JPH0378283A - マスク半導体レーザの作製方法 - Google Patents
マスク半導体レーザの作製方法Info
- Publication number
- JPH0378283A JPH0378283A JP21457389A JP21457389A JPH0378283A JP H0378283 A JPH0378283 A JP H0378283A JP 21457389 A JP21457389 A JP 21457389A JP 21457389 A JP21457389 A JP 21457389A JP H0378283 A JPH0378283 A JP H0378283A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- light
- face
- mask layer
- light emitting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば、光磁気メモリの点光源等に用いられ
るマスク半導体レーザの作製方法に関する。
るマスク半導体レーザの作製方法に関する。
従来の技術
近年、光メモリや光磁気メモリ等の情報記録媒体では、
情報量の拡大に伴いより一層の高密度化した状態で記録
、再生が行われつつある。このような高密度な状態で記
録、再生を行うためには、光源に半導体レーザな用いそ
の出射ビームを絞った状態で照射を行うことにより高密
度な記録等を行っている。この場合、その半導体レーザ
の作製方法としては、例えば、米国特許３，８６６．２
３８号明細書や、特開昭６３−３４９９１号公報に開示
されているものがある。
情報量の拡大に伴いより一層の高密度化した状態で記録
、再生が行われつつある。このような高密度な状態で記
録、再生を行うためには、光源に半導体レーザな用いそ
の出射ビームを絞った状態で照射を行うことにより高密
度な記録等を行っている。この場合、その半導体レーザ
の作製方法としては、例えば、米国特許３，８６６．２
３８号明細書や、特開昭６３−３４９９１号公報に開示
されているものがある。
この種の半導体レーザの作製方法の代表的なものとして
マスク半導体レーザを例にとると、半導体レーザの光出
射端面に各種の無機、有機材料を用いて蒸着等の方法に
よりマスク層を形成し、その後、半導体レーザ自身から
出射するレーザ光により、熱物理的に、或いは、化学的
な反応等を利用して、マスク層の一部を除去若しくは光
学的に透明化することによって、そのマスク層に半導体
レーザからの出射光を出射させるピンホール状の光出射
孔を形成する方法がある。
マスク半導体レーザを例にとると、半導体レーザの光出
射端面に各種の無機、有機材料を用いて蒸着等の方法に
よりマスク層を形成し、その後、半導体レーザ自身から
出射するレーザ光により、熱物理的に、或いは、化学的
な反応等を利用して、マスク層の一部を除去若しくは光
学的に透明化することによって、そのマスク層に半導体
レーザからの出射光を出射させるピンホール状の光出射
孔を形成する方法がある。
発明が解決しようとする課題
上述したようにマスク半導体の一端に遮光性のマスク層
を形成し、そのマスク層にレーザ光を照射することによ
りピンホール状の光出射光を形成することにより、−段
と高密度な情報の記録、再生を行うことはできる。しか
し、この場合、母体となる通常の半導体レーザの特性、
品質のバラツキ等のいろいろな原因により、ビンボール
状の光出射孔が形成された後、半導体レーザの閾値電流
が上昇してしまう。この閾値電流が上昇してしまうとマ
スク半導体レーザの性能に悪影響を及ぼす結果となる。
を形成し、そのマスク層にレーザ光を照射することによ
りピンホール状の光出射光を形成することにより、−段
と高密度な情報の記録、再生を行うことはできる。しか
し、この場合、母体となる通常の半導体レーザの特性、
品質のバラツキ等のいろいろな原因により、ビンボール
状の光出射孔が形成された後、半導体レーザの閾値電流
が上昇してしまう。この閾値電流が上昇してしまうとマ
スク半導体レーザの性能に悪影響を及ぼす結果となる。
課題を解決するための手段
そこで、このような問題点を解決するために、本発明は
、半導体レーザの光出射端面に遮光性のマスク層を形成
し、光出射端面から出射されたレーザ光によりマスク層
の一部を除去若しくは透明化させてピンホール状の光出
射孔を形成し、この光出射孔の形成された後に光出射端
面とは反対側の端面に高反射率膜を形成した。
、半導体レーザの光出射端面に遮光性のマスク層を形成
し、光出射端面から出射されたレーザ光によりマスク層
の一部を除去若しくは透明化させてピンホール状の光出
射孔を形成し、この光出射孔の形成された後に光出射端
面とは反対側の端面に高反射率膜を形成した。
作用
これにより、マスク半導体レーザの閾値電流の上昇を抑
制することができる。
制することができる。
実施例
本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
半導体レーザ１の光出射端面１ａには遮光性のマスク層
２が形成されている。このマスク層２には、前記光出射
端面１ａから出射されたレーザ光を用いて、そのマスク
層２の一部を除去若しくは透明化させてピンホール状の
光出射孔３が形成されている。この光出射孔３の形成さ
れた後、前記光出射端面１ａとは反対側の端面１ｂに高
反射率膜４が形成される。
２が形成されている。このマスク層２には、前記光出射
端面１ａから出射されたレーザ光を用いて、そのマスク
層２の一部を除去若しくは透明化させてピンホール状の
