JPH0377340A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents
ワイヤボンディング方法Info
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ボンディング性を向上させることのできるワ
イヤボンディング方法に関するものである。
イヤボンディング方法に関するものである。
〔従来の技術）
パワートランジスタ等の半導体装置製造時のワイヤボン
ディング作業を第２図乃至第４図を参照しながら説明す
る。同図に於いて、（Ａ）はアイランド（Ｂ）上に半田
（Ｃ）を介して半導体ペレットＣＤ）をマウントしたリ
ードフレーム、（１）は上記り・−ドフレーム（Ａ）を
加熱しながらガイドするヒータブロックであり、このヒ
ータブロック（１）は第４図の拡大断面図に示す如く、
リードフレーム（Ａ）のリード（Ｅ）を加熱するための
リードヒータ（１ａ）とペレットマウント部となるアイ
ランド（Ｂ）を加熱するアイアイランドヒータ（１ｂ〉
とによっ。
ディング作業を第２図乃至第４図を参照しながら説明す
る。同図に於いて、（Ａ）はアイランド（Ｂ）上に半田
（Ｃ）を介して半導体ペレットＣＤ）をマウントしたリ
ードフレーム、（１）は上記り・−ドフレーム（Ａ）を
加熱しながらガイドするヒータブロックであり、このヒ
ータブロック（１）は第４図の拡大断面図に示す如く、
リードフレーム（Ａ）のリード（Ｅ）を加熱するための
リードヒータ（１ａ）とペレットマウント部となるアイ
ランド（Ｂ）を加熱するアイアイランドヒータ（１ｂ〉
とによっ。
て構成され、更に、このヒータプロ７り（１）の、リー
ドフレーム送り方向に対し上流側となる部分は、リード
フレーム（Ａ）を予熱するための予熱部（２）となって
おり、中流部はボンディング部（３）で、さらに下流は
リードフレームを徐冷するようになっている。そして、
このヒータブロック（１〉のボンディング部（３）の上
方には、ヒータブロック（１）上のリードフレーム（Ａ
）を位置決め状態で固定するための押え板（４〉及びリ
ードフレーム（Ａ）のアイランド（Ｂ）上にマウントさ
れた半導体ペレット（Ｄ）と、リードフレーム（Ａ）の
リード（Ｅ）とをワイヤボンディングするための、超音
波ボンディング装置のボンディングツール（図示せず）
等が配置しである。
ドフレーム送り方向に対し上流側となる部分は、リード
フレーム（Ａ）を予熱するための予熱部（２）となって
おり、中流部はボンディング部（３）で、さらに下流は
リードフレームを徐冷するようになっている。そして、
このヒータブロック（１〉のボンディング部（３）の上
方には、ヒータブロック（１）上のリードフレーム（Ａ
）を位置決め状態で固定するための押え板（４〉及びリ
ードフレーム（Ａ）のアイランド（Ｂ）上にマウントさ
れた半導体ペレット（Ｄ）と、リードフレーム（Ａ）の
リード（Ｅ）とをワイヤボンディングするための、超音
波ボンディング装置のボンディングツール（図示せず）
等が配置しである。
上記ｔｉ戒に・於いて、ワイヤボンディングを行うには
、半導体ペレットＣＤ）がマウントされたリードフレー
ム（Ａ）を、ヒータブロック（１〉上でピッチ送りし、
ヒータブロック （１）の予熱部（２）でリードフレー
ム（Ａ）を、半導体ペレット（Ｄ）をアイランド（Ｂ）
に固定している半田（Ｃ）の融息（約２９０℃）以下の
温度で予熱した後、ボンディング部く３）に送る。そし
て、リードフレーム（Ａ）上の半導体ペレット（Ｄ）が
ボンディング部（３）に達すると、押え板（４）によっ
てリードフレーム（Ａ）をヒータブロック（Ｌ）のボン
ディング部（３）上に位置決めした後、超音波ボンディ
ング装置を用い、半導体ベレッｌ−（Ｄ）上のアルミ電
極とリードフレーム（Ａ）のリード（Ｅ）とを金ワイヤ
（Ｆ）によって接続する。上記のようにして、１つの半
導体ペレット（Ｄ）に対するワイヤボンディングが終了
すると、押え板（４）によるリードフレーム（Ａ）のク
ランプを一旦解除し、リードフレーム（Ａ）をｌピッチ
だけピッチ送りした後、リードフレーム（Ａ）を押え板
（４）によって再びクランプし、以後上記動作が繰返さ
れる。
、半導体ペレットＣＤ）がマウントされたリードフレー
ム（Ａ）を、ヒータブロック（１〉上でピッチ送りし、
