JPH0376252A - Ｌｓｉレイアウト設計装置 - Google Patents
Ｌｓｉレイアウト設計装置Info
- Publication number
- JPH0376252A JPH0376252A JP1212817A JP21281789A JPH0376252A JP H0376252 A JPH0376252 A JP H0376252A JP 1212817 A JP1212817 A JP 1212817A JP 21281789 A JP21281789 A JP 21281789A JP H0376252 A JPH0376252 A JP H0376252A
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- JP
- Japan
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- pattern
- pitch
- layout
- data
- rule
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＬＳＩレイアウト設計装置、特にＣＡＤ装置を
用いた図形入力を行うＬＳＩレイアウト設計装置に関す
る。
用いた図形入力を行うＬＳＩレイアウト設計装置に関す
る。
ＬＳＩの集積化が進んだ今日では、ＣＡＤ装置ヲ利用し
てＬＳＩのマスクパターンを作成するようになっている
。一般に、設計者は論理回路図を見ながらＣＡＤ装置を
操作し、デイスプレィ上で図形の割付けを行い、マスク
パターンのレイアウトデータを図形データとして作成す
る。
てＬＳＩのマスクパターンを作成するようになっている
。一般に、設計者は論理回路図を見ながらＣＡＤ装置を
操作し、デイスプレィ上で図形の割付けを行い、マスク
パターンのレイアウトデータを図形データとして作成す
る。
また、最近では、マスクパターンのレイアウトを、図形
データではなくコンピュータ言語によって記述し、この
言語記述に基づいてコンピュータにレイアウトデータを
作成させる方法も普及し始めている。
データではなくコンピュータ言語によって記述し、この
言語記述に基づいてコンピュータにレイアウトデータを
作成させる方法も普及し始めている。
上述したＣＡＤ装置を利用した方法では、ＩＣ製造プロ
セスの製造条件の変更に対処できないという問題がある
。設計者がＣＡＤ装置を使って作成したレイアウトデー
タは、特定の製造条件に合わせて設計された図形データ
である。したがって、プロセスが変更された場合には、
線幅や図形間隔などが変ってしまうため、全く新たにレ
イアウト作業をやりなおすか、あるいは、図形データを
そのまま縮小した後、人手による修正を加える作業が必
要になる。このため、プロセスが変更になるごとに、レ
イアウトデータの変更作業ｊこ膨大な時間と労力を費や
しているのが現状である。
セスの製造条件の変更に対処できないという問題がある
。設計者がＣＡＤ装置を使って作成したレイアウトデー
タは、特定の製造条件に合わせて設計された図形データ
である。したがって、プロセスが変更された場合には、
線幅や図形間隔などが変ってしまうため、全く新たにレ
イアウト作業をやりなおすか、あるいは、図形データを
そのまま縮小した後、人手による修正を加える作業が必
要になる。このため、プロセスが変更になるごとに、レ
イアウトデータの変更作業ｊこ膨大な時間と労力を費や
しているのが現状である。
これに対し、マスクパターンのレイアウトを、図形デー
タではなくコンピュータ言語で記述する方法は、言語中
の変数を変えることにより、プロセスの変更に対して柔
軟に対処することができる利点を有する。しかしながら
、ＣＡＤ装置を利用した図形による入力作業に比べ、レ
イアウトを言語で記述する作業は、多大な労力と時間が
必要な作業であり、また、特殊なコンピュータ言語を習
得しなければ人力作業ができないという問題がある。
タではなくコンピュータ言語で記述する方法は、言語中
