JPH0377662B2 - - Google Patents

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JPH0377662B2
JPH0377662B2 JP323582A JP323582A JPH0377662B2 JP H0377662 B2 JPH0377662 B2 JP H0377662B2 JP 323582 A JP323582 A JP 323582A JP 323582 A JP323582 A JP 323582A JP H0377662 B2 JPH0377662 B2 JP H0377662B2
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JP
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bonding
wire
wedge
bond
fine wire
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JP323582A
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JPS589332A (ja
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Josefu Eresu Richaado
Erii Reizon
Uirensukii Dan
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KURIKE ANDO SOFUA IND Inc
Original Assignee
KURIKE ANDO SOFUA IND Inc
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Publication date
Application filed by KURIKE ANDO SOFUA IND Inc filed Critical KURIKE ANDO SOFUA IND Inc
Publication of JPS589332A publication Critical patent/JPS589332A/ja
Publication of JPH0377662B2 publication Critical patent/JPH0377662B2/ja
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004Wire welding
    • B23K20/005Capillary welding
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • H10W72/07141Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
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    • H10W72/07168Means for storing or moving the material for the connector
    • HELECTRICITY
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    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
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    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • HELECTRICITY
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    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (本発明の分野) 本発明は微細ワイヤ・ボンデイング及び自動ワ
イヤ・ボンデイング機械の動作に関する。特に、
本発明は第2ボンドを製作した後及び他の第1ボ
ンドを製作するための準備として、微細ワイヤ・
ボンデイング・ウエツジの工作面の下でボンデイ
ング・ワイヤ後部を形成する新規な方法に関す
る。
(従来技術の説明) 微細ワイヤ・ボンデイング機械は既知である。
それは半導体デバイスの量産時代に導入された。
初期の1960年代の別個のトランジスタ素子は、半
導体チツプ上の電極パツドとポスト又はリードア
ウト・ピンの間の接続として微細な金またはアル
ミニウム・ワイヤを使用した。同一長さのワイヤ
がボンデイング・ウエツジの工作面の下に最終的
に位置ぎめされ且つ2個のボンド・ワイヤ接続の
第1ボンドを製作するために準備されるように、
第2ボンドの製作後、第2ボンデイング・ポイン
トからワイヤを切断するために種々の方法が使用
された。米国特許第3216640号および3543988号明
細書に示される如き手動ウエツジ・ボンデイング
機械は、第1および第2ワイヤ・ボンドを製作
し、次に、最終または第2ボンドからワイヤを切
断することができた。このような手動機械は、未
成形の長さのワイヤが次の第1ボンドを製作する
ために得られるように、ワイヤ送り案内を通して
ワイヤの一部分または長さを送り又は移動させる
のに適した。或る場合に、ワイヤの伸長した後部
または長さは、次の第1ボンドを製作する前に機
械的装置によつて前もつて成形された。また或る
場合には、適当な長さの後部を検査するために、
それから、次の第1ボンドを製作する過程におい