ヒータブロック （１）の予熱部（２）でリードフレー
ム（Ａ）を、半導体ペレット（Ｄ）をアイランド（Ｂ）
に固定している半田（Ｃ）の融息（約２９０℃）以下の
温度で予熱した後、ボンディング部く３）に送る。そし
て、リードフレーム（Ａ）上の半導体ペレット（Ｄ）が
ボンディング部（３）に達すると、押え板（４）によっ
てリードフレーム（Ａ）をヒータブロック（Ｌ）のボン
ディング部（３）上に位置決めした後、超音波ボンディ
ング装置を用い、半導体ベレッｌ−（Ｄ）上のアルミ電
極とリードフレーム（Ａ）のリード（Ｅ）とを金ワイヤ
（Ｆ）によって接続する。上記のようにして、１つの半
導体ペレット（Ｄ）に対するワイヤボンディングが終了
すると、押え板（４）によるリードフレーム（Ａ）のク
ランプを一旦解除し、リードフレーム（Ａ）をｌピッチ
だけピッチ送りした後、リードフレーム（Ａ）を押え板
（４）によって再びクランプし、以後上記動作が繰返さ
れる。
上記方法によってワイヤボンディングを行う場合、従来
はリードフレーム（Ａ）のり一ド（Ｅ）の表面に予め銀
メツキを施こしておき、ワイヤボンディング時、金ワイ
ヤ（Ｆ）とリード（Ｅ）との接着が確実に行えるように
していた。しかし、リード（Ｅ）に銀メツキを施こすに
は多数の作業工程を必要とし、手間がかかるため、近年
、上記銀メツキを省略することにより、半導体製造工程
の簡略化及びコストダウンを計る傾向にある。ところが
、上記リードフレーム（Ａ、）が銅製の場合、上記メツ
キ処理を省略し、リード（Ｅ）の表面に直接金ワイヤ（
Ｆ）を超音波ボンディングによって接着すると、両者は
非常になじみが悪いため、ワイヤボンディング後、抜き
取り検査によって行われる引張り強度試験に合格できる
だけの十分な接着強度を得ることが非常に困難であると
いった問題があった。
はリードフレーム（Ａ）のり一ド（Ｅ）の表面に予め銀
メツキを施こしておき、ワイヤボンディング時、金ワイ
ヤ（Ｆ）とリード（Ｅ）との接着が確実に行えるように
していた。しかし、リード（Ｅ）に銀メツキを施こすに
は多数の作業工程を必要とし、手間がかかるため、近年
、上記銀メツキを省略することにより、半導体製造工程
の簡略化及びコストダウンを計る傾向にある。ところが
、上記リードフレーム（Ａ、）が銅製の場合、上記メツ
キ処理を省略し、リード（Ｅ）の表面に直接金ワイヤ（
Ｆ）を超音波ボンディングによって接着すると、両者は
非常になじみが悪いため、ワイヤボンディング後、抜き
取り検査によって行われる引張り強度試験に合格できる
だけの十分な接着強度を得ることが非常に困難であると
いった問題があった。
尚、上記引張り強度試験とは、ボンディングツールの金
ワイヤ（Ｆ）を、モの中央部を釣り針状の工具で引掛け
て上方に引張り、金ワイヤ（Ｆ）が引き千切れるまでに
、金ワイヤ（Ｆ）とリード（Ｅ）との接着部、及び、金
ワイヤ（Ｆ）と半導体ペレット（Ｄ）のアルミ電極との
接着部が剥れるか否かをチエツクするためのものであり
、金ワイヤＣＦ）が引き千切れるまで、両接着部が剥が
れなければ合格となり、金ワイヤ（Ｆ）が引き千切れる
までに接着部が剥れてしまえば不合格となる。
ワイヤ（Ｆ）を、モの中央部を釣り針状の工具で引掛け
て上方に引張り、金ワイヤ（Ｆ）が引き千切れるまでに
、金ワイヤ（Ｆ）とリード（Ｅ）との接着部、及び、金
ワイヤ（Ｆ）と半導体ペレット（Ｄ）のアルミ電極との
接着部が剥れるか否かをチエツクするためのものであり
、金ワイヤＣＦ）が引き千切れるまで、両接着部が剥が
れなければ合格となり、金ワイヤ（Ｆ）が引き千切れる
までに接着部が剥れてしまえば不合格となる。
特に、この銅製のリードフレーム（Ａ）によって形成さ
れる半導体装置がパワートランジスタ等の如（、大電流
の流れるものの場合、上記リード（Ｅ）と金ワイヤ（Ｆ
）との接着部の強度不足により、両者の電気的接続が完
全でなく、この部分の電気的抵抗値が大きくなった場合
、パワートランジスタ使用時にこの部分が発熱し、動作
不良を起すといった問題があった。このため、銅製リー
ドフレーム（Ａ）を用いたパワートランジスタ等の半導
体装置の製造時には、リードフレーム（Ａ）のリード（
Ｅ）への銀メツキ工程を省略できないのが現状である。
れる半導体装置がパワートランジスタ等の如（、大電流
