JPH037910A - 導波路型光回路素子 - Google Patents
導波路型光回路素子Info
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- JPH037910A JPH037910A JP1219246A JP21924689A JPH037910A JP H037910 A JPH037910 A JP H037910A JP 1219246 A JP1219246 A JP 1219246A JP 21924689 A JP21924689 A JP 21924689A JP H037910 A JPH037910 A JP H037910A
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- waveguide
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
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-
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/06—Polarisation independent
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- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野］
この発明は、方向性結合器を用いた導波路型光回路素子
に関し、特に先導波路内に光の閉じ込め効果が高く且つ
偏光依存性を低減した、光フアイバ通信等に用いる導波
路型光回路素子に関する。
に関し、特に先導波路内に光の閉じ込め効果が高く且つ
偏光依存性を低減した、光フアイバ通信等に用いる導波
路型光回路素子に関する。
（従来の技術）
従来、この種の導波路型光回路素子は、その主要部を形
成する方向性結合器として、第１０図の概略構成図に示
すものがあった。同図において、従来の導波路型光回路
素子、例えば偏光無依存光スィッチは、ニオブ酸リチウ
ム（以下％ ＬＩＮｂ Ｏｓ）の基板（１）上に二本の
導波路（２） （３）を形成し、該導波路（２）
、（３）の一部が接近して結合部（６）を形成する構成
である。上記−の導波路（２）の左側入射端面より強度
Ｐ０の光を入射すると、上記一部接近した結合部（６）
の結合部長りの長さに依存して変化し、この変化した強
度Ｐ＾、ｐａの光を各導波路（２） （３）の右側出
射端面から射出する。この射出される強度ＰＡ−Ｐａの
多光がＰＡ／（ＰＡ＋ Ｉ）ａ） ＝ ｏの関係が成立
する最初の長さ１を完全結合長と呼ぶ、この完全結合長
ぶについての射出光ＰＡ、 ｐａとの関係を第１１図（
＾）に示す、また、完全結合長りは、一般に入射光の偏
光状態、即ち、ＴＥそ−ドかＴＭモードかにより異なる
長さをとる。ここでＴＥモードとは電界成分が基板（１
）に平行な偏光状態をさし、ＴＭモードとは電界成分が
基板（１）に垂直な偏光状態をさしている。なお、上記
二本の導波路（２） 、 （３）はその構造を互いに
等しく構成される。
成する方向性結合器として、第１０図の概略構成図に示
すものがあった。同図において、従来の導波路型光回路
素子、例えば偏光無依存光スィッチは、ニオブ酸リチウ
ム（以下％ ＬＩＮｂ Ｏｓ）の基板（１）上に二本の
導波路（２） （３）を形成し、該導波路（２）
、（３）の一部が接近して結合部（６）を形成する構成
である。上記−の導波路（２）の左側入射端面より強度
Ｐ０の光を入射すると、上記一部接近した結合部（６）
の結合部長りの長さに依存して変化し、この変化した強
度Ｐ＾、ｐａの光を各導波路（２） （３）の右側出
射端面から射出する。この射出される強度ＰＡ−Ｐａの
多光がＰＡ／（ＰＡ＋ Ｉ）ａ） ＝ ｏの関係が成立
する最初の長さ１を完全結合長と呼ぶ、この完全結合長
ぶについての射出光ＰＡ、 ｐａとの関係を第１１図（
＾）に示す、また、完全結合長りは、一般に入射光の偏
光状態、即ち、ＴＥそ−ドかＴＭモードかにより異なる
長さをとる。ここでＴＥモードとは電界成分が基板（１
）に平行な偏光状態をさし、ＴＭモードとは電界成分が
基板（１）に垂直な偏光状態をさしている。なお、上記
二本の導波路（２） 、 （３）はその構造を互いに
等しく構成される。
上記従来の導波路型光回路素子としての偏光無依存光ス
ィッチの方向性結合器は、結合部（δ）に一対の電極（
図示を省略する）を設けて一様Δβ型に構成し、電界を
印加することにより電気光学効果に基づき入射光をスイ
ッチングすることができる。このスイッチング状態を第
１１図（Ｂ） に−様Δβのスイッチングダイアグラム
として示す。同図において、ｅ状態（バー状態）は入射
光の強度ＰＧが射出光の強度ＰＡとなり他の射出光の強
度Ｐａ＝０の状態を示し、■状態（クロス状態）は入射
光の強度Ｐ０が射出光の強度Ｐ５となり、他の射出光の
強度ｐＡ＝ ｏの状態を示す。また、電界（Δβ・Ｌ／
π）を印加すると複数の円弧上において上記ｅ状態とな
る。
ィッチの方向性結合器は、結合部（δ）に一対の電極（
図示を省略する）を設けて一様Δβ型に構成し、電界を
印加することにより電気光学効果に基づき入射光をスイ
ッチングすることができる。このスイッチング状態を第
１１図（Ｂ） に−様Δβのスイッチングダイアグラム
として示す。同図において、ｅ状態（バー状態）は入射
光の強度ＰＧが射出光の強度ＰＡとなり他の射出光の強
度Ｐａ＝０の状態を示し、■状態（クロス状態）は入射
光の強度Ｐ０が射出光の強度Ｐ５となり、他の射出光の
強度ｐＡ＝ ｏの状態を示す。また、電界（Δβ・Ｌ／
π）を印加すると複数の円弧上において上記ｅ状態とな
る。
次に、結合部長りと完全結合長℃との比（Ｌ／Ｕ）がＴ
Ｍモード及びＴＥモードについて共に’１」 （Ｌ／ｌ
１＝ｔ）として電界を印加した場合のＴＥ／ＴＭ両モー
ドのスイッチングダイアグラムを第１２図に示す。同図
において、電界を印加して（Δβ・Ｌ／π）を増加して
いくとＴＥモードが（Δβ・Ｌ／π）＃５．２でθ状態
