JPH0376237B2 - - Google Patents
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- JPH0376237B2 JPH0376237B2 JP57118030A JP11803082A JPH0376237B2 JP H0376237 B2 JPH0376237 B2 JP H0376237B2 JP 57118030 A JP57118030 A JP 57118030A JP 11803082 A JP11803082 A JP 11803082A JP H0376237 B2 JPH0376237 B2 JP H0376237B2
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
-
- G—PHYSICS
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔利用分野〕
本発明は光学的な記録媒体に関するものであ
り、レーザ光等の光及び熱エネルギーを用いて情
報を高密度に記録し、且つ再生可能な記録媒体に
関する。
り、レーザ光等の光及び熱エネルギーを用いて情
報を高密度に記録し、且つ再生可能な記録媒体に
関する。
レーザ光線を利用して高密度な情報の記録・再
生を行う装置及び技術は公知である。そして光学
的記録材料については、レーザ光の照射により、
ピツト（凹部）を形成するものと、照射部の光学
的特性（例えば、反射率、吸収係数、屈折率）を
変化させるものとがある。
生を行う装置及び技術は公知である。そして光学
的記録材料については、レーザ光の照射により、
ピツト（凹部）を形成するものと、照射部の光学
的特性（例えば、反射率、吸収係数、屈折率）を
変化させるものとがある。
前者は、レーザ光等のエネルギービームを照射
して、基板上の金属等の薄膜を溶融あるいは蒸発
させピツトを形成するものである。この方式の記
録材料の代表例としては、低融点金属であるBi、
Se、Te、Ge、In等の単位金属及び合金である。
後者は、レーザ光照射により、基板上の薄膜の光
学的な性質の変化を生ぜしめるものである。即
ち、物質の相転移あるいは原子間の結合状態を替
えて、反射率、透過率あるいは屈折率等の光学的
性質の変化を行うものである。本発明は、斯かる
後者の方式に関する。
して、基板上の金属等の薄膜を溶融あるいは蒸発
させピツトを形成するものである。この方式の記
録材料の代表例としては、低融点金属であるBi、
Se、Te、Ge、In等の単位金属及び合金である。
後者は、レーザ光照射により、基板上の薄膜の光
学的な性質の変化を生ぜしめるものである。即
ち、物質の相転移あるいは原子間の結合状態を替
えて、反射率、透過率あるいは屈折率等の光学的
性質の変化を行うものである。本発明は、斯かる
後者の方式に関する。
前記光学的性質の変化を利用する記録材料の代
表例としてカルコゲン化物が知られている。即
ち、酸素を除く周期率表の第六族の元素Ｓ、Se、
Te等の金属あるいは半金属の化合物薄膜である。
例えば、特公昭54−3725号にテルル低酸化物
TeOx（０＜Ｘ＜2.0）を主成分とする材料につい
て報告されている。
表例としてカルコゲン化物が知られている。即
ち、酸素を除く周期率表の第六族の元素Ｓ、Se、
Te等の金属あるいは半金属の化合物薄膜である。
例えば、特公昭54−3725号にテルル低酸化物
TeOx（０＜Ｘ＜2.0）を主成分とする材料につい
て報告されている。
これは、非晶質状態から結晶状態あるいは他の
非晶質状態への相転移による光学的特性への変化
によるものである。テルル低酸化物はレーザ光照
射による加熱昇温により黒化する。熱黒化転移温
度はTe成分の量により異なり、Te成分が多いと
転移温度が低く、反対にTe成分が少ないと転移
温度は高い。ｘ＝0.8〜1.2の間で、熱黒化転移温
度は80℃〜150℃である。TeOx、ｘ＝1.1の薄膜
（厚み1200Å）について、半導体レーザ波長で透
過率が15％から５％へと減少し、反射率が15％か
ら30％へと増加する。
非晶質状態への相転移による光学的特性への変化
によるものである。テルル低酸化物はレーザ光照
射による加熱昇温により黒化する。熱黒化転移温
度はTe成分の量により異なり、Te成分が多いと
転移温度が低く、反対にTe成分が少ないと転移
温度は高い。ｘ＝0.8〜1.2の間で、熱黒化転移温
度は80℃〜150℃である。TeOx、ｘ＝1.1の薄膜
（厚み1200Å）について、半導体レーザ波長で透
過率が15％から５％へと減少し、反射率が15％か
ら30％へと増加する。
ところで、信号を記録再生する場合、Ｓ／Ｎ比
の点から光学的特性変化が大きいことが望しい。
TeOxの場合、再生は表面反射変化により行う。