の流れるものの場合、上記リード（Ｅ）と金ワイヤ（Ｆ
）との接着部の強度不足により、両者の電気的接続が完
全でなく、この部分の電気的抵抗値が大きくなった場合
、パワートランジスタ使用時にこの部分が発熱し、動作
不良を起すといった問題があった。このため、銅製リー
ドフレーム（Ａ）を用いたパワートランジスタ等の半導
体装置の製造時には、リードフレーム（Ａ）のリード（
Ｅ）への銀メツキ工程を省略できないのが現状である。
又、ヒータブロック（１）によるリードフレーム（Ａ）
の予熱温度を、３００℃〜４００℃といった高温に設定
しておけば、銀メツキを施こしていない銅製のリードフ
レーム（Ａ）のリード（Ｅ）への金ワイヤＣＦ）のボン
ディング時、両者間に生じる合金の生成速度を高めるこ
とができるため、十分な接着強度を得ることが可能であ
る。しかし、リードフレーム（Ａ）を３００℃以上に加
熱してしまうと、リードフレーム（Ａ）のアイランド（
Ｂ）に半導体ペレット（Ｄ）を固定している半田（Ｃ）
の融点が約２９０℃であるため、この半田、（Ｃ）力９
容融してしまい、半導体ペレット（Ｄ）のアルミを極へ
の金すイや（Ｆ）のボンディング作業が不可能になるた
め、上記方法をとることもできないのが現状である。
の予熱温度を、３００℃〜４００℃といった高温に設定
しておけば、銀メツキを施こしていない銅製のリードフ
レーム（Ａ）のリード（Ｅ）への金ワイヤＣＦ）のボン
ディング時、両者間に生じる合金の生成速度を高めるこ
とができるため、十分な接着強度を得ることが可能であ
る。しかし、リードフレーム（Ａ）を３００℃以上に加
熱してしまうと、リードフレーム（Ａ）のアイランド（
Ｂ）に半導体ペレット（Ｄ）を固定している半田（Ｃ）
の融点が約２９０℃であるため、この半田、（Ｃ）力９
容融してしまい、半導体ペレット（Ｄ）のアルミを極へ
の金すイや（Ｆ）のボンディング作業が不可能になるた
め、上記方法をとることもできないのが現状である。
リードフレームのアにランド上に半田付けされた半導体
ペレットと、リードフレームのリードとを超音波ボンデ
ィングにより電気的に接続するワイヤボンディング方法
に於いて、上記リードフレームを上記半田の融点以下の
温度で予熱し、ワイヤボンディング後、リードとワイヤ
とのボンディング部を、上記半田の融点以上の温度で加
熱することを特徴とするワイヤボンディング方法である
。
ペレットと、リードフレームのリードとを超音波ボンデ
ィングにより電気的に接続するワイヤボンディング方法
に於いて、上記リードフレームを上記半田の融点以下の
温度で予熱し、ワイヤボンディング後、リードとワイヤ
とのボンディング部を、上記半田の融点以上の温度で加
熱することを特徴とするワイヤボンディング方法である
。
上記した如く、超音波ボンディングにより、半導体ペレ
ットとリードとをワイヤを介して電気的に接続した後、
リードとワイヤとの接着部を、半導体ペレットを固定し
ている半田の融点以上の温度で加熱することにより、リ
ードとワイヤとの間の合金生成を急速に行わせ、この部
分の接着強度を向上させるものである。
ットとリードとをワイヤを介して電気的に接続した後、
リードとワイヤとの接着部を、半導体ペレットを固定し
ている半田の融点以上の温度で加熱することにより、リ
ードとワイヤとの間の合金生成を急速に行わせ、この部
分の接着強度を向上させるものである。
第１図（Ａ）及び第１図（Ｂ）は、本発明に係るボンデ
ィング方法により、銀メツキが施されていない銅製のリ
ードフレーム（以下銅ベアリードフレームと称す）（Ａ
）のリード（Ｅ）に金ワイヤ（Ｆ）をボンディングする
場合のヒータブロックの配置例を示すものである。同図
に於いて、（１０）は第１のヒータブロックであり、こ
の第１のヒータフロック（１０）は従来と同様、リード
フレームを加熱しつつガイドするものであり、銅ベアリ
ードフレーム（Ａ）のリード（Ｅ）を加熱するリードヒ
ータ（１０ａ）と、アイランド（Ｂ）を加熱するアイア
イランドヒータ（Ｒｏｂ）とからなっており、２そのＥ
流側は予熱部（１ｔ）を構成し、又下流側はボンディン
グ部（１２）を構成している。又ボンディング（１２）
の上方には、従来と同様、押え板、超音波ボンディング
装置のボンディングツール等が配置しである。（１３）
