JPH0377569B2 - - Google Patents
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- JPH0377569B2 JPH0377569B2 JP30285286A JP30285286A JPH0377569B2 JP H0377569 B2 JPH0377569 B2 JP H0377569B2 JP 30285286 A JP30285286 A JP 30285286A JP 30285286 A JP30285286 A JP 30285286A JP H0377569 B2 JPH0377569 B2 JP H0377569B2
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- Japan
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- film
- main pole
- thin film
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- ferrite
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- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、垂直磁気記録用ヘツドの製造方法に
関する。
関する。
垂直磁気記録用ヘツドとしての主磁極膜の特性
は、おもにガラス基板ならびに結晶化ガラス基板
上で測定されている。しかし実際にヘツドとして
使用する場合には、ヘツド構造に合わせた基板上
に主磁極膜を形成する必要がある。現在考えられ
ている基板としてはフエライトとセラミツクの複
合物があげられる。そのヘツドの構造ならびに作
成工程について詳しく説明する。
は、おもにガラス基板ならびに結晶化ガラス基板
上で測定されている。しかし実際にヘツドとして
使用する場合には、ヘツド構造に合わせた基板上
に主磁極膜を形成する必要がある。現在考えられ
ている基板としてはフエライトとセラミツクの複
合物があげられる。そのヘツドの構造ならびに作
成工程について詳しく説明する。
垂直記録方式によるヘツドの構造を第１図およ
び第２図に示す。主磁極膜１はCo−Zr−Nbの薄
膜よりなる。この主磁極膜１は、非磁性材である
セラミツク２と磁性材であるフエライト３上にス
パツタ、蒸着、イオンプレーテイング等で形成さ
れ、もう一方のセラミツク２′およびフエライト
３′に接着されて保持されている。ここでセラミ
ツク２，２′はスライダー部として媒体に接触す
るためにＲ研磨もしくは球面研磨が施こされてい
る。またフエライト３，３′には巻線溝部４，
４′が形成されている。これらの巻線溝部４，
４′にはさまれている部分７，７′が補助磁極とし
てはたらき、またその外側の部分８，８′がリタ
ーンパス部としてはたらくことになる。
び第２図に示す。主磁極膜１はCo−Zr−Nbの薄
膜よりなる。この主磁極膜１は、非磁性材である
セラミツク２と磁性材であるフエライト３上にス
パツタ、蒸着、イオンプレーテイング等で形成さ
れ、もう一方のセラミツク２′およびフエライト
３′に接着されて保持されている。ここでセラミ
ツク２，２′はスライダー部として媒体に接触す
るためにＲ研磨もしくは球面研磨が施こされてい
る。またフエライト３，３′には巻線溝部４，
４′が形成されている。これらの巻線溝部４，
４′にはさまれている部分７，７′が補助磁極とし
てはたらき、またその外側の部分８，８′がリタ
ーンパス部としてはたらくことになる。
次にこのヘツドの作成工程について詳細に説明
する。第３図において、所望の大きさのセラミツ
ク２の片面（下面）を鏡面研磨する。一方、所望
の大きさのフエライト３には巻線溝部４の加工を
施こしかつ片面（上面）を鏡面研磨する。次に第
４図に示すように、セラミツク２とフエライト３
とを、ガラスあるいは結晶化ガラスもしくは樹脂
等の接着層９を介して接着する。次工程として、
第５図に示すように主磁極膜を形成する面１０の
