JPH0514322B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0514322B2 JPH0514322B2 JP58119236A JP11923683A JPH0514322B2 JP H0514322 B2 JPH0514322 B2 JP H0514322B2 JP 58119236 A JP58119236 A JP 58119236A JP 11923683 A JP11923683 A JP 11923683A JP H0514322 B2 JPH0514322 B2 JP H0514322B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- gap
- predetermined pattern
- film
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は薄膜磁気ヘツドの製造方法に係り、特
に薄膜磁気ヘツドの磁極先端部を高精度に形成
し、該磁気ヘツドの磁気記録・再生の効率を向上
させる方法に関するものである。
に薄膜磁気ヘツドの磁極先端部を高精度に形成
し、該磁気ヘツドの磁気記録・再生の効率を向上
させる方法に関するものである。
(b) 従来の背景
磁気デイスクに対する磁気ヘツドの高記録密度
化、高効率化の為に、その形状寸法は益々小型
化、高精度化の傾向にあり、これに加えて量産
性、低価格な磁気ヘツドが要望されている。この
ような条件を満たす磁気ヘツドとして、記録に寄
与する磁極先端の磁気ギヤツプ構成部分でのヘツ
ド磁界分布が急峻で高密度な記録ができ、かつ一
括生産によつて低価格化と特性の均一が図れる小
型な薄膜磁気ヘツドが実用化されつつあり、種々
のタイプのものが提案されている。
化、高効率化の為に、その形状寸法は益々小型
化、高精度化の傾向にあり、これに加えて量産
性、低価格な磁気ヘツドが要望されている。この
ような条件を満たす磁気ヘツドとして、記録に寄
与する磁極先端の磁気ギヤツプ構成部分でのヘツ
ド磁界分布が急峻で高密度な記録ができ、かつ一
括生産によつて低価格化と特性の均一が図れる小
型な薄膜磁気ヘツドが実用化されつつあり、種々
のタイプのものが提案されている。
(c) 従来技術と問題点
ところで上記した薄膜磁気ヘツドは、従来例え
ば第１図に示すようにガラスやセラミツク等から
成る非磁性基板１上にパーマロイ（Ni−Fi合金）
から成る下部磁性層２及び二酸化珪素（SiO2）
等のギヤツプ層３とをスパツタリング法などの薄
膜形成方法及びフオトリソ技法等によつて所定パ
ターンに形成する。次いで第２図に示すように該
ギヤツプ層３上に、キユアされた樹脂膜、即ち、
熱硬化性樹脂膜から成る絶縁層４を介してCu等
の導体をスパツタリング法等により被着した後、
フオトリソ技法によつてコイル導体層５を形成す
る。次ぎに該コイル導体層５を含む前記絶縁層４
上に、該絶縁層４と同材質の絶縁層６を被着形成
し、更に前記絶縁層４，６を同時に図示のように
所定パターン形状にパターニングする。その後こ
のように構成された基板１上にパーマロイ（Ni
−Fe合金）から成る上部磁性層７をスパツタリ
ング法等により被着した後、フオトリソ技法によ
つて所定パターンに形成して、第３図の上面図及
び第３図に示す−′切断線に沿つた第４図の
断面図に示すように、下部磁性層２と上部磁性層
７からなる磁極がコイル導体層５及びギヤツプ層
３を挟む形にＵ字形に形成している。
ば第１図に示すようにガラスやセラミツク等から
成る非磁性基板１上にパーマロイ（Ni−Fi合金）
から成る下部磁性層２及び二酸化珪素（SiO2）
等のギヤツプ層３とをスパツタリング法などの薄
膜形成方法及びフオトリソ技法等によつて所定パ
ターンに形成する。次いで第２図に示すように該
ギヤツプ層３上に、キユアされた樹脂膜、即ち、
熱硬化性樹脂膜から成る絶縁層４を介してCu等
の導体をスパツタリング法等により被着した後、
フオトリソ技法によつてコイル導体層５を形成す
る。次ぎに該コイル導体層５を含む前記絶縁層４
上に、該絶縁層４と同材質の絶縁層６を被着形成
