射膜を見た場合、熱伝導
率が小さい材料で反射膜を構成して書込み時の放熱を抑
制すると共に、反射率が高い材料で当該膜を構成し、読
出し時の多重反射を効率良く行なうことが要求される。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、従来知られている反射膜の材料では、小
さい熱伝導率と高い反射率とを同時（こ実現することが
難しいという問題点があった。

この点につき詳述すれば、例えばアルミニウムの材料ま
たは銅（Ｃｕ）の材料を夫々単独で反射膜として用いた
記録媒体では、比較的高い反射率を有する反面、熱伝導
率が大きく、磁性膜の放熱を補うために予めレーザど一
ムの出力（以下、記録パワーと称する。）を大きくして
書込みを行なう必要があった５ また、例えば反射膜をチタンの材料で構成した場合には
、比較的小さな記録パワーで書込むことが可能であるが
、反射率が低いために充分なカー効果エンハンスメント
が得られず、読出しの感度が不充分であった。

この発明の目的は、上述した従来の問題点に鑑み、小さ
な記録パワーで書込むことが出来、かつ読出し感度の高
い光磁気記録媒体を提供することにある。

（課題を解決するための手段） この目的の達Ｉ！ｉ、を図るため、この発明の光磁気記
録媒体によれば、基板上に少なくとも磁性膜と反射膜と
を具えて成る光磁気記録媒体において、上述の反射膜を
、アルミニウム（Ａｌ）の材料と、マンガン（Ｍｎ）、
バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）
　、マグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａ９）の材料の群か
ら選らばれた１橿以上の材料とを含有した層として構成
して成ることを特徴とする。

この発明の実施に当り、これらマンガン（Ｍｎ）、バナ
ジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）及び
マグネシウム（Ｍｇ）の材料の群から選らばれた１１重
以上の材料の、アルミニウム（Ａｆｆｉ）の材料に対す
る含有量を２（原子％）以上４０（原子％）以下の範囲
内の適当な含有量、好ましくは、４（原子％）以上４０
（原子％）以下の範囲内の適当な含有量とするのが好適
である。

ざらに、この発明の他の実施例においては、銀（Ａ９）
の材料の、アルミニウム（Ａｊ２）の材料に対する含有
量！２０（原子％）以上６０（原子％）以下の範囲内の
適当な含有量とするのが好適である。

ここで、反射膜を構成するアルミニウムの材料を主材料
と称し、残りのマンガン、バナジウム、ニオブ、タンタ
ル、マグネシウム及び銀から選らばれた１種以上の材料
を補助材料と称するとすると、含有ｉｔ（原子％）は、
主材料及び補助材料とを合わせた全体量に対して補助材
料の量が占める割合を（原子％）で表わした量である。

（作用） この発明の光磁気記録媒体の構造によれば、上述した主
材料と補助材料とで反射Ｓを構成しであるので、アルミ
ニウム（Ａｌ）が有する反射率を実用上充分な値に保持
しながら、当該反射膜の熱伝導率を下げることが出来る
。そして、ＣＮ比は反射率とカー回転角とを掛は合わせ
た量に依存するので、ＣＮ比を従来と同程度即ち実用上
問題ない程度に維持することが出来る。そして、熱伝導
率を下げることができることから、記録パワーの低減を
図ることが出来る。

（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の光磁気記録媒体の実
施例につき説明する。尚、以下説明する実施例は、この
発明の範囲の好ましい構造、数値例、その他の条件で説
明するが、これらは単なる例示であって、この発明がこ
れらの構造、数値或いはその他の条件にのみ限定される
ものではないことを理解されたい。

尚、以下の実施例では主材料であるアルミニウムに対す
る補助材料の含有率は、これら実施例では反射膜を主材
料のアルミニウム（Ａｌ）２）に、選らばれた補助材料
を添加して形成するので、添加率（原子％）として表わ
しである。

第ユｊ町４例 先ず、第１実施例として、第５図に断面図として構造を
示すように、基板４１上に磁性膜４５と、アルミニラ４
（ＡＪ）（主材料）に対しマンガン（Ｍｎ）（補助材料
）を添加して成る反射膜４７とを順次積層して構成した
試料につき説明する。この場合、反射膜の膜厚と、アル
ミニウムに対するマンガンの添加率とを種々変えた複数
の試料について、記録パワー及びＣＮ比の各特性を測定
した結果について説明する。尚、比較例として補助材料
であるマンガンを含有しない、従って主材料であるアル
ミニウム材料単体で反射ｍを作製した試料についても、
記録パワー及びＣＮ比を測定した。

