JPH0379268A - ケモメカニカル研摩に用いられた研摩布を処理する方法および装置 - Google Patents
ケモメカニカル研摩に用いられた研摩布を処理する方法および装置Info
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- JPH0379268A JPH0379268A JP2125604A JP12560490A JPH0379268A JP H0379268 A JPH0379268 A JP H0379268A JP 2125604 A JP2125604 A JP 2125604A JP 12560490 A JP12560490 A JP 12560490A JP H0379268 A JPH0379268 A JP H0379268A
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Classifications
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は特に半導体ウェーへのケモメカニカル研摩に用
いられた研摩布に液体を作用させることによって前記研
摩布を処理する方法および装置に関する。
いられた研摩布に液体を作用させることによって前記研
摩布を処理する方法および装置に関する。
ウェーハ、特に半導体ウェーハをケモメカニカル研摩す
る場合、つまりたいていはケイ酸塩またはケイ酸を主体
に調製された研摩剤を供給されて、運動させられる平ら
な研摩面、一般には回転する平らな研摩面に張設されて
いる研摩布を用いて片側または両側のウェーハ表面を処
理する場合、経験によれば、研摩布の使用期間が高まる
につれて除去量も低下するし、得られた研摩されたウェ
ーハのジオメトリ品質も低下する。片面研摩からも両面
研摩からも同じように知られているこのような効果を阻
止するために、1980年4月10日付の18Mテクニ
カルレポートに掲載された、主として1979年5月1
0日マサチューセッツ州、ボストンで行なわれたスプリ
ング・ミーティング・オブ・ザ・エレクトロケミカル・
ソサイティ(SpringMeeting of th
e Electrochemical 5ociety
)において発表された、メンデル(E、Mendel)
、キャブラン(P、にaplan)およびパトシス(^
、V、Patsis)著の論文「パッド・マテリアルス
・フォー・ケミカルメカニカル・ポリッシング(r’a
d Materials forChemical−M
echanical Polishing) Jでは、
効率の低下した研摩布を10%メタノール・水混合物で
洗浄して、付加的にファイバブラシでブラッシングする
ことにより、このような研摩布を再生することが堤案さ
れている。このような処理はたしかに除去率の低減を阻
止することができるが、しかし研摩布可使時間が高まる
と認められるような、たとえば平坦度に関するウェーハ
ジオメトリの徐々の悪化を喰い止めることができない、
生産規模での研摩過程にとって、両パラメータの変動は
同じように不都合である。
る場合、つまりたいていはケイ酸塩またはケイ酸を主体
に調製された研摩剤を供給されて、運動させられる平ら
な研摩面、一般には回転する平らな研摩面に張設されて
いる研摩布を用いて片側または両側のウェーハ表面を処
理する場合、経験によれば、研摩布の使用期間が高まる
につれて除去量も低下するし、得られた研摩されたウェ
ーハのジオメトリ品質も低下する。片面研摩からも両面
研摩からも同じように知られているこのような効果を阻
止するために、1980年4月10日付の18Mテクニ
カルレポートに掲載された、主として1979年5月1
0日マサチューセッツ州、ボストンで行なわれたスプリ
ング・ミーティング・オブ・ザ・エレクトロケミカル・
ソサイティ(SpringMeeting of th
e Electrochemical 5ociety
)において発表された、メンデル(E、Mendel)
、キャブラン(P、にaplan)およびパトシス(^
、V、Patsis)著の論文「パッド・マテリアルス
・フォー・ケミカルメカニカル・ポリッシング(r’a
d Materials forChemical−M
echanical Polishing) Jでは、
効率の低下した研摩布を10%メタノール・水混合物で
洗浄して、付加的にファイバブラシでブラッシングする
ことにより、このような研摩布を再生することが堤案さ
れている。このような処理はたしかに除去率の低減を阻
止することができるが、しかし研摩布可使時間が高まる
と認められるような、たとえば平坦度に関するウェーハ
ジオメトリの徐々の悪化を喰い止めることができない、
生産規模での研摩過程にとって、両パラメータの変動は
同じように不都合である。
[発明が解決しようとする課題]
したがって、本発明のi!!題は片面研摩および両面研
摩において、長い研摩布可使時間および不変に高い除去
率と共に、得られた研摩されたウェーハの高いジオメト
