JPS6045485B2 - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
- Publication number
- JPS6045485B2 JPS6045485B2 JP53109002A JP10900278A JPS6045485B2 JP S6045485 B2 JPS6045485 B2 JP S6045485B2 JP 53109002 A JP53109002 A JP 53109002A JP 10900278 A JP10900278 A JP 10900278A JP S6045485 B2 JPS6045485 B2 JP S6045485B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- optical recording
- transmittance
- change
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 7
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910003069 TeO2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910008649 Tl2O3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- QTQRFJQXXUPYDI-UHFFFAOYSA-N oxo(oxothallanyloxy)thallane Chemical compound O=[Tl]O[Tl]=O QTQRFJQXXUPYDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000417 bismuth pentoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LPHBARMWKLYWRA-UHFFFAOYSA-N thallium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tl+3].[Tl+3] LPHBARMWKLYWRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2535—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polyesters, e.g. PET, PETG or PEN
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光、熱等を用いて情報を高密度に記録し、再
生するための光学記録媒体に関するもので、低エネルギ
ーで記録ができ、大きな再生効率を有する、可視および
近赤外域で高密度の光学的記録、再生が可能な光学記録
媒体を提供するものである。
生するための光学記録媒体に関するもので、低エネルギ
ーで記録ができ、大きな再生効率を有する、可視および
近赤外域で高密度の光学的記録、再生が可能な光学記録
媒体を提供するものである。
レーザー光線を利用して高密度な情報の記録、再生を
行なう技術は公知である。
行なう技術は公知である。
このような記録再生に用いる記録媒体として基板上にテ
ルルの酸化物Ｔｅ０ｘ、（０＜ｘ、＜２）を主成分とす
る薄膜を設けたものがある。（特開昭５０−４６３１７
号公報、特開昭５０−４６３１８号公報、特開昭５０−
４６３１９号公報、米国特許第３９７１８７４号明細書
）、添加成分としてはＰｂ０ｘ５（０＜ｘ、＜１）、５
ｂ０ｘ０（０＜、＜１．５）、 Ｖ０ｘ７（０＜Ｘ７＜
２．５）等が使用される。このような記録媒体は再生用
の光ビームの照射において透過率変化を大きく得ること
が出来る。 しかし、記録、再生装置の小型化、簡易化
を図 る場合に使用し得るレーザー光源の出力には限度
があり、小型の出力２０几Ｗ以内のＨｅ−Ｎｅレーザー
発振装置、半導体レーザー発振装置等を使用して記録、
再生を行なうには前記ＴｅＯｘ）（０＜Ｘ＜２）を主成
分とする薄膜を備えた記録媒体では感度が不十分である
。
ルルの酸化物Ｔｅ０ｘ、（０＜ｘ、＜２）を主成分とす
る薄膜を設けたものがある。（特開昭５０−４６３１７
号公報、特開昭５０−４６３１８号公報、特開昭５０−
４６３１９号公報、米国特許第３９７１８７４号明細書