し、更に前記絶縁層４，６を同時に図示のように
所定パターン形状にパターニングする。その後こ
のように構成された基板１上にパーマロイ（Ni
−Fe合金）から成る上部磁性層７をスパツタリ
ング法等により被着した後、フオトリソ技法によ
つて所定パターンに形成して、第３図の上面図及
び第３図に示す−′切断線に沿つた第４図の
断面図に示すように、下部磁性層２と上部磁性層
７からなる磁極がコイル導体層５及びギヤツプ層
３を挟む形にＵ字形に形成している。
又一方、かかる上部及び下部磁性層２，７の磁
性先端部分の所定膜厚に対して、該両磁性層２，
７の他の部分の膜厚を厚く形成して、前記磁極先
端部に磁束を集中し易くし、磁気記録・再生効率
を向上するために、例えば第５図に示すようにガ
ラス等から成る非磁性基板１上に、パーマロイ
（Ni−Fe合金）から成る下部磁性層２を、磁極先
端部となる部分の膜厚に対してコイル導体層５形
成部分の膜厚が厚くなるように第一の下部磁性層
２ａと第二の下部磁性層２ｂを図示のようにずら
して所定パターン形状に形成し、その上面に二酸
化珪素（SiO2）等のギヤツプ層３を被着形成す
る。次いで第６図に示すように前記ギヤツプ層３
の所定領域面上にキユアされた樹脂膜から成る絶
縁層４を介してCu等の導体をスパツタリング法
等により被着した後、フオトリソ技法によつてコ
イル導体層５を形成する。次ぎに該コイル導体層
５を含む前記絶縁層４上に、該絶縁層４と同材質
の絶縁層６を被着形成し、更に前記絶縁層４，６
を同時に所定パターン形状にパターニングする。
しかる後、第７図に示すように磁極先端部となる
部分を除くギヤツプ層３、前記絶縁層６及び第二
の下部磁性層２ｂの各部分上にパーマロイ（Ni
−Fe合金）から成る第一の上部磁性層７ａを被
着形成し、更に前記磁極先端部となる部分のギヤ
ツプ層３上をも含む第一の上部磁性層７ａの上面
に同じくパーマロイ（Ni−Fe合金）から成る第
二の上部磁性層７ｂを被着した後、フオトリソ技
法によつて所定パターンに形成して目的とする薄
膜磁気ヘツドを得るようにしている。
性先端部分の所定膜厚に対して、該両磁性層２，
７の他の部分の膜厚を厚く形成して、前記磁極先
端部に磁束を集中し易くし、磁気記録・再生効率
を向上するために、例えば第５図に示すようにガ
ラス等から成る非磁性基板１上に、パーマロイ
（Ni−Fe合金）から成る下部磁性層２を、磁極先
端部となる部分の膜厚に対してコイル導体層５形
成部分の膜厚が厚くなるように第一の下部磁性層
２ａと第二の下部磁性層２ｂを図示のようにずら
して所定パターン形状に形成し、その上面に二酸
化珪素（SiO2）等のギヤツプ層３を被着形成す
る。次いで第６図に示すように前記ギヤツプ層３
の所定領域面上にキユアされた樹脂膜から成る絶
縁層４を介してCu等の導体をスパツタリング法
等により被着した後、フオトリソ技法によつてコ
イル導体層５を形成する。次ぎに該コイル導体層
５を含む前記絶縁層４上に、該絶縁層４と同材質
の絶縁層６を被着形成し、更に前記絶縁層４，６
を同時に所定パターン形状にパターニングする。
しかる後、第７図に示すように磁極先端部となる
部分を除くギヤツプ層３、前記絶縁層６及び第二
の下部磁性層２ｂの各部分上にパーマロイ（Ni
−Fe合金）から成る第一の上部磁性層７ａを被
着形成し、更に前記磁極先端部となる部分のギヤ
ツプ層３上をも含む第一の上部磁性層７ａの上面
に同じくパーマロイ（Ni−Fe合金）から成る第
二の上部磁性層７ｂを被着した後、フオトリソ技
法によつて所定パターンに形成して目的とする薄
膜磁気ヘツドを得るようにしている。
ところがこのような形成方法によつて形成され
た上記磁気ヘツドにあつては、下部磁性層２と上
部磁性層７からなるＵ字形磁極の先端部の磁気ギ
ヤツプ構成部分における特に上部磁性層７の膜
厚、パターン幅形成精度が、コイル導体層５構成
部との高段差下での被着形成に起因して著しく低
下し、本来では±1μｍ以下の形成精度が要求さ
れているにも拘わらず、約±2μｍ程度の形成精
度しか得られないといつた欠点があつた。
た上記磁気ヘツドにあつては、下部磁性層２と上
部磁性層７からなるＵ字形磁極の先端部の磁気ギ
ヤツプ構成部分における特に上部磁性層７の膜