てワイヤを成形するために個々の操作者の熟練が
頼みにされた。
プログラムされたボンデイング・ポイントにお
いて1分間120個のワイヤ・ボンドを製作する高
速自動ウエツジ・ボンデイング機械の導入後、ボ
ンデイング・ウエツジの工作面の下の後部の長さ
と後部の形状が次の第1ボンドを製作するのに容
認できる及び又は最適であることを確かめるため
に操作者の検査および応答をさしはさむことが困
難になつた。
自動ウエツジ・バインダーにおけるワイヤ・ボ
ンデイング後部の長さ及び形状を成し遂げる問題
はあまりにも多数で一つ一つ数えることはできな
い。然しながら、第1ボンド失敗の大部分を生じ
る多くの従来技術の問題が、この新規な方法の基
礎に対する新発展の要点として議論されるであろ
う。
理想的な後部長さ及び後部位置または形状より
も少ない何かが、後部長さ及び位置を制御するた
めに機構の調節を続けるために要求され且つ従来
技術において認識された。高密度VLSIデバイス
を製作するための現在の試みは、ボンデイング・
パツドの後部状態又はサイズを減少させる。後部
状態ボンデイング・パツド・サイズが小さくなれ
ばなるにつれて、接続を作るために使用されるワ
イヤのサイズは小さくなる。ボンデイング・ウエ
ツジ及びボンデイング・ウエツジの工作面が小さ
くなればなるにつれて、小さなボンデイング・パ
ツドにおけるボンドが可能になるので、ボンデイ
ング・ウエツジの工作面の下の後部の位置と長さ
は従来技術におけるよりも現在はもつとクリテイ
カルである。
従来技術の手動ボンデイング機械の一つの型に
おいて、第2ボンドにおいてワイヤを切断するた
めにワイヤ・クランプの回動作用によつてワイヤ
が引かれる時、ボンデイング・ウエツジは第2ボ
ンドと圧力接触して保持されていた。その結果、
ボンデイング工具におけるワイヤの自由端は、横
断面積が意図的に変形され且つ弱められた第2ボ
ンド付近の個所でその弾性限界を超えて且つ降伏
点を超えて伸長させられる。伸長されたワイヤの
部分は加工硬化し、従つて、応力がワイヤにもた
らされ、それによつて、ワイヤは予想できない形
状に巻かれ且つ予想できない位置をとる。
米国特許第3216640号明細書に説明される手動
ウエツジ・ボンデイング機械は、ワイヤが切断さ
れる時に第2ボンド上にボンデイング・ウエツジ
を保持しなかつた。かわりに、ボンデイング工具
は、最初は垂直にそれから水平に移動された。遠
隔のワイヤ・クランプは、ワイヤにテンシヨンを
かけるために作動化された。引張られるワイヤの
長さ及び引きの不一致角度は、ボンデイング工具
の下の後部を不一致ならしめた。
回動可能に枢軸支されたワイヤ・クランプが使
用されワイヤの自由端をボンデイング工具の後方
にクランプし且つ第2ボンドにおいてワイヤを切
断するためにワイヤを引く時、クランプはワイヤ
上をスリツプし得る。この結果として、ワイヤが
切断される時、ワイヤの正確な長さ又は距離が引
かれない。ボンデイング工具の工作面の下で後部
の新しい長さを供給するためにワイヤ・クランプ
が前方に回動される時、その後部は長すぎるか
ら、正しく成形される時でも不適当な第1ボンド
をしばしば生じる。
ボンデイング工具の工作面の下にワイヤ後部の
新しい長さを供給する時に回動可能に枢軸支され
たワイヤ・クランプがワイヤに対してスリツプす
ると、後部は短かすぎることがあり、その結果と
して、ボンデイング工具の工作面の下のワイヤの
長さは不適当になる。これは、不十分な面積にボ
ンデイング力が作用するためにボンドをつぶすこ
とがあり又は切断し易い不適当なボンドを生じる
原因になる。この従来技術の問題は認識されてい
た。然しながら、第2ボンドにおいてワイヤを切
断するためにワイヤが引かれた時に第2ボンドと
接触した従来技術のボンデイング・ウエツジは、
ボンデイング・ウエツジと第2ボンドの間にこす
り動作を生じたことが一般に認識されなかつた。
後に詳しく説明する如く、第2ボンド付近のワイ
ヤを切断する時にこすり動作が生ずることが発見
された。その切断は第2ボンドにおけるボンデイ
ング工具のこすり動作を生じ得る。
デイジタル制御パネルを有する或る程度の自動
ワイヤ・ボンダーは、半導体デバイス上のボンデ
イング位置に対してボンデイング工具の移動を操
作者が正確にプログラムすることを許した。それ
は、ワイヤ・クランプ機構が正確に動作している
時に製作されるワイヤの長さの制御を許す。第2
ボンド後にボンデイング後部の長さを制御するた
めのこの能力は、不一致の後部長さ、不一致の後
部位置および形状の問題を解決しなかつた。
(本発明の要約) 本発明の主要な目的は、自動ワイヤ・ボンダー
におけるボンデイング・ウエツジの工作面の下で
微細ワイヤ後部の一定形状、一定位置および長さ
の製作を可能にする方法を提供することである。
本発明の他の主要な目的は、ボンデイング工具
の工作面の下で一定長さのボンデイング後部を形
成する方法を提供することである。
本発明の更に他の目的は、第2ボンドを損傷し
ないで第2ボンドにおいてワイヤを切断する方法
を提供することである。
本発明の更に他の目的は、第2ボンドを損傷す
るのを防止するためにボンデイング工具が第2ボ
ンドからはなれた後に第2ボンドにおいてワイヤ
を切断することである。
本発明の更に他の目的は、ボンデイング・ウエ
ツジの下で露出された後部が次の第1ボンドの準
備として正確な形状および正確な長さに前もつて
成形されることを確実にするために予定の且つ新
規な断続的な経路において第2ボンド位置に対し
てボンデイング工具を移動させる方法を提供する
ことである。
後に詳しく説明される本発明のこれら及び他の
目的によると、第2ワイヤ・ボンドを製作した
後、ボンデイング・ウエツジの工作面の下で微細
ワイヤの正確な予定形状および長さを形成するた
めの方法が提供される。第2ワイヤ・ボンドが製