の変数を変えることにより、プロセスの変更に対して柔
軟に対処することができる利点を有する。しかしながら
、ＣＡＤ装置を利用した図形による入力作業に比べ、レ
イアウトを言語で記述する作業は、多大な労力と時間が
必要な作業であり、また、特殊なコンピュータ言語を習
得しなければ人力作業ができないという問題がある。
そこで本発明は、入力作業が容易であり、しかもプロセ
スの変更に対して柔軟に対処することのできるＬＳＩレ
イアウト設計装置を提供することを目的とする。
スの変更に対して柔軟に対処することのできるＬＳＩレ
イアウト設計装置を提供することを目的とする。
本発明は、ＬＳＩレイアウト設計装置において、与えら
れた論理回路図と所定のピッチルールとに基づいて、Ｌ
ＳＩマスクパターンを図形データとして入力するＣＡＤ
装置と、 このＣＡＤ装置で入力したパターンデータを所定のパタ
ーン規則に照らし合わせ、回路の各素子を認識するパタ
ーン認識装置と、 このパターン認識装置で認識された各素子について、そ
の配置を示す座ｔｌｌｌｉｉを抽出する座標抽出装置と
、 この座標抽出装置で抽出された座標値とピッチルールと
に基づいて、ＣＡＤ装置で入力したパターンデータを、
ピッチを示す変数を含む言語データに変換する言語記述
装置と、 ピッチを示す数値を含んだ任意のピッチルールを入力し
、このピッチを示す数値を前記変数に適用することによ
り、言語データからレイアウトパターンを発生するレイ
アウト発生装置と、を設けたものである。
れた論理回路図と所定のピッチルールとに基づいて、Ｌ
ＳＩマスクパターンを図形データとして入力するＣＡＤ
装置と、 このＣＡＤ装置で入力したパターンデータを所定のパタ
ーン規則に照らし合わせ、回路の各素子を認識するパタ
ーン認識装置と、 このパターン認識装置で認識された各素子について、そ
の配置を示す座ｔｌｌｌｉｉを抽出する座標抽出装置と
、 この座標抽出装置で抽出された座標値とピッチルールと
に基づいて、ＣＡＤ装置で入力したパターンデータを、
ピッチを示す変数を含む言語データに変換する言語記述
装置と、 ピッチを示す数値を含んだ任意のピッチルールを入力し
、このピッチを示す数値を前記変数に適用することによ
り、言語データからレイアウトパターンを発生するレイ
アウト発生装置と、を設けたものである。
本発明によるＬＳＩレイアウト設計装置を用いれば、設
計者はＣＡＤ装置を用い、図形データとしてマスクパタ
ーンのレイアウトをコンピュータに入力することができ
る。したがって、コンピュータ言語による記述を行って
レイアウト入力を行う方法に比べ、入力作業は非常に容
易である。続いて、図形データとして入力されたマスク
パターンに対して、パターン認識および座標抽出が行わ
れる。これにより、論Ｎ回路の各素子（たとえばトラン
ジスタ）の位置を示す座標値が得られる。
計者はＣＡＤ装置を用い、図形データとしてマスクパタ
ーンのレイアウトをコンピュータに入力することができ
る。したがって、コンピュータ言語による記述を行って
レイアウト入力を行う方法に比べ、入力作業は非常に容
易である。続いて、図形データとして入力されたマスク
パターンに対して、パターン認識および座標抽出が行わ
れる。これにより、論Ｎ回路の各素子（たとえばトラン
ジスタ）の位置を示す座標値が得られる。
そして、この座標値を使って、図形のパターンデータが
言語データに変換される。レイアウト発生装置はこの言
語データに基づいて、最終的なレイアウトパターンを発
生する。この時点では、レイアウトパターンは言語デー
タの形式で表現されているので、プロセスの変更に柔軟
に対処することができる。
言語データに変換される。レイアウト発生装置はこの言
語データに基づいて、最終的なレイアウトパターンを発
生する。この時点では、レイアウトパターンは言語デー
タの形式で表現されているので、プロセスの変更に柔軟
に対処することができる。
以下本発明を図示する実施例に基づいて詳述する。第１