）、添加成分としてはＰｂ０ｘ５（０＜ｘ、＜１）、５
ｂ０ｘ０（０＜、＜１．５）、 Ｖ０ｘ７（０＜Ｘ７＜
２．５）等が使用される。このような記録媒体は再生用
の光ビームの照射において透過率変化を大きく得ること
が出来る。 しかし、記録、再生装置の小型化、簡易化
を図 る場合に使用し得るレーザー光源の出力には限度
があり、小型の出力２０几Ｗ以内のＨｅ−Ｎｅレーザー
発振装置、半導体レーザー発振装置等を使用して記録、
再生を行なうには前記ＴｅＯｘ）（０＜Ｘ＜２）を主成
分とする薄膜を備えた記録媒体では感度が不十分である
。
また、情報を反射光量変化で再生する場合には十分な変
化量が得られない。記録、再生装置に用いる光学系の光
伝送効率等を考え合わせると、５０ＴｒＬ、Ｊｌｃｌｔ
以下のエネルギー密度を持つＨｅ−Ｎｅレーザー光、あ
るいは半導体レーザー光で状態が変化し、その光学的特
性が大きく変化することが望ましい。 本発明の光学記
録媒体は、従来の材料を改良して、感度ならびに、記録
に伴う光学特性の変化を向上するものである。
化量が得られない。記録、再生装置に用いる光学系の光
伝送効率等を考え合わせると、５０ＴｒＬ、Ｊｌｃｌｔ
以下のエネルギー密度を持つＨｅ−Ｎｅレーザー光、あ
るいは半導体レーザー光で状態が変化し、その光学的特
性が大きく変化することが望ましい。 本発明の光学記
録媒体は、従来の材料を改良して、感度ならびに、記録
に伴う光学特性の変化を向上するものである。
３ 光照射吸収等による昇温にもとずく記録媒体の状態
変化を利用するために、感度を上げる方法として、主成
分であるＴｅＯｘ、、０＜ｘ、＜２．０（Ｔｅ０２融点
Ｔｍ■７３３℃）融点の低い添加材料を適用し、状態変
化の閾値温度を下ける方法がある。
変化を利用するために、感度を上げる方法として、主成
分であるＴｅＯｘ、、０＜ｘ、＜２．０（Ｔｅ０２融点
Ｔｍ■７３３℃）融点の低い添加材料を適用し、状態変
化の閾値温度を下ける方法がある。
丁 例えば、ｎ０Ｘ２０＜Ｘ２＜１．５（ｎ２０融点Ｔ
ｍ＝３００℃）を用いる。一方状態変化に伴う光学特性
の変化を大きくするために、媒体の屈折率を大きくする
方法があり、このため、イオン分極率の大きいかつ密度
の大きい添加材料を用いる。
ｍ＝３００℃）を用いる。一方状態変化に伴う光学特性
の変化を大きくするために、媒体の屈折率を大きくする
方法があり、このため、イオン分極率の大きいかつ密度
の大きい添加材料を用いる。
例えば、ＢｌＯｘ２、ＩｎＯｘ２（０くＸ２〈１．５）
等である。
等である。
本発明における記録媒体を生成するために原材料として
は、主原料であるテルルの酸化物に添加成分としてタリ
ウム、ビスマス、およびインジウムの酸化物を少くとも
１つ加えたものを原材料として使用する。
は、主原料であるテルルの酸化物に添加成分としてタリ
ウム、ビスマス、およびインジウムの酸化物を少くとも
１つ加えたものを原材料として使用する。
テルルの酸化物ＴｅＯ２、を主原料として用い、タリウ
ムの酸化物Ｔｌ２Ｏ３、ビスマスの酸化物Ｂｌ２Ｏ３、
Ｂｉ２Ｏ５、およびインジウムの酸化物１ｒ１２０３、
のち少なくとも１つを添加成分の原材料として使用する
。光学記録媒体を構成するには、適当な蒸着用基板とし
てガラス板、あるいはポリメチルメタクリレート樹脂、
ポリ塩化ビニール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエ
チルテレフタレート樹脂等の合成樹脂製シートあるいは
フィルムを用いる。
ムの酸化物Ｔｌ２Ｏ３、ビスマスの酸化物Ｂｌ２Ｏ３、
Ｂｉ２Ｏ５、およびインジウムの酸化物１ｒ１２０３、
のち少なくとも１つを添加成分の原材料として使用する
。光学記録媒体を構成するには、適当な蒸着用基板とし
てガラス板、あるいはポリメチルメタクリレート樹脂、
ポリ塩化ビニール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエ
チルテレフタレート樹脂等の合成樹脂製シートあるいは
フィルムを用いる。
また表面の熱定数等を調整するために適当な表面被覆を
施したものを用いることもできる。主原材料酸化テルル
と添加原材料酸化物は粉末状にして混合し、石英ルツボ
あるいは白金ルツボ中で空気雰囲気中で溶融する。溶融
時間は数分で充分である。混合溶融された原材料酸化物
は空気中で急令され、黄カツ色ないし黒色のガラス状物
質を得る。この混合固溶体を粉末状にして蒸着用原材料