リ品質が保証されるように、研摩布を処理することので
きる方法を提供することである。さらに、本発明の課題
はこのような方法を実施するために適した装置を提供す
ることである。
摩において、長い研摩布可使時間および不変に高い除去
率と共に、得られた研摩されたウェーハの高いジオメト
リ品質が保証されるように、研摩布を処理することので
きる方法を提供することである。さらに、本発明の課題
はこのような方法を実施するために適した装置を提供す
ることである。
この課題を解決するために、本発明の方法では、研摩過
程後に、圧力を作用させながら研摩布に処理液を貫流さ
せ、その際、研摩過程の間に研摩布の内部に生じた残分
を液体流によって可動性にして、少な(とも部分的に研
摩布から搬出するようにした。
程後に、圧力を作用させながら研摩布に処理液を貫流さ
せ、その際、研摩過程の間に研摩布の内部に生じた残分
を液体流によって可動性にして、少な(とも部分的に研
摩布から搬出するようにした。
すなわち、意想外にも、研摩布に機械的な負荷を加える
ことなく貫流下で行なわれるこのような処理は、研摩布
が機械的にたとえばブラシ、ff、I+離ジブレードた
は表面を粗くする別の補助手段によって処理されるよう
な処理よりも良好な結果を生せしめることが判かった。
ことなく貫流下で行なわれるこのような処理は、研摩布
が機械的にたとえばブラシ、ff、I+離ジブレードた
は表面を粗くする別の補助手段によって処理されるよう
な処理よりも良好な結果を生せしめることが判かった。
本発明による方法は原則的に、液体の貫流を許す中空室
構造を有する研摩布において使用するために適している
。このような研摩布は公知であり、たとえば上述の論文
または欧州特許出願公開第239040号明細書(出願
日1987年3月20日、優先権米国特許出願第843
881号明細書)ならびに前記明細書で引用された、リ
サーチレポートに記載の特許文献または欧州特許出願公
開第291100号明11に記載されている。このよう
な研摩布は一般に、たいていはポリエステルまたはポリ
ウレタンを主体とするポロマー(多孔質材料)から成っ
ており、このようなボロマーには、場合によって補強の
ために繊維材料が混入されていてもよい、また、前記研
摩布はしばしばサンドインチ状に種々の層から構成され
ており、したがって貫流可能な多孔質の多相系である。
構造を有する研摩布において使用するために適している
。このような研摩布は公知であり、たとえば上述の論文
または欧州特許出願公開第239040号明細書(出願
日1987年3月20日、優先権米国特許出願第843
881号明細書)ならびに前記明細書で引用された、リ
サーチレポートに記載の特許文献または欧州特許出願公
開第291100号明11に記載されている。このよう
な研摩布は一般に、たいていはポリエステルまたはポリ
ウレタンを主体とするポロマー(多孔質材料)から成っ
ており、このようなボロマーには、場合によって補強の
ために繊維材料が混入されていてもよい、また、前記研
摩布はしばしばサンドインチ状に種々の層から構成され
ており、したがって貫流可能な多孔質の多相系である。
処理液としては、コストの理由からだけでも主として水
相が挙げられる。原則的には、それどころか純粋な、有
利には脱塩されたか、または逆浸透によって浄化された
水を使用することができる。
相が挙げられる。原則的には、それどころか純粋な、有
利には脱塩されたか、または逆浸透によって浄化された
水を使用することができる。
しかしながら水には、各半導体材料を研摩布で研摩する
際に沈着する残分に化学的に作用して、少なくとも部分
に溶解させる能力のある薬剤が添加されると有利である
。シリコンウェーハの研摩において、たとえば研摩布の
本発明による処理のためには、アルカリ性水溶液が使用
されると有利であり、この場合、10〜12のpH範囲
が特に有利であることが判明している。添加剤としては
、水溶液中でアルカリ性反応するアンモニウムの化合物
ならびにアルカリ金属元素の化合物、特にナトリウムの
水酸化物および炭酸化物、殊にカリウムの水酸化物およ
び炭酸化物が有利であることが判明した。この種のアル
カリ性溶液は、研摩過程において研摩布の内外に形成さ
れるケイ酸塩残分の溶解を補助すると同時に、ケイ酸塩
凝縮物の新たな形成を阻止することが判かった。また、
たいてい褐色の被膜の形で沈積する、完全に酸化されて
ないシリコンの相も一般にアルカリ性媒体中でさらに酸
化されて、溶解によって少なくとも部分的に可動性にさ
れ得る。
際に沈着する残分に化学的に作用して、少なくとも部分
に溶解させる能力のある薬剤が添加されると有利である
。シリコンウェーハの研摩において、たとえば研摩布の
本発明による処理のためには、アルカリ性水溶液が使用
されると有利であり、この場合、10〜12のpH範囲
が特に有利であることが判明している。添加剤としては
、水溶液中でアルカリ性反応するアンモニウムの化合物
ならびにアルカリ金属元素の化合物、特にナトリウムの
水酸化物および炭酸化物、殊にカリウムの水酸化物およ
び炭酸化物が有利であることが判明した。この種のアル
