JPH02126446A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は光磁気記録媒体に関するものであり、特に、
ＣＮ比（Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｎｏ１ｓｅ　Ｒａｔｉｏｌｌ
ｌ送波対雑音比）と記録感度とに優れた反射膜を具える
光磁気記録媒体に関する。

（従来の技術） 光磁気記録媒体（以下、単に記録媒体と称する場合も有
る。）は、書換えの出来る磁性膜を具えた高密度記録媒
体として、研究開発が活発に行なわれでいる。

このような記録媒体の磁性膜を構成する光磁気記録材料
の内でも、希土類金属と遷移金属との非晶質合金（以下
、単にＲＥ−ＴＭ金合金称する場合も有る。）は、磁化
方向が成膜面に対して垂直に配向した垂直磁化膜となる
こと、保磁力が数（にＯｓ）と大きいこと、スパッタ、
真空蒸着またはその他の被着技術で比較的容易に成膜が
可能であること等の点で、最も研究か進み、実用化が進
んでいる。

このようなＲＥ−ＴＭ金合金用いた記録媒体では、磁性
膜が垂直磁化膜であることから１０６（ビット／ａｍ２
）という極めて高密度な記録が可能であり、さらに、原
理的には、情報の消去と再書込みとの繰り返しを無限回
に近く行なうことができるという優れた特色を有する。

しかしながら、ＲＥ−ＴＭ金合金ら成る磁性膜は耐食性
が低く（例えば文献工：　「光磁気ディスク」（今村修
武監修、■トリケプス発行、第４２７頁）参照）、シか
も、磁気光学的な効果（カー（にｅｒｒ）効果）が小さ
いという欠点が有る。

そこで、上述した磁性膜の、読取り側とは相反する位置
に反射膜を設けたり、保護膜によって磁性膜を挟んで配
設することにより、光の屈折及び反射を利用して見掛は
上のカー（にｅｒｒ）回転角を大きくする構造が知られ
でいる（前記文献Ｉ：第１１９頁）。

以下、図面を参照して、上述した従来の光磁気記録媒体
につき説明する。

第５図（Ａ）は、従来の記録媒体の一構成例を説明する
ため、概略的な断面により示す説明図である。尚、同図
中、断面を示すハツチングは一部省略する。

この第５図（Ａ）からも理解できるように、基板１１の
表面に保護膜１３ａ、磁性膜１５、保護膜＋３ｂ及び反
射１１！＋７を順次形成することによって記録媒体１９
が構成される。

このうち、基板１１は記録媒体の書込みや読出しに用い
られる光の波長で透明な材料から構成され、例えばポリ
カーボネート樹脂、ガラス、エポキシ樹脂またはその他
の材料が用いられている。

また、保護膜１３ａと＋３ｔ）とは、例えば５ｉＯ１Ｓ
ｉＯ□、Ａ免Ｎ　、　Ｓｉ３Ｎ４、Ａ込ＳｉＮ　、　Ａ
λ５ｉＯＮまたはその他の保護膜材料を被着させて形成
する。

ざらに、磁性膜１５は前述したＲＥ−ＴＭ金合金ら構成
され、このような合金として例えばＴｂ−Ｆｅ合金、Ｔ
ｂ　−Ｃｏ合金、Ｔｂ　−Ｆｅ　−Ｃｏ合金またはその
他、希土類金属と遷移金属との組み合わせが、１重々、
知られている。

これに加えて、反射膜１７ヲ構成する材料としては、ア
ルミニウム（Ｕ　）が最も広く用いられており、この他
、例えば金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）とい
った反射膜材料が知られている。

また、上述の反射膜１７を具えて構成した記録媒体とし
ては、基板１１の表面に、保護膜１３ａ、磁性膜１５、
反射膜１７及び保護膜＋３ｂを順次積層した構成の記録
媒体２１（第５図ＣＢ）？照）も知られている。