図は本発明のＬＳＩレイアウト設計装置の基本構成を示
すブロック図である。この装置は、ＣＡＤ装置１１パタ
ーン認識装置２、座標抽出装置３、言語記述装置４、レ
イアウト発生装置５、の５つの部分から構成される。
図は本発明のＬＳＩレイアウト設計装置の基本構成を示
すブロック図である。この装置は、ＣＡＤ装置１１パタ
ーン認識装置２、座標抽出装置３、言語記述装置４、レ
イアウト発生装置５、の５つの部分から構成される。
続いて、この装置を用いた具体的なレイアウト設計作業
を説明しながら、各部分の機能を述べることにする。は
じめに設計すべきＬＳＩの論理回路図ａと、レイアウト
ルールｂとが用意されているものとする。ここで、レイ
アウトルールｂは、プロセス側からの要求を示すルール
であり、たとえば、ポリシリコン層の幅、配線層の幅、
コンタクトホールの大きさ、などについての仕様を示す
ものである。設計者は、このレイアウトルールを参照し
ながら、ピッチルールＣを作成する。このピッチルール
Ｃは、回路の各素子を配置するピッチを定めたルールで
あり、たとえば、コンタクトホールの縦方向の配列ピッ
チがいくつ、横方向の配列ピッチがいくつ、といったピ
ッチを示す数値を定義したものである。設計者は、プロ
セス側からの要求であるレイアウトルールを満足しうる
ようにピッチルールを定める。第２図（ａ）は、このよ
うに定義したピッチルールの一例を示すものであり、横
方向のピッチＰｘと、縦方向のピッチＰｙとが定められ
ている。第２図（ｂ）は、ひとつの方向に２つのピッチ
を定義した例であり、主ピッチＰｍとサブピッチＰｓと
が定められている。
を説明しながら、各部分の機能を述べることにする。は
じめに設計すべきＬＳＩの論理回路図ａと、レイアウト
ルールｂとが用意されているものとする。ここで、レイ
アウトルールｂは、プロセス側からの要求を示すルール
であり、たとえば、ポリシリコン層の幅、配線層の幅、
コンタクトホールの大きさ、などについての仕様を示す
ものである。設計者は、このレイアウトルールを参照し
ながら、ピッチルールＣを作成する。このピッチルール
Ｃは、回路の各素子を配置するピッチを定めたルールで
あり、たとえば、コンタクトホールの縦方向の配列ピッ
チがいくつ、横方向の配列ピッチがいくつ、といったピ
ッチを示す数値を定義したものである。設計者は、プロ
セス側からの要求であるレイアウトルールを満足しうる
ようにピッチルールを定める。第２図（ａ）は、このよ
うに定義したピッチルールの一例を示すものであり、横
方向のピッチＰｘと、縦方向のピッチＰｙとが定められ
ている。第２図（ｂ）は、ひとつの方向に２つのピッチ
を定義した例であり、主ピッチＰｍとサブピッチＰｓと
が定められている。
続いて、設計者は論理回路図ａとピッチルールＣとを参
照しながら、ＣＡＤ装置１に対してＬＳＩマスクパター
ンを図形データとして入力してゆく。このＣＡＤ装置１
は、デイスプレィ装置やマウスなどの入力装置を含んで
おり、設計者はデイスプレィの画面を見ながら、論理回
路図ａと等価なマスクパターンを構成する図形を割付け
る作業を行う。第３図に示すパターンは、このようにし
てＣＡＤ装置１を用いて割付けられたマスクパターンの
一例である。ここで、実線で示すパターン１１はポリシ
リコン層、破線で示すパターン１２は不純物拡散層、−
点鎖線で示すパターン１３はメタル配線層、小さな正方
形のパターン１４はコンタクト層である。この例では、
以上の４層のパターンが形成されており、各層ごとに図
形データとして定義されている。このマスクパターンで
は、コンタクトの横方向ピッチＰｘと縦方向ピッチｐｙ
とは、図に示すよう、になる。
照しながら、ＣＡＤ装置１に対してＬＳＩマスクパター
ンを図形データとして入力してゆく。このＣＡＤ装置１
は、デイスプレィ装置やマウスなどの入力装置を含んで
おり、設計者はデイスプレィの画面を見ながら、論理回
路図ａと等価なマスクパターンを構成する図形を割付け
る作業を行う。第３図に示すパターンは、このようにし