カリ性溶液は、研摩過程において研摩布の内外に形成さ
れるケイ酸塩残分の溶解を補助すると同時に、ケイ酸塩
凝縮物の新たな形成を阻止することが判かった。また、
たいてい褐色の被膜の形で沈積する、完全に酸化されて
ないシリコンの相も一般にアルカリ性媒体中でさらに酸
化されて、溶解によって少なくとも部分的に可動性にさ
れ得る。
同様の作用は別の研摩プロセスにおいても、研摩残分に
は化学的に作用するが、研摩布には作用しない添加剤に
よって得ることができる。ゲルマニウムウェーハまたは
ガリウムヒ素ウェーハの研摩では、研摩布を処理するた
めに、たとえば、薬剤としてたとえば次亜塩素酸塩のよ
うな酸化性の成分、たとえば次亜塩素酸ナトリウムを含
有する水溶液を使用することができる。
は化学的に作用するが、研摩布には作用しない添加剤に
よって得ることができる。ゲルマニウムウェーハまたは
ガリウムヒ素ウェーハの研摩では、研摩布を処理するた
めに、たとえば、薬剤としてたとえば次亜塩素酸塩のよ
うな酸化性の成分、たとえば次亜塩素酸ナトリウムを含
有する水溶液を使用することができる。
とりわけシリコンウェーハの研摩において使用された研
摩布を処理する場合には、1分子中に少なくとも3つの
炭素原子を有するアルコール、有利にはオルガノシラノ
ール、好ましくはトリアルシラノール、特にトリメチル
シラノールまたはトリエチルシラノールを処理液に添加
すると有利であることが判明した。この種の添加剤はケ
イ酸塩の凝縮を阻止し、この場合、このような凝縮物に
よって生ぜしめられる研摩布の被覆は阻止され、既に生
じた被覆体も溶解され得ることが判かった。
摩布を処理する場合には、1分子中に少なくとも3つの
炭素原子を有するアルコール、有利にはオルガノシラノ
ール、好ましくはトリアルシラノール、特にトリメチル
シラノールまたはトリエチルシラノールを処理液に添加
すると有利であることが判明した。この種の添加剤はケ
イ酸塩の凝縮を阻止し、この場合、このような凝縮物に
よって生ぜしめられる研摩布の被覆は阻止され、既に生
じた被覆体も溶解され得ることが判かった。
このようなアルコール性添加剤は僅かな濃度で既に有効
となる。すなわち、各溶液全体に対して0.01〜1重
景%のシラノールの濃度範囲で良好な結果を得ることが
できた。
となる。すなわち、各溶液全体に対して0.01〜1重
景%のシラノールの濃度範囲で良好な結果を得ることが
できた。
たいていの場合は、このような添加剤を各処理ステップ
においてではなく、周期的にのみ、たとえば各5〜15
回目の処理ステップにおいて使用するだけで充分である
ことも判明した。このことは、アルコールの添加にも、
残分に化学的に作用する化合物の添加にも同じように言
え、これらの添加剤は処理液中の添加物として有利には
同時に使用されるが、しかし順次にも使用され得る。こ
のような方法は、しばしば高価な添加剤の消費を少なく
するためにも推奨される。
においてではなく、周期的にのみ、たとえば各5〜15
回目の処理ステップにおいて使用するだけで充分である
ことも判明した。このことは、アルコールの添加にも、
残分に化学的に作用する化合物の添加にも同じように言
え、これらの添加剤は処理液中の添加物として有利には
同時に使用されるが、しかし順次にも使用され得る。こ
のような方法は、しばしば高価な添加剤の消費を少なく
するためにも推奨される。
処理液が研摩布に施される際の圧力条件は重要である。
このような圧力条件は一面において、研摩布内部への処
理液の充分な侵入深さと、充分な貫流距離とを保証し、
他面において、研摩布が自由表面に液体被膜を被覆され
、これによりたとえば敏感な研摩布表面と、処理液の施
与または研摩布表面から流出する液体のかき落しのため
に使用される装置または補助手段との間の機械的な直接
の接触が行なわれないことを保証しなければならない。
理液の充分な侵入深さと、充分な貫流距離とを保証し、
他面において、研摩布が自由表面に液体被膜を被覆され
、これによりたとえば敏感な研摩布表面と、処理液の施
与または研摩布表面から流出する液体のかき落しのため
に使用される装置または補助手段との間の機械的な直接
の接触が行なわれないことを保証しなければならない。
この場合に主として、研摩布構造による影響、処理液が
研摩布に施される際に通る流出開口のジオメトリによる
影響、処理液の施与のために使用される補助手段もしく
は装置のジオメトリによる影響ならびに前記補助手段も
しくは装置の自重および/または付加的な押圧作用によ
って起こる押圧力による影響を考慮するべきである。、
協働するパラメータが多数の場合、適当な圧力条件がそ
の都度、前試験で求められて、特殊なケースに合わせて
調整されると有利である。
研摩布に施される際に通る流出開口のジオメトリによる
影響、処理液の施与のために使用される補助手段もしく
は装置のジオメトリによる影響ならびに前記補助手段も
しくは装置の自重および/または付加的な押圧作用によ
って起こる押圧力による影響を考慮するべきである。、
協働するパラメータが多数の場合、適当な圧力条件がそ