このような記録媒体は、外部磁界をかけた状態で、基板
１１から磁性膜１５へ向かう方向に１（ｕｍ）程度のス
ポット径に絞ったレーザビームを照射し、所謂、熱磁気
書込み方式によって情報の書込みが行なわれる。即ち、
上述のレーザビームによって局部的に加熱された磁性膜
は保磁力が低下し、この際、記録情報を担った外部磁界
により、磁性膜に情報が書き込まれる。また、このよう
な記録情報の書込みを上述したレーザビームのビット長
や間隔によって行なうことも成されでいる。

上述した説明からも理解できるように、光磁気記録媒体
の記録感度は、磁性膜に対する保温性と多重反射の度合
とに大きく影響を受ける。

従って、このような観点から反射膜を見た場合、熱伝導
率が小さい材料で反射膜を構成して書込み時の放熱を抑
制すると共に、反射率が高い材料で当該膜を構成し、読
出し時の多重反射を効率良く行なうことが要求される。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、従来知られている反射膜の材料では、小
さい熱伝導率と高い反射率とを同時に実現することが難
しいという問題点が有った。

この点につき詳述すれば、例えばアルミニウムまたは銅
（Ｃｕ）！夫々単独で反射膜として用いた記録媒体では
、比較的高い反射率を有する反面、熱伝導率が大きく、
磁性膜の放熱を補うために予めレーザビームの出力（以
下、記録パワーと称する。）ヲ大きくして書込みを行な
う必要が有る。

また、例えば反射膜をチタンで構成した場合には、比較
的小さな記録パワーで書込むことが可能であるが、反射
率が低いために充分なカー効果エンハシスメントが得ら
れず、読出しの感度が不充分であった。

この発明の目的は、上述した従来の問題点に鑑み、小ざ
な記録パワーで書込むことができ、かつ読出し感度の高
い光磁気記録媒体を提供することに有る。

（課題を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明の光磁気記録媒体
によれば、基板上に少なくとも磁性膜と反射膜とを具え
て成る光磁気記録媒体において、上述の反射膜が、アル
ミニウム（Ａ９）にチタン（Ｔｉ）または銅（Ｃｕ）を
添加して成ることを特徴としている。

また、この発明の実施に当り、上述した反射膜における
チタン（Ｔｉ）の添加率＠２（原子％）以上とするのが
好適であり、ざらに好ましくは、チタン（Ｔｉ）の添加
率を、４（原子％）以上５０（原子％）以下とするのが
良い。

ざらに、上述した反射膜における銅（Ｃｕ）の添加率は
２５（原子％）以上７０（原子％）以下とするのが好適
である。

これに加えて、上述したような、ＡＱ、−ＴｉまたはＡ
’１−Ｃｕのうちのいずれかから成る反射膜の膜厚を、
２００（λ）以上５００（λ）以下とするのが好適であ
る。

（作用） この発明の光磁気記録媒体の構成によれば、上述した材
料で反射膜を構成することにより、アルミニウム（Ａｌ
　）が有する反射率を実用上充分な値に保って、熱伝導
率を下げることができる。

これがため、ＣＮ比を維持しで、記録パワーの低減を図
ることができる。

（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の実施例につき説明す
る。尚、以下説明する実施例は、この発明の範囲の好ま
しい数値例、その他の条件で説明するか、これらは単な
る例示であって、この発明がこれらの数値或いはその他
の条件にのみ限定されるものではないことを理解された
い。

太】１外ユ まず、この発明のチタン添加に係る実施例として、基板
上に、磁性膜と、アルミニウム（Ａ９）に対するチタン
（Ｔｉ）の添加率と膜厚とを種々に変えで構成した反射
膜とを順次積層して複数の試料を作製し、記録パワー及
びＣＮ比を測定した結果につき説明する。