となり、さらに電界を印加して（Δβ・Ｌ／π）を増加
していくと、ＴＭモードが（Δβ・Ｌ／π）師５．９で
θ状態となる。このようにＴ Ｅ／Ｔ Ｍ両モードを■
状態からθ状態へ切り替えることにより入射光をスイッ
チングすることができる。
Ｍモード及びＴＥモードについて共に’１」 （Ｌ／ｌ
１＝ｔ）として電界を印加した場合のＴＥ／ＴＭ両モー
ドのスイッチングダイアグラムを第１２図に示す。同図
において、電界を印加して（Δβ・Ｌ／π）を増加して
いくとＴＥモードが（Δβ・Ｌ／π）＃５．２でθ状態
となり、さらに電界を印加して（Δβ・Ｌ／π）を増加
していくと、ＴＭモードが（Δβ・Ｌ／π）師５．９で
θ状態となる。このようにＴ Ｅ／Ｔ Ｍ両モードを■
状態からθ状態へ切り替えることにより入射光をスイッ
チングすることができる。
また、他の従来の導波路型光回路素子である偏光無依存
光スィッチとしてＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥ
Ｒ５８ｔｈ ０ｃｔｏｒｂｅｒ １９８７ Ｖｏｌ、２
３． Ｎｏ、２１第１１６７頁〜第１１８８頁に記載さ
れたものがありこれを第１３図に示す。同図において、
従来の偏光無依存光スィッチは、ｔ、ｔ Ｎ、 ｏ３の
基板（１）上に二本の導波路（２）（３）が形成され、
該二本の導波路（２） 、 （３）上に一対の電極（４
） 、（５）と該一対の電極（４） （５）の外側
に別の一対の電極（４５）、（５５）とが各々配設され
る構成である。
光スィッチとしてＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥ
Ｒ５８ｔｈ ０ｃｔｏｒｂｅｒ １９８７ Ｖｏｌ、２
３． Ｎｏ、２１第１１６７頁〜第１１８８頁に記載さ
れたものがありこれを第１３図に示す。同図において、
従来の偏光無依存光スィッチは、ｔ、ｔ Ｎ、 ｏ３の
基板（１）上に二本の導波路（２）（３）が形成され、
該二本の導波路（２） 、 （３）上に一対の電極（４
） 、（５）と該一対の電極（４） （５）の外側
に別の一対の電極（４５）、（５５）とが各々配設され
る構成である。
上記構成において、上記電極（４）、 （５）、（４５
）、（５５）に電圧を印加し、ｅ状態となる上記電圧を
ＴＥ／ＴＭ両モードで一致させる条件は、ＬＩ ＮｂＯ
３の基板（１）の電気光学係数γ８．とγ５．で決定さ
れる。この場合におけるΔβ（印加電圧に対応）に対す
るＴＥ／ＴＭ両モードのクロストークを第１４図に示す
。同図においてα＝Δβ丁ｅ／ΔβＴｌｌである（Δβ
Ｔ！、６３１ＭはそれぞれＴＥ、ＴＭモードに対する方
向性結合器の位相不整合）。このαが０．２５≦α≦０
．３４である場合には、印加電圧の調整により両モード
でクロストーク−２０ｄＢ以下とすることができる。波
長１９３μｍ付近での実測値はα＝ ０．２９であり、
上記条件を満足していることがらｅ状態になる電圧をＴ
Ｅ／ＴＭ両モードで一致させることができることなる。
）、（５５）に電圧を印加し、ｅ状態となる上記電圧を
ＴＥ／ＴＭ両モードで一致させる条件は、ＬＩ ＮｂＯ
３の基板（１）の電気光学係数γ８．とγ５．で決定さ
れる。この場合におけるΔβ（印加電圧に対応）に対す
るＴＥ／ＴＭ両モードのクロストークを第１４図に示す
。同図においてα＝Δβ丁ｅ／ΔβＴｌｌである（Δβ
Ｔ！、６３１ＭはそれぞれＴＥ、ＴＭモードに対する方
向性結合器の位相不整合）。このαが０．２５≦α≦０
．３４である場合には、印加電圧の調整により両モード
でクロストーク−２０ｄＢ以下とすることができる。波
長１９３μｍ付近での実測値はα＝ ０．２９であり、
上記条件を満足していることがらｅ状態になる電圧をＴ
Ｅ／ＴＭ両モードで一致させることができることなる。
さらに、他の従来の導波路型光回路素子である偏光無依
存光スィッチとしてＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＬＥＴＴＥ
Ｒ５１５ｔｈ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８８ Ｖｏｌ
、 ２４．Ｎｏ、１９第１１９８頁ないし第１２００頁
に記載されたものがあり、この従来の偏光無依存光スィ
ッチはＬＩ Ｎ＋、 ０３のような光学的結晶の場合に
電気光学効果がＴＥ／ＴＭ両モードに対して等しく作用
するＸ−ｃｕｔの結晶を用いることにより偏光無依存性
を確保していた。
存光スィッチとしてＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＬＥＴＴＥ
Ｒ５１５ｔｈ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８８ Ｖｏｌ
、 ２４．Ｎｏ、１９第１１９８頁ないし第１２００頁
に記載されたものがあり、この従来の偏光無依存光スィ
ッチはＬＩ Ｎ＋、 ０３のような光学的結晶の場合に
電気光学効果がＴＥ／ＴＭ両モードに対して等しく作用
するＸ−ｃｕｔの結晶を用いることにより偏光無依存性
を確保していた。
従来の導波路型光回路素子は以上のように構成されてい
たので、前記第１２図のスイッチングダイアグラムに示
すようにＴＥモードとＴＭモードとのモード切替に関す
る（Δβ・Ｌ／π）が異なり、偏光無依・存性を完全す
ることができないという課題を有していた。また他の従
来の導波路型光回路素子はＴＥ／ＴＭの両モードの完全
結合長の一致を比較的遮断条件に近い所で得られるが、
導波路における光の閉じ込め効果が弱いため、導波路伝
搬損失や導波路面がり部分での放射損失が大きくなりや
すく、そのため該曲がり部分で導波路幅を大きくする等
の対策が必要になるという課題を有していた。また他の
従来の導波路型光回路素子では利用できる電気光学効果
の作用が弱いため、必要な駆動電圧が大館くなるという
課題を有していた。
たので、前記第１２図のスイッチングダイアグラムに示
すようにＴＥモードとＴＭモードとのモード切替に関す
る（Δβ・Ｌ／π）が異なり、偏光無依・存性を完全す
ることができないという課題を有していた。また他の従
来の導波路型光回路素子はＴＥ／ＴＭの両モードの完全