鏡面研磨を行う。すなわち面１０は、セラミツク
２、フエライト３、接着層９の複合物（基板）１
４の面である。次に第６図に示すように、主磁極
膜１となるCo−Zr−Nbの薄膜をスパツタもしく
は蒸着イオンプレーテイング等で所望の薄膜に形
成する。さらに第７図を参照して、主磁極膜１が
所望の形状トラツク寸法になるように、フオトエ
ツチングを利用しマスクパタンを形成し主磁極膜
１を塩酸等の強酸でエツチングを行う。次に第８
図を参照して、主磁極膜が形成されていない複合
物（基板）１４′と主磁極膜がが形成された複合
物１４とを樹脂ましくはガラス等で接着する。
する。第３図において、所望の大きさのセラミツ
ク２の片面（下面）を鏡面研磨する。一方、所望
の大きさのフエライト３には巻線溝部４の加工を
施こしかつ片面（上面）を鏡面研磨する。次に第
４図に示すように、セラミツク２とフエライト３
とを、ガラスあるいは結晶化ガラスもしくは樹脂
等の接着層９を介して接着する。次工程として、
第５図に示すように主磁極膜を形成する面１０の
鏡面研磨を行う。すなわち面１０は、セラミツク
２、フエライト３、接着層９の複合物（基板）１
４の面である。次に第６図に示すように、主磁極
膜１となるCo−Zr−Nbの薄膜をスパツタもしく
は蒸着イオンプレーテイング等で所望の薄膜に形
成する。さらに第７図を参照して、主磁極膜１が
所望の形状トラツク寸法になるように、フオトエ
ツチングを利用しマスクパタンを形成し主磁極膜
１を塩酸等の強酸でエツチングを行う。次に第８
図を参照して、主磁極膜が形成されていない複合
物（基板）１４′と主磁極膜がが形成された複合
物１４とを樹脂ましくはガラス等で接着する。
次にセラミツク２，２′をＲ研磨もしくは球面
研磨を行い、第９図の破線１１に沿つて切断する
ことにより、ヘツドコアチツプとする。尚、Ｒ研
磨もしくは球面研磨は、コアチツプの段階でな
く、両側をスライダーではさみ込んでから、すな
わちヘツド形状にしてからも可能である。
研磨を行い、第９図の破線１１に沿つて切断する
ことにより、ヘツドコアチツプとする。尚、Ｒ研
磨もしくは球面研磨は、コアチツプの段階でな
く、両側をスライダーではさみ込んでから、すな
わちヘツド形状にしてからも可能である。
上記の工程を経て垂直ヘツドを作成する。その
場合、第７図に示した主磁極膜１のパターニング
はフエライト、セラミツク、接着層の複合物１４
に行なわれるということに起因して次の問題が発
生している。
場合、第７図に示した主磁極膜１のパターニング
はフエライト、セラミツク、接着層の複合物１４
に行なわれるということに起因して次の問題が発
生している。
フエライトの腐食、すなわちフエライトの鏡
面部のエツチングが発生する。
面部のエツチングが発生する。
Co−Zr−Nb薄膜のエツチング速度がフエラ
イト上とセラミツク上とで違うため、フエライ
ト部分のエツチング速度に合わせたエツチング
を行うとセラミツク部分にCo−Zr−Nb薄膜の
エツチ残が発生し、またセラミツク部分のエツ
チング速度に合わせたエツチングを行うとフエ
ライト部分のCo−Zr−Nb薄膜がアンダーカツ
ト（サイドエツチング）され、主磁極膜１のパ
ターンが細くなつてしまうという問題点が発生
した。
イト上とセラミツク上とで違うため、フエライ
ト部分のエツチング速度に合わせたエツチング
を行うとセラミツク部分にCo−Zr−Nb薄膜の
エツチ残が発生し、またセラミツク部分のエツ
チング速度に合わせたエツチングを行うとフエ
ライト部分のCo−Zr−Nb薄膜がアンダーカツ
ト（サイドエツチング）され、主磁極膜１のパ
ターンが細くなつてしまうという問題点が発生
した。
このように、垂直磁気ヘツドでは主磁極膜
（Co−Zr−Nb薄膜）の特性が非常に重要になる。
とりわけ主磁極の形状やトラツク巾の寸法等がミ
クロンオーダーでの制御を必要とするのに対し、
フオトレジストのマスクパターンを上記ミクロン
オーダーで制御したとしても、次工程、すなわ
ち、主磁極膜（Co−Zr−Nb薄膜）のエツチング
において、複合物上の主磁極膜（Co−Zr−Nb薄
膜）のエツチング速度が部分的に違うことから、
パターンの細りあるいはエツチ残等が生じるた