は第１のヒータフロック（１０）の下流側に配置した第
２のヒータブロックであり１．この第２のヒータブロッ
ク（１３）は、超音波ボンディングが終了し、第１のヒ
ータブロック （１０）から願出されて来る銅ベアリー
ドフレーム（Ａ）を一方向に向けて搬送しながら、この
搬送中に於いて、リ−・ド（Ｅ）を正点的に再加熱する
ためのものである。そして、上記第１のヒータフロック
ク１０）によゐ銅ベアリードフレーム（Ａ）の加熱温度
は、銅ベアリードフレーム（Ａ）のアイランド（Ｂ）に
半導体ペレットＣＤ）をマウントしている半田（Ｃ）が
熔融しない温度、即ち約２８０ ’Ｃに設定してあり、
又第２ヒータブロツク（１３）によるリード（Ｅ）の再
加熱温度は、合金生成が早急に進む温度、即ち３００℃
〜４００℃に設定しＺおく。更に、第２ヒータブロツク
（１３〉による再加熱時間は、数十秒となるようにして
おく。
ィング方法により、銀メツキが施されていない銅製のリ
ードフレーム（以下銅ベアリードフレームと称す）（Ａ
）のリード（Ｅ）に金ワイヤ（Ｆ）をボンディングする
場合のヒータブロックの配置例を示すものである。同図
に於いて、（１０）は第１のヒータブロックであり、こ
の第１のヒータフロック（１０）は従来と同様、リード
フレームを加熱しつつガイドするものであり、銅ベアリ
ードフレーム（Ａ）のリード（Ｅ）を加熱するリードヒ
ータ（１０ａ）と、アイランド（Ｂ）を加熱するアイア
イランドヒータ（Ｒｏｂ）とからなっており、２そのＥ
流側は予熱部（１ｔ）を構成し、又下流側はボンディン
グ部（１２）を構成している。又ボンディング（１２）
の上方には、従来と同様、押え板、超音波ボンディング
装置のボンディングツール等が配置しである。（１３）
は第１のヒータフロック（１０）の下流側に配置した第
２のヒータブロックであり１．この第２のヒータブロッ
ク（１３）は、超音波ボンディングが終了し、第１のヒ
ータブロック （１０）から願出されて来る銅ベアリー
ドフレーム（Ａ）を一方向に向けて搬送しながら、この
搬送中に於いて、リ−・ド（Ｅ）を正点的に再加熱する
ためのものである。そして、上記第１のヒータフロック
ク１０）によゐ銅ベアリードフレーム（Ａ）の加熱温度
は、銅ベアリードフレーム（Ａ）のアイランド（Ｂ）に
半導体ペレットＣＤ）をマウントしている半田（Ｃ）が
熔融しない温度、即ち約２８０ ’Ｃに設定してあり、
又第２ヒータブロツク（１３）によるリード（Ｅ）の再
加熱温度は、合金生成が早急に進む温度、即ち３００℃
〜４００℃に設定しＺおく。更に、第２ヒータブロツク
（１３〉による再加熱時間は、数十秒となるようにして
おく。
上記構成に於いて、アイランド（Ｂ）上に半１）（Ｃ）
により半導体ペレット（Ｄ）がマウントされた銅ベアリ
ードフレーム（Ａ、 ）が第１ヒータブロツク（１０）
上をピッチ送りされ、従来と同様の方法により、半導体
ペレット（Ｄ）のアルミ電極とリード（Ｅ）、！：が金
ワイヤ（Ｆ）によって電気的に接続された後、この超音
波ボンディングを終えた銅ベアリードフレーム（Ａ）が
、第１図（Ｂ）に示す如く、第２のヒー・タブロック（
１３）上に搬送されて来ると、銅ベアリードフレーム（
Ａ）のリード（Ｅ）は、第２のヒータブロック（１３）
によって３００℃〜４００℃に再加熱される。すると、
リード（Ｅ）と金ワイヤ（Ｆ）との接着部は、この高温
によって、前工程の超音波ボンディングだけでは不完全
であった両者間の合金生成が急速に進み、両者間の接着
強度が増し、引張り強度試験にも十分に合格するだけの
十分の強度となる。測定によれば、ボンディング後に４
００℃、１５秒の再加熱で上記リード（Ｅ）の接着部以
外の部分で剥れることが確認された。このようにして、
再加熱が終了した銅ベアリードフレーム（Ａ）は冷却さ
れた後、次ユニ程へと殻送されて行く、尚、上記再加熱
中に、銅ベアリードフレーム（Ａ）のアイランド（Ｂ）
側に熱が伝わり、半導体ペレット（Ｄ）をアイランド（
Ｂ）上にマウントしている半田（Ｃ）が−時的に溶融し
ても１．、半導体ペレット（Ｄ）への金ワイヤ（Ｆ）の
超音波ボンディングは既に終了しているため、半導体ペ
レット（Ｄ）がアイランド（Ｂ）上で位置ズレを起さな
ければ、特に問題が生じることはない。
により半導体ペレット（Ｄ）がマウントされた銅ベアリ