結合長の一致を比較的遮断条件に近い所で得られるが、
導波路における光の閉じ込め効果が弱いため、導波路伝
搬損失や導波路面がり部分での放射損失が大きくなりや
すく、そのため該曲がり部分で導波路幅を大きくする等
の対策が必要になるという課題を有していた。また他の
従来の導波路型光回路素子では利用できる電気光学効果
の作用が弱いため、必要な駆動電圧が大館くなるという
課題を有していた。
この発明はかかる課題を解決するためになされたもので
、偏光依存性を小さくでき、かつ光閉じ込め効果の強い
導波路とすることができる導波路型光回路素子を得るこ
とを目的とする。
、偏光依存性を小さくでき、かつ光閉じ込め効果の強い
導波路とすることができる導波路型光回路素子を得るこ
とを目的とする。
この発明に係る導波路型光回路素子は、二つの導波路を
近接して配置するとともに、該導波路上に電界印加用の
電極を設置して両導波路間で光強度を変換する方向性結
合器を備えた導波路型光回路素子において、上記方向性
結合器の結合部長を、ＴＥモードについてＴＥモードの
完全結合長の約３倍とすると共に、ＴＭモードについて
ＴＭモードの完全結合長の約１倍とし、かつ上記電極を
、３分割電極とするとともに電界方向を交互に反転させ
る反転Δβ電極としたものである。
近接して配置するとともに、該導波路上に電界印加用の
電極を設置して両導波路間で光強度を変換する方向性結
合器を備えた導波路型光回路素子において、上記方向性
結合器の結合部長を、ＴＥモードについてＴＥモードの
完全結合長の約３倍とすると共に、ＴＭモードについて
ＴＭモードの完全結合長の約１倍とし、かつ上記電極を
、３分割電極とするとともに電界方向を交互に反転させ
る反転Δβ電極としたものである。
この発明における導波路型光回路素子は、方向性結合器
の結合部長をＴＥそ−ドの完全結合長の３倍及びＴＭモ
ードの完全結合長の約１倍として形成することにより、
ＴＥ／ＴＭ両モードの■状態からｅ状態への移行を極め
て近い印加電圧値で行なう。
の結合部長をＴＥそ−ドの完全結合長の３倍及びＴＭモ
ードの完全結合長の約１倍として形成することにより、
ＴＥ／ＴＭ両モードの■状態からｅ状態への移行を極め
て近い印加電圧値で行なう。
（実施例〕
以下、この発明の一実施例を第１図〜第９図（＾）〜（
Ｆ）に基づいて説明する。第１図は本実施例の原理を説
明するための、導波路型光回路素子としての偏光無依存
光スィッチの概略構成図である。この図において、導波
路型光回路素子は、Ｌ、 ＮｂＯ，の基板（１）上に二
本の導波路（２） 、 （３）を形成し、該導波路（２
） 、（３）の一部が接近して結合部（６）を形成し、
該結合部（６）の結合部長りをＴＥモードについてＴＥ
モードの完全結合長の約３倍とすると共に、ＴＭモード
についてＴＭモードの完全結合長の約１倍として形成し
、上記結合部（６）を形成する導波路（２） （３
）上にスイッチング電圧Ｖを印加する電極（４）
（５）を形成して両導波路（２） 、 （３）間で光強
度を変換する方向性結合器を備えた構成である。
Ｆ）に基づいて説明する。第１図は本実施例の原理を説
明するための、導波路型光回路素子としての偏光無依存
光スィッチの概略構成図である。この図において、導波
路型光回路素子は、Ｌ、 ＮｂＯ，の基板（１）上に二
本の導波路（２） 、 （３）を形成し、該導波路（２
） 、（３）の一部が接近して結合部（６）を形成し、
該結合部（６）の結合部長りをＴＥモードについてＴＥ
モードの完全結合長の約３倍とすると共に、ＴＭモード
についてＴＭモードの完全結合長の約１倍として形成し
、上記結合部（６）を形成する導波路（２） （３
）上にスイッチング電圧Ｖを印加する電極（４）
（５）を形成して両導波路（２） 、 （３）間で光強
度を変換する方向性結合器を備えた構成である。
上記素子の動作をチャンネル出力強度に関し第２図に基
づき詳述する。この第２図は完全結合長に対する■状態
のチャンネル出力強度の関係を示す光強度グラフである
。同図において、ＴＥモードについて２．７≦Ｌ／Ｉｔ
丁、≦３．３とし、ＴＭモードについて０，７≦Ｌ ／
Ｉｔ ？Ｍ≦１．３とする数値範囲が定められ、この
数値範囲は挿入損失の観点より定めたものである。この
各完全結合長が２．７≦Ｌ／ｌｔＥ≦３．３ 、０．７
≦Ｌ ／ ｊ２ ？Ｍ≦１．３ とした場合には、■状
態におけるチャンネル出力光強度は約７５％程度を下限
とする範囲とすることができる。このチャンネル出力光
強度約７５％は挿入損失が約−１，２５ｄＢとなること
から、実用範囲としては挿入損失をより多くしても許容
できる。よって挿入損失を約−２ｄＢの範囲とすれば、
ＴＥ／ＴＭ両モードの完全結合長は２．６≦Ｌ／ｊ２〒
、≦３．４．０．６≦Ｌ／ｊ！ｔｖ≦１．４とすること
もできる。
づき詳述する。この第２図は完全結合長に対する■状態
のチャンネル出力強度の関係を示す光強度グラフである
。同図において、ＴＥモードについて２．７≦Ｌ／Ｉｔ
丁、≦３．３とし、ＴＭモードについて０，７≦Ｌ ／
Ｉｔ ？Ｍ≦１．３とする数値範囲が定められ、この
数値範囲は挿入損失の観点より定めたものである。この
各完全結合長が２．７≦Ｌ／ｌｔＥ≦３．３ 、０．７
≦Ｌ ／ ｊ２ ？Ｍ≦１．３ とした場合には、■状
態におけるチャンネル出力光強度は約７５％程度を下限
とする範囲とすることができる。このチャンネル出力光
強度約７５％は挿入損失が約−１，２５ｄＢとなること
から、実用範囲としては挿入損失をより多くしても許容
できる。よって挿入損失を約−２ｄＢの範囲とすれば、
ＴＥ／ＴＭ両モードの完全結合長は２．６≦Ｌ／ｊ２〒
、≦３．４．０．６≦Ｌ／ｊ！ｔｖ≦１．４とすること
もできる。
次に、上記導波路型光回路素子を製造方法との関係で説
明する。一般にＬｉＮｂＯ２の基板（１）に導波路（２
） 、（３）を形成する方法としては、Ｔｌ（チタン）
拡散法が最も一般的に用いられる。このＴｌ拡散法によ
り形成した導波路（２） 、（３）では異常光線に対す
る屈折率変化Δｎ、の方が常光線に対する屈折率変化Δ
ｎｏよりも大きくすることが容易で−ある。即ち、Ｚ−
ｃｕｔ結晶のり、 Ｎ１１Ｏ，基板（１）ではＴＭモー
