JPS584321Y2 - 導波管ダイオ−ドマウント - Google Patents
導波管ダイオ−ドマウントInfo
- Publication number
- JPS584321Y2 JPS584321Y2 JP12923378U JP12923378U JPS584321Y2 JP S584321 Y2 JPS584321 Y2 JP S584321Y2 JP 12923378 U JP12923378 U JP 12923378U JP 12923378 U JP12923378 U JP 12923378U JP S584321 Y2 JPS584321 Y2 JP S584321Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- waveguide
- substrate
- cylinder
- mount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Waveguide Connection Structure (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、基板上に搭載したダイオードを導波管と結合
させた導波管ダイオードマウントに関するものである。
させた導波管ダイオードマウントに関するものである。
第１図ａ、ｂは従来の導波管ダイオードマウントで、１
は導波管、２はダイオード、３はダイオード支持棒、４
は高周波阻止回路を有するＩＦ及びＤＣ端子である。
は導波管、２はダイオード、３はダイオード支持棒、４
は高周波阻止回路を有するＩＦ及びＤＣ端子である。
通常３にネジ等が切ってあり、ダイオードの位置を上下
可変する事ができる。
可変する事ができる。
この種のダイオードマウントは、通常マイクロ波帯で使
用されているものであるが、周波数が高くなると共に全
体の寸法が小さくなり、特に、ＩＦ、ＤＣ端子への高周
波漏洩量を充分低くするためには４の中心導体の直径を
ミリ波帯では０．２〜０．３ｍｍ程度にする必要があり
、ダイオードを保持する事が難しくなってくる。
用されているものであるが、周波数が高くなると共に全
体の寸法が小さくなり、特に、ＩＦ、ＤＣ端子への高周
波漏洩量を充分低くするためには４の中心導体の直径を
ミリ波帯では０．２〜０．３ｍｍ程度にする必要があり
、ダイオードを保持する事が難しくなってくる。
第２図ａ、ｌ）も従来の導波管ダイオードマウントで、
５は導波管、６はダイオード、７はダイオードを搭載し
たマイクロストリップ基板である。
５は導波管、６はダイオード、７はダイオードを搭載し
たマイクロストリップ基板である。
このマウントは、中心導体がＩＣパターンで形成されて
いるのでミリ波帯でも充分に使用できるが、ダイオード
が基板に固定され、且つ基板を上下に動かす事が困難な
ので、ダイオードの位置を調整できないという欠点があ
る。
いるのでミリ波帯でも充分に使用できるが、ダイオード
が基板に固定され、且つ基板を上下に動かす事が困難な
ので、ダイオードの位置を調整できないという欠点があ
る。
本考案は、これらの欠点を解決するため、ダイオードを
基板上に搭載し、この基板を保持することによって、ダ
イオードを安定に支持し、且つ接地外導体を基板にほぼ
外接する円筒状にする事によって、基板全体の回転によ
りダイオード位置を上下に可変できるようにしたもので
、以下図面について詳細に説明する。
基板上に搭載し、この基板を保持することによって、ダ
イオードを安定に支持し、且つ接地外導体を基板にほぼ
外接する円筒状にする事によって、基板全体の回転によ
りダイオード位置を上下に可変できるようにしたもので
、以下図面について詳細に説明する。
第３図ａ、ｌ）は本考案の実施例であって８は導波管、
９は片面に高周波阻止回路を有するＩＦ及びＤＣ導体パ
ターンを有する基板、１０は基板上に搭載されたダイオ
−ド、１１は基板を保持する支持棒であり、ネジが切っ
である。
９は片面に高周波阻止回路を有するＩＦ及びＤＣ導体パ
ターンを有する基板、１０は基板上に搭載されたダイオ
−ド、１１は基板を保持する支持棒であり、ネジが切っ
である。
ダイオード１０が基板９に搭載されていて安定に保持さ
れる一方、基板の支持棒１１を回転することによって、
このダイオードの位置を容易に変化できる為、従来の導
波管マウントと比較するとダイオード、高周波阻止回路
共、寸法の小さくなる、ミリ波帯以上の高い周波数帯に
有効に応用することが出来る。
れる一方、基板の支持棒１１を回転することによって、
このダイオードの位置を容易に変化できる為、従来の導
波管マウントと比較するとダイオード、高周波阻止回路
共、寸法の小さくなる、ミリ波帯以上の高い周波数帯に
有効に応用することが出来る。
第４図ａ、ｌ）は本考案の別の実施例であってダイオー
ドの２端子がアースから浮いている場合を示す。
ドの２端子がアースから浮いている場合を示す。
１２は導波管、１３は片面に導体パターンを有する基板
、１４は基板上に搭載されたダイオード、１５は基板の
支持棒である。
、１４は基板上に搭載されたダイオード、１５は基板の
支持棒である。
動作は第３図の場合と同様でダイオードを搭載した基板
を棒１５で支持し、この支持棒を上下に動かす事によっ
てダイオード位置を可変にしたものである。
を棒１５で支持し、この支持棒を上下に動かす事によっ
てダイオード位置を可変にしたものである。
第５，６図ａ、ｌ）も本考案の別の実施例であって１６