てＣＡＤ装置１を用いて割付けられたマスクパターンの
一例である。ここで、実線で示すパターン１１はポリシ
リコン層、破線で示すパターン１２は不純物拡散層、−
点鎖線で示すパターン１３はメタル配線層、小さな正方
形のパターン１４はコンタクト層である。この例では、
以上の４層のパターンが形成されており、各層ごとに図
形データとして定義されている。このマスクパターンで
は、コンタクトの横方向ピッチＰｘと縦方向ピッチｐｙ
とは、図に示すよう、になる。
設計者がＣＡＤ装置１に、第３図に示すようなマスクパ
ターンデータを入力し終わると、今度はパターン認識装
置２が、所定のパターン規則に照らし合わせて回路の各
素子の認識を行う。ここで、所定のパターン規則とは、
各素子を認識するために用いる規則であり、たとえば、
「不純物拡散層ツバターン１２とポリシリコン層のパタ
ーン１１とが重なった賄域がトランジスタである」とい
うような規則である。第３図に示すようなマスクパター
ンデータに、この規則を照らし合わせれば、各素子のパ
ターン認識を行うことができる。たとえば、第４図にお
いて、ハツチングを施した領域１５は、トランジスタで
あると認識される。実際には、この領域１５はゲート電
極であり、その上下にあるコンタクト１４ａ、１４ｂが
ソース、ドレイン電極となる。このようなパターン認識
は、基本的には図形どうしの論理演算で行うことができ
る。たとえば、トランジスタの領域は、（パターン１１
）ＡＮＤ （パターン１２）なる論理演算の結果得られ
ることになる。
ターンデータを入力し終わると、今度はパターン認識装
置２が、所定のパターン規則に照らし合わせて回路の各
素子の認識を行う。ここで、所定のパターン規則とは、
各素子を認識するために用いる規則であり、たとえば、
「不純物拡散層ツバターン１２とポリシリコン層のパタ
ーン１１とが重なった賄域がトランジスタである」とい
うような規則である。第３図に示すようなマスクパター
ンデータに、この規則を照らし合わせれば、各素子のパ
ターン認識を行うことができる。たとえば、第４図にお
いて、ハツチングを施した領域１５は、トランジスタで
あると認識される。実際には、この領域１５はゲート電
極であり、その上下にあるコンタクト１４ａ、１４ｂが
ソース、ドレイン電極となる。このようなパターン認識
は、基本的には図形どうしの論理演算で行うことができ
る。たとえば、トランジスタの領域は、（パターン１１
）ＡＮＤ （パターン１２）なる論理演算の結果得られ
ることになる。
各素子についてのパターン認識が終了すると、座標抽出
装置３によって、各素子の配置を示す座ｍｍが抽出され
る。どの座標値をもってその素子の位置を示すようにす
るかは、あらかじめ定めておく。たとえば、トランジス
タの場合、第４図に示すように、コンタクト１４ａの中
心とコンタクト１４ｂの中心を結ぶ線（二点鎖線で示す
）と、ポリシリコン層のパターン１１の中心線（二点鎖
線で示す）との交点Ｑ１の座標値（Ｘ（Ｉｆ、 ＹＱＬ
）をトランジスタの配置を示す座標値として定めている
。また、第５図に示すように、コンタクトの場合は、そ
の中心点Ｑ２の座標値（Ｘ ｑ２． Ｙ ｑ２）を用い
、ポリシリコン層の場合は、その中心線（二点鎖線で示
す）の両端点Ｑ３．Ｑ４の座標値を用い、メタル配線層
の場合は、その中心線（二点鎖線で示す）が通るコンタ
クト位置Ｑ５〜Ｑ７の座標値を用いる。こうして、各素
子について、その配置を示す座標値が抽出されることに
なる。
装置３によって、各素子の配置を示す座ｍｍが抽出され
る。どの座標値をもってその素子の位置を示すようにす
るかは、あらかじめ定めておく。たとえば、トランジス
タの場合、第４図に示すように、コンタクト１４ａの中
心とコンタクト１４ｂの中心を結ぶ線（二点鎖線で示す
）と、ポリシリコン層のパターン１１の中心線（二点鎖
線で示す）との交点Ｑ１の座標値（Ｘ（Ｉｆ、 ＹＱＬ
）をトランジスタの配置を示す座標値として定めている
。また、第５図に示すように、コンタクトの場合は、そ