〈試料の作製〉 始めに、概略的断面によって、第５図（Ａ）及び（Ｂ）
と同様に示す第４図を参照し、この実施例に係る試料の
作製手順につき説明する。

この第４図から理解できるように、基板１１０表面に磁
性膜１５と反射膜１７とを順次積層して試料２３を得た
。

まず、テルビウム：鉄：コバルトの原子数の比が２２ニ
ア０：８の組成を有するターゲットを用いたマグネトロ
シスバッタ法により、ポリカーボネートから成る基板１
１の表面に約３００（λ）の膜厚で磁性膜１５ヲ被着さ
せる。この際の被着条件は、投入電力が約５００（Ｗ）
　、アルゴンのガス圧が３（ｍＴｏｒｒ）として行なっ
た。

次に、上述した磁性膜１５の表面に、アルミニウム（Ａ
（１）に対するチタン（Ｔｉ）の添加率を○〜＋００（
原子％）の範囲で種々に変えると共に、膜厚を２００（
＾）　、３００（人）　、４００（人）または５００（
λ）と、種々１こ変えた反射膜１７を被着して、複数の
試料２３を得た。

この時の被着条件は、前述と同様に投入電力５００（Ｗ
）　、アルゴンガス圧３　（ｍＴｏｒｒ）とし、各々の
単一金属から成るターゲット同士を重ねた際の、被スパ
ツタ面における面積比を変えることにより、Ａ９に対す
るＴｉの添加率を種々に変えた。

〈試料の特性測定の手順〉 次に、上述した試料につき、記録パワー及びＣＮ比を測
定した手順につき説明する。

まず、各試料の記録パワーの測定に当っては、波長８３
０（ｎｍ）の光を用い、回転数１８００（ｒ、ｐ、叱）
、デユーティ−３３（％）、記録周波数３．７（ＭＨｚ
）の記録条件に統一して行なった。

また、ＣＮ比の測定は上述した条件で夫々の試料に応じ
た記録パワーを以って書込んだ後、読出しパワー１．０
（ｍＷ）　、バンド幅３０（Ｋ）ｌｚ）の読出し条件で
行なった。

く試Ｈに関する特性測定の結果〉 次に、図面を参照して、上述した記録パワー及びＣＮ比
の測定結果と、Ｈに対するＴＩの添加率との関係につき
説明する。

第１図（Ａ）は、上述した添加率と記録パワーとの関係
を説明するため、縦軸に記録パワー（ｍＷ）及び横軸に
はＡ２に対するＴｉの添加率（原子％）を夫々採って示
す特性曲線図である。尚、同図中、曲線ａは膜厚を５０
０（人）として反射膜を形成した試料の測定結果を表わ
し、曲線すは膜厚が４００（＾）である試料の結果、曲
線Ｃは膜厚が３００（人）である試料の結果、曲線ｄは
２００（λ）の場合の結果を、各々、表わしている。

この第１図（Ａ）からも理解できるように、反射膜にあ
けるＴｉ添加率が０（原子％）ｌのみから成る反射膜に
相当）である試料の場合、記録パワーは反射膜の膜厚に
よって異なり、膜厚が５００（＾）では約８．５（ｍＷ
Ｘ曲線ａ）　、４００（λ）では約７．５（ｍＷＸ曲線
ｂ）　、３００（人）では約５．８（ｍＷＸ曲線ｃ　）
　、２００（λ）では約５．２（ｍＷＸ曲線ｄ）であっ
た、この結果からも理解できるように、ＡＱ単体で構成
した従来構成の反射膜では、上述した範囲内で膜厚を小
さくするほど記録パワーが低減される傾向に有る。

また、このＴｉミラ加することによる記録パワーの低減
効果は、反射膜の膜厚に大きく依存する。

詳細に説明すれば、当該膜厚を５００（λ）または４０
０（λ）として作製した試料では、Ｔｉ添加率が比較的
小さい範囲でも記録パワーは急激に低減され、Ｔｉ添加
率を１００（原子％）にまで増加させても、記録パワー
の低減効果が維持される（曲線ａ及びｂ参照）０曲線す
で示す、反射膜の膜厚を４００（λ）として作製した試
料を例示しで、具体的な数値を例示すれば、Ｔｉ添加率
を増加させることによって記録パワーは著しく減少し、
例えば、Ｔｉ添加率を１０（原子％）として作製した試
料では約４．５　（ｍＷ）にまで記録パワーを低減させ
ることができた。また、このＴｉ添加率を上述した１０
（原子％）から増加させるに従って、記録パワーは徐々
に減少し、Ｔｉ添加率を１００（原子％）として作製し
た試料では約４．０（ｍＷ）の記録パワーで記録するこ
とができた。