ードフレーム（Ａ、 ）が第１ヒータブロツク（１０）
上をピッチ送りされ、従来と同様の方法により、半導体
ペレット（Ｄ）のアルミ電極とリード（Ｅ）、！：が金
ワイヤ（Ｆ）によって電気的に接続された後、この超音
波ボンディングを終えた銅ベアリードフレーム（Ａ）が
、第１図（Ｂ）に示す如く、第２のヒー・タブロック（
１３）上に搬送されて来ると、銅ベアリードフレーム（
Ａ）のリード（Ｅ）は、第２のヒータブロック（１３）
によって３００℃〜４００℃に再加熱される。すると、
リード（Ｅ）と金ワイヤ（Ｆ）との接着部は、この高温
によって、前工程の超音波ボンディングだけでは不完全
であった両者間の合金生成が急速に進み、両者間の接着
強度が増し、引張り強度試験にも十分に合格するだけの
十分の強度となる。測定によれば、ボンディング後に４
００℃、１５秒の再加熱で上記リード（Ｅ）の接着部以
外の部分で剥れることが確認された。このようにして、
再加熱が終了した銅ベアリードフレーム（Ａ）は冷却さ
れた後、次ユニ程へと殻送されて行く、尚、上記再加熱
中に、銅ベアリードフレーム（Ａ）のアイランド（Ｂ）
側に熱が伝わり、半導体ペレット（Ｄ）をアイランド（
Ｂ）上にマウントしている半田（Ｃ）が−時的に溶融し
ても１．、半導体ペレット（Ｄ）への金ワイヤ（Ｆ）の
超音波ボンディングは既に終了しているため、半導体ペ
レット（Ｄ）がアイランド（Ｂ）上で位置ズレを起さな
ければ、特に問題が生じることはない。
又上記実施例は、第１のヒータブロック（ｌＯ）の下流
側に第２のヒータブロック （１３）を配置することに
より、銅ベアリードフレーム（Ａ）を再加熱する例につ
いて説明したが、銅ベアリードフレーム（Ａ）の再加熱
方法としては、第１のヒータブロック（１０〉から撤出
される超音波ボンディングを終えた銅ベアリードフレー
ム（Ａ）を所定数マガジン内に収納しておき、このマガ
ジンを再加熱用の加熱炉内に収納し、再加熱を行っても
よい。
側に第２のヒータブロック （１３）を配置することに
より、銅ベアリードフレーム（Ａ）を再加熱する例につ
いて説明したが、銅ベアリードフレーム（Ａ）の再加熱
方法としては、第１のヒータブロック（１０〉から撤出
される超音波ボンディングを終えた銅ベアリードフレー
ム（Ａ）を所定数マガジン内に収納しておき、このマガ
ジンを再加熱用の加熱炉内に収納し、再加熱を行っても
よい。
上記した如（、本発明に係るボンディング方法は、リー
ドフレームのリードと半導体ペレットの１！極とを超音
波ボンディング装置を用いて金ワＡヤによって電気的に
接続した後、この金ワイヤとリードとの接着部を、両者
間の合金生成が急速に進む湿炭で再加熱するようにした
から、銀メツキを施こしでいない銅製のリードフレーム
のリードに金ワイヤを確実に接着させることが可能さな
り、この種のリードフレームへの、作業工数のかかるメ
ツキ処理を省略することが可能となる。従って、パワー
トランジスタ等の銅製のリードフレームを用いた半導体
装置製造時の製造工程を簡略化できると同時に、この種
の半導体装置のコストダウンを計れる。
ドフレームのリードと半導体ペレットの１！極とを超音
波ボンディング装置を用いて金ワＡヤによって電気的に
接続した後、この金ワイヤとリードとの接着部を、両者
間の合金生成が急速に進む湿炭で再加熱するようにした
から、銀メツキを施こしでいない銅製のリードフレーム
のリードに金ワイヤを確実に接着させることが可能さな
り、この種のリードフレームへの、作業工数のかかるメ
ツキ処理を省略することが可能となる。従って、パワー
トランジスタ等の銅製のリードフレームを用いた半導体
装置製造時の製造工程を簡略化できると同時に、この種
の半導体装置のコストダウンを計れる。
第１図（Ａ、）は、本発明を実施する場合のヒータブロ
ックの配置例を示す平面図、第１図（Ｂ）は、第１図（
Ａ）に示したヒータブロック上に銅ベアリードフレーム
を供給した状態を示す平面図、第２図はリードフレーム
の一例を示す平面図、第３図は従来のボンディング方法
を説明するための平面図、％４Ｉ！Ｉは拡大断面図であ
る。 （ＡＩ−−リードフレーム、 （Ｂ）・−・アイランド、 （Ｃ）−・−半田、（
Ｄ）・・−半導体ペレット、 （Ｅ）・−・リード、 （Ｆ）−ワイヤ、（１０）