Ｓ／Ｎ比の点から言えば、反射光変化の量は末だ
不充分である。
の点から光学的特性変化が大きいことが望しい。
TeOxの場合、再生は表面反射変化により行う。
Ｓ／Ｎ比の点から言えば、反射光変化の量は末だ
不充分である。
また、記録材料は、前記相転移によりその体積
が変化する。ところがかかる相転移は、記録層で
ある薄膜中において一様には起こらない。これ
は、分子が非晶質な状態に不規則に結合している
ためであり、その結合状態によつて、熱の吸収状
態が部分的に異なるためである。このように、相
転移の状態が不規則になると、それに伴つて体積
の変化が不規則に起こるため、薄膜表面の形状が
容易に変化するようであれば、前記体積変化が薄
膜表面に反映され、これにより薄膜表面に凹凸が
生じる。かかる凹凸は、再生信号のＳ／Ｎを劣化
させる原因となる。
が変化する。ところがかかる相転移は、記録層で
ある薄膜中において一様には起こらない。これ
は、分子が非晶質な状態に不規則に結合している
ためであり、その結合状態によつて、熱の吸収状
態が部分的に異なるためである。このように、相
転移の状態が不規則になると、それに伴つて体積
の変化が不規則に起こるため、薄膜表面の形状が
容易に変化するようであれば、前記体積変化が薄
膜表面に反映され、これにより薄膜表面に凹凸が
生じる。かかる凹凸は、再生信号のＳ／Ｎを劣化
させる原因となる。
光学的特性変化が大きい記録媒体を提供するこ
とを目的とする。更に、記録材料の状態の変化に
より生じる薄膜表面の凹凸を抑えんとするもので
ある。
とを目的とする。更に、記録材料の状態の変化に
より生じる薄膜表面の凹凸を抑えんとするもので
ある。
カルコゲン元素Teと他の酸化物により、効果
的に非晶質状態を得て、カルコゲン元素の特徴
（光学的変化）を用いるものである。酸化物を用
いる理由は、一般に酸化物は透明のものが多く、
初期光学的濃度を小さく出来るからである。
的に非晶質状態を得て、カルコゲン元素の特徴
（光学的変化）を用いるものである。酸化物を用
いる理由は、一般に酸化物は透明のものが多く、
初期光学的濃度を小さく出来るからである。
更に、記録材料の状態変化によつて薄膜表面に
生じる凹凸を、酸化シリコン薄膜を、前記非晶質
薄膜の上に積層することにより防止するものであ
る。
生じる凹凸を、酸化シリコン薄膜を、前記非晶質
薄膜の上に積層することにより防止するものであ
る。
本発明に係る記録媒体はテルルTe、シリコン
Si及び酸素Ｏからなる。即ち、透過率の高い酸化
シリコンSiOx（０＜ｘ≦２）とテルルTeとから
なる非晶質薄膜を用いる。薄膜の組成はTeY
SiOX100-Y （Ｙはモル％、０＜Ｙ＜100、０＜Ｘ≦２） である。Ｙ＝45、Ｘ＝２、膜厚1500Åなる場合、
第１図に示すような熱転移による反射率及び透過
率の変化をした。熱転移温度は約130℃である。
この熱転移により半導体レーザ波長（8000Å）に
於いて透過率は56％から20％へと減少し、また反
射率は20％から40％へと増加した。
Si及び酸素Ｏからなる。即ち、透過率の高い酸化
シリコンSiOx（０＜ｘ≦２）とテルルTeとから
なる非晶質薄膜を用いる。薄膜の組成はTeY
SiOX100-Y （Ｙはモル％、０＜Ｙ＜100、０＜Ｘ≦２） である。Ｙ＝45、Ｘ＝２、膜厚1500Åなる場合、
第１図に示すような熱転移による反射率及び透過
率の変化をした。熱転移温度は約130℃である。
この熱転移により半導体レーザ波長（8000Å）に
於いて透過率は56％から20％へと減少し、また反
射率は20％から40％へと増加した。
一酸化シリコンSiOとテルルTeとの非晶質状
態に於いても殆んど同様の効果が得られた。即
ち、SiO2がSiOx（０＜ｘ≦２）となつても、形成
される非晶質状態薄膜の転移温度及び光学的特性
変化に大きな差がないことを示している。
態に於いても殆んど同様の効果が得られた。即
ち、SiO2がSiOx（０＜ｘ≦２）となつても、形成
される非晶質状態薄膜の転移温度及び光学的特性
変化に大きな差がないことを示している。
ところで、上述した酸化シリコンテルル薄膜に
ついて、光照射し、非晶質状態の変化した部分に
は、その表面に凹凸が生じる。上記薄膜を130℃
にて熱処理し、その後、表面状態を観察したとこ
ろ、表面に微細な突起が生じていた。斯かる表面
状態の変化は、記録信号の再生の際に、再生信号
のＳ／Ｎ比の劣化、再生信号の信号量の減少等を
もたらす。
ついて、光照射し、非晶質状態の変化した部分に
は、その表面に凹凸が生じる。上記薄膜を130℃
にて熱処理し、その後、表面状態を観察したとこ
ろ、表面に微細な突起が生じていた。斯かる表面
状態の変化は、記録信号の再生の際に、再生信号
のＳ／Ｎ比の劣化、再生信号の信号量の減少等を
もたらす。
本発明は斯かる欠点を除去する為に非晶質薄膜
の上に、酸化シリコン薄膜を形成している。厚み