め、所望の形状ならびに所望のパタン巾が得られ
ないという問題点がある。また補強磁極となるフ
エライト部分が塩酸等の強酸でエツチングされて
しまうため信頼性の上でも問題がある。
（Co−Zr−Nb薄膜）の特性が非常に重要になる。
とりわけ主磁極の形状やトラツク巾の寸法等がミ
クロンオーダーでの制御を必要とするのに対し、
フオトレジストのマスクパターンを上記ミクロン
オーダーで制御したとしても、次工程、すなわ
ち、主磁極膜（Co−Zr−Nb薄膜）のエツチング
において、複合物上の主磁極膜（Co−Zr−Nb薄
膜）のエツチング速度が部分的に違うことから、
パターンの細りあるいはエツチ残等が生じるた
め、所望の形状ならびに所望のパタン巾が得られ
ないという問題点がある。また補強磁極となるフ
エライト部分が塩酸等の強酸でエツチングされて
しまうため信頼性の上でも問題がある。
それ故に本発明の技術的課題は、主磁極膜を所
望の形状トラツク巾に形成できる磁気ヘツドの製
造方法を提供することにある。
望の形状トラツク巾に形成できる磁気ヘツドの製
造方法を提供することにある。
本発明によれば、２以上の異なる材質からなる
基板とCo−Zr−Nbの薄膜よりなる主磁極膜とを
有する垂直磁気記録用ヘツドの製造方法におい
て、上記基板上に耐酸性にすぐれた非磁性薄膜を
形成し、その上にCo−Zr−Nbの薄膜を形成し、
酸性の薬品で所用に形状にエツチングして上記主
磁極膜を形成することを特徴とする垂直磁気ヘツ
ドの製造方法が得られる。
基板とCo−Zr−Nbの薄膜よりなる主磁極膜とを
有する垂直磁気記録用ヘツドの製造方法におい
て、上記基板上に耐酸性にすぐれた非磁性薄膜を
形成し、その上にCo−Zr−Nbの薄膜を形成し、
酸性の薬品で所用に形状にエツチングして上記主
磁極膜を形成することを特徴とする垂直磁気ヘツ
ドの製造方法が得られる。
これによると、複合物基板でありながら、見か
け上単一基板上でエツチングが行なわれることに
なるため、エツチング速度に違いは見られなく、
またこの耐酸性にすぐれた非磁性層がエツチング
時に保護膜となり、補助磁極となるフエライトの
エツチングをおさえることになる。
け上単一基板上でエツチングが行なわれることに
なるため、エツチング速度に違いは見られなく、
またこの耐酸性にすぐれた非磁性層がエツチング
時に保護膜となり、補助磁極となるフエライトの
エツチングをおさえることになる。
本発明による実施例を下記に示す。第５図に示
す複合物１４を得るまでの工程は従来と同様であ
る。さらにこの複合物１４の研磨した面１０に、
第１０図に示す如くSiO2等の耐酸性に優れた非
磁性材薄膜１３をスパツタで形成し、その上に第
１１図に示す如くCo−Zr−Nb薄膜よりなる主磁
極膜１を0.3μｍでスパツタを用い形成する。さら
に第１２図に示すようにフオトレジスト膜１２を
全面に塗布する。その次にフオトレジストで、第
１３図に示すように所望の形状（ここでは複合物
すべてにかかる棒状）、トラツク幅（ここでは０、
１mm）に形成する。その後、HCl：H2O2：H2O
＝１：１：８の割合いで調合したエツチング液中
に浸漬して、Co−Zr−Nbの薄膜をエツチングす
る。このとき非磁性材薄膜１３としてSiO2を用
いた場合にはSiO2の膜厚0.05μｍではややSiO2膜
がエツチングで損われ、保護膜の効果がなく0.1μ
ｍ以上で、効果的であり、第１４図に示すよう
に、フエライトの腐食なしに複合物全面にわたり
均一な形状ならびに均一なトラツク幅を得ること
ができた。なお、SiO2膜が0.3μｍを越えると、非
磁性膜厚が主磁極形成膜に比較して厚くなりすぎ
正確なトラツク形成はできるものの他の磁気特性
上望ましくない。よつて耐酸性膜は0.1〜0.3μｍ
が望ましい。
す複合物１４を得るまでの工程は従来と同様であ
る。さらにこの複合物１４の研磨した面１０に、
第１０図に示す如くSiO2等の耐酸性に優れた非
磁性材薄膜１３をスパツタで形成し、その上に第
１１図に示す如くCo−Zr−Nb薄膜よりなる主磁
極膜１を0.3μｍでスパツタを用い形成する。さら
に第１２図に示すようにフオトレジスト膜１２を