−第１のヒータブロック、 （１３）−・−第２のヒータブロック。 ２３
ックの配置例を示す平面図、第１図（Ｂ）は、第１図（
Ａ）に示したヒータブロック上に銅ベアリードフレーム
を供給した状態を示す平面図、第２図はリードフレーム
の一例を示す平面図、第３図は従来のボンディング方法
を説明するための平面図、％４Ｉ！Ｉは拡大断面図であ
る。 （ＡＩ−−リードフレーム、 （Ｂ）・−・アイランド、 （Ｃ）−・−半田、（
Ｄ）・・−半導体ペレット、 （Ｅ）・−・リード、 （Ｆ）−ワイヤ、（１０）
−第１のヒータブロック、 （１３）−・−第２のヒータブロック。 ２３
Claims (1)
- （１）リードフレームのアイランド上に半田付けされた
半導体ペレットと、リードフレームのリードとを超音波
ボンディングにより電気的に接続するワイヤボンディン
グ方法に於いて、上記リードフレームを上記半田の融点
以下の温度で予熱し、ワイヤボンディング後、リードと
ワイヤとのボンディング部を、上記半田の融点以上の温
度で加熱することを特徴とするワイヤボンディング方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213861A JP2749140B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | ワイヤボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213861A JP2749140B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | ワイヤボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0377340A true JPH0377340A (ja) | 1991-04-02 |
| JP2749140B2 JP2749140B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=16646236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1213861A Expired - Fee Related JP2749140B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | ワイヤボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2749140B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102022001130A1 (de) | 2022-03-25 | 2023-09-28 | Jonas Münz | Sonotrode sowie Vorrichtung und Verfahren zum Ultraschallschweißen von Stahl |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5038467A (ja) * | 1973-08-08 | 1975-04-09 | ||
| JPS63211733A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンデイング装置 |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP1213861A patent/JP2749140B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5038467A (ja) * | 1973-08-08 | 1975-04-09 | ||
| JPS63211733A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンデイング装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2749140B2 (ja) | 1998-05-13 |
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