く試料の作製〉 第５図＠９照し、この実施例に係る試料の作製手順につ
き説明する。

この第５図から理解出来るように、基板４１の表面に磁
性１１４５と反射１１４７と１ＦｒＨ次積層して試料５
３を得た。

先ず、テルビウム：鉄：コバルトの原子数の比が２２ニ
ア０：８の組成を有するターゲットを用いたマグネトロ
ンスパッタ法により、ポリカーボネートから成る基板４
１の表面に約３００　（Ａ）の膜厚で磁性膜４５７＆被
着させる。この際の被着条件は、投入電力が約５００（
Ｗ）、アルゴンのガス圧が３　（ｍＴｏ　ｒ　ｒ）とし
て行なった。

次に、上述した磁性膜４５の表面に、アルミニウム（Ａ
ｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の添加率をＯ〜１００（
原子％）の範囲で種々に変えると共に、膜厚！３００（
λ）、４００（λ）、５０゜（λ）または７００（大）
と、種々に変えた反射膜４７を被着して、複数の試料５
３を得た。

この時の被着条件は、前述と同様に投入電力５００（Ｗ
）、アルゴンガス圧３　（ｍＴｏ　ｒ　ｒ）とし、各々
の単一金属から成るターゲット同士を重ねた際の、被ス
パツタ面における面積比を変えることにより、Ａｕに対
するＭｎの添加率を種々に変えた。

〈試料の特性測定の手順〉 次に、上述した試料につき、記録パワー及びＣＮ比を測
定した手順につき説明する。

先ず、各試料の記録パワーの測定に当っては、波長８３
０　（ｎｍ）の光を用い、回転数１８００（ｒ、　ｐ、
ｍ）、デユーティ−３３（％）、記録周波数３．７　（
ＭＨｚ）の記録条件に統一して行なった。

また、ＣＮ比の測定は上述した条件で夫々の試料に応じ
た記録パワーを以って書込んだ後、読出しパワー１．０
　（ｍＷ）　、バンド幅３０（Ｋ）−１ｚ）の読出し条
件で行なった。

く試料ｆこ間する特性測定の結果〉 次に、図面を参照して、上述した記録パワー及びＣＮ比
の測定結果と、ＡＪ２に対するＭｎの添加率との間係に
つき説明する。

第１図（Ａ）は、上述した添加率と記録パワーとの関係
を説明するため、縦軸に記録パワー（ｍ　Ｗ　）及び横
軸にはＡｕに対するＭｎの添加率（原子％）を夫々採っ
て示す特性曲線図である。

尚、同図中、曲線ａは膜厚を７００　（λ）として反射
膜を形成した試料の測定結果を表わし、曲線すは膜厚が
５００（λ）である試料の結果、曲線Ｃ１，を膜厚が４
００　（λ）である試料の結果、曲線ｄは３００　（Ａ
）の場合の結果を各々、表わしている。

この第１図（Ａ）からも理解出来るように、反射膜にお
けるＭｎ添加率がＯ（原子％）（７１のみから成る反射
膜に相当）である試料の場合、記録パワーは反射膜の膜
厚によって異り、膜厚が７００人では約１０（ｍＷ）（
曲線ａ）、５００λでは約８．５　（ｍＷ）（曲線ｂ）
、４００大では約７．５　（ｍＷ）（曲、＊ｃ）、３０
０λでは約５．８　（ｍＷ）（曲線ｄ）であった、この
結果からも理解出来るように、Ａｊ２単体で構成した従
来構成の反射膜では、膜厚を小さくするほど、記録パワ
ーが低減される傾向にあることがわかる。

また、このＭｎｔ添加することによる記録パワーの低減
効果は、反射膜の膜厚に大きく依存する。

詳細１こ説明すれば、当該膜厚を７００（Ａ）として作
製した試料では、Ｍｎ添加率が比較的小さい範囲でも記
録パワーは急激に低減され、Ｍｎ添加率を１００（原子
％）にまで増加させても、記録パワーの低減効果が維持
される（曲線ａ参照）０曲線ａで示す、反射膜の膜厚を
７００（大）としで作製した試料を例示して、具体的な
数＠を例示すれば、Ｍｎ添加率を増加させることによっ
て記録パワーは著しく減少し、例えば、Ｍｎ：ＪＡ加率
を１０（原子％）として作製した試料では約５．５（ｍ
Ｗ）にまで記録パワーを低減させることが出来た。また
、このＭｎ添加率を上述した１０（原子％）から増加さ
せるに従って、記録パワーは徐々に減少し、Ｍｎ添加率
を１００（原子％）として作製した試料では約４．２　
（ｍＷ）の記録パワーで記録することが出来た。