作された後、ボンデイング工具が、ワイヤ・クラ
ンプの開放中に第2ボンド位置に対して上昇され
る。ボンデイング・ウエツジの工作面の下でワイ
ヤの長さに影響し得る振動を減衰させるのに十分
な長さだけ自動ワイヤ・ボンダーにおける全ての
移動が中止される時間にボンデイング・ウエツジ
の工作面の下で微細ワイヤの正確な長さを出すた
めに第2ボンデイング・ポイントに対してボンデ
イング・ウエツジが移動される。この時間に、ワ
イヤ・クランプは作動化され、ボンデイング・ウ
エツジの工作面の下で伸長する微細ワイヤの長さ
を固定し、ボンデイング・ウエツジは、半導体デ
バイス上の第2ボンドから実質的に垂直に移動さ
れ、一方同時に、X−Yテーブルに取付けられる
半導体デバイスはボンデイング・ウエツジから相
対的に水平に移動されるので、ボンデイング・ウ
エツジの下の微細ワイヤの固定長さが、第2ボン
ド付近の前もつて弱められた個所にて切断され、
ボンデイング工具の工作面の下の微細ワイヤの固
定長さが、ボンデイング工具の工作面の下で予定
の所望の角度にて位置され且つ成形される。
尚、本明細書で用いられている“垂直方向”な
る用語の意味は、明細書及び図面による開示及び
図示から明らかなように、厳密な意味の垂直方向
から僅かに逸脱した作動可能の方向も含むものと
解釈されるべきである。
ボンデイング工具の工作面の下で最適の後部長
さを製作する新規な方法の前述の目的および長所
は、図面を参照する次の説明から明瞭になるであ
ろう。
(説明の概要) 半導体デバイス上の2個のボンデイング・ポイ
ントの間のワイヤ接続を製作するのに適した型の
高速自動微細ワイヤ・ボンデイング機械におい
て、第2ボンドが完了した後に及びワイヤ接続の
次の第1ボンドを製作する準備として、ボンデイ
ング工具の工作面の下でワイヤの一致した、正確
な予定長さを製作する方法が提供される。
(実施例の説明) 第1図を参照すると、超音波トランスデユウサ
10が、ボンデイング工具の垂直および円弧すな
わちシータ(θ)変位を与えるために回動可能に
取り付けられたブロツク11に取付けられる。微
細ワイヤ巻粋12が微細ワイヤ13をボンデイン
グ工具ボンデイング・ウエツジ14に供給するよ
うになされており、ボンデイング工具14は工作
物ホルダー16に取付けられる半導体デバイス1
5においてワイヤ接続を行う。2個のワイヤ接続
17が半導体デバイス15において示される。然
しながら、このようなワイヤ接続は、半導体デバ
イスにおいて又はリード・アウトのために半導体
デバイスのエツジにおいてなされ得ることがわか
るであろう。工作物ホルダー16はX−Yテーブ
ルに取付けられる。このX−Yテーブルは自動ワ
イヤ・ボンデイング機械(図示せず)において支
持され、XおよびY方向に移動されるのに適す
る。第1ボンド位置から第2ボンド位置への移動
が、微細ワイヤ13をボンデイング工具の工作面
の下に軸方向に整列し且つみぞ(図示せず)内に
保持するように、ボンデイング工具14はシータ
方向に回転されることがわかるであろう。
第2図を参照すると、ワイヤ・クランプ21が
閉合されている間に第2ボンドを完成するため
に、ワイヤ13をリードアウト・フレーム19の
パツドに対して係合させる第2ボンド位置におけ
るボンデイング工具14の拡大詳細図が示され
る。仮想線で示すボンデイング工具14は、半導
体デバイス15上のボンデイング・パツド22に
対してワイヤ13を係合させ、パツド22への第
1ボンドの作成を例示するものとして図示されて
いる。第2ボンが形成された後に、ボンデイング
工具14は垂直に上昇され、X−Yテーブルは左
すなわちX方向に同時に移動され、クランプ21
は開放されることがわかるであろう。
第3図は、X−Yテーブルが左に移動した後お
よびボンデイング工具が垂直方向に実質的に移動
した後および第2ボンド23の付近のワイヤ13
の切断を行うためにワイヤ・クランプ21を閉合
する前にワイヤ・クランプ21が開放された後の
ボンデイング工具14の位置を示す。
第4図は、ボンデイング工具の工作面24が第
2ボンド23を形成するためにワイヤを変形する
ように、微細ワイヤ13と予定の力でもつて係合
するボンデイング工具14を詳細に示す。ワイ
ヤ・クランプ21は図式的に示されるように閉合
され且つワイヤ13はワイヤ案内孔25内に軸方
向に案内されることが望ましい。
第5図の如く、ボンデイング工具14がリード
アウト19上で第2ボンド23を形成した後、ボ
ンデイング工具の工作面24は実質的に垂直方向
に上昇される。ワイヤ13はワイヤ案内孔25の
底によつて変形され得る。ワイヤ・クランプ21
は開放していてワイヤ13が屈曲したり変形する
のを許容する。リード・フレーム(図示せず)上
のリードアウト19は、その原位置に最初保持さ
れる。第6図の如く、リード・フレーム(図示せ
ず)上のリードアウト19は、ボンデイング工具
14の工作面24の下に軸方向に整列されるワイ
ヤ後部26になるワイヤの予定長さを保持する方
向にX−Yテーブルによつて移動される。ワイヤ
案内孔25におけるワイヤ13は、その最初の軸
方向形状をいま取りうることがわかるであろう。
第6図は、ワイヤ・クランプ21が開放される間
ボンデイング工具がその所望位置に移動された後
のワイヤ後部26とボンデイング工具14の工作
面24との相対的位置を示すのに適する。振動お
よび相対的移動が停止するように、X−Yテーブ
ル18に対するボンデイング工具の全ての移動は
停止する。そしてワイヤ・クランプ21は閉合さ
れる。
第7図を参照すると、ワイヤ13の切断が第2
ボンドの付近で生じた少し後、第2ボンド23が
X−Yテーブル18の移動によつてX方向に移動
された後の第2ボンド23の位置が図示される。
ワイヤ13が第2ボンドから切断されるときに、
それはリード・フレーム(図示せず)上のリード