の都度、前試験で求められて、特殊なケースに合わせて
調整されると有利である。
以下に、第1図および第2図につき、本発明による方法
を実施するために適した装置の1実施例と本発明による
方法自体とを詳しく説明する0両図面において、互いに
対応する構成部分は同一の符号を備えている。
を実施するために適した装置の1実施例と本発明による
方法自体とを詳しく説明する0両図面において、互いに
対応する構成部分は同一の符号を備えている。
第1図に部分的に平面図で示された市販の研摩機の研摩
定itには、たとえばポリウレタン製の研摩布2が張設
されている。研摩定盤には、本発明による処理法を実施
するための装置3がizされている。この装置は、たと
えば充分に耐摩耗性のプラスチック、たとえばポリ塩化
ビニル、ポリプロピレン、ポリウレタン、ポリテトラフ
ルオロエチレンまたはフッ素化熱可塑性樹脂、または金
属、たとえば鋼、アルミニウムまたはアルミニウム合金
またはチタンから成る扁平なベースプレート4を有して
おり、この場合、前記金属は場合によってはプラスチッ
ク被覆体、有利にはフッ素化熱可塑性樹脂を主体とした
被覆体を備えていてもよい、このベースプレートは中実
体または中空体として構成されていてよい、材料選択に
あたっては、当然、汚染の危険を考慮しなければならな
い。
定itには、たとえばポリウレタン製の研摩布2が張設
されている。研摩定盤には、本発明による処理法を実施
するための装置3がizされている。この装置は、たと
えば充分に耐摩耗性のプラスチック、たとえばポリ塩化
ビニル、ポリプロピレン、ポリウレタン、ポリテトラフ
ルオロエチレンまたはフッ素化熱可塑性樹脂、または金
属、たとえば鋼、アルミニウムまたはアルミニウム合金
またはチタンから成る扁平なベースプレート4を有して
おり、この場合、前記金属は場合によってはプラスチッ
ク被覆体、有利にはフッ素化熱可塑性樹脂を主体とした
被覆体を備えていてもよい、このベースプレートは中実
体または中空体として構成されていてよい、材料選択に
あたっては、当然、汚染の危険を考慮しなければならな
い。
他面、処理液を貫流させるために必要な圧力領域の不都
合のない構成を可能にするために、充分な圧縮強さおよ
び形状安定性も保証されていなければならない。
合のない構成を可能にするために、充分な圧縮強さおよ
び形状安定性も保証されていなければならない。
片面研摩機において研摩布を処理するために使用する場
合には、研摩定盤に向いたベースプレート作業面だけが
平らであれば充分であるが、両面研摩においてはベース
プレートが上面と下面とに平行平面の平らな接触面もし
くは作業面を有していると有利である。その理由は、こ
のように構成されていると、上側の研摩布の処理と下側
の研摩布の処理とを同時に行なうことができるからであ
る。直方体形または条片形のベースプレートが有利であ
ることが判明したが、しかし、たとえば半径方向外側に
拡張しているような別の形状の作業面を備えたベースプ
レートの使用も排除されていない。
合には、研摩定盤に向いたベースプレート作業面だけが
平らであれば充分であるが、両面研摩においてはベース
プレートが上面と下面とに平行平面の平らな接触面もし
くは作業面を有していると有利である。その理由は、こ
のように構成されていると、上側の研摩布の処理と下側
の研摩布の処理とを同時に行なうことができるからであ
る。直方体形または条片形のベースプレートが有利であ
ることが判明したが、しかし、たとえば半径方向外側に
拡張しているような別の形状の作業面を備えたベースプ
レートの使用も排除されていない。
ベースプレートには、内側および外側の位置決め補助手
段5,6、たとえばピン、ラグまたはフックが取り付け
られていると有利であり、このような位置決め補助手段
は、回転する研摩布に対してベースプレートを固定の作
業位置にもたらして、この作業位置に保持することを可
能にする。
段5,6、たとえばピン、ラグまたはフックが取り付け
られていると有利であり、このような位置決め補助手段
は、回転する研摩布に対してベースプレートを固定の作
業位置にもたらして、この作業位置に保持することを可
能にする。
それぞれ研摩布に向けられたベースプレートの作業面に
は、流出量ロアが設けられており、これらの流出開口は
、研摩布のほぼ幅全体にわたって延びるスリットとして
形成されていると有利である。スリット状の流出開口を
用いると、処理液による研摩布の特に均一な貫流を得る
ことができ、特に、貫流され難い範囲、つまり研摩残分
が研摩布内部に沈着するか、またはそれどころか濃縮し
てしまうおそれのある範囲の形成を阻止することができ
ることが判かった。このことはさらに、有利には条片状
のベースプレートのw面の、前記スリットに対して平行
に延びる縁部によって促進され、この場合にこのような
縁部は、はぼ研摩布幅全体にわたって、処理液によって
貫流される距離が等しい長さになることを保証する。原
則的には、処理のためにこのようなスリットは1つで充
分である。しかしながら、有利には作業面の隣接した各