の中心点Ｑ２の座標値（Ｘ ｑ２． Ｙ ｑ２）を用い
、ポリシリコン層の場合は、その中心線（二点鎖線で示
す）の両端点Ｑ３．Ｑ４の座標値を用い、メタル配線層
の場合は、その中心線（二点鎖線で示す）が通るコンタ
クト位置Ｑ５〜Ｑ７の座標値を用いる。こうして、各素
子について、その配置を示す座標値が抽出されることに
なる。
続いて、言語記述装置４は、各素子について抽出された
座標値と、ピッチルールＣとに基づいて、パターンデー
タを言語データに変換する。この言語表現は様々な形が
可能であるが、本発明の言語表現の特徴は、ピッチを示
す変数を含んだ表現になっているという点である。たと
えば、第５図において、コンタクトの配置を示す点Ｑ２
について、座標値（Ｘｑ２． Ｙｑ２）が抽出されてい
る。いま、このコンタクトについての言語表現を一例と
して挙げておく。この実施例では、第３図に示したよう
に、ピッチルールＣにおいて、コンタクトの横方向ピッ
チはＰｘ、縦方向ピッチはｐｙと定められている。した
がって、第５図の各点Ｑ１〜Ｑ７の座標値は、このピッ
チＰｘおよびＰｙの倍数で表現することができる。具体
的な数値で説明しよう。いま、コンタクトの横方向ピッ
チＰｘ−２２μｍ１縦方向ピッチＰｙ−２０μｍ１とい
うピッチルールが定められており、第５図の左上に原点
０を定義したものとする。この場合、点Ｑ２の実寸座標
は（２２，２０） 、点Ｑ５の実寸座標は（４４，４０
）であるが、ピッチを変数として、それぞれＱ２ （Ｐ
ｘ、Ｐｙ） 、Ｑ５ （２Ｐｘ、２Ｐｙ）と表現できる
。一般に、すべての点Ｑの位置はＱ （ａＰｘ、ｂＰｙ
）の形式で表現できる。
座標値と、ピッチルールＣとに基づいて、パターンデー
タを言語データに変換する。この言語表現は様々な形が
可能であるが、本発明の言語表現の特徴は、ピッチを示
す変数を含んだ表現になっているという点である。たと
えば、第５図において、コンタクトの配置を示す点Ｑ２
について、座標値（Ｘｑ２． Ｙｑ２）が抽出されてい
る。いま、このコンタクトについての言語表現を一例と
して挙げておく。この実施例では、第３図に示したよう
に、ピッチルールＣにおいて、コンタクトの横方向ピッ
チはＰｘ、縦方向ピッチはｐｙと定められている。した
がって、第５図の各点Ｑ１〜Ｑ７の座標値は、このピッ
チＰｘおよびＰｙの倍数で表現することができる。具体
的な数値で説明しよう。いま、コンタクトの横方向ピッ
チＰｘ−２２μｍ１縦方向ピッチＰｙ−２０μｍ１とい
うピッチルールが定められており、第５図の左上に原点
０を定義したものとする。この場合、点Ｑ２の実寸座標
は（２２，２０） 、点Ｑ５の実寸座標は（４４，４０
）であるが、ピッチを変数として、それぞれＱ２ （Ｐ
ｘ、Ｐｙ） 、Ｑ５ （２Ｐｘ、２Ｐｙ）と表現できる
。一般に、すべての点Ｑの位置はＱ （ａＰｘ、ｂＰｙ
）の形式で表現できる。
そこで、任意の位置にあるコンタクトのパターンは、た
とえば、 ＣＩ （ａＰｘ、ｂＰｙ） というような言語表現が可能である。ここで、Ｃ１は第
１属性のコンタクトであることを示し、この第１属性の
コンタクトについては、別に次のようなデータを言語表
現で表記しておくことができる。
とえば、 ＣＩ （ａＰｘ、ｂＰｙ） というような言語表現が可能である。ここで、Ｃ１は第
１属性のコンタクトであることを示し、この第１属性の
コンタクトについては、別に次のようなデータを言語表
現で表記しておくことができる。
Ｃ１：第１属性のコンタクト
不純物拡散層とメタル配線層
とのコンタクト
一辺３μｍの正方形形状
また、第５図の二点Ｑ３．Ｑ４を両端点とするようなポ
リシリコン層のパターンは、たとえば、ＰＬ （ａＰｘ
、ｂＰｙ、ｃＰｘＳｄＰｙ）というように、二点の座標
値を指定する形式で表現できる。ここで、Ｐｌについて
は、たとえば次のような表記が別になさ、れる。
リシリコン層のパターンは、たとえば、ＰＬ （ａＰｘ
、ｂＰｙ、ｃＰｘＳｄＰｙ）というように、二点の座標
値を指定する形式で表現できる。ここで、Ｐｌについて