アウト19と実質的に接触すること及びボンデイ
ング工具14の工作面24の下のワイヤ後部26
は工作面24に対して予定角度φを取らしめられ
たことがわかるであろう。工具移動は実質的に垂
直であること及びテーブル移動は実質的に水平で
あり且つ矢印27における合成方向は弓形または
彎曲されることがわかるであろう。ワイヤ・クラ
ンプ21が閉合され且つボンデイング工具14
は、工作面24の下でワイヤ・クランプから伸長
するワイヤ13の自由端と実質的に軸方向に整列
される方向にクランプと一緒に移動されるので、
ワイヤ13の歪は小さいか又は生じない。すなわ
ち、たとえワイヤ13がその降伏点を超えて伸長
しても、ワイヤの変形は軸方向であり、ワイヤが
第2ボンドにおいて切断する時にワイヤはその軸
方向の形状を保持する。同一の物理的形状は、ワ
イヤが試験機内に位置され且つその降伏点を超え
て伸長されワイヤが加工硬化して切断する時に生
じる。ワイヤ13が切断する第2ボンド23付近
の点28は、第4図に示す第2ボンド形成時にボ
ンデイング工具14の工作面24の後部円縁29
が食い込み、それによつて断面積は減少され弱体
化される。30度と45度の間の予定角度に角度φを
保持するために、ワイヤ13は後部円縁29と係
合する。後部円縁29との間のワイヤ13の摩擦
係合は、工作面24の下で所望位置に後部26を
保持するための安定性を与える。
第7図および第8図は、ワイヤ後部26を形成
するワイヤ13の自由端31を図示する。自由端
31が第2ボンド23の点28またはリードアウ
ト19と係合するのを阻止するために、X−Yテ
ーブルは第7図の如くX方向に移動され且つ第8
図の如くその移動を中止する。工具方向は実質的
に垂直であつたこと及び矢印32の合成方向は水
平よりも現在垂直であることがわかるであろう。
ワイヤ・クランプ21は閉合位置になお保持され
ることがわかるであろう。ワイヤ・クランプ21
はワイヤ13に対して決して移動しないので、ワ
イヤ・クランプは開放されない限り、ワイヤ13
に対するクランプ21の相対的移動のチヤンスは
少ない。換言すると、ワイヤ・クランプは関節結
合されているものではないので、クランプ21に
対してワイヤ13が相対的に移動することはほと
んどない。
第4図〜第8図の要約から、ボンデイング工具
14が第2ボンド23から上昇せしめられた後、
切断のためのワイヤ13の伸長が生じ、その結果
ワイヤ13の加工硬化及び伸長が後部26を含む
ワイヤを矯正し且つ真つすぐにすることがわかる
であろう。第9図は、実線におけるボンデイング
工具14と、これに重ね合わせて仮想線で示すボ
ンデイング工具14′を示す。矢印33は、工作
物ホルダ16およびボンデイング工具14の相対
的振動の方向を表示する。振動33がまだ発生し
ているうちに、そしてワイヤ13が第2ボンド2
3から切断される前に、クランプ21が閉合され
ると、ワイヤ後部26は変形され、応力が軟ワイ
ヤ13内に誘導される。ワイヤ後部26は変形し
てその最適形状にならないためにボンデイング工
具14の工作面24の下から跳び出すことがあ
り、更に後部26は、クランプが行われる時点次
第で要求のものよりも長く又は要求のものよりも
短かくなることがある。
第10図は、ワイヤ13が第2ボンド23から
切断された後の第9図のボンデイング工具14の
拡大図を示す。第10図において、もしワイヤ後
部26が長すぎるならば、自由端31はボンド2
3の点28に対して衝突し、たとえ、それがワイ
ヤ切断動作によつて或る程度まつすぐにされるこ
とができても、ワイヤ13は再び変形せしめられ
る。第9図および第10図の前の説明から、ボン
デイング工具の相対位置が仮想線14″の位置に
ある時にクランプが閉合されるならば、後部26
は要求よりも短かいことがわかるであろう。後部
26が短かすぎるならば、ボンデイング工具14
の工作面24の下のワイヤ13の面積は、実質的
に減少され、ボンデイング工具14における同じ
力は、ワイヤ13における単位圧力を増加させ、
ボンド23を実質的に押しつぶす。
ウエツジ・ボンデイング(wedge bonding)
の動作を明瞭に説明するために、超音波ボンデイ
ング工具14を例示して本発明を説明したが、ボ
ール・ボンデイング(ball bonding)にて使用さ
れる形式の毛管(capillary)ボンデイング工具
もまた第2ボンド位置においてウエツジ・ボンデ
イング動作の同じモードを遂行することがわかる
であろう。すなわち、毛管ボンデイング工具の工
作面は、第2ボンドのヒールにおいてワイヤ13
の切断を増進するような形状になされる。従つ
て、特許請求の範囲に記載された方法は、それら
が、超音波ウエツジ・ボンデイングに対するよう
に毛管ボール・ボンデイングに明らかに応用でき
る。更に、工作物ホルダー16と関係してシータ
方向に及び垂直方向に移動されるのに適するボン
デイング工具および水平面またはX−Y方向に移
動されるX−Yテーブル18を使用する本発明の
実施例を説明したが、これらの運動の全ては、ト
ランスデユウサ10が取付けられるホルダーまた
は支持体内にプログラムされ得ることがわかるで
あろう。更に、これらのX,YおよびZ運動はX
−Y−Z−テーブル18によつて分け与えられ得
る。従つて、特許請求の範囲を逸脱することな
く、X,YおよびZ運動の結合は、ボンデイング
工具ホルダーまたはX−Yテーブルに具体化され
ることがわかるであろう。
【図面の簡単な説明】
第1図はX−Yテーブルに取付けられる工作物
ホルダー上に位置される半導体デバイスに対向し
て配置されるボンデイング工具ホルダー及びボン
デイング工具の等角投影図、第2図は第1および
第2ボンド位置におけるウエツジ・ボンデイング
工具の相対的位置を示す立面図、第3図はワイ
ヤ・クランプが閉合されワイヤ後部の作成へのス