とする。蒸着はタングステン、モリブテン等の金属製ボ
．ートを用いて抵抗加熱蒸着法で行なう。
施したものを用いることもできる。主原材料酸化テルル
と添加原材料酸化物は粉末状にして混合し、石英ルツボ
あるいは白金ルツボ中で空気雰囲気中で溶融する。溶融
時間は数分で充分である。混合溶融された原材料酸化物
は空気中で急令され、黄カツ色ないし黒色のガラス状物
質を得る。この混合固溶体を粉末状にして蒸着用原材料
とする。蒸着はタングステン、モリブテン等の金属製ボ
．ートを用いて抵抗加熱蒸着法で行なう。
この際原材料の混合固溶体酸化物はボート内で融解しさ
らに金属ボートにより還元反応を受けつつ蒸発し前記基
板上に蒸着される。このようにして得られる蒸着膜は淡
黄色ないし黄カツ色の透過色を呈する、薄膜である。膜
厚は３００〜３０００Ａの範囲で使用する。
らに金属ボートにより還元反応を受けつつ蒸発し前記基
板上に蒸着される。このようにして得られる蒸着膜は淡
黄色ないし黄カツ色の透過色を呈する、薄膜である。膜
厚は３００〜３０００Ａの範囲で使用する。
蒸着の際の真空度は５×１０−５７７ｍＨｇであり、蒸
着条件を変化させても得られる光学記録媒体の特性に顕
著な差は生じない。 イしかし、
得られる蒸着膜の組成は、前期のように原材料が還元反
応を受けて蒸着させるために、原材料の組成とは異なり
、ＴｅＯｘｌ（０くＸ１く２．０）にＴｌＯｘ２、Ｂｌ
Ｏｘ３、ＩｎＯｘ４（０くＸ２、！、Ｘ４く１．５）の
うち少くとも１つが加つた組成を持つ。 記録媒体への
記録はキセノン、フラッシュランプ光、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザー光、半導体レーザー光、−赤外線ランプ光等の光照
射、あるいはヒーター等の接触による加熱によつて行な
う。
着条件を変化させても得られる光学記録媒体の特性に顕
著な差は生じない。 イしかし、
得られる蒸着膜の組成は、前期のように原材料が還元反
応を受けて蒸着させるために、原材料の組成とは異なり
、ＴｅＯｘｌ（０くＸ１く２．０）にＴｌＯｘ２、Ｂｌ
Ｏｘ３、ＩｎＯｘ４（０くＸ２、！、Ｘ４く１．５）の
うち少くとも１つが加つた組成を持つ。 記録媒体への
記録はキセノン、フラッシュランプ光、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザー光、半導体レーザー光、−赤外線ランプ光等の光照
射、あるいはヒーター等の接触による加熱によつて行な
う。
次に本発明の実施例を詳述する。
実施例１
原材料にＴｅＯ２粉末およびＴｌ。
Ｏ３粉末を用いる。９（ＴｅＯ２）１−ｙ１（Ｔｌ２Ｏ
３）ｙ１（イ）〈ｙ１く０．３）の組成に原材料を秤量
、混合し白金ルツボ中で３〜５分間溶融したのち空気中
で急冷する。
３）ｙ１（イ）〈ｙ１く０．３）の組成に原材料を秤量
、混合し白金ルツボ中で３〜５分間溶融したのち空気中
で急冷する。
黄色のガラス状固溶体を得る。この混合固溶体を粉末状
に砕き真空度５Ｘ１０−５Ｔ０ｎＨｇの真空中でタング
ステンボー７卜を用いて蒸着する。蒸着基板には厚さ１
８０μのポリエチレンンテレフタレート樹脂フィルムを
用いる。この場合、均一な蒸着膜を得るためにフィルム
基板を３０〜３６０ｒｐｍの回転速度で回転させる。蒸
着速度は２０〜４０ＡＩｓｅｃで蒸着を行なう。ノ 第
１図は前記組成比においてｙ１＝０．１で得られる膜厚
１６００Ａの蒸着膜を有する光学記録媒体の分光透過率
曲線である。図中のａで示される部分は初期末記録状態
、ｂはキセノンフラッシュランプによる記録状態の曲線
である。第１図に示す特性を有する光学記録用媒体は半
導体レーザの波長８２００Ａに対する透過率Ｔ１が４０
％、反射率Ｒ１が５％で書き込みによる透過率の変化Δ
Ｔは２０％に達する。この記録媒体は８０ＴＬＪ１Ｃ１
１のエネルギー密度を持つ半導体レーザ光パルスで記録
することが出来、弱いパワーの半導体レーザ光で記録媒
体に変化を与えることなく透過率変化を検出し情報を再
生することができる。実施例２ 原材料にＴｅＯ２粉末、Ｔｌ．Ｏ３粉末およびＢｉ２
Ｏ３粉末を用いる。
に砕き真空度５Ｘ１０−５Ｔ０ｎＨｇの真空中でタング
ステンボー７卜を用いて蒸着する。蒸着基板には厚さ１
８０μのポリエチレンンテレフタレート樹脂フィルムを
用いる。この場合、均一な蒸着膜を得るためにフィルム
基板を３０〜３６０ｒｐｍの回転速度で回転させる。蒸
着速度は２０〜４０ＡＩｓｅｃで蒸着を行なう。ノ 第