全面に塗布する。その次にフオトレジストで、第
１３図に示すように所望の形状（ここでは複合物
すべてにかかる棒状）、トラツク幅（ここでは０、
１mm）に形成する。その後、HCl：H2O2：H2O
＝１：１：８の割合いで調合したエツチング液中
に浸漬して、Co−Zr−Nbの薄膜をエツチングす
る。このとき非磁性材薄膜１３としてSiO2を用
いた場合にはSiO2の膜厚0.05μｍではややSiO2膜
がエツチングで損われ、保護膜の効果がなく0.1μ
ｍ以上で、効果的であり、第１４図に示すよう
に、フエライトの腐食なしに複合物全面にわたり
均一な形状ならびに均一なトラツク幅を得ること
ができた。なお、SiO2膜が0.3μｍを越えると、非
磁性膜厚が主磁極形成膜に比較して厚くなりすぎ
正確なトラツク形成はできるものの他の磁気特性
上望ましくない。よつて耐酸性膜は0.1〜0.3μｍ
が望ましい。
以上説明したように、本発明によれば主磁極膜
が所望の寸法にしかもフエライトをエツチングす
ることなく形成された垂直磁気ヘツドの製造方法
を提供できる。
が所望の寸法にしかもフエライトをエツチングす
ることなく形成された垂直磁気ヘツドの製造方法
を提供できる。
第１図は垂直磁気ヘツドコアの斜視図、第２図
は第１図のＡ部拡大平面図、第３図〜第９図まで
は従来の垂直磁気ヘツドの製造工程を示す各々斜
視図、第１０図〜第１４図は本発明による垂直磁
気ヘツドの製造工程の要部を示す各々斜視図であ
る。 １：主磁極膜、２，２′：セラミツク、３，
３′：フエライト、４，４′：巻線溝部、１２：フ
オトレジスト膜、１３：非磁性材薄膜。
は第１図のＡ部拡大平面図、第３図〜第９図まで
は従来の垂直磁気ヘツドの製造工程を示す各々斜
視図、第１０図〜第１４図は本発明による垂直磁
気ヘツドの製造工程の要部を示す各々斜視図であ
る。 １：主磁極膜、２，２′：セラミツク、３，
３′：フエライト、４，４′：巻線溝部、１２：フ
オトレジスト膜、１３：非磁性材薄膜。
Claims (1)
- １ ２以上の異なる材質からなる基板とCo−Zr
−Nbの薄膜よりなる主磁極膜とを有する垂直磁
気記録用ヘツドの製造方法において、上記基板上
に耐酸性にすぐれた非磁性薄膜を形成し、その上
にCo−Zr−Nbの薄膜を形成し、酸性の薬品で所
用の形状にエツチングして上記主磁極膜を形成す
ることを特徴とする垂直磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30285286A JPS63157309A (ja) | 1986-12-20 | 1986-12-20 | 垂直磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30285286A JPS63157309A (ja) | 1986-12-20 | 1986-12-20 | 垂直磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63157309A JPS63157309A (ja) | 1988-06-30 |
| JPH0377569B2 true JPH0377569B2 (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=17913872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30285286A Granted JPS63157309A (ja) | 1986-12-20 | 1986-12-20 | 垂直磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63157309A (ja) |
-
1986
- 1986-12-20 JP JP30285286A patent/JPS63157309A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63157309A (ja) | 1988-06-30 |
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