テツプが開始される時におけるボンデイング工具
の相対的位置を示す立面図、第4図は第2ボンド
の完了におけるボンデイング工具を示す拡大立面
図、第5図は第2ボンド位置に対してボンデイン
グ工具が最初に移動される際のボンデイング工具
の拡大図、第6図はX−Yテーブルがその新位置
に移動した後のボンデイング工具の拡大図、第7
図はワイヤ後部が第2ボンド付近で切断された直
後の第2ボンドに対するボンデイング工具の拡大
図、第8図は第7図の状態から更に垂直上方移動
されたボンデイング工具の拡大図、第9図は微細
ワイヤ後部が第2ボンドから切断される前にそれ
が如何に変形され得るかを示すボンデイング工具
の拡大図、第10図はワイヤ後部が第2ボンドか
ら切断された後にワイヤ後部が如何に変形され得
るかを示すボンデイング工具の拡大図である。 符号の説明 10……超音波トランスデユウ
サ、11……回動可能に枢軸支されたブロツク、
12……微細ワイヤ巻粋、13……微細ワイヤ、
14……ボンデイング工具、15……半導体デバ
イス、16……工作物ホルダー、17……ワイヤ
接続、18……X−Yテーブル、19……リード
アウト・フレーム、21……ワイヤ・クランプ、
22……ボンデイング・パツド、23……第2ボ
ンド、24……工作面、25……ワイヤ案内孔、
26……ワイヤ後部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ボンデイング・ウエツジおよびこのボンデイ
    ング・ウエツジに関して固定されたワイヤ・クラ
    ンプを有する型の自動ウエツジ・ボンデイング機
    械によつて第2ワイヤ・ボンドを作製した後にボ
    ンデイング・ウエツジの面の下で微細ワイヤの正
    確な予定形状および長さをもたらす方法であつ
    て、 半導体デイバス上の第2ボンデイング・ポイン
    トにて第2ワイヤ・ボンドを作製し、2個のボン
    デイング・ポイントのうちの第2ボンデイング・
    ポイントを微細ワイヤに接続しておくこと、 上記ボンデイング・ウエツジの後部付近に設け
    てある上記ワイヤ・クランプを開放すること、 上記第2ボンデイング・ポイントに対して上記
    ボンデイング・ウエツジを予定の小距離だけ垂直
    方向に上昇させること、 上記第2ボンデイング・ポイントに対して上記
    ボンデイング・ウエツジを相対的に横移動させ、
    上記ボンデイング・ウエツジの工作面の下に正確
    な長さの微細ワイヤを繰出すこと、 有害な振動を減衰させるのに十分な時間的長さ
    だけ上記第2ボンデイング・ポイントに対して上
    記ボンデイング・ウエツジの移動を中止するこ
    と、 上記ボンデイング・ウエツジの工作面の下に一
    定長さの微細ワイヤを延在させ定置させるために
    上記微細ワイヤに対して上記ワイヤ・クランプを
    閉合すること、 上記ボンデイング・ウエツジの工作面の下で上
    記固定長さに保持されている微細ワイヤと整列し
    た方向に上記ボンデイング・ウエツジを上記第2
    ボンデイング・ポイントに対して移動させ、同時
    に上記ボンデイング・ウエツジを上記第2ボンデ
    イング・ポイントに対して垂直方向に移動させる
    こと、これによつて、 上記第2ワイヤ・ボンド付近で上記微細ワイヤ
    を切断すること、 上記ボンデイング・ウエツジの工作面との間で
    予定角度で形成される予定長さの微細ワイヤを上
    記ボンデイング・ウエツジの工作面の下に残すこ
    と、 を特徴とする、一定のボンデイング・ワイヤ後部
    長さを形成する方法。 2 上記半導体の第1ボンデイング・ポイント上
    に上記ボンデイング・ウエツジの上記工作面を位
    置決めすること、 通常の方法にて上記第1ボンデイング・ポイン
    トにおいて第1ワイヤ・ボンドを作製すること、 同時に、上記第1ボンドを作製するステツプの
    間、予定角度で形成された上記の予定長さの直線
    的微細ワイヤをボンデイング・ウエツジの工作面
    に対して曲げること、 を更に含む上記1記載の方法。 3 上記ワイヤ・クランプを開放すること、 上記第2ボンデイング・ポイントの上に上記ボ
    ンデイング・ウエツジの上記工作面を位置決めす
    ること、 上記第1ボンデイング・ポイントと上記第2ボ
    ンデイング・ポイントの間に微細ワイヤ接続を与
    えるために上記1記載のステツプを反復するこ
    と、 他の第1ボンドを作製する準備として上記ボン
    デイング・ウエツジの工作面の下に微細ワイヤの
    正確な予定形状および長さを与えること、 を更に含む上記2記載の方法。 4 上記半導体デイバスに対する上記予定長さの
    微細ワイヤの屈曲を避けるために、上記微細ワイ
    ヤの切断後も上記ボンデイング・ウエツジの上方
    への移動を継続すること、 をさらに含む上記1記載の方法。 5 上記半導体デイバス上の上記第2ボンデイン
    グ・ポイントの移動を停止し、 上記ボンデイング・ウエツジを上方に予定距離
    にわたり移動させ続けること、 を含む上記4記載の方法。 6 上記ボンデイング・ウエツジは垂直方向にの
    み移動する上記1記載の方法。 7 上記半導体デイバスはX−Y平面のみにおい
    て移動される上記1記載の方法。 8 上記ボンデイング・ウエツジの工作面の下に
    微細ワイヤの予定長さを残す上記ステツプは、上
    記ボンデイング・ウエツジの工作面の間で30〜45
    度の予定角度において上記微細ワイヤを形成する
    ことを含む上記1記載の方法。
JP57003235A 1981-01-12 1982-01-12 一定のボンディング・ワイヤ後部長さを形成する方法 Granted JPS589332A (ja)