１図は前記組成比においてｙ１＝０．１で得られる膜厚
１６００Ａの蒸着膜を有する光学記録媒体の分光透過率
曲線である。図中のａで示される部分は初期末記録状態
、ｂはキセノンフラッシュランプによる記録状態の曲線
である。第１図に示す特性を有する光学記録用媒体は半
導体レーザの波長８２００Ａに対する透過率Ｔ１が４０
％、反射率Ｒ１が５％で書き込みによる透過率の変化Δ
Ｔは２０％に達する。この記録媒体は８０ＴＬＪ１Ｃ１
１のエネルギー密度を持つ半導体レーザ光パルスで記録
することが出来、弱いパワーの半導体レーザ光で記録媒
体に変化を与えることなく透過率変化を検出し情報を再
生することができる。実施例２ 原材料にＴｅＯ２粉末、Ｔｌ．Ｏ３粉末およびＢｉ２
Ｏ３粉末を用いる。
（ＴｅＯ５）１−Ｙ２−Ｙ３・ （Ｔｌ２Ｏ３）Ｙ２・
（Ｂｌ２Ｏ３）Ｙ３（イ）〈Ｙ２、Ｙ３〈１．５）の組
成比で原材料を秤量、混合し、実施例１と同様の方法て
混合固溶体を作成する。得られる混合固溶体は黄カツ色
のガラス状物質である。この混合固溶体を粉末状ｌ
にして蒸着原材料とし、タングステンボートを用いて真
空度５×１０−５ＴｎｍＨｇの真空中で蒸着する。蒸着
基板には厚さ２ｗｔのポリメチルメタアクリレート樹脂
の円板を用いる。この場合均一な蒸着膜を作成するため
に基板を３０〜３６０ｒ′Ｐｍの回転速度で回転させる
。蒸着速度は２０〜４０ＡＩｓｅｃである。第２図は前
記組成地′２＝０．１、Ｙ３＝０．１で得られる膜厚１
１００Ａの蒸着膜を有する光学記録媒体の分光透過率曲
線である。図中ｃで示される曲線は初期末記録状態を示
し、ｄで示される曲線はキセノンフラッシュランプによ
る記録状態を示す。第２図に示す特性を有する光学記録
媒体は波長８０００Ａの半導体レーザ光に対して、透過
率Ｔ１が２３％、反射率が６％したがつて吸収効率Ａ１
すなわち照射光量から透過損失光量、反射損失光量を差
引いた光量の照射光量に対する比は７１％に達する。こ
の場合記録による透過率の変化ΔＴは１１％が得られて
いる。この光学記録媒体は４０７７１．ＪＩＣ７１ｆの
エネルギー密度を持つ波長８２００Ａの半導体レーザ光
パルスで記録することが出来、１ＷＬ，Ｗ程度の半導体
レーザー光で記録媒体を変化させることなくし透過率変
化を検出し情報を再生することが出来る。第３図は前記
組成比においてＹ２＝０．０飄Ｙ３＝０．１で得られる
膜厚１１００Ａの蒸着膜を有する光学記録媒体の分光透
過率曲線である。図中、ｅで示される曲線は初期末記録
状態を示し、ｆで示される曲線はキセノンフラッシュラ
ンプで記録された記録状態を示す。第３図に示される特
性を有する光学記録媒体は、波長６３２８Ａ（７）Ｈｅ
−Ｎｅレーザー光に対して、透過率Ｔ１が２０％反射率
Ｒ、が５％で、前記定義による吸収効率Ａ１は７５％に
達する。この場合、書きこみによる透過率の変化ΔＴは
１２％が得られている。この光学記録媒体はエネルギー
密度４０７ＴＬＪＩＣＩｔのＨｅ−Ｎｅレーザー光で記
録することが出来２０μＷ（７）Ｈｅ−Ｎｅレーザー光
で記録媒体を変化させることなくその透過率変化を検出
し情報を再生することが出来る。第４図は前記組成比に
おいてＹ２＝Ｙ３の場合の添加成分の総添加量ｙ（＝Ｙ
２＋Ｙ３）と波長入＝８２００Ａの半導体レーザー光で
出された透過率変化ΔＴおよび反射率変化ΔＲの最大値
との関係を示したものである。
（Ｂｌ２Ｏ３）Ｙ３（イ）〈Ｙ２、Ｙ３〈１．５）の組
成比で原材料を秤量、混合し、実施例１と同様の方法て
混合固溶体を作成する。得られる混合固溶体は黄カツ色
のガラス状物質である。この混合固溶体を粉末状ｌ
にして蒸着原材料とし、タングステンボートを用いて真
空度５×１０−５ＴｎｍＨｇの真空中で蒸着する。蒸着
基板には厚さ２ｗｔのポリメチルメタアクリレート樹脂
の円板を用いる。この場合均一な蒸着膜を作成するため
に基板を３０〜３６０ｒ′Ｐｍの回転速度で回転させる
。蒸着速度は２０〜４０ＡＩｓｅｃである。第２図は前
記組成地′２＝０．１、Ｙ３＝０．１で得られる膜厚１
１００Ａの蒸着膜を有する光学記録媒体の分光透過率曲
線である。図中ｃで示される曲線は初期末記録状態を示
し、ｄで示される曲線はキセノンフラッシュランプによ
る記録状態を示す。第２図に示す特性を有する光学記録
媒体は波長８０００Ａの半導体レーザ光に対して、透過
率Ｔ１が２３％、反射率が６％したがつて吸収効率Ａ１
すなわち照射光量から透過損失光量、反射損失光量を差
引いた光量の照射光量に対する比は７１％に達する。こ