厚、パターン幅形成精度が、コイル導体層５構成
部との高段差下での被着形成に起因して著しく低
下し、本来では±1μｍ以下の形成精度が要求さ
れているにも拘わらず、約±2μｍ程度の形成精
度しか得られないといつた欠点があつた。
(d) 発明の目的
本発明は上記従来の欠点を除去する為、Ｕ字形
磁極を構成する上部磁性層を磁極先端部となる部
分とその他の部分とに別けて個別に被着形成する
ようにして、上部磁性層の磁極先端部となる部分
の膜厚、及びパターン幅を薄膜コイル構成部との
高段差に影響されることなく、高精度に形成する
ことができる新規な薄膜磁気ヘツドの製造方法を
提供することを目的とするるものである。
磁極を構成する上部磁性層を磁極先端部となる部
分とその他の部分とに別けて個別に被着形成する
ようにして、上部磁性層の磁極先端部となる部分
の膜厚、及びパターン幅を薄膜コイル構成部との
高段差に影響されることなく、高精度に形成する
ことができる新規な薄膜磁気ヘツドの製造方法を
提供することを目的とするるものである。
(e) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、基板上に下
部磁性層とギヤツプ層とを所定パターンに順次被
着形成した後、該ギヤツプ層上の磁気ギヤツプ部
構成予定領域に第一の上部磁性層を所定パターン
に被着形成する工程と、前記ギヤツプ層上の他の
領域に絶縁層を介してコイル導体層、絶縁層を順
に積層形成する工程と、前記第一の上部磁性層上
の一部を含む絶縁層上に第二の上部磁性層を被着
してから所定パターン形状にパターニングする工
程とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘツドの
製造方法を提供することによつて達成される。
部磁性層とギヤツプ層とを所定パターンに順次被
着形成した後、該ギヤツプ層上の磁気ギヤツプ部
構成予定領域に第一の上部磁性層を所定パターン
に被着形成する工程と、前記ギヤツプ層上の他の
領域に絶縁層を介してコイル導体層、絶縁層を順
に積層形成する工程と、前記第一の上部磁性層上
の一部を含む絶縁層上に第二の上部磁性層を被着
してから所定パターン形状にパターニングする工
程とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘツドの
製造方法を提供することによつて達成される。
(f) 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
第８図及び第９図は本発明に拘る薄膜磁気ヘツ
ドの製造方法の一実施例を工程順に説明する要部
断面図である。
ドの製造方法の一実施例を工程順に説明する要部
断面図である。
まず第８図に示すように、例えばガラス、セラ
ミツク、或いはアルミナ・チタン・カーバイト
（Al2O3・Ti・Ｃ）等から成るスライダを兼ねる
非磁性基板１１上に、従来と同様の工程によつて
パーマロイ（Ni−Fe）から成る下部磁性層１２、
及び二酸化珪素（SiO2）等のギヤツプ層１３と
をメツキ法、或いはスパツタリング法及びフオト
リソ技法等によつて所定パターンに形成する。次
いで前記ギヤツプ層１３上にコイル導体層を形成
する前に、そのギヤツプ層１３上のギヤツプ部構
造予定領域にパーマロイ（Ni−Fe）等から成る
第一の上部磁性層１４ａを所定の厚さに所定のパ
ターンに被着し、かつ所定パターン形状にパター
ニングすることにより、その周囲に段差を有する
膜が存在しないため前記第１の上部磁性層１４ａ
のパターン精度が向上する。次いで前記ギヤツプ
層１３上の他の領域にキユアされた樹脂膜、即
ち、熱硬化性樹脂膜から成る絶縁層１５を介して
Cu等の導体からなるコイル導体層１６、前記絶
縁層１５と同材質の絶縁層１７を順に積層形成す
る。更に前記絶縁層１５，１７を同時に図示のよ
うに所定パターン形状にパターニングする。その
後このように構成された基板１１上の、前記第一
の上部磁性層１４ａ上の一部を含む絶縁層１７上
に、第９図に示すようにパーマロイ（Ni−Fe合
金）から成る第二の上部磁性膜１４ｂをスパツタ
リング法等により被着した後、フオトリソ技法等