は500Å以上とすると良い。
の上に、酸化シリコン薄膜を形成している。厚み
は500Å以上とすると良い。
かかる構成によれば、非晶質薄膜表面の形状変
化が酸化シリコン薄膜によつて抑制されるため、
光照射によつて非晶質薄膜中に部分的な体積変化
が生じても、非晶質薄膜表面に凹凸が生じること
はない。尚、この場合、非晶質薄膜中の体積変化
は非晶質薄膜中において均等に拡散されるように
なる。
化が酸化シリコン薄膜によつて抑制されるため、
光照射によつて非晶質薄膜中に部分的な体積変化
が生じても、非晶質薄膜表面に凹凸が生じること
はない。尚、この場合、非晶質薄膜中の体積変化
は非晶質薄膜中において均等に拡散されるように
なる。
次に第２図を参照して、上記材料を利用した記
録媒体について説明する。基板１としては、ガラ
ス板若しくはポリメチルメタクリレート樹脂、ポ
リ塩化ビニール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リエチルテレフタレート樹脂等の合成樹脂シート
若しくはフイルムを用いる。この上に熱定数等を
調整する為に熱絶縁層２を設ける。これは、テル
ル・酸化シリコン薄膜の熱黒化転移を低パワーの
レーザ光にて生ぜしめる為のものである。この熱
絶縁層として、酸化シリコン、プラズマ重合膜、
合成樹脂等が効果的である。この上に、テルル・
酸化シリコンの非晶質薄膜３を形成する。その組
成は上述した通りである。更にこの上に、酸化シ
リコン薄膜４を形成する。その厚みは前述した通
り、500Å以上とすると良い。
録媒体について説明する。基板１としては、ガラ
ス板若しくはポリメチルメタクリレート樹脂、ポ
リ塩化ビニール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リエチルテレフタレート樹脂等の合成樹脂シート
若しくはフイルムを用いる。この上に熱定数等を
調整する為に熱絶縁層２を設ける。これは、テル
ル・酸化シリコン薄膜の熱黒化転移を低パワーの
レーザ光にて生ぜしめる為のものである。この熱
絶縁層として、酸化シリコン、プラズマ重合膜、
合成樹脂等が効果的である。この上に、テルル・
酸化シリコンの非晶質薄膜３を形成する。その組
成は上述した通りである。更にこの上に、酸化シ
リコン薄膜４を形成する。その厚みは前述した通
り、500Å以上とすると良い。
尚、上記実施例では、表面変化防止膜を酸化シ
リコン薄膜としたが、これに限定されず、少なく
とも以下の用件を有するものであれば、他の薄膜
とすることもできる。
リコン薄膜としたが、これに限定されず、少なく
とも以下の用件を有するものであれば、他の薄膜
とすることもできる。
ａ 非晶質薄膜への照射光を透過すること
ｂ 非晶質薄膜との結合性がよいこと
ｃ 非晶質薄膜との結合面に生じる凹凸を抑え得
る機械的強度を有していること このほかに、形成の容易性、非晶質薄膜の酸化
防止（酸素を通さない）などの用件を有していれ
ば更によい。上記実施例で採用した酸化シリコン
薄膜は、これら全ての用件を備えるものである。
る機械的強度を有していること このほかに、形成の容易性、非晶質薄膜の酸化
防止（酸素を通さない）などの用件を有していれ
ば更によい。上記実施例で採用した酸化シリコン
薄膜は、これら全ての用件を備えるものである。
〔効果〕
カルコゲン元素特有の光学特性変化を示すテル
ル・酸化シリコンからなる非晶質薄膜を用いたの
で、従来に比較して大きな光学特性の変化が得ら
れた。更に、非晶質状態の変化に伴い生じる薄膜
表面の凹凸をを酸化シリコン薄膜で抑えたので、
再生信号の劣化を防止できる。
ル・酸化シリコンからなる非晶質薄膜を用いたの
で、従来に比較して大きな光学特性の変化が得ら
れた。更に、非晶質状態の変化に伴い生じる薄膜
表面の凹凸をを酸化シリコン薄膜で抑えたので、
再生信号の劣化を防止できる。
第１図は本発明に係る記録媒体の特性を示す
図、第２図は本発明に係る記録媒体の構成を示す
図である。 １……基板、２……熱絶縁層、３……非晶質薄
膜、４……酸化シリコン薄膜。
図、第２図は本発明に係る記録媒体の構成を示す
図である。 １……基板、２……熱絶縁層、３……非晶質薄
膜、４……酸化シリコン薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光学的あるいは熱的なエネルギー照射により
記録層に相変化を得る光学的記録媒体であつて、
基板上に、テルル（Te）と酸化シリコン（SiOX）
を主成分とする非晶質薄膜からなる記録層を形成
するとともに、この非晶質薄膜上に、この非晶質
薄膜表面の形状変化を防止する表面変化防止膜を
形成したことを特徴とする光学記録媒体。 ２ 非晶質薄膜が、TeYSiOX100-Y（但し、０＜Ｘ
≦２、０＜Ｙ＜100、Ｙはモル％）を主成分とし、