一方、当該膜厚！３００（人）とした場合の結果（曲線
Ｃ）と２００（λ）とした場合の結果（曲線ｄ）では、
比較的少ないＴｉ添加率の範囲で記録パワー低２１１ｉ
を図り得る反面、所定の値を超えて当該添加率を増加せ
しめる場合には記録パワーの増大傾向を来した。

例えば、曲線ｄとして示す、反射膜の膜厚を２００（人
）とした試料では、Ｔｉ添加率が１０（原子％）の場合
、約３．９（ｍＷ）の記録パワーとなる。

ざらに、Ｔｉ添加率を増加させて３０（原子％）とした
場合、記録パワーを約３．４（ｍＷ）にまで低減せしめ
ることができた。

しかしながら、この３０（原子％）を超えてＴｉ添加率
を設定した場合には記録パワーが増大し始め、５０（原
子％）では約４．０（ｍＷ）　、１００（原子％）では
７（ｍＷ）以上となった。

続いて、第１図（Ｂ）を参照して、ＣＮ比の測定結果と
上述したＴｉ添加率との関係につき説明する。

第１図（８）は、縦軸にＣＮ比（ｄＢ）及び横軸にはＡ
２に対するＴｉの添加率（原子％）を夫々採って示す特
性曲線図である。同図中においても、第１図（Ａ）と同
様に、夫々の曲線に膜厚に対応した符号を付しである。

この第１図（Ｂ）からも理解できるように、反射膜にお
けるＴｉ添加率が０（原子％）（Ａ９のみから成る反射
膜に相当）である試料の場合、２００〜５００（λ）の
範囲内のいずれの膜厚の試料も、ＣＮ比は約４７．０（
ｄＢ）となった。

これら曲線から理解できるように、Ｔｉ添加率を増加さ
せることによってＣＮ比は徐々に減少し、その減少傾向
は、反射膜の膜厚を小さく採る程、強くなる。

例えば、曲ｗｊＡｂとして示す、膜厚が４００（λ）の
場合、Ｔｉ添加率を５０（原子％）として作製した試料
では、約４６．５（ｄＢ）のＣＮ比が得られた。

これに対して、曲線ｄに示す膜厚を２００（λ）に設定
した場合、５０（原子％）のＴ　Ｉ　５’Ａ加率とした
試料では約４５．８（ｄＢ）のＣＮ比が得られた。また
、当該膜厚で作製した試料では、曲線８〜曲線Ｃに示す
各々の膜厚の場合に比べて、ＣＮ比の低下が著しく、Ｔ
ｉ添加率ヲ７０（原子％）にまで増加せしめると、ＣＮ
比が４５（ｄＢ）以下になってしまう。

以下、上述した測定結果を踏まえて、Ａ’１−Ｔｉから
成る反射膜における、Ｔｉ添加率の好適範囲につき、当
該膜の膜厚をも考慮して説明する。

既に述べたように、Ａ２は従来知られでいる反射膜材料
の中でも極めて優れており、Ａ９単体で当該膜を構成し
た場合であっても、充分な反射特性をオフそのため、こ
の反射特性の良否で決まるカーエンハンスメント効果に
よって、結果としてのＣＮ比に対する影響は、上述した
２００〜５００（人）の範囲内の膜厚で大きく異なるこ
とはない。