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Families Citing this family (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3343738C2 (de) * 1983-12-02 1985-09-26 Deubzer-Eltec GmbH, 8000 München Verfahren und Vorrichtung zum Bonden eines dünnen, elektrisch leitenden Drahtes an elektrische Kontaktflächen von elektrischen oder elektronischen Bauteilen
EP0203597B1 (en) * 1985-05-31 1990-07-11 Emhart Industries, Inc. Bonding head
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US5189507A (en) * 1986-12-17 1993-02-23 Raychem Corporation Interconnection of electronic components
US4955523A (en) * 1986-12-17 1990-09-11 Raychem Corporation Interconnection of electronic components
US4944446A (en) * 1989-11-02 1990-07-31 Micron Technology, Inc. Automatic preform dispenser
US5627913A (en) * 1990-08-27 1997-05-06 Sierra Research And Technology, Inc. Placement system using a split imaging system coaxially coupled to a component pickup means
US5235407A (en) * 1990-08-27 1993-08-10 Sierra Research And Technology, Inc. System for placement and mounting of fine pitch integrated circuit devices
US5251266A (en) * 1990-08-27 1993-10-05 Sierra Research And Technology, Inc. System for placement and mounting of fine pitch integrated circuit devices using a split mirror assembly
US5317803A (en) * 1991-05-30 1994-06-07 Sierra Research And Technology, Inc. Method of soldering an integrated circuit
JP2558976B2 (ja) * 1991-11-08 1996-11-27 松下電器産業株式会社 電子部品の電極とリードとの接合方法
JPH05226407A (ja) * 1991-11-12 1993-09-03 Nec Corp 半導体装置の製造方法及び製造装置
US7073254B2 (en) 1993-11-16 2006-07-11 Formfactor, Inc. Method for mounting a plurality of spring contact elements
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US5820014A (en) 1993-11-16 1998-10-13 Form Factor, Inc. Solder preforms
JP3120267B2 (ja) * 1994-11-25 2000-12-25 株式会社新川 シングルポイントボンディング方法
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US5994152A (en) 1996-02-21 1999-11-30 Formfactor, Inc. Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates
JP3522123B2 (ja) * 1998-09-30 2004-04-26 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
JP2001189340A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Shinkawa Ltd ワイヤボンデイング方法及びその装置
US6808102B1 (en) * 2000-08-28 2004-10-26 Asm Assembly Automation Ltd. Wire-bonding apparatus with improved XY-table orientation
US7320423B2 (en) * 2002-11-19 2008-01-22 Kulicke And Soffa Industries, Inc. High speed linear and rotary split-axis wire bonder