は、たとえば次のような表記が別になさ、れる。
Ｐｌ：第１属性のポリシリコン層
第１の入力端子（図示されていない）に接続
幅５μｍの長方形状
こうして、言語記述装置４は、ＣＡＤ装置１で入力した
パターンデータを、ピッチを示す変数を含む言語に変換
する。
パターンデータを、ピッチを示す変数を含む言語に変換
する。
レイアウト発生装置５は、このように言語表現されたデ
ータに基づいて、実際のレイアウトパターンｆを発生す
る装置である。このとき、新レイアウトルールｄに基づ
いて作成された新ピッチルールｅを参照しながら、レイ
アウトパターンｆが決定される。すなわち、プロセスか
らの要求により、当初のレイアウトルールｂが、新たな
レイアウトルールｄに変更になった場合、ピ・ソチルー
ルＣも新ピッチルールｅに変更になるが、レイアウト発
生装置５は新たなピッチルールｅを参照してレイアウト
パターンｆを発生することができる。
ータに基づいて、実際のレイアウトパターンｆを発生す
る装置である。このとき、新レイアウトルールｄに基づ
いて作成された新ピッチルールｅを参照しながら、レイ
アウトパターンｆが決定される。すなわち、プロセスか
らの要求により、当初のレイアウトルールｂが、新たな
レイアウトルールｄに変更になった場合、ピ・ソチルー
ルＣも新ピッチルールｅに変更になるが、レイアウト発
生装置５は新たなピッチルールｅを参照してレイアウト
パターンｆを発生することができる。
言語表現されたデータに基づいてレイアウトパターンを
発生するので、ピッチルールの変更に柔軟に対処するこ
とができる。たとえば、ピッチルールＣでは、Ｐｉ−２
２μｍ、Ｐｙ−２０ａｍ−、なる設定をしていたが、こ
れをそれぞれ、Ｐｘ−１１μｍ、Ｐｙ＝１０μｍ、と半
分にするような変更をしても、言語データ上では変数の
形で表現されているために、個々のデータを修正するよ
うな必要は全くない。また、第１属性のコンタクトの一
辺の大きさを、当初の３μｍから２μｍに変更するよう
な場合、Ｃ１に関する記述を一辺２μｍの正方形形状と
修正するだけで済む。
発生するので、ピッチルールの変更に柔軟に対処するこ
とができる。たとえば、ピッチルールＣでは、Ｐｉ−２
２μｍ、Ｐｙ−２０ａｍ−、なる設定をしていたが、こ
れをそれぞれ、Ｐｘ−１１μｍ、Ｐｙ＝１０μｍ、と半
分にするような変更をしても、言語データ上では変数の
形で表現されているために、個々のデータを修正するよ
うな必要は全くない。また、第１属性のコンタクトの一
辺の大きさを、当初の３μｍから２μｍに変更するよう
な場合、Ｃ１に関する記述を一辺２μｍの正方形形状と
修正するだけで済む。
このように、言語記述装置４により、−旦言語データに
変換しておけば、ピッチルールをどのように変更しても
それに対応したレイアウトパターンを得ることができる
。なお、上述のパターン認識、座標抽出、言語記述の方
法は、−例として示したものであり、このほか様々な方
法によって行うことが可能である。
変換しておけば、ピッチルールをどのように変更しても
それに対応したレイアウトパターンを得ることができる
。なお、上述のパターン認識、座標抽出、言語記述の方
法は、−例として示したものであり、このほか様々な方
法によって行うことが可能である。
以上のとおり、本発明によるＬＳＩレイアウト設計装置
を用いれば、設計者はＣＡＤ装置を用い、図形データと
してマスクパターンのレイアウトをコンピュータに入力
することができるため、入力作業は非常に容易である。
を用いれば、設計者はＣＡＤ装置を用い、図形データと
してマスクパターンのレイアウトをコンピュータに入力
することができるため、入力作業は非常に容易である。
しかも、図形データとして入力されたマスクパターンに
対して、パターン認識および座標抽出を行った後にこれ
を言語デ−タに変換し、レイアウト発生装置がこの言語
データに基づいて最終的なレイアウトパターンを発生す
るようにしたため、プロセスの変更に柔軟に対処するこ
とができる。