一方、当該膜厚を５００（λ）、４００（λ）、３００
（λ）とした場合の結果（曲線す、ｃ、ｄ）では、比較
的少ないＭｎ添加率の範囲で記録パワー低減を図り得る
反面、所定の値を超えて当該添加率を増加せしめる場合
には記録パワーの増大傾向を来した。

例えば、曲線ｄとして示す、反射膜の膜厚を３００（大
）とした試料では、Ｍｎ添加率が１０（原子％）の場合
、約３．５（ｍＷ）の記録パワーとなる。ざらに、Ｍｎ
添加率を増加させて３０（原子％）とした場合、記録パ
ワーを約３．２（ｍＷ）にまで低減せしめることが出来
た。

しかしながら、この３０（原子％）を超えて添加率を設
定した場合には記録パワーが増大しはじめ、４０（原子
％）では約３．６　（ｍＷ）、５０（原子％）では約４
．３（ｍＷ）、１００（原子％）では７（ｍＷ）以上と
なった。

続いて、第１図（８）を参照して、ＣＮ比の測定結果と
上述したＭｎ添加率との関係につき説明する。

第１図（Ｂ）は、縦軸にＣＮ比（ｄＢ）及び横軸にはＡ
ｆｆに対するＭｎの添加率（原子％）を夫々採って示す
特性曲線図である。同図中においても、第１図（Ａ）と
同様に、夫々の膜厚に対応させ、曲線にａ、ｂ、ｃ、ｄ
の符号を付しである。

この第１図ＣＢ）からも理解出来るように、反射膜にお
けるＭｎ添加率がＯ（原子％）ＣＡｆｌのみから成る反
射膜に相当）である試料の場合、７００〜３００（λ）
の範囲内のいずれの膜厚の試料も、ＣＮ比は約４７．０
　（ｄＢ）となった。

これら曲線から理解出来るように、Ｍｎ添加率を増加さ
せること（こよってＣＮ比は徐々に減少し、その減少傾
向は、反射膜の膜厚を小さく採る程、強くなる。

例えば、曲ｓｂとして示す、膜厚が５００（λ）の場合
、Ｍｎ添加率を４０（原子％）として作製した試料では
、約４６．５　（ｄＢ）のＣＮ比が得られた。

これ（こ対して、曲線ｄに示す膜厚１Ｆｒ３００（λ）
に設定した場合、４０（原子％）のＭｎ添加率とした試
料では約４５．５　（ｄＢ）のＣＮ比が得られた。また
、当該膜厚で作製した試料では、曲線８〜曲線Ｃに示す
各々の膜厚の場合に比べで、ＣＮ比の低下が著しく、Ｍ
ｎ添加率を５０（原子％）にまで増加せしめると、ＣＮ
比が４５（ｄ　Ｂ）以下になってしまう。

以下、上述した測定結果を踏まえで、この発明のＡｌ２
とＭｎとを含有する反射ｌ１ｌ（こおける、Ｍｎ添加率
の好適範囲につき、当該膜の膜厚をも考慮して説明する
。

既に述べたように、Ａｌは従来知られている反射膜材料
の中でも極めて優れており、Ａｎ単体で当該膜を構成し
た場合であっても、充分な反射特性を示す、そのため、
この反射特性の良否で決まるカーエンハンスメント効果
によって、結果としてのＣＮ比に対する影響は、上述し
た３００〜７００（又）の範囲内の膜厚で太きく異なる
ことはない。

しかしながら、記録パワーに太きく影響する熱特性に着
目すれば、Ａｎ２は熱伝導率が比較的高い材料であり、
書込み時に加えたレーザ（こよる熱を散逸させてしまう
、このため、Ａｕ単体で反射膜を構成する場合には、膜
厚を大きくする程、大きな記録パワーを必要としでいた
。

ここで、上述した第１図（Ａ）及び（８）からも理解出
来るように、この発明を適用してＡｌにＭｎ１Ｆ！：添
加してゆけば、比較的少ないＭｎ添加率では、Ａｕ単体
の場合に比べて、反射特性は僅かに劣化傾向を示す反面
、熱特性が大きな改善傾向を示すようになる。

先ず、ＣＮ比に対するＭ　ｎ　５’Ａ加の影響を考えれ
ば、ＣＮ比の劣化傾向は第１図（Ｂ）に示すいずれの膜
厚でも緩やかに成る。係る原因としては、Ｍｎ添加によ
り単位膜厚当りの反射膜の透過率が上昇して反射特性が
劣化するが、膜厚を大きく採ることにより反射膜全体と
しての反射特性が補償されるためと考えられる。

また、記録パワーに対するＭｎ添加の影響は、反射膜の
膜厚が大きい場合には、熱伝導率の低減が支配的となり
、記録パワー低減効果が連続的に認められる。しかしな
がら、膜厚を小さくした場合には、Ｍｎ添加率が比較的
小ざい範囲内では熱伝導率低減が支配的である反面、所
定の添加率を超えると前述した透過率の上昇（反射特性
の劣化）が支配的となって、全体としての記録パワーの
増大傾向を生じる。