光出射孔３が形成されている。この光出射孔３の形成さ
れた後、前記光出射端面１ａとは反対側の端面１ｂに高
反射率膜４が形成される。
前記半導体レーザ１としては、波長７８０ｎｍ。
８３０ｎｍで代表されるＡＱＧａＡｓ三元系のも三元層
いることができる。また、前記高反射率膜４としては、
ＡＱ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ等の反射率の高い金属材料を用
いることができる。以下、その具体的な作製例について
説明する。
いることができる。また、前記高反射率膜４としては、
ＡＱ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ等の反射率の高い金属材料を用
いることができる。以下、その具体的な作製例について
説明する。
まず、その第一の具体例について述べる。半導体レーザ
１は、ＡＱＧａＡｓダブルへテロ型、最大定格出力５ｍ
Ｗ、発振波長７８０ｎｍ、最大動作電流９５Ａとし、光
出射端面には絶縁層としてＳｉＮ膜がλ／２（λ：半導
体レーザの発振波長）だけコーティングされている。光
出射端面にはマスク層としてＡＱ−Ｇｅ合金を用い、真
空蒸着法により設ける。その蒸着条件は下記のようにな
る。
１は、ＡＱＧａＡｓダブルへテロ型、最大定格出力５ｍ
Ｗ、発振波長７８０ｎｍ、最大動作電流９５Ａとし、光
出射端面には絶縁層としてＳｉＮ膜がλ／２（λ：半導
体レーザの発振波長）だけコーティングされている。光
出射端面にはマスク層としてＡＱ−Ｇｅ合金を用い、真
空蒸着法により設ける。その蒸着条件は下記のようにな
る。
蒸着材料：ＡＱ−Ｇｅ、７０ａｔｍ％Ｇｅ蒸着源：Ｗ（
タングステン）ボード 蒸着源温度：１２００℃ 真空度：ｌＸ１０−’ｔｏｒｒ マスク層厚：〜４０００人、〜３０００人このような条
件にてマスク層２を設けた後、半導体レーザ１を発光さ
せ、その本体の出力でマスク層２上の発光部分にピンホ
ール状の光出射孔を形成する。その後、この光出射孔３
がある面とは反対側の端面に高反射率膜４を設ける。第
１表は、本発明により作製された半導体レーザ１と従来
の方法により作製された半導体レーザ１とにおける閾値
電流の変化の様子を比軟したものである。すなわち、Ｉ
ｔｈｏは通常の半導体レーザの閾値電流の値を示し、
Ｉｔｈは本発明により作製されたマスク半導体レーザの
閾値電流の値を示し、Ｉ ｔｈｎは従来の方法により作
製された半導体レーザ１の閾値電流の値を示したもので
ある。この第１表よりわかるように、高反射率膜４を形
成した本実施例によるＩｔｈの方が従来法によるＩ ｔ
ｈｎに比べて、もとの通常状態時の閾値電流Ｉ ｔｈｏ
に近づいていることがわかる。従って、これにより光出
射孔と反対側の端面に高反射率膜４を形成した方が閾値
電流の上昇という異常な現象を抑制することができる。
タングステン）ボード 蒸着源温度：１２００℃ 真空度：ｌＸ１０−’ｔｏｒｒ マスク層厚：〜４０００人、〜３０００人このような条
件にてマスク層２を設けた後、半導体レーザ１を発光さ
せ、その本体の出力でマスク層２上の発光部分にピンホ
ール状の光出射孔を形成する。その後、この光出射孔３
がある面とは反対側の端面に高反射率膜４を設ける。第
１表は、本発明により作製された半導体レーザ１と従来
の方法により作製された半導体レーザ１とにおける閾値
電流の変化の様子を比軟したものである。すなわち、Ｉ
ｔｈｏは通常の半導体レーザの閾値電流の値を示し、
Ｉｔｈは本発明により作製されたマスク半導体レーザの
閾値電流の値を示し、Ｉ ｔｈｎは従来の方法により作
製された半導体レーザ１の閾値電流の値を示したもので
ある。この第１表よりわかるように、高反射率膜４を形
成した本実施例によるＩｔｈの方が従来法によるＩ ｔ
ｈｎに比べて、もとの通常状態時の閾値電流Ｉ ｔｈｏ
に近づいていることがわかる。従って、これにより光出
射孔と反対側の端面に高反射率膜４を形成した方が閾値
電流の上昇という異常な現象を抑制することができる。
次に、本発明の第二の具体例について説明する。
これはピンホール状に光出射孔３を形成した後に、高反
射率膜４にＡｇを用いて形成した場合の例であり、第２
表に示すように、この場合にも上述した第一の具体例と
同様に、閾値電流の上昇を抑制することができる。なお
、高反射率膜４の作製条件は以下のように設定した。
射率膜４にＡｇを用いて形成した場合の例であり、第２
表に示すように、この場合にも上述した第一の具体例と
同様に、閾値電流の上昇を抑制することができる。なお
、高反射率膜４の作製条件は以下のように設定した。
蒸着材料：Ａｇ
蒸着源：Ｗボード
真空度：ｌＸｌ０−’ｔｏｒｒ
膜厚： ］、 ５００人
発明の効果
本発明は、半導体レーザの光出射端面に遮光性のマスク
層を形成し、光出射端面から出射されたレーザ光により
マスク層の一部を除去若しくは透明化させてピンホール
状の光出射孔を形成し、この光出射孔の形成された後に
光出射端面とは反対側の端面に高反射率膜を形成したの
で、マスク半導体レーザの閾値電流の上昇を抑制するこ
とができ、これにより通常状態の時とほぼ同等な閾値電
流の値にすることができるため常に安定したレーザ出力
を得ることが可能となるものである。
層を形成し、光出射端面から出射されたレーザ光により
マスク層の一部を除去若しくは透明化させてピンホール
状の光出射孔を形成し、この光出射孔の形成された後に
光出射端面とは反対側の端面に高反射率膜を形成したの
で、マスク半導体レーザの閾値電流の上昇を抑制するこ
とができ、これにより通常状態の時とほぼ同等な閾値電
流の値にすることができるため常に安定したレーザ出力