表面変化防止膜が酸化シリコン薄膜であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118030A JPS597093A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118030A JPS597093A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS597093A JPS597093A (ja) | 1984-01-14 |
| JPH0376237B2 true JPH0376237B2 (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=14726317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57118030A Granted JPS597093A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS597093A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH066393B2 (ja) * | 1984-03-07 | 1994-01-26 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録・消去方法 |
| JPS6115793A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-23 | Ebara Infilco Co Ltd | 有機性廃水の処理方法 |
| JPS6144690A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-04 | Res Dev Corp Of Japan | 光による記録材料 |
| US4653024A (en) * | 1984-11-21 | 1987-03-24 | Energy Conversion Devices, Inc. | Data storage device including a phase changeable material |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5928478B2 (ja) * | 1975-05-19 | 1984-07-13 | キヤノン株式会社 | レ−ザ−ビ−ム記録方法 |
| JPS54118205A (en) * | 1978-03-06 | 1979-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | Infomration recording disc |
| JPS6044731B2 (ja) * | 1978-07-13 | 1985-10-05 | パイオニア株式会社 | 情報記録用担体の製造方法 |
| JPS5741997A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording member |
| JPS5795495A (en) * | 1980-12-04 | 1982-06-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Recording material and recording method |
| JPS57135197A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording medium |
| JPS57205193A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Optical information recording medium |
| JPS5845634A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-16 | Fujitsu Ltd | 情報記録媒体 |
| JPS5854338A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体および記録方法 |
-
1982
- 1982-07-06 JP JP57118030A patent/JPS597093A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS597093A (ja) | 1984-01-14 |
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