従って、実用に供し得るＣＮ比の維持と／ｌ単体に比べ
て低い記録パワーとを遠戚するためには、膜厚を考慮し
て、記録パワーの低減効果からＭｎ添加率の好適範囲を
設定すれば良いことが理解出来る。

先ず、第１図（Ａ）（こ示す曲線８〜曲線ｄから、記録
パワーの実質的な低減効果は、いずれの膜厚であっても
、Ｍｎ添加率を２（原子％）以上とすれば充分であり、
当該添加率ｔ４（原子％）以上とすれば、曲線の傾きが
緩やかに戒り、僅かな添加率の変動によっても安定して
記録パワーを実現し得ることが見てとれる。

一方、Ｍｎ添加率の上限につき考えれば、膜厚を３００
（大）とした場合の曲線ｄから、記録パワーが急激な増
大に転じる添加率に着目して、当該添加率！４０（原子
％）以下とすれば良いことがわかる。

従って、この発明に係る、ＡｆｆとＭｎとを含有する反
射膜は、Ｍｎ添加率を２（原子％）以上とすれば良く、
さらに好適には４（原子％）以上４０（原子％）以下の
範囲で設定すれば良い。

ＣＮ比については、ｌ５Ｏ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌＯｒｃ＋ａｎｉｚａｔｉｏｎ　ｆｏｒ　５ｔａｎｄａ
ｒｄｉｚａｔｉｏｎ：国際標準化機構）の国際規格によ
って、回転数１８００（ｒ、ｐ、ｍ）及び周波数３．７
　（ＭＨｚ）で書込みを行なった場合に４５（ｄＢ）以
上を満たすことが要求されている。この第１実施例では
、第５図に示す構造の試料を作製して好適範囲を求めた
が、当該好適範囲内で作製した／ｌとＭｎとモ含有する
反射Ｓを具えることによって、ＣＮ比に間する国際規格
に準拠（第１図（Ｂ）９照）し、しかも記録特性に優れ
た記録媒体を実現し得る。

第ヱＪＪＬ例 次に、この発明の第２実施例として、基板４１上に磁性
膜４５と、アルミニウム（Ａｌ）　　（主材料）に対し
バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）
またはマグネシウム（Ｍｇ）（これらは補助材料）を添
加して成る反射膜４７とを順次に積層し構成した試料に
つき説明する。この場合にも、反射膜の膜厚と、アルミ
ニウムに対する各補助材料の添加率とを種々変えた複数
の試料と、アルミニウム単体で反射膜を作製した試料と
について、記録パワー及びＣＮ比の各特性を測定した結
果について説明する。尚、試料の作製方法、試料の特性
測定方法は第１実施例の場合と同様にしで行なった。

〈試料に関する特性測定の結果〉 次に、図面を参照して、記録パワー及びＣＮ比の測定結
果と、Ａｎに対するＶ、Ｎｂ、ＴａまたはＭ９の添加率
との関係につき説明する。

第２図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、上述した添
加率と記録パワーとの関係を説明するため、縦軸に記録
パワー（ｍ　Ｗ　）及び横軸にはＡＡに対するＶ、Ｎｂ
、ＴａまたはＭ９の添加率（原子％）を夫々採って示す
特性曲線図である。

尚、同図中、曲線ａは膜厚！７００　（λ）として反射
Ｓを形成した試料の測定結果を表わし、曲線すは膜厚が
５００　（Ａ）である試料の結果、曲線Ｃは膜厚が４０
０（λ）である試料の結果、曲線ｄは３００（λ）の場
合の結果を、各々、表わしている。

この第２図（Ａ）〜（Ｄ）からも理解出来るように、Ａ
Ａのみから戒る反射膜の試料の場合、記録パワーは反射
膜の膜厚によって異り、膜厚が７００（大）では、約１
０（ｍＷ）（曲線ａ）、５００　（λ）では約８．５　
（ｍＷ）（曲線ｂ）、４００（λ）では約７．５　（ｍ
Ｗ）（曲線Ｃ）、３００　（Ａ）では約５．７　（ｍＷ
）（曲線ｄ）であった。