しかしながら、記録パワーに大きく影響する熱特性に着
目すれば、Ａｔは熱伝導率が比較的高い材料であり、書
込み時に加えたレーザによる熱を散逸させてしまう。こ
のため、ＡＱ単体で反射膜を構成する場合には、膜厚を
大きくする程、大きな記録パワーを必要としていた。

ここで、上述した第１図（Ａ）及び（Ｂ）からも理解で
きるように、この発明を適用しでＡ９にＴｉを添加して
ゆけば、比較的少ないＴｉ添加率では、Ａ９単体の場合
に比べて、反射特性はわずかに劣化傾向を示す反面、熱
特性が大きな改善傾向を示すようになる。

まず、ＣＮ比に対するＴｉ添加の影ＶＩを考えれば、Ｃ
Ｎ比の劣化傾向は第１図（Ｂ）に示すいずれの膜厚でも
緩やかに成る。係る原因としては、Ｔｉ添加により単位
膜厚当りの反射膜の透過率が上昇して反射特性が劣化す
るが、膜厚を大きく採ることにより反射膜全体としての
反射特性が補償されるためと考えられる。

また、記録パワーに対するＴｉ添加の影響は、反射膜の
膜厚が大きい場合には、熱伝導率の低減が支配的となり
、記録パワー低減効果が連続的に認められる。

しかしながら、膜厚を小さくした場合には、Ｔｉ添加率
が比較的小さい範囲内では熱伝導率低減が支配的である
反面、所定の添加率を越えると前述した透過率の上昇（
反射特性の劣化）が支配的となって、全体としての記録
パワーの増大傾向を生じる。

従って、実用に供し得るＣＮ比の維持とＭＬ単体に比べ
て低い記録パワーとを達成するためには、膜厚を考慮し
て、記録パワーの低減効果からＴ　Ｉ：、５Ａ加率の好
適節回を設定すれば良いことが理解できる。

まず、第１図（Ａ）に示す曲線８〜曲線ｄから、記録パ
ワーの実質的な低減効果は、いずれの膜厚であっても、
Ｔｉ添加率を２（原子％）以上とすれば充分であり、当
該添加率を４（原子％）以上とすれば、曲線の傾きが緩
やかに成り、僅かな添加率の変動によっても安定して記
録パワーを実現し得ることが見て採れる。

一方、Ｔｉ添加率の上限につき考えれば、膜厚を２００
（λ）とした場合の曲線ｄから、記録パワーが急激な増
大に転じるＴｉ添加率に着目して、当該添加率ヲ５０（
原子％）以下とすれば良いことがわかる。

従って、この発明に係るＡＬ−Ｔｉから成る反射膜は、
Ｔｉ添加率を２（原子％）以上とすれば良く、ざらに好
適には４（原子％）以上５０（原子％）以下の範囲で設
定すれば良い。

ＣＮ比については、ＩＳＯ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ　０ｒ９ａｎ　−１ｚａｔｔｏｎ　ｆｏｒ　５ｔａｎ
ｄａｒｄｉｚａｔｉｏｎ：国際標準化機構）の国際規格
によって、回転数１８００（ｒ、ｐ、叱）及び周波数３
．７（ＭＨｚ）で書込みを行なった場合に４５（ｄＢ）
以上を満たすことが要求されでいる。この実施例１では
、第４図に示す構造の試料を作製して好適範囲を求めた
が、当該好適範囲内で作製したＡＱ。

Ｔｉ系の反射膜を具えることによって、ＣＮ比に闇する
国際規格に準拠（第１図（８）を照）し、しかも記録特
性に優れた記録媒体を実現し得る。

大Ｊｌ性λ この実施例２では、光磁気記録媒体の一構成例として、
第５図（Ａ）に示す積層関係で、保護膜を具えた構成の
記録媒体を作製した。

各構成成分の膜厚及び材料につき説明すれば、ポリカー
ボネートからなる基板１１の表面に、膜厚７００（λ）
で窒化珪素アルミニウム（ＡｕＳｉＮ）から成る保護膜
１３ａ、膜厚３００（人）で前述した組成のＴｂ−Ｆｅ
−Ｇｏから成る磁性膜１５及び膜厚１０００　（人）で
上述のＡＩＬＳｉＮから成る保護膜＋３ｂ！順次被着形
成する。然る後、この保護膜＋３ｂの表面に、Ｔｉ添加
率をＯ〜１００（原子％）の範囲内の種々の値に設定し
た反射膜を２００（λ）の膜厚で被着し、複数の記録媒
体１９を得た。尚、これら保護膜を含む、各構成成分の
被着は前述した実施例１と同一の条件として行なった。