の場合記録による透過率の変化ΔＴは１１％が得られて
いる。この光学記録媒体は４０７７１．ＪＩＣ７１ｆの
エネルギー密度を持つ波長８２００Ａの半導体レーザ光
パルスで記録することが出来、１ＷＬ，Ｗ程度の半導体
レーザー光で記録媒体を変化させることなくし透過率変
化を検出し情報を再生することが出来る。第３図は前記
組成比においてＹ２＝０．０飄Ｙ３＝０．１で得られる
膜厚１１００Ａの蒸着膜を有する光学記録媒体の分光透
過率曲線である。図中、ｅで示される曲線は初期末記録
状態を示し、ｆで示される曲線はキセノンフラッシュラ
ンプで記録された記録状態を示す。第３図に示される特
性を有する光学記録媒体は、波長６３２８Ａ（７）Ｈｅ
−Ｎｅレーザー光に対して、透過率Ｔ１が２０％反射率
Ｒ、が５％で、前記定義による吸収効率Ａ１は７５％に
達する。この場合、書きこみによる透過率の変化ΔＴは
１２％が得られている。この光学記録媒体はエネルギー
密度４０７ＴＬＪＩＣＩｔのＨｅ−Ｎｅレーザー光で記
録することが出来２０μＷ（７）Ｈｅ−Ｎｅレーザー光
で記録媒体を変化させることなくその透過率変化を検出
し情報を再生することが出来る。第４図は前記組成比に
おいてＹ２＝Ｙ３の場合の添加成分の総添加量ｙ（＝Ｙ
２＋Ｙ３）と波長入＝８２００Ａの半導体レーザー光で
出された透過率変化ΔＴおよび反射率変化ΔＲの最大値
との関係を示したものである。
記録はキセノンフラッシュランプで行なつた場合のもの
である。図中でｇで示される曲線が透過率変化ΔＴを示
しｈで示される曲線が反射率変化ΔＲを示す。第４図か
らＹ２＋Ｙ３が０．３以下の範囲においてΔＴ〉１０％
、ΔＲ〉８％を満足しており、情報を効率良く再生でき
ることがわかる。
である。図中でｇで示される曲線が透過率変化ΔＴを示
しｈで示される曲線が反射率変化ΔＲを示す。第４図か
らＹ２＋Ｙ３が０．３以下の範囲においてΔＴ〉１０％
、ΔＲ〉８％を満足しており、情報を効率良く再生でき
ることがわかる。
実施例３
原材料にＴｅＯ２粉末、Ｔｌ２Ｏ３粉末、ＢｉＯ３粉末
およびＩｎ２Ｏ３粉末を用いる。
およびＩｎ２Ｏ３粉末を用いる。
（ＴｅＯ２）１−Ｙ４−Ｙ，−Ｙ６（′１１２０３），
，・（Ｂｌ２Ｏ３）Ｙ５・（Ｉｎ２Ｏ３）Ｙ，の組成比
で原材料を秤量混合し、実施例２と同様の方法て混合固
溶体を作成する。得られる混合固溶体は黒色のガラス状
物質である。これを実施例２と同様の方法、条件で真空
蒸着する蒸着基板には厚さ５ＴｎＩ！Ｌのガラス製円板
にポリビニルアルコールを３μの厚さにコーティングし
たものを用いる。この場合均一な蒸着膜を得るために基
板を３０〜３６０ｒ″Ｐｍの回転速度で回転させる。蒸
着速度は２０〜４０Ａ１ｓｅｃである。第５図に前記組
成比においてＹ４＝０．１、Ｙ５＝０．１、Ｙ６＝０．
０５から得られる蒸着膜を有する光学記録媒体の分光透
過率曲線である。
，・（Ｂｌ２Ｏ３）Ｙ５・（Ｉｎ２Ｏ３）Ｙ，の組成比
で原材料を秤量混合し、実施例２と同様の方法て混合固
溶体を作成する。得られる混合固溶体は黒色のガラス状
物質である。これを実施例２と同様の方法、条件で真空
蒸着する蒸着基板には厚さ５ＴｎＩ！Ｌのガラス製円板
にポリビニルアルコールを３μの厚さにコーティングし
たものを用いる。この場合均一な蒸着膜を得るために基
板を３０〜３６０ｒ″Ｐｍの回転速度で回転させる。蒸
着速度は２０〜４０Ａ１ｓｅｃである。第５図に前記組
成比においてＹ４＝０．１、Ｙ５＝０．１、Ｙ６＝０．
０５から得られる蒸着膜を有する光学記録媒体の分光透
過率曲線である。
図中でｉで示される曲線は初期末記録状態を示し、ｊで
示される曲線はキセノンフラッシュによる記録状態を示
している。第５図に示される特性を有する光学記録媒体
は波長８２００Ａの半導体レーザー光に対して、透過率
Ｔ１が２９％、反射率Ｒ１が２６％である。この場合記
録による透過率変化ΔＴは２０％、反射率変化ΔＲは１
０％である。この光学記録媒体はエネルギー密度５０７
Ｔ！．ＪＩＣ！ｔの半導体レーザー光で記録することが
出来、１ＴｒＬ．ｗ程度の半導体レーザー光で記録媒体
を変化させることなくその透過率変化、反射率変化を検
出、情報を再生することができる。本発明におけるテル
ル低酸化物を主成分とし、タリウム低酸化物、ビスマス
低酸化物、およびイノンジウム低酸化物のうち少くとも
１つを添加成分とする薄膜を用いる光学記録媒体は、従
来のテルル低酸化物を主成分とする薄膜を用いる光学記
録媒体と比較して次にあげる効果を有する。