ドの完全結合長をＴＥモードの完全結合長よりも長くす
ることが容易である。導波路（２） 、（３）の幅や二
本の導波路間隔、そしてＴ、拡散条件を適当に設定する
ことで、方向性結合器の結合部長しの長さが、ＴＥ／Ｔ
Ｍ両モードの完全結合長に対してそれぞれ約３倍、１倍
とすることは容易に可能であり、このような導波路は光
の閉じ込め効果が十分に大きなものである。
明する。一般にＬｉＮｂＯ２の基板（１）に導波路（２
） 、（３）を形成する方法としては、Ｔｌ（チタン）
拡散法が最も一般的に用いられる。このＴｌ拡散法によ
り形成した導波路（２） 、（３）では異常光線に対す
る屈折率変化Δｎ、の方が常光線に対する屈折率変化Δ
ｎｏよりも大きくすることが容易で−ある。即ち、Ｚ−
ｃｕｔ結晶のり、 Ｎ１１Ｏ，基板（１）ではＴＭモー
ドの完全結合長をＴＥモードの完全結合長よりも長くす
ることが容易である。導波路（２） 、（３）の幅や二
本の導波路間隔、そしてＴ、拡散条件を適当に設定する
ことで、方向性結合器の結合部長しの長さが、ＴＥ／Ｔ
Ｍ両モードの完全結合長に対してそれぞれ約３倍、１倍
とすることは容易に可能であり、このような導波路は光
の閉じ込め効果が十分に大きなものである。
次に第３図〜第５図（＾） 、（Ｂ）に基づいて上記実
施例を説明する。第３図、第４図に示すように、本実施
例は、電極（４） （５）を３分割電極（１１）、
（１２）、（１３）とするとともに、電界方向を交互に
反転させる反転Δβ電極として構成している。即ち、こ
の方向性結合器の結合部長はしで、各電極（１１）〜（
１３）の電極長さは（Ｌ／３）となっており、隣あう電
極対は互いに逆極性で等しい電圧が印加される。ところ
で上記結合部長しが、既述の如く、ＴＥモード、ＴＭモ
ードの完全結合長ｉＴＥ、ｉＴＭに対して２．７≦Ｌ／
Ｊ！ｙｚ≦３．３ 、０．７≦ｔ、／ＪＺＴ、≦１．３
の関係を満たすように上記方向性結合器は製作されてい
る。上記電極構成により、各分割区間内で導波光は、第
３図に示すように＋Δβ、−Δβ、＋Δβという伝搬定
数変化を受ける。この伝搬定数変化は、ＴＥモード、Ｔ
Ｍモードで異なり、その差は次式で示される。
施例を説明する。第３図、第４図に示すように、本実施
例は、電極（４） （５）を３分割電極（１１）、
（１２）、（１３）とするとともに、電界方向を交互に
反転させる反転Δβ電極として構成している。即ち、こ
の方向性結合器の結合部長はしで、各電極（１１）〜（
１３）の電極長さは（Ｌ／３）となっており、隣あう電
極対は互いに逆極性で等しい電圧が印加される。ところ
で上記結合部長しが、既述の如く、ＴＥモード、ＴＭモ
ードの完全結合長ｉＴＥ、ｉＴＭに対して２．７≦Ｌ／
Ｊ！ｙｚ≦３．３ 、０．７≦ｔ、／ＪＺＴ、≦１．３
の関係を満たすように上記方向性結合器は製作されてい
る。上記電極構成により、各分割区間内で導波光は、第
３図に示すように＋Δβ、−Δβ、＋Δβという伝搬定
数変化を受ける。この伝搬定数変化は、ＴＥモード、Ｔ
Ｍモードで異なり、その差は次式で示される。
ここでΔβＴＥ：ＴＥモードの受ける伝搬定数変化Δβ
丁、４：ＴＭモードの受ける伝搬定数変化ｎ６：異常光
線屈折率 ｎｏ：常光線屈折率 γ３３・γ１３：電気光学定数 ｒＴ、：ＴＥモードに対する印加電界の重なり積分 子ｙｍ：ＴＭモードに対する印加電界の重なり積分 第５図（Ａ＞ 、（Ｂ）は、第３図、第４図に示す３分
割電極の本実施例素子の素子特性である。この図で横軸
はＴＭモードに対する（Δβ・Ｌ／π）を示し、縦軸は
、導波路（２）から強度Ｒ８とじて入射する光電力を「
１」とし、導波路（３）から入射する光電力を「０」と
した場合において、導波路（３ａ）から強度Ｓとして出
力されるＴＥモード光及びＴＭモード光の光電力の、上
記Ｒ０の入射光の光電力に対する電力比（−１０１ｏｇ
（Ｓ／Ｓｏ） ）を示している０図中実線はＴＭモード
光を、破線はＴＥモード光をそれぞれ示している。第５
図（Ａ）は、Ｌ ／ Ｉｔ ７ Ｍ ；１−０ 、Ｌ
／ １１ 〒Ｅ ＝３−０ 、ａ ＝３−６の条件の下
での素子特性を示し、第５図（８）は、Ｌ／ ｊ２Ｔｉ
ｇ＝０．８ 、Ｌ／ ｆｔ１＝２．８ 、 ａ ＝３．
８の条件の下での素子特性を示している。第５図（＾）
は、本実施例素子が光スィッチとしての特性を有するこ
とを示している。即ち、（Δβ・Ｌ／π）＝０では入射
光はすべてＳとして出力されているが、（Δβ・Ｌ／π
）４５．８では挿入損失＝−２０ｄＢ以下が得られてい
る。−１第５図（Ｂ）は、方向性結合器の結合部長りを
若干変化させ、かつａ＝３．８とした場合を示しており
、図示するように、ＴＥ／ＴＭ両モードの出力光強度は
、（Δβ・Ｌ／π）の変化に対してほとんど等しく変化
している。但し結合部長りを若干変更したため、（Δβ
・Ｌ／π）＝０で約０．５ｄＢの挿入損失を許容しなけ
ればならない。このような挿入損失の発生にもかかわら
ず（Δβ・Ｌ／π）の変化に対してＴＥ／ＴＭ両モード
光の出力強度が等しく変化するという特徴は他の手段で
は得がたいものであり、この特性を利用することにより
、偏光依存性の小さい分岐比可変型光分岐器や情報分配
形光スイッチ等の導波路型光回路素子を実現することが
できる。
丁、４：ＴＭモードの受ける伝搬定数変化ｎ６：異常光
線屈折率 ｎｏ：常光線屈折率 γ３３・γ１３：電気光学定数 ｒＴ、：ＴＥモードに対する印加電界の重なり積分 子ｙｍ：ＴＭモードに対する印加電界の重なり積分 第５図（Ａ＞ 、（Ｂ）は、第３図、第４図に示す３分
割電極の本実施例素子の素子特性である。この図で横軸
はＴＭモードに対する（Δβ・Ｌ／π）を示し、縦軸は
、導波路（２）から強度Ｒ８とじて入射する光電力を「
１」とし、導波路（３）から入射する光電力を「０」と
した場合において、導波路（３ａ）から強度Ｓとして出
力されるＴＥモード光及びＴＭモード光の光電力の、上
記Ｒ０の入射光の光電力に対する電力比（−１０１ｏｇ
（Ｓ／Ｓｏ） ）を示している０図中実線はＴＭモード
光を、破線はＴＥモード光をそれぞれ示している。第５
図（Ａ）は、Ｌ ／ Ｉｔ ７ Ｍ ；１−０ 、Ｌ
／ １１ 〒Ｅ ＝３−０ 、ａ ＝３−６の条件の下
での素子特性を示し、第５図（８）は、Ｌ／ ｊ２Ｔｉ