これら複数の記録媒体につき、前述した手順及び数値条
件で、記録パワーとＣＮ比とを測定した。

その測定結果の一例を下記の表に示す。

表 これらの結果から理解できるように、 前述した Ｔｉ添加率の好適範囲は、従来周知の保護膜を被着して
構成した光磁気記録媒体の構成としても有効であり、記
録パワーの低減と、寅用に充分なＣＮ比とを達成するこ
とができた。

天産」１旦 次に、この発明の銅添加に係る実施例につき、まず、実
施例３として、アルミニウム（ＡＱ、　）に対する銅（
Ｃｕ）の添加率を種々に変えた反射膜を具え、前述した
第４図に示す構造の試料で特性測定を行なった結果につ
き説明する。尚、特性測定と当該測定に当っての試料作
製とについては、実施例１で述べたＴｉの代りにＣｕを
用いたこと、及び、反射膜の膜厚を４００（λ）に統一
したことを除き、実施例１と同一の条件により行なった
。従って、以下の説明においでは重複説明を回避するた
め、測定結果についでのみ図面を参照して説明する。

まず、第２図（Ａ）は、Ａ９に対するＣｕの添加率と記
録パワーとの関係を説明するため、縦軸に記録パワー（
ｍＷ）及び横軸にはＡ（ｌに対するＣｕの添加率（原子
％）を夫々採って示す特性曲線図である。

この第２図（Ａ）からも理解できるように、反射膜にお
けるＣｕ添加率が０（原子％）（Ａ９のみから成る反射
膜に相当）である試料の場合、実施例１（第１図（Ａ）
の曲線す参照）と同一の記録パワーが得られ約７．５（
ｍｌｌりであった。これに対して、この実施例３に係る
試料では、Ｃｕ添加率が約２０（原子％）程度以下の範
囲では記録パワーが急激に低減した。詳細に述べれば、
Ｃｕ添加率が２０（原子％）の試料では約４．３（ｍＷ
）の記録パワーとなり、当該添加率が約９７（原子％）
で、ＡＩ単体の反射膜の場合と同程度の記録パワーとな
るのが見て採れる。

続いて、第２図（８）！参照して、ＣＮ比の測定結果と
上述したＣｕ添加率との関係につき説明する。

第２図（８）は、Ｃｕの添加率とＣＮ比との関係を説明
するため、第１図（Ｂ）と同様に、縦軸にＣＮ比（ｄＢ
）及び横軸にはＡＱに対するＣｕの添加率（原子％）を
夫々採って示す特性曲線図である。

この第２図（８）からも理解できるように、この実施例
３に係る試料では、Ｃｕの添加によるＣＮ比への影響が
実質的には認められない。

上述したＣｕ添加率と、ＣＮ比及び記録パワーとの関係
の説明からも理解できるように、Ｃｕ添加率によるＣＮ
比への影響が小さいため、Ｃｕの好適添加率は、記録パ
ワー低減の効果のみから設定し得ることが認められる。

叉１１汁Ａ 次に、実施例４では、第５図（Ａ）に示す積層関係で、
反射膜の膜厚とＣｕ添加率とを種々に変えて、保護膜を
具えた記録媒体を作製した。

各構成成分の膜厚、材料及び被着条件は、反射膜の材料
及び膜厚を除き、実施例２と同様とした。また、この際
の反射膜の膜厚は、２００（＾）、４００（人）または
５００（λ）に設定して複数の記録媒体を得た。ざらに
、このようにして得られた記録媒体に対する特性測定は
、前述した実施例１と同一の条件に統一した。