によつて所定パターン形状にパターニングするこ
とによつて、前記第１の上部磁性層１４ａと絶縁
層１７が被覆されたコイル導体層１６との上面は
段差の小さい面となつているため、該第１の上部
磁性層１４ａ上の一部より絶縁層１７が被覆され
たコイル導体層１６上に配設される第二の上部磁
性層１４ｂの膜厚が均一化すると共に、そのパタ
ーン幅の形成精度が前記段差に影響されることな
く高精度に形成することできる。
ミツク、或いはアルミナ・チタン・カーバイト
（Al2O3・Ti・Ｃ）等から成るスライダを兼ねる
非磁性基板１１上に、従来と同様の工程によつて
パーマロイ（Ni−Fe）から成る下部磁性層１２、
及び二酸化珪素（SiO2）等のギヤツプ層１３と
をメツキ法、或いはスパツタリング法及びフオト
リソ技法等によつて所定パターンに形成する。次
いで前記ギヤツプ層１３上にコイル導体層を形成
する前に、そのギヤツプ層１３上のギヤツプ部構
造予定領域にパーマロイ（Ni−Fe）等から成る
第一の上部磁性層１４ａを所定の厚さに所定のパ
ターンに被着し、かつ所定パターン形状にパター
ニングすることにより、その周囲に段差を有する
膜が存在しないため前記第１の上部磁性層１４ａ
のパターン精度が向上する。次いで前記ギヤツプ
層１３上の他の領域にキユアされた樹脂膜、即
ち、熱硬化性樹脂膜から成る絶縁層１５を介して
Cu等の導体からなるコイル導体層１６、前記絶
縁層１５と同材質の絶縁層１７を順に積層形成す
る。更に前記絶縁層１５，１７を同時に図示のよ
うに所定パターン形状にパターニングする。その
後このように構成された基板１１上の、前記第一
の上部磁性層１４ａ上の一部を含む絶縁層１７上
に、第９図に示すようにパーマロイ（Ni−Fe合
金）から成る第二の上部磁性膜１４ｂをスパツタ
リング法等により被着した後、フオトリソ技法等
によつて所定パターン形状にパターニングするこ
とによつて、前記第１の上部磁性層１４ａと絶縁
層１７が被覆されたコイル導体層１６との上面は
段差の小さい面となつているため、該第１の上部
磁性層１４ａ上の一部より絶縁層１７が被覆され
たコイル導体層１６上に配設される第二の上部磁
性層１４ｂの膜厚が均一化すると共に、そのパタ
ーン幅の形成精度が前記段差に影響されることな
く高精度に形成することできる。
このように高精度が要求される上部磁性層１４
の磁極先端部となる部分、即ち前記第一の上部磁
性層１４ａを第二の上部磁性層１４ｂの被着形成
に先立つて別個に形成することにより、従来の如
きコイル導体層１６構成部との高段差に影響され
ることなく、上部磁性層１４の磁極先端部の膜
厚、及びパターン幅等を±1μｍ以下の高精度に
形成することが可能になり、磁気記録・再生効率
の良い薄膜磁気ヘツドを得ることができる。
の磁極先端部となる部分、即ち前記第一の上部磁
性層１４ａを第二の上部磁性層１４ｂの被着形成
に先立つて別個に形成することにより、従来の如
きコイル導体層１６構成部との高段差に影響され
ることなく、上部磁性層１４の磁極先端部の膜
厚、及びパターン幅等を±1μｍ以下の高精度に
形成することが可能になり、磁気記録・再生効率
の良い薄膜磁気ヘツドを得ることができる。
さて次ぎに第１０図及び第１１図は本発明の方
法にもとずく他の実施例を工程順に説明する要部
断面図である。本実施例は磁気ヘツドのＵ字形磁
極の先端部を構成する上部及び下部磁性層部分の
所定膜厚Ｔ１に対して、その他の上部及び下部磁
性層部分の膜厚Ｔ２をＴ１＜Ｔ２となるように形
成して磁気記録・再生効率の良い磁気ヘツドを得
る場合での本発明例を示すもので、まず第１０図
に示すように、例えばガラス、セラミツク或いは
アルミナ・チタン・カーバイト（Al2O3・Ti・
Ｃ）等から成るスライダを兼ねる非磁性基板２１
上に、従来と同様の工程によつてパーマロイ
（Ni−Fe合金）から成る下部磁性層２２を、磁極
先端部となる部分の膜厚Ｔ１に対してコイル導体
層２６形成部分の膜厚Ｔ２が厚くなるように第一
の下部磁性層２２ａと第二の下部磁性層２２ｂを
図示のようにずらして所定パターン形状に形成
し、その上面に二酸化珪素（SiO2）等のギヤツ
プ層２３を被着形成する。次いで前記ギヤツプ層