この結果からも理解出来るように、／ｌ単体で構成した
従来構成の反射膜では、上述した範囲内で膜厚を小さく
するほど記録パワーが低減される傾向にある。

また、このＶ、Ｎｂ、ＴａまたはＭ９を添加することに
よる記録パワーの低減効果は、反射膜の膜厚に大きく依
存する。

詳細に説明すれば、当該膜厚を７ｏ○（人）または５０
０　（λ）として作製した試料では、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａま
たはＭ９添加率が比較的小さい範囲でも記録パワーは急
激に低減され、Ｖ、Ｎｂ、ＴａまたはＭ９添加率を１０
０（原子％）にまで増加させても、記録パワーの低減効
果が維持される（曲線ａ及びｂ９照）０曲線すで示す、
反射膜の膜厚１Ｆｒ５００（Ａ）として作製した試料を
例示して、具体的な数値を例示すればＶ、Ｎｂ、Ｔａま
たはＭ９添加率を増加させることによって記録パワーは
著しく減少し、例えば、■添加率を１０（原子％）とし
で作製した試料では、約５．０（ｍＷ）、Ｎｂ添加率を
１０（原子％）として作製した試料では約４．８　（ｍ
Ｗ）　、Ｔａ添加率を１０（原子％）として作製した試
料では約４．８（ｍＷ）としてＭ９添加率！１０（原子
％）として作製した試料では約５．１　（ｍＷ）にまで
試料パワーを低減させることが出来た。また、Ｖ、Ｎｂ
、ＴａまたはＭ９添加率を上述した１０（原子％）から
増加させるに従って、記録パワーは徐々に減少し、添加
率を１００（原子％）として作製した試料では、■の場
合的３．８（ｍＷ）、Ｎｂの場合的４．２　（ｍＷ）　
、Ｔａの場合的４．２　（ｍＷ）そしてＭ９の場合的４
．３（ｍＷ）の記録パワーで記録することが出来た。

一方、当該膜厚を４００（大）とした場合の結果（曲線
Ｃ）と３００（Ａ）とした場合の結果（曲線ｄ）では比
較的少ないＶ、Ｎｂ、ＴａまたはＭ９の添加率の範囲で
記録パワー低減を図り得る反面、所定の値を超えて当該
添加率を増加せしめる場合には、記録パワーの増大傾向
を示した。

例えば、曲線ｄとして示す反射膜の膜厚と３００（λ）
とした試料では、■添加の場合、■添加率が１０（原子
％）という比較的少ない場合的３．５　（ｍＷ）の記録
パワーとなる。ざらにＶ添加率を増加させて３０（原子
％）とした場合、記録パワーを約３．３　（ｍＷ）にま
で低減せしめることが出来た。しかし、ざらに多くのＶ
添加率を設定した場合には記録パワーが増大しはじめ、
４０（原子％）では約３．８（ｍＷ）、１００（原子％
）では７（ｍＷ）以上となった。

続いて、第３図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）を参照
して、ＣＮ比の測定結果と上述したＶ、Ｎｂ、Ｔａまた
はＭ９添加率との関係につき説明する。

第３図（Ａ）〜（Ｄ）は、縦軸にＣＮ比（ｄ　Ｂ）及び
横軸にはＡｆｆｌに対するＶ、Ｎｂ、ＴａまたはＭ９の
添加率（原子％）を夫々採って示す特性曲線図である。

同図中においても、夫々の膜厚に対応させ、曲線にａ、
ｂ、ｃ、ｄの符号を付しである。

この第３図（Ａ）〜（Ｄ）からも理解出来るように、反
射膜におけるＶ、Ｎｂ、ＴａまたはＭ９添加率がＯ（原
子％）ＣＡ（ｌのみから成る反射膜に相当）である試料
の場合、３００〜７００（λ）の範囲内のいずれの膜厚
の試料も、ＣＮ比は約４７．０（ｄ　Ｂ）となった。

これら曲線から理解出来るように、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａまた
はＭ　ｇ　５Ｆ、加重を増加させることによってＣＮ比
は徐々に減少し、その減少傾向は反射膜の膜厚を小さく
採る程強くなることがわかる。

例えば、曲線すとして示す膜厚が５００（λ）の場合、
■添加率！４０（原子％）として作製した試料では約４
６．５　（ｄＢ）のＣＮ比が得られた。またＮｂ添加率
を４０（原子％）の場合約４６．７　（ｄＢ）　、Ｔａ
添加率が４０（原子％）の場合４６．７　（ｄＢ）　、
Ｍ９添加率が４０（原子％）の場合４６．４　（ｄＢ）
のＣＮ比が得られた。

これに対して、曲線ｄに示す膜厚を３００（λ）に設定
した場合、４０（原子％）のＶ添加率とした試料では４
５．８　（ｄＢ）、４０（原子％）のＮｂ添加では４５
．７　（ｄＢ）、Ｔａ添加では、４５．６　（ｄＢ）そ
してＭ９添加では４５．４　（ｄＢ）のＣＮ比が得られ
た。