ｇ＝０．８ 、Ｌ／ ｆｔ１＝２．８ 、 ａ ＝３．
８の条件の下での素子特性を示している。第５図（＾）
は、本実施例素子が光スィッチとしての特性を有するこ
とを示している。即ち、（Δβ・Ｌ／π）＝０では入射
光はすべてＳとして出力されているが、（Δβ・Ｌ／π
）４５．８では挿入損失＝−２０ｄＢ以下が得られてい
る。−１第５図（Ｂ）は、方向性結合器の結合部長りを
若干変化させ、かつａ＝３．８とした場合を示しており
、図示するように、ＴＥ／ＴＭ両モードの出力光強度は
、（Δβ・Ｌ／π）の変化に対してほとんど等しく変化
している。但し結合部長りを若干変更したため、（Δβ
・Ｌ／π）＝０で約０．５ｄＢの挿入損失を許容しなけ
ればならない。このような挿入損失の発生にもかかわら
ず（Δβ・Ｌ／π）の変化に対してＴＥ／ＴＭ両モード
光の出力強度が等しく変化するという特徴は他の手段で
は得がたいものであり、この特性を利用することにより
、偏光依存性の小さい分岐比可変型光分岐器や情報分配
形光スイッチ等の導波路型光回路素子を実現することが
できる。
尚、上記実施例では、′ｓ５図（Ｂ）に示すような最適
な素子特性を得る場合、電極長をそれぞれＬ／３と均等
分割した上で、ａの値をａ４３．８としている。しかし
、一般にａの値は導波路が光を閉じ込めている状態、及
び電気光学定数などによって決定されるため、ａの値を
自由に選んで最適な素子特性を得るのは困難である。こ
のことから、製作された方向性結合器のａの値を知り、
この値から光スィッチ或は分岐比可変型光分岐器として
最適な素子特性を得るように各電極の長さＵいＶいｗＬ
を設定してもよい。
な素子特性を得る場合、電極長をそれぞれＬ／３と均等
分割した上で、ａの値をａ４３．８としている。しかし
、一般にａの値は導波路が光を閉じ込めている状態、及
び電気光学定数などによって決定されるため、ａの値を
自由に選んで最適な素子特性を得るのは困難である。こ
のことから、製作された方向性結合器のａの値を知り、
この値から光スィッチ或は分岐比可変型光分岐器として
最適な素子特性を得るように各電極の長さＵいＶいｗＬ
を設定してもよい。
上記のような観点から設計された方向性結合器として第
６図に示すものがある。第３図に示す方向性結合器と異
なる点は、各電極長が均等に３分割されたＬ／３でなく
、各電極長がａの値に応じて異ならせていることである
。
６図に示すものがある。第３図に示す方向性結合器と異
なる点は、各電極長が均等に３分割されたＬ／３でなく
、各電極長がａの値に応じて異ならせていることである
。
次にａ（ΔβＴｌ１ｌ／ΔβＴＥ）＝３の方向性結合器
をｔ、／ ｊ！ｔｖ−１、Ｌ／ １７（＝ ３ 、 ｕ
＝０．４ 。
をｔ、／ ｊ！ｔｖ−１、Ｌ／ １７（＝ ３ 、 ｕ
＝０．４ 。
ｖ ＝ ０．３ 、 ｗ ｗ Ｏ，４の値にし、光スィ
ッチを構成した場合のスイッチ特性を計算した結果を第
７図（＾）に示す、又、ａ＝４の方向性結合器に上記多
値を設定し、光スィッチとしての特性を計算した結果を
同図（Ｂ）に示す。これらの特性図から明らかなように
、３≦ａ≦４の広い範囲において、ＴＥ／ＴＭ両モード
光ともクロストーク−２０ｄＢの特性を得ることができ
る。又、同図（Ｃ）から明らかなように、Ｌ、／ｆ１丁
−＝１．Ｌ／ｕＴ、＝３゜ｕ＝０．３ 、 ｖ＝０．
４ 、 ｗ＝０．３の値は、ａ＝３．４の方向性結合器
の特設も光スィッチとしての特性が優れている。このよ
うに、ａの値を知った上で、Ｕ、Ｖ、Ｗの値を決めるこ
とで、光スィッチとしての最適な特性を得ることができ
る６更に、ａ＝３．４の方向性結合器にＬ／Ｊ２ｔｍ＝
１ 、 Ｌ／１ｔｔｅ＝３． ｕ＝０．３７５ 、 Ｖ
＝０．２５． Ｗ＝ＯＪ７５の値を設定し、分岐比可変
型光分岐器を構成した時の特性を計算した結果を第８図
（Ａ）に示すが、この特性図からも明らかなように（Δ
β・Ｌ／π）の変化に対してＴ Ｍ／Ｔ Ｅ両モード光
の出力強度は等しく変化する。
ッチを構成した場合のスイッチ特性を計算した結果を第
７図（＾）に示す、又、ａ＝４の方向性結合器に上記多
値を設定し、光スィッチとしての特性を計算した結果を
同図（Ｂ）に示す。これらの特性図から明らかなように
、３≦ａ≦４の広い範囲において、ＴＥ／ＴＭ両モード
光ともクロストーク−２０ｄＢの特性を得ることができ
る。又、同図（Ｃ）から明らかなように、Ｌ、／ｆ１丁
−＝１．Ｌ／ｕＴ、＝３゜ｕ＝０．３ 、 ｖ＝０．
４ 、 ｗ＝０．３の値は、ａ＝３．４の方向性結合器
の特設も光スィッチとしての特性が優れている。このよ
うに、ａの値を知った上で、Ｕ、Ｖ、Ｗの値を決めるこ
とで、光スィッチとしての最適な特性を得ることができ
る６更に、ａ＝３．４の方向性結合器にＬ／Ｊ２ｔｍ＝
１ 、 Ｌ／１ｔｔｅ＝３． ｕ＝０．３７５ 、 Ｖ
＝０．２５． Ｗ＝ＯＪ７５の値を設定し、分岐比可変
型光分岐器を構成した時の特性を計算した結果を第８図
（Ａ）に示すが、この特性図からも明らかなように（Δ
β・Ｌ／π）の変化に対してＴ Ｍ／Ｔ Ｅ両モード光
の出力強度は等しく変化する。
更に又、ａ＝３．６ 、Ｌ／ｊ２ｔｙ＝ １ 、Ｌ／、
Ｑ丁ｇ＝３ 、 ｕ ＝０．３６７５． ｖ ＝０．２
６５ 、 ｗ−０，３７５として分岐比可変型光分岐器
を構成した時の特性を計算した結果を同図（Ｂ）に示す
が、この例でも（Δβ・Ｌ／π）の変化に対してＴＭ／
ＴＥ両モード光の出力強度は等しく変化する。
Ｑ丁ｇ＝３ 、 ｕ ＝０．３６７５． ｖ ＝０．２
６５ 、 ｗ−０，３７５として分岐比可変型光分岐器
を構成した時の特性を計算した結果を同図（Ｂ）に示す
が、この例でも（Δβ・Ｌ／π）の変化に対してＴＭ／
ＴＥ両モード光の出力強度は等しく変化する。
以上のように、電極長の値を必ずしも均等にせず、ａの
値に応じて各電極長Ｕい■いＷＬ、（Ｕ＋ｖ＋ｗ＝ １
）を設計することで、光スィッチの場合も、可変型光
分岐器の場合も特性を最適化することが可能である。
値に応じて各電極長Ｕい■いＷＬ、（Ｕ＋ｖ＋ｗ＝ １
）を設計することで、光スィッチの場合も、可変型光
分岐器の場合も特性を最適化することが可能である。
第９図（＾）〜（Ｆ）は本実施例素子の製造順序を示す