DE10315639A1 (de) * 2003-04-04 2004-11-04 Hesse & Knipps Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Prüfung einer Drahtbondverbindung
US7320424B2 (en) * 2004-05-05 2008-01-22 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Linear split axis wire bonder
WO2006036669A1 (en) * 2004-09-22 2006-04-06 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Motion control device for wire bonder bondhead
US8525314B2 (en) * 2004-11-03 2013-09-03 Tessera, Inc. Stacked packaging improvements
US8058101B2 (en) 2005-12-23 2011-11-15 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
US9159708B2 (en) 2010-07-19 2015-10-13 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors
KR101075241B1 (ko) 2010-11-15 2011-11-01 테세라, 인코포레이티드 유전체 부재에 단자를 구비하는 마이크로전자 패키지
US20120146206A1 (en) 2010-12-13 2012-06-14 Tessera Research Llc Pin attachment
US8618659B2 (en) 2011-05-03 2013-12-31 Tessera, Inc. Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
JP5734236B2 (ja) 2011-05-17 2015-06-17 株式会社新川 ワイヤボンディング装置及びボンディング方法
US8404520B1 (en) 2011-10-17 2013-03-26 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US8372741B1 (en) 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US9349706B2 (en) 2012-02-24 2016-05-24 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
US9391008B2 (en) 2012-07-31 2016-07-12 Invensas Corporation Reconstituted wafer-level package DRAM
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
US8919632B2 (en) * 2012-11-09 2014-12-30 Asm Technology Singapore Pte. Ltd. Method of detecting wire bonding failures
US8975738B2 (en) 2012-11-12 2015-03-10 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with terminals on dielectric mass
KR101598999B1 (ko) 2012-11-16 2016-03-02 가부시키가이샤 신가와 와이어 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
SG11201503764YA (en) 2012-11-16 2015-06-29 Shinkawa Kk Wire-bonding apparatus and method of wire bonding
JP5426000B2 (ja) 2012-11-16 2014-02-26 株式会社新川 ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法
US8878353B2 (en) 2012-12-20 2014-11-04 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface
US9136254B2 (en) 2013-02-01 2015-09-15 Invensas Corporation Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer
US8883563B1 (en) 2013-07-15 2014-11-11 Invensas Corporation Fabrication of microelectronic assemblies having stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9023691B2 (en) 2013-07-15 2015-05-05 Invensas Corporation Microelectronic assemblies with stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9034696B2 (en) 2013-07-15 2015-05-19 Invensas Corporation Microelectronic assemblies having reinforcing collars on connectors extending through encapsulation