示される曲線はキセノンフラッシュによる記録状態を示
している。第５図に示される特性を有する光学記録媒体
は波長８２００Ａの半導体レーザー光に対して、透過率
Ｔ１が２９％、反射率Ｒ１が２６％である。この場合記
録による透過率変化ΔＴは２０％、反射率変化ΔＲは１
０％である。この光学記録媒体はエネルギー密度５０７
Ｔ！．ＪＩＣ！ｔの半導体レーザー光で記録することが
出来、１ＴｒＬ．ｗ程度の半導体レーザー光で記録媒体
を変化させることなくその透過率変化、反射率変化を検
出、情報を再生することができる。本発明におけるテル
ル低酸化物を主成分とし、タリウム低酸化物、ビスマス
低酸化物、およびイノンジウム低酸化物のうち少くとも
１つを添加成分とする薄膜を用いる光学記録媒体は、従
来のテルル低酸化物を主成分とする薄膜を用いる光学記
録媒体と比較して次にあげる効果を有する。
（１）高感度である。
５ 薄膜の記録レーザー光に対する吸収効率が大きく
、従来不可能であつたエネルギー密度５０ｍ，Ｊ１ｄ以
下のＨｅ−Ｎｅレーザー光あるいは半導体レーザー光の
照射によつて記録が行なえる。
、従来不可能であつたエネルギー密度５０ｍ，Ｊ１ｄ以
下のＨｅ−Ｎｅレーザー光あるいは半導体レーザー光の
照射によつて記録が行なえる。
（２）再生効率が高いθ Ｈｅ−Ｎｅレーザー光、半導
体レーザー光等で記録された情報を再生する場合に、初
期末記録部と記録部の透過率の差ΔＴが２０％以上、反
射率変化の差ΔＲが１０％以上の光学記録媒体をそれぞ
れ提供することが出来る。
体レーザー光等で記録された情報を再生する場合に、初
期末記録部と記録部の透過率の差ΔＴが２０％以上、反
射率変化の差ΔＲが１０％以上の光学記録媒体をそれぞ
れ提供することが出来る。
第１図〜第３図はそれぞれ本発明の実施例における光学
記録媒体の分光透過率曲線を示す図、第４図は本発明の
一実施例における光学記録媒体の添加成分の添加量とキ
セノンフラッシュ照射時の透過率変化および反射率変化
を示す図、第５図は本発明の他の実施例の分光透過率曲
線を示す図である。
記録媒体の分光透過率曲線を示す図、第４図は本発明の
一実施例における光学記録媒体の添加成分の添加量とキ
セノンフラッシュ照射時の透過率変化および反射率変化
を示す図、第５図は本発明の他の実施例の分光透過率曲
線を示す図である。
Claims (1)
- １ 光、熱等のエネルギーによつて状態変化を生じさせ
、その光学的特性の変化を利用して情報を記録する光学
記録媒体において、テルルの低酸化物ＴｅＯ＿ｘ＿１（
０＜ｘ＿１＜２．０）を主成分とし、タリウムの低酸化
物ＴｌＯ＿ｘ＿２（０＜ｘ＿２＜１．５）ビスマスの低
酸化物ＢｉＯ＿ｘ＿３（０＜ｘ＿３＜１．５）、および
インジウムの低酸化物ＩｎＯ＿ｘ＿４（０＜ｘ＿４＜１
．５）のうち少くとも１つを添加量ｙモル％（０＜ｙ＜
３０）を含ませてなる薄膜を基板上に形成してなる光学
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53109002A JPS6045485B2 (ja) | 1978-09-04 | 1978-09-04 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53109002A JPS6045485B2 (ja) | 1978-09-04 | 1978-09-04 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5538616A JPS5538616A (en) | 1980-03-18 |
| JPS6045485B2 true JPS6045485B2 (ja) | 1985-10-09 |
Family
ID=14499070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53109002A Expired JPS6045485B2 (ja) | 1978-09-04 | 1978-09-04 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045485B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5843078A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-12 | Omron Tateisi Electronics Co | メモリカ−ド |
