JPH0377409A - マイクロ波発振回路 - Google Patents

マイクロ波発振回路

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Publication number
JPH0377409A
JPH0377409A JP21373689A JP21373689A JPH0377409A JP H0377409 A JPH0377409 A JP H0377409A JP 21373689 A JP21373689 A JP 21373689A JP 21373689 A JP21373689 A JP 21373689A JP H0377409 A JPH0377409 A JP H0377409A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oscillation circuit
dielectric resonator
dielectric
case
board
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Pending
Application number
JP21373689A
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English (en)
Inventor
Akira Koizumi
暁 小泉
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Fujitsu General Ltd
Original Assignee
Fujitsu General Ltd
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Publication date
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、誘電体共振器を有するマイクロ波発振回路に
関する。
〔従来の技術〕
例えば、衛星放送の受信電波を12GH2帯からIGH
z帯に周波数変換するコンバータ内には、ローカル発振
回路としてマイクロ波発振回路が使用される。この回路
は、第2図に示すように、GaAsのFETIのドレイ
ンDを高周波的に接地したドレイン接地形の発振回路と
し、ゲート端子Gからゲート線路2の線路長がQの位置
に円柱形の誘電体共振器3を装荷しその線路2と電磁結
合させて発振周波数を制御し、その発振出力をソース端
子S側から取り出している。4は出力整合回路、5は帰
還回路である。
この回路における誘電体共振器3の共振周波数foは、
それ自身の外径寸法とそれを囲む函体の高さで決定され
る。第3図において、函体lOの囲み高さをLl、誘電
体共振器3の厚さをLoとすれば、共振周波数foは、
LoとLlとの比で特徴付けられ、L o / L 1
 =一定であれば、t。
は一定である。
一方、従来では第4図に示すように、片面にアースパタ
ーンllaを有し他面に上記線路2等を構成するマイク
ロストリップラインllbを有する誘電体基板11の上
面に、誘電体共振器3を支持台12により支持している
。そして、この発振回路の左右側面ならびに上下面を函
体10で囲っている。誘電体基板11の下面は、アース
パターン面11aが函体lOに接するように取りつけて
いる。なお、上面および左右側面の函体部分は省略した
〔発明が解決しようとする課題〕
従って、前述したように共振周波数foがLO/Llで
決定されることから、その函体10の高さLlを任意に
低くすることはできず、その小型化には限界があった。
本発明は以上のような点に鑑みてなされたものであり、
その目的は小型化を実現したマイクロ波発振回路を提供
することである。
〔課題を解決するための手段〕
このために本の発明は、誘電体共振器を使用したマイク
ロ波発振回路において、上記誘電体共振器を装荷する部
分の基板の下面の函体の一部に凹部を形成して構成した
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について説明する。第1図はその
一実施例を示す図である。第4図におけるものと同一の
ものには同一の符号を付した。
本実施例では、函体10の内の誘電体共振器3を支持す
る部分を削り込んで深さがL2の凹部10aを形成して
いる。そして、この上の基板11の上に支持台12によ
り誘電体共振器3を支持している。
この結果、誘電体基板11の比誘電率をgrとすれば、
その基板11の厚みtが、実質的に(gr)1′2倍と
なり、函体1oの囲み高さをL3として、従来必要とさ
れていた囲み高さLlと比較すると、 L1=L3+L2+tx (e r)””    −(
11にすることができる。つまり、高さL3が、L3=
L、1−L2−tx (gr)””   −(2)とな
り、従来よりも「L2+t× (gr)l/2Jだけ低
くなる。このように、誘電体基板の下の函体10部分を
凹状に切除することにより、Lo/L1を等価的に一定
に保持できるので、foを変化させることなく、函体の
囲み高さをL 1から■。
3に低くすることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、発振回路の函体囲
み高さを低くすることができ、小型化が可能になるとい
う利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の発振回路部分の断面図、第
2図は発振回路の回路パターン図、第3図は誘電体共振
器と函体との関係を示す図、第4図は従来の発振回路の
断面図である。 1・・・GaAs形FET、2・・・ゲート線路、3・
・・誘電体共振器、4・・・出力整合回路、5・・・帰
還回路、10・・・函体、10a・・・凹部、11・・
・誘電体基板、12・・・誘電体共振器支持台。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1).誘電体共振器を使用したマイクロ波発振回路に
    おいて、上記誘電体共振器を装荷する部分の基板の下面
    の函体の一部に凹部を形成したことを特徴とするマイク
    ロ波発振回路。
JP21373689A 1989-08-19 1989-08-19 マイクロ波発振回路 Pending JPH0377409A (ja)

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JPH0377409A true JPH0377409A (ja) 1991-04-03

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10107521A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Nec Corp マイクロ波回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10107521A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Nec Corp マイクロ波回路

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