長手方向縁部に対して平行に延びる少なくとも2つのス
リットが設けられていると有利である。
は、流出量ロアが設けられており、これらの流出開口は
、研摩布のほぼ幅全体にわたって延びるスリットとして
形成されていると有利である。スリット状の流出開口を
用いると、処理液による研摩布の特に均一な貫流を得る
ことができ、特に、貫流され難い範囲、つまり研摩残分
が研摩布内部に沈着するか、またはそれどころか濃縮し
てしまうおそれのある範囲の形成を阻止することができ
ることが判かった。このことはさらに、有利には条片状
のベースプレートのw面の、前記スリットに対して平行
に延びる縁部によって促進され、この場合にこのような
縁部は、はぼ研摩布幅全体にわたって、処理液によって
貫流される距離が等しい長さになることを保証する。原
則的には、処理のためにこのようなスリットは1つで充
分である。しかしながら、有利には作業面の隣接した各
長手方向縁部に対して平行に延びる少なくとも2つのス
リットが設けられていると有利である。
その理由は、このように構成されていると、研摩定盤と
研摩布とベースプレートとの間で供給された処理液によ
って形成する圧力領域の圧力低下、つまり、たとえば器
機技術または方法技術的な理由で研摩定盤に設けられた
切欠き、たとえばスリット、通路、ギャップまたは開口
によって生ぜしめられる、前記圧力領域の圧力低下があ
まり不都合に作用しなくなるからである。このことは特
に両面研摩について言えることである。
研摩布とベースプレートとの間で供給された処理液によ
って形成する圧力領域の圧力低下、つまり、たとえば器
機技術または方法技術的な理由で研摩定盤に設けられた
切欠き、たとえばスリット、通路、ギャップまたは開口
によって生ぜしめられる、前記圧力領域の圧力低下があ
まり不都合に作用しなくなるからである。このことは特
に両面研摩について言えることである。
スリットの寸法法めにあたっては、特に、研摩布縁部へ
のスリットの接近を、前記研摩布縁部で処理液の質流が
排除され得る程度にすると望ましい、研摩布縁部での処
理液の貫流は圧力領域の崩壊、最終的には研摩布の機械
的損傷を生ぜしめるおそれがある。所要のスリット幅は
前試験で求められると有利である。処理液の利用できる
圧力、つまり通常の場合、水供給の導管圧が認識されて
いると、所要のスリット幅を概算的に見積もることがで
きる。
のスリットの接近を、前記研摩布縁部で処理液の質流が
排除され得る程度にすると望ましい、研摩布縁部での処
理液の貫流は圧力領域の崩壊、最終的には研摩布の機械
的損傷を生ぜしめるおそれがある。所要のスリット幅は
前試験で求められると有利である。処理液の利用できる
圧力、つまり通常の場合、水供給の導管圧が認識されて
いると、所要のスリット幅を概算的に見積もることがで
きる。
別の可能性はたとえば、円形、楕円形または多角形の横
断面を備えた、ベースプレートの下面全体にわたってを
利には均一に分配された流出開口を通って処理液を流出
させることにある。また、研摩布への均一な供給が保証
されている限り、互いにずらされたか、または段付けさ
れた、ベースプレートの長手方向縁部に対して平行また
は斜めに延びるスリット群ならびに環状のスリット群も
考えられる。
断面を備えた、ベースプレートの下面全体にわたってを
利には均一に分配された流出開口を通って処理液を流出
させることにある。また、研摩布への均一な供給が保証
されている限り、互いにずらされたか、または段付けさ
れた、ベースプレートの長手方向縁部に対して平行また
は斜めに延びるスリット群ならびに環状のスリット群も
考えられる。
片面研摩で使用された研摩布の処理においては、ベース
プレートの上面が閉鎖されていて、流出開口がベースプ
レートの処理したい研摩布に向いた面にのみ位置してい
る。このことは、両面研摩配置形式において上側および
下側の研摩布を、それぞれ片側でのみ有効な別個の装置
によって処理したい場合にも言える。しかしながらこの
場合には、下面と上面とに流出開口を有していて、した
がって下側の研摩布と上側の研摩布とに対する処理液の
同時の作用を可能にするベースプレートを用いて処理す
る方が有利である。この場合に上側の研摩定盤を介して
も、本来の研摩過程から公知の形式で所要の作業圧を簡
単に調節することができる。
プレートの上面が閉鎖されていて、流出開口がベースプ
レートの処理したい研摩布に向いた面にのみ位置してい
る。このことは、両面研摩配置形式において上側および
下側の研摩布を、それぞれ片側でのみ有効な別個の装置
によって処理したい場合にも言える。しかしながらこの
場合には、下面と上面とに流出開口を有していて、した
がって下側の研摩布と上側の研摩布とに対する処理液の
同時の作用を可能にするベースプレートを用いて処理す
る方が有利である。この場合に上側の研摩定盤を介して
も、本来の研摩過程から公知の形式で所要の作業圧を簡
単に調節することができる。
この場合に上側の流出開口と下側の流出開口とは互いに
接続されていて、それぞれ共通の圧力系に所属している
か、または別個に互いに独立した圧力系に所属していて