もので、図示するように、Ｚ−ｃｕｔのＬ＋ Ｎｂ Ｏ
３基板（１）上に光露光技術を用いて光導波路パターン
のホトレジスト（６１）を形成しく同図（Ａ））、次い
でホトレジスト（６１）を有する基板（１）上にＴＩ
（６２）を拡散源として蒸着しく同図（Ｂ））、次いで
、ホトレジスト（６１）を有機溶剤を用いて基板（１）
より除去して幅Ｗ５間隔Ｇ、高さＴの、Ｔ１で形成さ
れるリフトオフ部（６３）を形成する（同図（Ｃ））。
もので、図示するように、Ｚ−ｃｕｔのＬ＋ Ｎｂ Ｏ
３基板（１）上に光露光技術を用いて光導波路パターン
のホトレジスト（６１）を形成しく同図（Ａ））、次い
でホトレジスト（６１）を有する基板（１）上にＴＩ
（６２）を拡散源として蒸着しく同図（Ｂ））、次いで
、ホトレジスト（６１）を有機溶剤を用いて基板（１）
より除去して幅Ｗ５間隔Ｇ、高さＴの、Ｔ１で形成さ
れるリフトオフ部（６３）を形成する（同図（Ｃ））。
次いで光導波路パターンのりフトオフ部（６３）を有す
る基板（１）を高温で加熱して拡散源としてのＴＩを基
板（１）中に拡散して光導波路（６４）を作製する（同
図（Ｄ））。次いでこの先導波路（６４）が形成された
基板（１）の表面に例えば約４０００人厚みの５１０２
１１ｉ （６５）をバッファ層として形成した後（同図
（Ｅｌ）、このｓ、 ｏ□膜（６５）の表面に、先導波
路（６４）上に位置するように電極（６６）を形成する
（同図（Ｆ））、ところでｓｉ ｏ２膜（６５）を形成
したのは、電極（６６）が金属で構成されていることか
ら、この金属による光の吸収を避けるためである。なお
、上記結合部の条件を満たすために、第６図（ＣＪ中の
Ｗ、Ｇ、Ｔの寸法や拡散条件を適当に設定する必要があ
る。
る基板（１）を高温で加熱して拡散源としてのＴＩを基
板（１）中に拡散して光導波路（６４）を作製する（同
図（Ｄ））。次いでこの先導波路（６４）が形成された
基板（１）の表面に例えば約４０００人厚みの５１０２
１１ｉ （６５）をバッファ層として形成した後（同図
（Ｅｌ）、このｓ、 ｏ□膜（６５）の表面に、先導波
路（６４）上に位置するように電極（６６）を形成する
（同図（Ｆ））、ところでｓｉ ｏ２膜（６５）を形成
したのは、電極（６６）が金属で構成されていることか
ら、この金属による光の吸収を避けるためである。なお
、上記結合部の条件を満たすために、第６図（ＣＪ中の
Ｗ、Ｇ、Ｔの寸法や拡散条件を適当に設定する必要があ
る。
したがって、この発明に係る導波路型光回路素子は、方
向性結合器の結合９部長を、ＴＥモードについてＴＥモ
ードの完全結合長の約３倍（本実施例では２．６〜３．
４倍）とすると共にＴＭモードについてＴＭモードの完
全結合長の約１倍（本実施例では０．６〜１．４倍）と
する構成を採ったことから、導波路の光閉じ込め効果を
極めて高く確保できることとなり、導波路曲がり部分で
の放射損失が小さくなり、このため導波路曲がり部分で
導波路幅を大きくするなどの対策は不要となる。
向性結合器の結合９部長を、ＴＥモードについてＴＥモ
ードの完全結合長の約３倍（本実施例では２．６〜３．
４倍）とすると共にＴＭモードについてＴＭモードの完
全結合長の約１倍（本実施例では０．６〜１．４倍）と
する構成を採ったことから、導波路の光閉じ込め効果を
極めて高く確保できることとなり、導波路曲がり部分で
の放射損失が小さくなり、このため導波路曲がり部分で
導波路幅を大きくするなどの対策は不要となる。
以上説明したように、この発明においては、偏光依存性
を小さくできかつ光閉じ込め効果を強くすることができ
る。
を小さくできかつ光閉じ込め効果を強くすることができ
る。
又、各電極長を適当に設定することでＴＥ／ＴＥ両モー
ド光とも電圧変化に対して等しく変化するようにするこ
とができる。
ド光とも電圧変化に対して等しく変化するようにするこ
とができる。
第１図はこの発明に係る導波路型光回路素子の原理を示
す概略構成図、第２図は完全結合長に対する■状態のチ
ャンネル出力強度の関係のグラフ、第３図はこの発明の
一実施例に係る素子の平面構造図、第４図は同じく素子
の電極の印加状態を示す平面構造図、第５図（＾）、（
Ｂ）は本実施例に係る素子の素子特性を示すグラフ、第
６図はこの発明の他の実施例に係る素子の平面構造図、
第７図（Ａ） 、 （Ｂ） 、 （Ｃ）及び第８図（＾
）、（Ｂ）は他の実施例に係る素子の素子特性を示すグ
ラフ、第９図（Ａ）〜（Ｆ）は該素子の製造順序を示す
素子正面図、第１Ｏ図は従来の導波路型光回路素子の概
略構成図、第１１図（＾）は完全結合長に対する射出光
強度の関係グラフ、第１１図（Ｂ）は−様Δβの・スイ
ッチングダイアダラム、第１２図はＴＥ／ＴＭ両モード
のスイツチングダイアグラム、第１３図は他の従来の素
子の概略構成図、第１４図はＴＥモードのスイッチング
電圧に対する挿入損失の関係グラフを示す（１）・・・
基板 （２） 、 （３）・・・導波路 （４） 、 （５）・・・電極 （６）・・・結合部 （１１）〜（１３）・・・３分割電極、Ｌ・・・結合部
長、 １丁ε・・・ＴＥモードの完全結合長、ｌ１Ｔ−・・・
ＴＭモードの完全結合長。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分をす。
す概略構成図、第２図は完全結合長に対する■状態のチ
ャンネル出力強度の関係のグラフ、第３図はこの発明の
一実施例に係る素子の平面構造図、第４図は同じく素子
の電極の印加状態を示す平面構造図、第５図（＾）、（
Ｂ）は本実施例に係る素子の素子特性を示すグラフ、第
６図はこの発明の他の実施例に係る素子の平面構造図、
第７図（Ａ） 、 （Ｂ） 、 （Ｃ）及び第８図（＾
）、（Ｂ）は他の実施例に係る素子の素子特性を示すグ
ラフ、第９図（Ａ）〜（Ｆ）は該素子の製造順序を示す
素子正面図、第１Ｏ図は従来の導波路型光回路素子の概
略構成図、第１１図（＾）は完全結合長に対する射出光
強度の関係グラフ、第１１図（Ｂ）は−様Δβの・スイ
ッチングダイアダラム、第１２図はＴＥ／ＴＭ両モード
のスイツチングダイアグラム、第１３図は他の従来の素
子の概略構成図、第１４図はＴＥモードのスイッチング