| JPS6020672U (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-13 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 光記録媒体 |
| KR860002121B1 (ko) * | 1984-03-28 | 1986-11-26 | 마쓰시다덴기산교 가부시기가이샤 | 광학정보 기록부재 |
| JPS61265747A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録媒体 |
| JP4892562B2 (ja) * | 2006-11-01 | 2012-03-07 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体、その製造方法および情報記録媒体を形成するためのスパッタリングターゲット |
| CN101627288B (zh) | 2007-03-01 | 2012-06-06 | 浜松光子学株式会社 | 光检测装置以及样品架用夹具 |
-
1978
- 1978-09-04 JP JP53109002A patent/JPS6045485B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5538616A (en) | 1980-03-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0121426B1 (en) | Optical recording medium and method of optical recording and erasing using same medium | |
| US4651172A (en) | Information recording medium | |
| US4278734A (en) | Optical information recording material and method of recording and reproducing information using same material | |
| JPS62152786A (ja) | 相変化記録媒体 | |
| JP4537528B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0697513B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| KR860002121B1 (ko) | 광학정보 기록부재 | |
| JP3076412B2 (ja) | 光学的情報記録媒体および光学的情報記録再生方法 | |
| JPS61152487A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPS5953614B2 (ja) | ジヨウホウキロクホウホウ | |
| JPS6288152A (ja) | 光学情報記録部材 | |
| JPH0373937B2 (ja) | ||
| JPS5898289A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JPS60157894A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPS60203490A (ja) | 光学情報記録部材 | |
| JPS60107744A (ja) | 光学情報記録部材 | |
| JPS5936594B2 (ja) | ジヨウホウキロクホウホウ | |
| JPS6256583B2 (ja) | ||
| JPH0376237B2 (ja) | ||
| JPS58222891A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JPS5936595B2 (ja) | ジヨウホウキロクホウホウ | |
| JPS6339387A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0375940B2 (ja) | ||
| JPH0327975B2 (ja) | ||
| JPH0725209B2 (ja) | 光学的情報記録部材 |