よい。
接続されていて、それぞれ共通の圧力系に所属している
か、または別個に互いに独立した圧力系に所属していて
よい。
ベースプレートもしくは流出開口への処理液の供給は、
たとえば供給導管8を介して行なうことができる。この
場合、既に述べた理由から、互いに分離された少なくと
も2つの供給系が設けられると有利であり、これにより
圧力変動に対してあまり敏感ではなくなる。供給導管は
、処理液が装入されている単数または複数の貯え部に接
続されていると有利である。所要の作業圧は種々の形式
で、たとえばバイドロス゛タテインク式にベースプレー
トに対する貯え部の高くされた位置によって、または液
体に作用する圧縮ガス、たとえば圧縮空気によって、ま
たはポンプによって形成され得る。
たとえば供給導管8を介して行なうことができる。この
場合、既に述べた理由から、互いに分離された少なくと
も2つの供給系が設けられると有利であり、これにより
圧力変動に対してあまり敏感ではなくなる。供給導管は
、処理液が装入されている単数または複数の貯え部に接
続されていると有利である。所要の作業圧は種々の形式
で、たとえばバイドロス゛タテインク式にベースプレー
トに対する貯え部の高くされた位置によって、または液
体に作用する圧縮ガス、たとえば圧縮空気によって、ま
たはポンプによって形成され得る。
原則的に作業圧には上限が設定されていないが、器機的
または操作・安全性技術的なコストが極端に高くなるよ
うな圧力は一般に例外的ケースにしか使用されない、い
ずれにせよ、たいていは汎用の液体供給系、たとえば水
導管において規定された導管圧で充分である。
または操作・安全性技術的なコストが極端に高くなるよ
うな圧力は一般に例外的ケースにしか使用されない、い
ずれにせよ、たいていは汎用の液体供給系、たとえば水
導管において規定された導管圧で充分である。
第2図には、両面研摩のための配置形式において、それ
ぞれ研摩布2を張設された上側の研摩定盤lと下側の研
摩定盤1とが示されており、両研摩定盤は互いに逆方向
に運動する。すなわち、両研摩定盤はたとえば回転する
0両研摩定盤の間には、ベースプレート4が位置してお
り、処理液はこのベースプレートに設けられた、2つの
別個の供給系に所属する上側の流出量ロア′と下側の流
出量ロアとから吐出される。矢印によって示したように
、この処理液は研摩布表面を通って両研摩布の内部に侵
入して、この内部を貫流し、かつベースプレートの端部
で再び研摩布から流出する。
ぞれ研摩布2を張設された上側の研摩定盤lと下側の研
摩定盤1とが示されており、両研摩定盤は互いに逆方向
に運動する。すなわち、両研摩定盤はたとえば回転する
0両研摩定盤の間には、ベースプレート4が位置してお
り、処理液はこのベースプレートに設けられた、2つの
別個の供給系に所属する上側の流出量ロア′と下側の流
出量ロアとから吐出される。矢印によって示したように
、この処理液は研摩布表面を通って両研摩布の内部に侵
入して、この内部を貫流し、かつベースプレートの端部
で再び研摩布から流出する。
この場合に、処理液によって貫流された距離は流出開口
とベースプレートの縁部との間の距離にほぼ相当してお
り、前記ベースプレートの後方では圧力領域の作用が止
むので、処理液は再び流出することができる。このとき
、研摩布内部を通る処理液の軌道上で、この処理液はこ
の場所に堆積された、研摩過程時に生じた残分を一部化
学的に溶解し、一部機械的に剥離して、前記残分を溶解
された形もしくは可動性にされた粒子の形で液体流中に
連行し、最終的にこれらの残分を研摩布内部からの流出
時に搬出する。これにより、研摩布内部を充分な長さの
処理時間で、最初の状態に近い、はとんど残分を有しな
い状態に変えることができる。
とベースプレートの縁部との間の距離にほぼ相当してお
り、前記ベースプレートの後方では圧力領域の作用が止
むので、処理液は再び流出することができる。このとき
、研摩布内部を通る処理液の軌道上で、この処理液はこ
の場所に堆積された、研摩過程時に生じた残分を一部化
学的に溶解し、一部機械的に剥離して、前記残分を溶解
された形もしくは可動性にされた粒子の形で液体流中に
連行し、最終的にこれらの残分を研摩布内部からの流出
時に搬出する。これにより、研摩布内部を充分な長さの
処理時間で、最初の状態に近い、はとんど残分を有しな
い状態に変えることができる。
一般に、研摩布の除去率およびウェーハジオメトリに関
する研摩結果が再び未使用の研摩布に相当するようにな
るまで前記研摩布を再生するためには、2〜60分、好
ましくは5〜20分の処理時間で充分であることが判明
した。
する研摩結果が再び未使用の研摩布に相当するようにな
るまで前記研摩布を再生するためには、2〜60分、好
ましくは5〜20分の処理時間で充分であることが判明
した。
処理ステップにおいてベースプレートの範囲で研摩布に
加えられる圧力領域は再流出開口で、もしくは再流出開
口の間でその最高値を有している。
加えられる圧力領域は再流出開口で、もしくは再流出開