まず、第３図（Ａ）は、反射膜のＣｕ添加率及び膜厚と
記録パワーとの関係を説明するため、縦軸と横軸とを第
２図（Ａ）と同様に採って示す特性曲線図である。尚、
同図中、曲線工は膜厚を５００（λ）として反射膜を形
成した試料の測定結果を表わし、曲線■は膜厚が４００
（λ）である試料の結果、曲線■は膜厚が２００（λ）
の場合の結果を、各々、表わしている。

この第３図（Ａ）からも理解できるように、反射膜にお
けるＣｕ添加率が０（原子％）（Ａ９のみから成る反射
膜１こ相当）である試料の場合、記録パワーは反射膜の
膜厚によって異なる。

例えば、第２図（Ａ）と同一であり、しかも４００（人
）の膜厚でＣｕ添加率を変化させた曲線１１に示す結果
の場合、記録パワーは約８．２（ｍＷ）であった、この
値は、第２図（Ａ）に示す結果に比べて、０．７（ｍＷ
）の記録パワー増大となっているが、これは、保護膜を
具えた積層構成に起因するものと考えられる。即ち、第
５図（Ａ）に示すように、磁性膜１５と反射膜Ｉ７との
間に保護膜＋３ｂを介在する積層関係となっているため
、保護膜として具えたＡＱＳｉＮの熱伝導によって、わ
ずかながら記録パワーの増大を来したものと推定される
。

また、第３図（Ａ）に示す曲線工〜曲線ｍのいずれの測
定結果からも、前述した第２図（Ａ）と同様に、Ｃｕ添
加率を比較的小ざな範囲として作製した記録媒体では、
Ａ９−Ｔｉ系の反射膜の場合（例えば第１図（Ａ）９照
）に比べて、比較的緩やかであり、しかも、記録パワー
の低減が認められた。このような低減効果は、Ｃｕ添加
率を２５〜７０（原子％）とした範囲内で維持され、こ
の範囲を越えると、再度増大傾向を来した。さらに、こ
のＡ９−Ｃｕ系の反射膜の場合も、膜厚を太きく採る程
、記録パワー低減の度合は小さくなるのが見て採れる。

続いて、第３図（Ｂ）を参照して、ＣＮ比の測定結果と
上述したＣｕ添加率との関係につき説明する。

第３図（Ｂ）は、縦軸及び横軸を第２図（８）と同様に
採って示す特性曲線図であるが、この図からも理解でき
るように、保護膜を具えた記録媒体の構成であっても、
第２図（Ｂ）に示す結果と同様に、Ｃｕ添加によるＣＮ
比への影響は、実質的に認められず、約４９．８（ｄＢ
）が維持された。また、反射膜の膜厚を変えても、ＣＮ
比には影響が認められなかった。

これら第３図（Ａ）及び（Ｂ）に示す測定結果から、Ａ
９に対するＣｕの添加は、反射特性に影Ｖｔ与えず、し
かも、熱伝導率変化のみを生じせしめて記録パワーを低
減し得ることが理解できる。

従って、このＡ’１−Ｃｕ系の反射膜では、記録パワー
の低減効果のみによって、前述した２５（原子％）以上
７０（原子％）以下のＣｕ添加率を以って好適範囲とす
れば良い。

以上、この発明の実施例につき説明したが、この発明は
これら実施例にのみ限定されるものではないこと明らか
である。

例えば、上述の実施例では、光磁気記録媒体を構成する
基板、磁性膜及び保護膜１こつき、材料、膜厚及びその
他、特定の条件を例示して説明した。しかしながら、Ａ
’１−Ｔｉ系の材料の場合１こは、Ｍ１図（Ａ）及び（
Ｂ）と表との比較、また、ＡＱ、−Ｃｕ系の材料の場合
には、第２図（Ａ）及び（Ｂ）と、第３図（Ａ）及び（
８）との比較から、夫々、理解できるように、各材料に
おいで特徴となる余圧元素の添加率の好適範囲は、反射
膜の膜厚及び記録媒体の積層構成によって、所望とする
記録パワーとＣＮ比との兼ね合わせて種々に異なる。