２３上の磁気ギヤツプ部構成予定領域にパーマロ
イ（Ni−Fe）等から成る第一の上部磁性層２４
ａを所定の厚さＴ１に選択的に被着し、かつ所定
パターン形状にパターニングする。次いで前記ギ
ヤツプ層２３上の他の領域に、キユアされた樹脂
膜、即ち、熱硬化性樹脂膜から成る絶縁層２５を
介してCu等の導体からなるコイル導体層２６、
前記絶縁層２５と同材質の絶縁層２７を順に積層
形成する。更に前記絶縁層２５，２７を同時に図
示のように所定パターン形状にパターニングす
る。その後このように構成された基板２１上の前
記第一の上部磁性層２４ａ上の一部を含む絶縁層
２７上に、第１１図に示すようにパーマロイ
（Ni−Fe合金）から成る第二の上部磁性層２４ｂ
を、その膜厚Ｔ２を前記第一の上部磁性層２４ａ
の膜厚Ｔ１よりも厚く被着した後、フオトリソ技
法によつて所定パターン形状に形成すれば、前記
第８図及び第９図による実施例と同様に、上部及
び下部磁性層２４，２２の磁極先端部の膜厚、及
びパターン幅等をコイル導体層２６構成部との高
段差に影響されることなく、±1μｍ以下の高精度
に形成することが可能になり、磁気記録・再生効
率の良い薄膜磁気ヘツドを得ることができる。
法にもとずく他の実施例を工程順に説明する要部
断面図である。本実施例は磁気ヘツドのＵ字形磁
極の先端部を構成する上部及び下部磁性層部分の
所定膜厚Ｔ１に対して、その他の上部及び下部磁
性層部分の膜厚Ｔ２をＴ１＜Ｔ２となるように形
成して磁気記録・再生効率の良い磁気ヘツドを得
る場合での本発明例を示すもので、まず第１０図
に示すように、例えばガラス、セラミツク或いは
アルミナ・チタン・カーバイト（Al2O3・Ti・
Ｃ）等から成るスライダを兼ねる非磁性基板２１
上に、従来と同様の工程によつてパーマロイ
（Ni−Fe合金）から成る下部磁性層２２を、磁極
先端部となる部分の膜厚Ｔ１に対してコイル導体
層２６形成部分の膜厚Ｔ２が厚くなるように第一
の下部磁性層２２ａと第二の下部磁性層２２ｂを
図示のようにずらして所定パターン形状に形成
し、その上面に二酸化珪素（SiO2）等のギヤツ
プ層２３を被着形成する。次いで前記ギヤツプ層
２３上の磁気ギヤツプ部構成予定領域にパーマロ
イ（Ni−Fe）等から成る第一の上部磁性層２４
ａを所定の厚さＴ１に選択的に被着し、かつ所定
パターン形状にパターニングする。次いで前記ギ
ヤツプ層２３上の他の領域に、キユアされた樹脂
膜、即ち、熱硬化性樹脂膜から成る絶縁層２５を
介してCu等の導体からなるコイル導体層２６、
前記絶縁層２５と同材質の絶縁層２７を順に積層
形成する。更に前記絶縁層２５，２７を同時に図
示のように所定パターン形状にパターニングす
る。その後このように構成された基板２１上の前
記第一の上部磁性層２４ａ上の一部を含む絶縁層
２７上に、第１１図に示すようにパーマロイ
（Ni−Fe合金）から成る第二の上部磁性層２４ｂ
を、その膜厚Ｔ２を前記第一の上部磁性層２４ａ
の膜厚Ｔ１よりも厚く被着した後、フオトリソ技
法によつて所定パターン形状に形成すれば、前記
第８図及び第９図による実施例と同様に、上部及
び下部磁性層２４，２２の磁極先端部の膜厚、及
びパターン幅等をコイル導体層２６構成部との高
段差に影響されることなく、±1μｍ以下の高精度
に形成することが可能になり、磁気記録・再生効
率の良い薄膜磁気ヘツドを得ることができる。
(g) 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
薄膜磁気ヘツドの製造方法によれば、上部及び下
部磁性層によつて構成される磁極先端部の膜厚、
及びそのパターン幅がコイル導体層構成部との高
段差に影響されることなく、高精度に形成するこ
とが可能になり、磁気記録・再生効率の良い薄膜
磁気ヘツドを得ることができる。よつてこの種の
薄膜磁気ヘツドの製造方法に適用して極めて有利
であり、実用上優れた効果を奏する。
薄膜磁気ヘツドの製造方法によれば、上部及び下
部磁性層によつて構成される磁極先端部の膜厚、
及びそのパターン幅がコイル導体層構成部との高
段差に影響されることなく、高精度に形成するこ
とが可能になり、磁気記録・再生効率の良い薄膜