対して、パターン認識および座標抽出を行った後にこれ
を言語デ−タに変換し、レイアウト発生装置がこの言語
データに基づいて最終的なレイアウトパターンを発生す
るようにしたため、プロセスの変更に柔軟に対処するこ
とができる。
第１図は本発明のＬＳＩレイアウト設計装置の基本構成
を示すブロック図、第２図は第１図に示す装置に与える
ピッチルールを説明する図、第３図は第１図の装置にお
けるＣＡＤ装置に入力したマスクパターンの一例を示す
図、第４図は第１図に示す装置におけるパターン認識を
示す図、第５図は第１図に示す装置における座標抽出を
示す図である。 １１・・・ポリシリコン層、１２・・・不純物拡散層、
１３・・・メタル配線層、１４・・・コンタクト、１５
・・・トランジスタ領域。
を示すブロック図、第２図は第１図に示す装置に与える
ピッチルールを説明する図、第３図は第１図の装置にお
けるＣＡＤ装置に入力したマスクパターンの一例を示す
図、第４図は第１図に示す装置におけるパターン認識を
示す図、第５図は第１図に示す装置における座標抽出を
示す図である。 １１・・・ポリシリコン層、１２・・・不純物拡散層、
１３・・・メタル配線層、１４・・・コンタクト、１５
・・・トランジスタ領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 与えられた論理回路図と所定のピッチルールとに基づい
て、ＬＳＩマスクパターンを図形データとして入力する
ＣＡＤ装置と、 このＣＡＤ装置で入力したパターンデータを所定のパタ
ーン規則に照らし合わせ、回路の各素子を認識するパタ
ーン認識装置と、 このパターン認識装置で認識された各素子について、そ
の配置を示す座標値を抽出する座標抽出装置と、 この座標抽出装置で抽出された座標値と前記ピッチルー
ルとに基づいて、前記ＣＡＤ装置で入力したパターンデ
ータを、ピッチを示す変数を含む言語データに変換する
言語記述装置と、 ピッチを示す数値を含んだ任意のピッチルールを入力し
、このピッチを示す数値を前記変数に適用することによ
り、前記言語データからレイアウトパターンを発生する
レイアウト発生装置と、を備えることを特徴とするＬＳ
Ｉレイアウト設計装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1212817A JPH0376252A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | Ｌｓｉレイアウト設計装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1212817A JPH0376252A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | Ｌｓｉレイアウト設計装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376252A true JPH0376252A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16628850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1212817A Pending JPH0376252A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | Ｌｓｉレイアウト設計装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0376252A (ja) |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP1212817A patent/JPH0376252A/ja active Pending
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