電圧に対する挿入損失の関係グラフを示す（１）・・・
基板 （２） 、 （３）・・・導波路 （４） 、 （５）・・・電極 （６）・・・結合部 （１１）〜（１３）・・・３分割電極、Ｌ・・・結合部
長、 １丁ε・・・ＴＥモードの完全結合長、ｌ１Ｔ−・・・
ＴＭモードの完全結合長。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分をす。
Claims (1)
- 二つの導波路を近接して配置するとともに、該導波路上
に電界印加用の電極を設置して両導波路間で光強度を変
換する方向性結合器を備えた導波路型光回路素子におい
て、上記方向性結合器の結合部長を、ＴＥモードについ
てＴＥモードの完全結合長の約３倍とすると共に、ＴＭ
モードについてＴＭモードの完全結合長の約１倍とし、
かつ上記電極を、３分割電極とするとともに電界方向を
交互に反転させる反転Δβ電極としたことを特徴とする
導波路型光回路素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1219246A JP2754774B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-08-25 | 導波路型光回路素子 |
| EP90901661A EP0417295B1 (en) | 1989-03-31 | 1990-01-04 | Optical circuit element of waveguide type |
| DE69017564T DE69017564T2 (de) | 1989-03-31 | 1990-01-04 | Verfahren und vorrichtung für fernsehrundfunk. |
| PCT/JP1990/000005 WO1990012341A1 (fr) | 1989-03-31 | 1990-01-04 | Element de circuit optique du type guide d'ondes |
| US07/566,460 US5103491A (en) | 1989-03-31 | 1990-01-04 | Waveguide type optical circuit element |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8245889 | 1989-03-31 | ||
| JP1-82458 | 1989-03-31 | ||
| JP1219246A JP2754774B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-08-25 | 導波路型光回路素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH037910A true JPH037910A (ja) | 1991-01-16 |
| JP2754774B2 JP2754774B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=26423468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1219246A Expired - Lifetime JP2754774B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-08-25 | 導波路型光回路素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5103491A (ja) |
| EP (1) | EP0417295B1 (ja) |
| JP (1) | JP2754774B2 (ja) |
| DE (1) | DE69017564T2 (ja) |
| WO (1) | WO1990012341A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017090523A1 (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | マツダ株式会社 | 車両の内装構造 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2668615B1 (fr) * | 1990-10-31 | 1992-12-11 | France Etat | Separateur de polarisations pour lumiere guidee. |
| US5375180A (en) * | 1993-10-04 | 1994-12-20 | At&T Corp. | Process tolerant reverse delta-beta directional coupler switch and method of fabricating same |
| JPH07318986A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Nec Corp | 導波路型光スイッチ |
| US7236708B2 (en) * | 2001-10-25 | 2007-06-26 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical communication system with optical output level control function |
| US9784914B2 (en) * | 2013-09-12 | 2017-10-10 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Waveguide superlattices for high density photonics integrations |