磁気ヘツドを得ることができる。よつてこの種の
薄膜磁気ヘツドの製造方法に適用して極めて有利
であり、実用上優れた効果を奏する。
第１図乃至第４図は従来の薄膜磁気ヘツドの製
造方法を工程順に説明する図、第５図乃至第７図
は従来の他の薄膜磁気ヘツドの製造方法を工程順
に説明する図、第８図及び第９図は本発明に係る
薄膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例を工程順に
説明する要部断面図、第１０図及び第１１図は本
発明の方法にもとずく他の実施例を工程順に説明
する要部断面図である。 図面において、１１，２１は非磁性基板、１
２，２２は下部磁性層、２２ａは第一の下部磁性
層、２２ｂは第二の下部磁性層、１３，２３はギ
ヤツプ層、１４，２４は上部磁性層、１４ａ，２
４ａは第一の上部磁性層、１４ｂ，２４ｂは第二
の上部磁性層、１５，１７及び２５，２７は絶縁
層、１６，２６はコイル導体層を示す。
造方法を工程順に説明する図、第５図乃至第７図
は従来の他の薄膜磁気ヘツドの製造方法を工程順
に説明する図、第８図及び第９図は本発明に係る
薄膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例を工程順に
説明する要部断面図、第１０図及び第１１図は本
発明の方法にもとずく他の実施例を工程順に説明
する要部断面図である。 図面において、１１，２１は非磁性基板、１
２，２２は下部磁性層、２２ａは第一の下部磁性
層、２２ｂは第二の下部磁性層、１３，２３はギ
ヤツプ層、１４，２４は上部磁性層、１４ａ，２
４ａは第一の上部磁性層、１４ｂ，２４ｂは第二
の上部磁性層、１５，１７及び２５，２７は絶縁
層、１６，２６はコイル導体層を示す。
Claims (1)
- １ 基板上に下部磁性層とギヤツプ層とを所定パ
ターンに順次被着形成した後、該ギヤツプ層上の
磁気ギヤツプ部構成予定領域に第一の上部磁性層
を所定パターンに被着形成する工程と、前記ギヤ
ツプ層上の他の領域に絶縁層を介してコイル導体
層、絶縁層を順に積層形成する工程と、前記第一
の上部磁性層上の一部を含む絶縁層上に第二の上
部磁性層を被着してから所定パターン形状にパタ
ーニングする工程とを備えたことを特徴とする薄
膜磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11923683A JPS6010409A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP11923683A JPS6010409A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPS6010409A JPS6010409A (ja) | 1985-01-19 |
| JPH0514322B2 true JPH0514322B2 (ja) | 1993-02-24 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11923683A Granted JPS6010409A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
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| JPS5778613A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-17 | Canon Inc | Thin film magnetic head and its manufacture |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP11923683A patent/JPS6010409A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6010409A (ja) | 1985-01-19 |
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