また、当該膜厚で作製した試料では、曲線８〜曲線Ｃに
示す各々の膜厚の場合に比べて、ＣＮ比の低下が著しく
、Ｖ、Ｎｂ、ＴａまたはＭ９添加率を５０（原子％）に
まで増加せしめると、ＣＮ比が４５（ｄＢ）以下になっ
てしまう。

以下、上述した測定結果を踏まえで、この発明の、ＡＡ
とＶ、ＡＡとＮｂ、ＡｕとＴａまたはＡＡとＭ９を含有
する反射膜における、Ａｆに対するＶ、Ｎｂ、Ｔａまた
はＭ９添加率の好適範囲につき、当該膜の膜厚をも考慮
して説明する。

先ず、第２図（Ａ）〜（Ｄ）に示す曲Ｈａ〜曲線ｄから
、記録パワーの実質的な低減効果は、いずれの膜厚であ
っても、Ｖ、Ｎｂ、ＴａまたはＭ９添加率を２（原子％
）以上とすれば充分であり、当該添加率を４（原子％）
以上とすれば、曲線の傾きが緩やかに成り、僅かな添加
率の変動によっても安定して記録パワーを実現し得るこ
とが見てとれる。

一方、Ｖ、Ｎｂ、ＴａまたはＭ９添加率の上限につき考
えれば、膜厚を３００　（Ａ）とした場合の曲線ｄから
、記録パワーが急激な増大に転じる添加率に着目して、
当該添加率を４０（原子％）以下とすれば良いことがわ
かる。

従って、この発明に係る、Ａｕとｖを含有する、ＡＡと
Ｎｂを含有する、ＡＡとＴａを含有する、或いは、Ａｌ
とＭ９を含有する反射膜は、Ｖ、Ｎｂ、ＴａまたはＭ９
添加率１Ｆｒ２（原子％）以上とすれば良く、ざらに好
適には４（原子％）以上４０（原子％）以下の範囲で設
定すれば良い。

ＣＮ比についでは、ＩＳＯの国際規格によって、回転数
１８００（ｒ、ｐ、ｍ）及び周波数３．７　（ＭＨｚ）
で書込みを行なった場合に４５（ｄＢ）以上を満たすこ
とが要求されている。この実施例では、第５図に示す構
造の試料を作製して好適範囲を求めたが、当該好適範囲
内で作製した／ｌとＶ、ＡｕとＮｔ）、／ｌとＴａまた
はＡｌとＭ９とを含有する系の反射Ｓを具えること（こ
よって、ＣＮ比に関する国際規格に準拠（第３図（Ａ）
〜（Ｄ）参照）し、しかも記録特性に優れた記録媒体を
実現し得る。

笈」ｊむ４倒 先ず、第３実施例として、アルミニウム（Ａｌ２）に対
する銀（Ａ９）の添加率を種々に変えた反射膜を具え、
前述した第５図に示す構造の試料で特性測定を行なった
結果につき説明する。

尚、特性測定と当該測定に当っての試料作製とについて
は第１実施例で述べたＭｎの代わりにＡ９を用いたこと
、及び、反射膜の膜厚を５００（大）に統一したことを
除き、第１実施例と同一の条件により行なった。従って
、以下の説明においては重複説明を回避するため、測定
結果についてのみ図面を参照して説明する。

先ず、第４図（Ａ）は、ＡＡに対するＡ９の添加率と記
録パワーとの関係を説明するため、縦軸に記録パワー（
ｍＷ）及び横軸にはＡＪＩこ対するＡ９の添加率（原子
％）を夫々採って示す特性曲線図である。

この第４図（Ａ）からも理解出来るよう１こ、反射膜（
こおけるＡ９の添加率がＯ（原子％）（／ｌのみから成
る反射膜に相当）である試料の場合、第１実施例（第１
図（Ａ）の曲線す参照）と同一の記録パワーが得られ約
８．５　（ｍＷ）であった、これに対して、この第３実
施例に係る試料では、Ａ９添加率が約２０（原子％）程
度以下の範囲では記録パワーが急激に低減した。詳細に
述べれば、Ａ９添加率が２０（原子％）の試料では約４
．５　（ｍＷ）の記録パワーとなり、当該添加率が約９
５（原子％）で、ＡＡ単体の反射膜の場合と同程度の記
録パワーとなるのが見てとれる。

Ａ９添加による記録パワー低減効果はＡ９添加率を２０
〜６０（原子％）とした範囲内で維持され、この範囲を
超えると、再度増大傾向を来した。

続いて、第４図（Ｂ）を参照して、ＣＮ比の測定結果と
上述したＡ９添加率との関係につき説明する。

第４図（８）は、Ａ９の添加率とＣＮ比との関係を説明
するため、第１図（８）と同様に、縦軸にＣＮ比（ｄＢ
）及び横軸にはＡｕに対するＡ９の添加率（原子％）を
夫／？採って示す特性曲線図である。