口の間でその最高値を有している。
次いで、圧力は外方に向かってほぼ線状に減少し、その
後、この圧力はベースプレートの縁部で周囲値に達する
。つまり簡単に言えば、台形の圧力領域が生ぜしめられ
、この圧力領域は端面で妨げられている。流出開口から
流出する処理液の圧力が所要の限界値を超えると、ベー
スプレートは下側の研摩布に対して、上側の研摩布はベ
ースプレートに対してそれぞれ僅かに持ち上げられ、作
業面と研摩布との間に、同じく処理液によって貫流され
る細いギャップが形成する。このようなギャップがハイ
ドロスタティック式の軸受けの形式で作用するので、研
摩布はもはや押圧力の伝達媒体として研摩定盤に作用し
なくなる。このことは、ベースプレートに対して相対的
に不動の研摩布においても、ベースプレートに対して相
対的に回転する研摩布においても言えることである。既
に述べたように、この限界値は経験によれば主として研
摩布タイプならびにベースプレート特性および研摩装置
特性に応じて前試験で求められるとを利である。その理
由は、この種の要因はしばしばあらかじめ評価し難いか
らである。
後、この圧力はベースプレートの縁部で周囲値に達する
。つまり簡単に言えば、台形の圧力領域が生ぜしめられ
、この圧力領域は端面で妨げられている。流出開口から
流出する処理液の圧力が所要の限界値を超えると、ベー
スプレートは下側の研摩布に対して、上側の研摩布はベ
ースプレートに対してそれぞれ僅かに持ち上げられ、作
業面と研摩布との間に、同じく処理液によって貫流され
る細いギャップが形成する。このようなギャップがハイ
ドロスタティック式の軸受けの形式で作用するので、研
摩布はもはや押圧力の伝達媒体として研摩定盤に作用し
なくなる。このことは、ベースプレートに対して相対的
に不動の研摩布においても、ベースプレートに対して相
対的に回転する研摩布においても言えることである。既
に述べたように、この限界値は経験によれば主として研
摩布タイプならびにベースプレート特性および研摩装置
特性に応じて前試験で求められるとを利である。その理
由は、この種の要因はしばしばあらかじめ評価し難いか
らである。
処理時には、ベースプレートと研摩布との間で相対運動
が調節されるので、ベースプレートの範囲に構成された
、処理液によって貫流される貫流区域は徐々に、有利に
は繰り返されて研摩布を通うて移動する。このことは有
利には、ペースプレ−トが静止していて研摩布が運動さ
せられる場合に行なわれ得るが、しかし原則的には研摩
布が静止していてベースプレートが運動させられるか、
または両者共に運動させられる場合でも行なわれ得る。
が調節されるので、ベースプレートの範囲に構成された
、処理液によって貫流される貫流区域は徐々に、有利に
は繰り返されて研摩布を通うて移動する。このことは有
利には、ペースプレ−トが静止していて研摩布が運動さ
せられる場合に行なわれ得るが、しかし原則的には研摩
布が静止していてベースプレートが運動させられるか、
または両者共に運動させられる場合でも行なわれ得る。
処理時間を短かくするためだけでも、それぞれ研摩布全
体にわたって分配された複数の貫流区域が設けられると
を利である。
体にわたって分配された複数の貫流区域が設けられると
を利である。
しかしながら、申し分なく作用する処理法を得るために
は、研摩布表面が研摩過程の際に生じた被膜によって閉
塞されていないことが必要である。
は、研摩布表面が研摩過程の際に生じた被膜によって閉
塞されていないことが必要である。
その理由は、研摩布表面が閉塞されていると、研摩布が
もはや貫流可能ではなくなるからである。
もはや貫流可能ではなくなるからである。
このような場合には、本来の処理ステップの前に、研摩
布表面ができるだけ前記被膜を除去されて、これにより
少なくとも再び部分的に貫流可能にされると有利である
。このことは多くの場合、強アルカリ性の添加剤を作用
させることによって達成することができる。しかしなか
ら、時には研摩布の交換が避けられなくなる。
布表面ができるだけ前記被膜を除去されて、これにより
少なくとも再び部分的に貫流可能にされると有利である
。このことは多くの場合、強アルカリ性の添加剤を作用
させることによって達成することができる。しかしなか
ら、時には研摩布の交換が避けられなくなる。
本来の処理過程は次のようにして実施され得る;まず研
摩されたウェーハが採り除かれた後に、下側の研摩定盤
に張設された自由な研摩布全体にわたって横方向に、規
定数のベースプレートが規定の作業位置に!3!置され
る。この数は片面研摩では、存在する押圧ポンチの数に
相当していると有利であり、これらの押圧ポンチを用い
て各ベースプレートの処理時に、処理液によって形成さ
れた浮力に抗して作用する規定の作業圧を加えることが
できる0両面研摩においては、等しい厚さを有する少な
くとも3つのベースプレートが下側の研摩定盤全体にわ
たって均一に分配され、次いで作業圧を形成するために
、上側の研摩定盤が降下されると有利である。次いで、
液体供給部が開放され、処理液が所定の圧力で研摩布表