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9685365B2 (en) 2013-08-08 2017-06-20 Invensas Corporation Method of forming a wire bond having a free end
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9082753B2 (en) 2013-11-12 2015-07-14 Invensas Corporation Severing bond wire by kinking and twisting
US9087815B2 (en) 2013-11-12 2015-07-21 Invensas Corporation Off substrate kinking of bond wire
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
TWI543284B (zh) * 2014-02-10 2016-07-21 新川股份有限公司 半導體裝置的製造方法以及打線裝置
US9214454B2 (en) 2014-03-31 2015-12-15 Invensas Corporation Batch process fabrication of package-on-package microelectronic assemblies
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9646917B2 (en) 2014-05-29 2017-05-09 Invensas Corporation Low CTE component with wire bond interconnects
US9412714B2 (en) 2014-05-30 2016-08-09 Invensas Corporation Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom
JP2016062962A (ja) * 2014-09-16 2016-04-25 株式会社東芝 ワイヤボンディング装置、及び半導体装置
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US10043779B2 (en) 2015-11-17 2018-08-07 Invensas Corporation Packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9659848B1 (en) 2015-11-18 2017-05-23 Invensas Corporation Stiffened wires for offset BVA
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
WO2020184338A1 (ja) 2019-03-08 2020-09-17 株式会社新川 ワイヤボンディング装置
CN110899888A (zh) * 2019-12-04 2020-03-24 成都精蓉创科技有限公司 一种可全自动穿丝的劈刀及其加工工艺
CN115621141A (zh) * 2022-10-13 2023-01-17 重庆平创半导体研究院有限责任公司 一种铝线键合方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3444612A (en) * 1967-04-10 1969-05-20 Engineered Machine Builders Co Wire bonding method
US3460238A (en) * 1967-04-20 1969-08-12 Motorola Inc Wire severing in wire bonding machines
US3623649A (en) * 1969-06-09 1971-11-30 Gen Motors Corp Wedge bonding tool for the attachment of semiconductor leads
US3643321A (en) * 1970-06-17 1972-02-22 Kulicke & Soffa Ind Inc Method and apparatus for tailless wire bonding
US3747198A (en) * 1971-08-19 1973-07-24 Gen Electric Tailless wedge bonding of gold wire to palladium-silver cermets
US4266710A (en) * 1978-11-22 1981-05-12 Kulicke And Soffa Industries Inc. Wire bonding apparatus
US4239144A (en) * 1978-11-22 1980-12-16 Kulicke & Soffa Industries, Inc. Apparatus for wire bonding

Also Published As

Publication number Publication date
US4422568A (en) 1983-12-27
JPS589332A (ja) 1983-01-19

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