この第４図（Ｂ）からも理解出来るように、この第３実
施例に係る試料では、Ａ９の添加によるＣＮ比への影響
が実質的には認められない、／１に対するＡ９の添加は
反射特性に影Ｗを与えずしかも熱伝導率変化のみを生じ
せしめて記録パワーを低減し得る。

上述したＡ９添加率と、ＣＮ比及び記録パワーとの関係
の説明からも理解出来るように、Ａ９添加率によるＣＮ
比への影響が小さいため、Ａ９の好適添加率は、記録パ
ワー低減の効果のみから設定し得ることが認められる。

従って、この発明に係るＡｌとＡ９とを含有する反射膜
では、記録パワーの低減効果のみによって、２０（原子
％）以上６０（原子％）以下のＡ９添加率をもって好適
範囲とすればよい。

以上、この発明の実施例につき説明したが、この発明は
これら実施例にのみ限定されるものではないこと明らか
である。

例えば、上述の実施例では、光磁気記録媒体を構成する
基板、磁性膜及び保護膜につき、材料、膜厚及びその他
、特定の条件を例示して説明した。しかしながら、この
出願の発明に係るＡＩ２とＭｎを含有する系の材料の場
合には、第１図（Ａ）及び（Ｂ）と表との比較、また、
ＡｕとＶ、Ａｕ２とＮｂ、ｌ！とＴａまたはＡｆｆとＭ
９を含有する系の材料の場合には、第２図（Ａ）〜（Ｄ
）及び第３図（Ａ）〜（Ｄ）、ｌ！とＡｑ１８：含有す
る系の材料の場合には第４図（Ａ）及び（Ｂ）との比較
から、夫々、理解出来るように、各材料において特徴と
なる金属元素の添加率の好適範囲は、反射膜の膜厚及び
記録媒体の積層構成によって、所望とする記録パワーと
ＣＮ比との兼ね合わせて種々に異なる。

従って、これら材料、膜厚、配置！関係、数値的条件及
びその他、特定の条件は、この発明の目的の範囲内で、
任意好適な設計の変更及び変形を行ない得ること明らか
である。

また、上述した各実施例においては、反射膜をアルミニ
ウム（Ａ１）の主材料に対し１種類の補助材料を添加し
た膜として構成した場合につき説明したが、反射膜をア
ルミニウム（ＡＡ）と、２種以上の補助材料とを含有さ
せた膜として構成しでも、上述した各実施例の場合と同
様な効果を期待出来る。

ざらに、上述した実施例では、この発明の光磁気記録媒
体を第５図の構造として作製した例につき説明したが、
この構造にのみ何ら限定されるものではなく、従来例の
説明で参照した、第６図（Ａ）及び（Ｂ）に示した、保
護膜を具える構造と同様な層構造として構成することが
出来る。

第７図（Ａ）及び（８）は、その場合の構造の実施例を
示す断面図である。

第７図（Ａ）に示すこの発明の光磁気記録媒体の実施例
では、基板４１と磁性膜４５との間に、第６図（Ａ）に
示した従来の保護膜１３ａと同様１こ構成した第１保護
膜４９ａを設け、この磁性膜４５と反射膜４７との間に
、第６図（Ａ）に示した従来の保護膜＋３ｂと同様に構
成した第２保護膜４９ｂを設けた層構造となっている。

この層構造の光磁気記録媒体を６０で示す。

また、第７図（Ｂ）に示す、この発明の光磁気記録媒体
の他の実施例では、基板４１と磁性膜４５との間に、第
６図ＣＢ）に示した従来の保護＃１３ａと同様に構成し
た第１保護［４９ａを設け、この磁性膜４５上（こ反射
膜４７を設け、ざらに、この反射膜４７上に、第６図（
Ｂ）に示した従来の保護膜＋３ｂと同様に構成した第２
保護膜４９ｂ　ＩＦｒ設けた層構造となっている。この
層構造の光磁気記録媒体を６２で示す。

上述した第７図（Ａ）及び（Ｂ）に示したようにこの発
明の光磁気記録媒体を構成した場合にも、記録パワー及
びＣＮ比等の特性は、保護膜を設けたことに起因する量
だけ、上述した夫々の実験値から相対的にシフトするの
みであって、各補助材料の添加率に対するこれら特性の
変化の傾向自体は実質的に変わらないと推測される。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなようにこの発明に係る光磁
気記録媒体によれば、アルミニウム（Ａｌ）に対してマ
ンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｔ））
、タンタル（Ｔａ）　、マグネシウム（Ｍｇ）または銀
（Ａ９）を添加して反射膜を構成することにより、アル
ミニウム（Ａｌ）が有する反・耐重を低下させることな
く、反射率の熱伝導率を下げることが出来る。これによ
って反射膜が有する反射率を低下させることなくＣＮ比
を維持すると共に、小さな熱伝導率を実現するため、記
録パワーの低減を図ることが出来る。