| WO2022051021A2 (en) * | 2020-07-02 | 2022-03-10 | President And Fellows Of Harvard College | Electromagnetic waveguides using cascaded mode conversion |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4291939A (en) * | 1978-03-24 | 1981-09-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Polarization-independent optical switches/modulators |
| US4243295A (en) * | 1979-09-19 | 1981-01-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Polarization-independent optical directional coupler switch/modulator |
| JPS56110916A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-02 | Nec Corp | Magnetic-optical thin film optical switch |
| US4390236A (en) * | 1981-03-19 | 1983-06-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Tunable polarization independent wavelength filter |
| US4679893A (en) * | 1983-08-26 | 1987-07-14 | Hughes Aircraft Company | High switching frequency optical waveguide switch, modulator, and filter devices |
| US4711515A (en) * | 1984-05-29 | 1987-12-08 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Electrooptic polarization multiplexer/demultiplexer |
| JPH0785151B2 (ja) * | 1986-06-19 | 1995-09-13 | 富士通株式会社 | 導波路光スイツチ |
| JPS63142333A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 導波型光スイツチ |
| JPH01118821A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 導波型光スイッチ |
| DE3883492T2 (de) * | 1987-11-20 | 1993-12-23 | Ericsson Telefon Ab L M | Verfahren zur Anordnung eines polarisationsrichtenden optoelektronischen Schalters und ein Schalter dafür. |
| US4865408A (en) * | 1989-01-09 | 1989-09-12 | American Telephone And Telegraph Company | Low crosstalk reversed Δβ electrodes for directional coupler switch |
| US4997245A (en) * | 1990-01-04 | 1991-03-05 | Smiths Industries Aerospace & Defense Systems Incorporated | Polarization independent optical switches |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP1219246A patent/JP2754774B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-04 EP EP90901661A patent/EP0417295B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-04 WO PCT/JP1990/000005 patent/WO1990012341A1/ja not_active Ceased
- 1990-01-04 DE DE69017564T patent/DE69017564T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-01-04 US US07/566,460 patent/US5103491A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017090523A1 (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | マツダ株式会社 | 車両の内装構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69017564T2 (de) | 1995-11-02 |
| US5103491A (en) | 1992-04-07 |
| EP0417295A4 (en) | 1992-07-22 |
| DE69017564D1 (de) | 1995-04-13 |
| WO1990012341A1 (fr) | 1990-10-18 |
| JP2754774B2 (ja) | 1998-05-20 |
| EP0417295A1 (en) | 1991-03-20 |
| EP0417295B1 (en) | 1995-03-08 |
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