．２０は導波管、１７．２１は片面に導体パターンを有
する基板、１８．２２は基板上に搭載されたダイオード
、１９．２０は基板を保持し、且つ外側にネジを切った
金属棒である。
．２０は導波管、１７．２１は片面に導体パターンを有
する基板、１８．２２は基板上に搭載されたダイオード
、１９．２０は基板を保持し、且つ外側にネジを切った
金属棒である。
両図共に、導波管の終端で基板と結合され、第５図の場
合は導波管の広い面と垂直方向に、第６図の場合は水平
方向に基板を動かし、ダイオード位置を可変にしたもの
である。
合は導波管の広い面と垂直方向に、第６図の場合は水平
方向に基板を動かし、ダイオード位置を可変にしたもの
である。
以上説明したように、本考案による導波管ダイオードマ
ウントは高周波阻止回路、ＩＦ、ＤＣ端子等の中心導体
が基板上にＩＣパターンとして形成され、ダイオードが
この基板上に搭載され、且つこの基板にほぼ外接する円
筒が外導体となっているので、回路寸法の大きさによら
ずダイオードを安定に保持出来ると同時に、基板を保持
する支持棒と回転することによりダイオード位置を上下
可変出来る利点があり、特にミリ波帯のように寸法の小
さなダイオードマウントに適用すればきわめて有効であ
る。
ウントは高周波阻止回路、ＩＦ、ＤＣ端子等の中心導体
が基板上にＩＣパターンとして形成され、ダイオードが
この基板上に搭載され、且つこの基板にほぼ外接する円
筒が外導体となっているので、回路寸法の大きさによら
ずダイオードを安定に保持出来ると同時に、基板を保持
する支持棒と回転することによりダイオード位置を上下
可変出来る利点があり、特にミリ波帯のように寸法の小
さなダイオードマウントに適用すればきわめて有効であ
る。
第１図ａおよびｂは従来の導波管ダイオードマウントの
断面図及び平面図、第２図ａおよびｂは従来の導波管ダ
イオードマウントの断面図及び平面図、第３図ａおよび
ｂは本考案の導波管ダイオードマウントの一実施例の断
面図及び平面図、第４図ａおよびｂは本考案の第２の実
施例の断面図及び平面図をそれぞれ示す。 第５，６図ａおよびｂも本考案の第３．第４の実施例の
断面図及び平面図をそれぞれ示す。 なお図において、１．５，８，１２，１６．２０は導波
管、２゜６．１０，１４，１８．２２はダイオード、３
はダイオード支持棒、４は高周波阻止回路、７，９，１
３，１７．２１は基板、１１゜１５．１９．２３は基板
の支持棒である。
断面図及び平面図、第２図ａおよびｂは従来の導波管ダ
イオードマウントの断面図及び平面図、第３図ａおよび
ｂは本考案の導波管ダイオードマウントの一実施例の断
面図及び平面図、第４図ａおよびｂは本考案の第２の実
施例の断面図及び平面図をそれぞれ示す。 第５，６図ａおよびｂも本考案の第３．第４の実施例の
断面図及び平面図をそれぞれ示す。 なお図において、１．５，８，１２，１６．２０は導波
管、２゜６．１０，１４，１８．２２はダイオード、３
はダイオード支持棒、４は高周波阻止回路、７，９，１
３，１７．２１は基板、１１゜１５．１９．２３は基板
の支持棒である。
Claims (1)
- 導波管と円筒とを結合し、前記円筒内部にこれにほぼ内
装し、ネジを切った棒により支持された基板を有し、こ
の基板上にダイオードが搭載され、前記ダイオードに接
続された高周波阻止回路、中間周波、直流用端子等の回
路素子の中心導体を集積回路用パターンで形威し、これ
を対応する外導体が前記円筒により形成されていること
を特徴とする導波管ダイオードマウント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12923378U JPS584321Y2 (ja) | 1978-09-19 | 1978-09-19 | 導波管ダイオ−ドマウント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12923378U JPS584321Y2 (ja) | 1978-09-19 | 1978-09-19 | 導波管ダイオ−ドマウント |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5544679U JPS5544679U (ja) | 1980-03-24 |
| JPS584321Y2 true JPS584321Y2 (ja) | 1983-01-25 |
Family
ID=29093689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12923378U Expired JPS584321Y2 (ja) | 1978-09-19 | 1978-09-19 | 導波管ダイオ−ドマウント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584321Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH018001Y2 (ja) * | 1981-03-06 | 1989-03-02 |
-
1978
- 1978-09-19 JP JP12923378U patent/JPS584321Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5544679U (ja) | 1980-03-24 |
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