従って、これら、材料、膜厚、配置関係、数値的条件及
びその他、特定の条件は、この発明の目的の範囲内で、
任意好適な設計の変更及び変形を行ない得ること明らか
である。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明に係る光
磁気記録媒体によれば、アルミニウム（Ａ９）に対して
チタン（Ｔｉ）または銅（Ｃｕ）を添加して反射膜を構
成することにより、アルミニウム（Ａ９）が有する反射
率を低下させることなく、反射膜の熱伝導率を下げるこ
とができる。これによって、反射膜が有する反射率を低
下させることなくＣＮ比を維持すると共に、小ざな熱伝
導率を実現するため、記録パワーの低減を図ることかで
きる。

従って、この発明を適用することにより、小さな記録パ
ワーで書込むことができ、かつ読出し感度の高い、優れ
た光磁気記録媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）は、この発明の光磁気記録媒体に係る実施
例１を説明するため、縦軸に記録パワー、及び横軸には
アルミニウムに対するチタンの添加率を各々採って示す
特性曲線図、第１図（Ｂ）は、実施例１そ説明するため
、縦軸にＣＮ比、及び横軸にはアルミニウムに対するチ
タンの添加率を夫々採って示す特性曲線図、第２図（Ａ
）は、この発明に係る実施例３を説明するため、縦軸に
記録パワー、及び横軸にはアルミニウムに対する銅の添
加率を各々採って示す特性曲線図、 第２図（８）は、実施例３を説明するため、縦軸にＣＮ
比、及び横軸にはアルミニウムに対する銅の添加率を夫
々採って示す特性曲線図、第３図（Ａ）及び（８）は、
この発明に係る実施例４を説明するため、各々、第２図
（Ａ）或いは第２図（Ｂ）と同様に示す特性曲線図、第
４図は、実施例で用いた試料を説明するため、概略的断
面により示す説明図、 第５図（Ａ）及び（Ｂ）は、従来技術及び実施例を説明
するため、光磁気記録媒体の構成を概略的断面により示
す説明図である。 １１・・・・基板、 １３ａ、　１３ｂ・・・・・保護膜 １５・・・・磁性膜、 １７・・・・反射膜 １９．２１・・・・・光磁気記録媒体、２３・・・・試
料。 特 許 出 願 人 沖電気工業株式会社 記録パワー（＋ｎＷ） 記録パワー（ｒｎＷ） ＣＮ比（ｄ　Ｂ） ＣＮ比（ｄＢ） 第４ 図 １３ａ、　１３ｂ：保ｉ１膜 １９：光磁気記録媒体 η　光磁気記録媒体 従来技術及び芙施例の説明図 第５ 図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に少なくとも磁性膜と反射膜とを具えて成
   る光磁気記録媒体において、 前記反射膜が、アルミニウム（Ａｌ）にチタン（Ｔｉ）
   または銅（Ｃｕ）を添加して成る ことを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）請求項１に記載の前記反射膜におけるチタン（Ｔ
   ｉ）の添加率を２（原子％）以上として成ることを特徴
   とする光磁気記録媒体。
3. （３）請求項１に記載の前記反射膜におけるチタン（Ｔ
   ｉ）の添加率を、４（原子％）以上５０（原子％）以下
   として成ることを特徴とする光磁気記録媒体。
4. （４）請求項１に記載の前記反射膜における銅（Ｃｕ）
   の添加率を、２５（原子％）以上７０（原子％）以下と
   して成ることを特徴とする光磁気記録媒体。
5. （５）請求項１に記載の前記反射膜の膜厚を、２００（
   Å）以上５００（Å）以下として成ることを特徴とする
   光磁気記録媒体。