を得ることが可能となるものである。
図面は本発明の一実施例を示す斜視図である。
１・・・半導体レーザ、１ａ・・・光出射端面、■ｂ・
・・反対側の端面、２・・・マスク層、３・・・光出射
孔、４・・・高反射率層 出 願 人 株式会社 リ コ 小 林 寛 町 １） 晴 彦 ５０
・・反対側の端面、２・・・マスク層、３・・・光出射
孔、４・・・高反射率層 出 願 人 株式会社 リ コ 小 林 寛 町 １） 晴 彦 ５０
Claims (1)
- 半導体レーザの光出射端面に遮光性のマスク層を形成し
、前記光出射端面から出射されたレーザ光により前記マ
スク層の一部を除去若しくは透明化させてピンホール状
の光出射孔を形成し、この光出射孔の形成された後前記
光出射端面とは反対側の端面に高反射率膜を形成したこ
とを特徴とするマスク半導体レーザの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21457389A JPH0378283A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | マスク半導体レーザの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21457389A JPH0378283A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | マスク半導体レーザの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0378283A true JPH0378283A (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=16657954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21457389A Pending JPH0378283A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | マスク半導体レーザの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0378283A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009265392A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Hitachi Cable Ltd | 光送信器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130188A (ja) * | 1983-12-17 | 1985-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS60214578A (ja) * | 1984-04-10 | 1985-10-26 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS64785A (en) * | 1986-07-29 | 1989-01-05 | Ricoh Co Ltd | Manufacture of mask semiconductor laser |
| JPH0196979A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Ricoh Co Ltd | マスク半導体レーザー |
| JPH01181588A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-19 | Ricoh Co Ltd | マスク半導体レーザーの製造方法 |
-
1989
- 1989-08-21 JP JP21457389A patent/JPH0378283A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130188A (ja) * | 1983-12-17 | 1985-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS60214578A (ja) * | 1984-04-10 | 1985-10-26 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS64785A (en) * | 1986-07-29 | 1989-01-05 | Ricoh Co Ltd | Manufacture of mask semiconductor laser |
| JPH0196979A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Ricoh Co Ltd | マスク半導体レーザー |
| JPH01181588A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-19 | Ricoh Co Ltd | マスク半導体レーザーの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009265392A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Hitachi Cable Ltd | 光送信器 |
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