従って、この発明を適用することにより、小さな記録パ
ワーで書込むことが出来、かつ読出し感度の高い、優れ
た光磁気記録媒体を提供することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）は、この発明の光磁気記録媒体に係る第１
実施例を説明するための、縦軸に記録パワー、及び横軸
に主材料であるアルミニウムに対する補助材料であるマ
ンガンの添加率をプロットして示す特性曲線図、 第１図（Ｂ）は、この第１実施例を説明するための、縦
軸にＣＮ比、及び横軸に主材料としてのアルミニウムに
対する補助材料としてのマンガンの添加率をプロットし
て示す特性曲線図、第２図（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明
の光磁気記録媒体に係る第２実施例を説明するための、
縦軸に記録パワー、及び横軸に主材料としてのアルミニ
ウムに対する補助材料としてのバナジウム、ニオブ、タ
ンタル及びマグネシウムの添加率をプロットして、夫々
示す特性曲線図、 第３図（Ａ）〜（Ｄ）は、第２実施例を説明するための
、縦軸にＣＮ比、及び横軸に主材料としてのアルミニウ
ムに対する補助材料としてのバナジウム、ニオブ、タン
タル及びマグネシウムの添加率をプロットして、夫々示
す特性曲線図、第４図（Ａ）は、この発明の光磁気記録
媒体に係る第３実施例を説明するための、縦軸（こ記録
パワー、及び横軸に主材料としてのアルミニウムに対す
る補助材料としての銀の添加率をプロットして示す特性
曲線図、 第４図（Ｂ）は、この第３実施例を説明するための、縦
軸にＣＮ比、及び横軸に主材料としてのアルミニウムに
対する補助材料としての銀の添加率をプロットして示す
特性曲線図、 第５図は、この発明の上述したＭ］〜第３実施例で用い
た試料を説明するための概略的断面図、第６図（Ａ）及
び（Ｂ）は、従来技術を説明するための、光磁気記録媒
体の構造を夫々示す断面図、 第７図（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の光磁気記録媒体
の構造の実施例を示す概略的断面図である。 ４１・・・基板、 ４５・・・磁性膜 ４７・・・反射膜、 ９ａ ９ｂ ・・・保護膜 ５３・・・試料（光磁気記録媒体） ６０． ６２・・・光磁気記録媒体。 特 許 出 願 人 沖電気工業株式会社 −２３８− 記録パワー（ｍＷ） ＣＮ比（ｄＢ） ＣＮ比（ｄＢ） ２３９− ＣＮ比（ｄＢ） σ ＣＮ比（ｄＢ） 第５ 図 記録パワー（ｍＷ） １３ａ、ｌ３ｂ−保護膜 １９：光磁気記録媒体 ２１：光磁気記録媒体 従来技術の説明図 第６ 図 ２４１−

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に少なくとも磁性膜と反射膜とを具えてな
   る光磁気記録媒体において、 反射膜を、アルミニウム（Ａｌ）の材料と、マンガン（
   Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル
   （Ｔａ）、マグネシウム（Ｍｇ）および銀（Ａｇ）の材
   料の群から選らばれた１種以上の材料とを含有する膜と
   して構成してなること を特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）請求項１に記載の前記反射膜におけるアルミニウ
   ム（Ａｌ）の材料に対する、マンガン（Ｍｎ）、バナジ
   ウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）および
   マグネシウム（Ｍｇ）の材料から選らばれた１種以上の
   材料の含有率を２（原子％）以上４０（原子％）以下と
   してなることを特徴とする光磁気記録媒体。
3. （３）請求項１に記載の前記反射膜におけるアルミニウ
   ム（Ａｌ）の材料に対する銀（Ａ９）の材料の含有率を
   ２０（原子％）以上６０（原子％）以下としてなること
   を特徴とする光磁気記録媒体。
4. （４）請求項１に記載の光磁気記録媒体において、基板
   と磁性膜との間に第１保護膜を具え、この磁性膜と反射
   膜との間に第２保護膜を具えることを特徴とする光磁気
   記録媒体。（５）請求項１に記載の光磁気記録媒体にお
   いて、基板と磁性膜との間に第１保護膜を具え、この磁
   性膜上に反射膜を具え、該反射膜上に第２保護膜を具え
   ることを特徴とする光磁気記録媒体。