面に流れて、研摩布内部に侵入し、最終的にベースプレ
ートの作業面の縁部で再び研摩布から流出する。この場
合、研摩布に位置する液体は徐々に押しのけられ、残分
は溶かされて、可動性にされ、最終的に搬出される。ベ
ースプレートと研摩布との間に処理液によって貫流され
るギャップが構成された後に、研摩定盤を回転させるこ
とができ、この場合、前記ギャップの構成はたとえば液
体圧の監視時に圧力安定化および圧力不変によって知る
ことができる。
摩されたウェーハが採り除かれた後に、下側の研摩定盤
に張設された自由な研摩布全体にわたって横方向に、規
定数のベースプレートが規定の作業位置に!3!置され
る。この数は片面研摩では、存在する押圧ポンチの数に
相当していると有利であり、これらの押圧ポンチを用い
て各ベースプレートの処理時に、処理液によって形成さ
れた浮力に抗して作用する規定の作業圧を加えることが
できる0両面研摩においては、等しい厚さを有する少な
くとも3つのベースプレートが下側の研摩定盤全体にわ
たって均一に分配され、次いで作業圧を形成するために
、上側の研摩定盤が降下されると有利である。次いで、
液体供給部が開放され、処理液が所定の圧力で研摩布表
面に流れて、研摩布内部に侵入し、最終的にベースプレ
ートの作業面の縁部で再び研摩布から流出する。この場
合、研摩布に位置する液体は徐々に押しのけられ、残分
は溶かされて、可動性にされ、最終的に搬出される。ベ
ースプレートと研摩布との間に処理液によって貫流され
るギャップが構成された後に、研摩定盤を回転させるこ
とができ、この場合、前記ギャップの構成はたとえば液
体圧の監視時に圧力安定化および圧力不変によって知る
ことができる。
研摩定盤の回転速度は一姫に研摩回転数に達するまでの
値に高めることができるが、しかしこのことは必ずしも
規定されているわけではない、所定の処理時間、たいて
い約5〜20分が過ぎると、回転運動が停止され、液体
供給が中断され、押圧ポンチもしくは上側の研摩定盤が
持ち上げられる。
値に高めることができるが、しかしこのことは必ずしも
規定されているわけではない、所定の処理時間、たいて
い約5〜20分が過ぎると、回転運動が停止され、液体
供給が中断され、押圧ポンチもしくは上側の研摩定盤が
持ち上げられる。
次いで、ベースプレートを取り外して、新たな研摩過程
を開始することができる。
を開始することができる。
本発明による処理法ならびにこの方法を実施するための
装置により、研摩法、しかも片面研摩および両面研摩な
らびにセメント/テンプレート法においても、長い研摩
布可使時間で不変に高い除去率を得ると同時に、研摩布
の使用時間全体にわたって、研摩されたウェーハの高い
ジオメトリ精度(特に平坦度に関して)を維持すること
が可能になる0本発明による方法は、製品の高いジオメ
トリ精度が要求されているような研摩法において、つま
り第1には、特にシリコン、ゲルマニウムまたはガリウ
ムヒ素から成る半導体ウェーハまたはたとえばガリウム
−ガドリニウム−ガーネットを主体とした磁気メモリ用
のウェーハ、さらにガラスまたは石英から成る光学系で
使用されるウェーハのために適している。
装置により、研摩法、しかも片面研摩および両面研摩な
らびにセメント/テンプレート法においても、長い研摩
布可使時間で不変に高い除去率を得ると同時に、研摩布
の使用時間全体にわたって、研摩されたウェーハの高い
ジオメトリ精度(特に平坦度に関して)を維持すること
が可能になる0本発明による方法は、製品の高いジオメ
トリ精度が要求されているような研摩法において、つま
り第1には、特にシリコン、ゲルマニウムまたはガリウ
ムヒ素から成る半導体ウェーハまたはたとえばガリウム
−ガドリニウム−ガーネットを主体とした磁気メモリ用
のウェーハ、さらにガラスまたは石英から成る光学系で
使用されるウェーハのために適している。
以下に、本発明による方法の実施例を詳しく説明する。
例:
シリコンウエー八を両面研摩するための市販の装置にお
いて、上側および下側の円形の研摩定盤にポリエステル
/ポリウレタンを主体とした汎用の多孔質の研摩布(研
摩布幅約50cm)を張設した。
いて、上側および下側の円形の研摩定盤にポリエステル
/ポリウレタンを主体とした汎用の多孔質の研摩布(研
摩布幅約50cm)を張設した。
この装置において、汎用の研摩条件(温度約40°C1
圧力約50kPa)のちとに一連の研摩工程を実施した
。
圧力約50kPa)のちとに一連の研摩工程を実施した
。
この場合に、5ift−So+を含有する市販のアルカ
リ性研摩溶液を供給しながら、それぞれ25個のシリコ
ンウェーハ(直径約150■、厚さ約675μ糟、(1
00)一方位)のバッチを30分間研摩した。
リ性研摩溶液を供給しながら、それぞれ25個のシリコ
ンウェーハ(直径約150■、厚さ約675μ糟、(1
00)一方位)のバッチを30分間研摩した。
引き続き、研摩過程を終了させ、上側の研摩定盤を持ち
上げ、研摩されたウェーハを取り出した。
上げ、研摩されたウェーハを取り出した。
除去率を求めるために、ウェーハ厚さを測定した。
ウェーハ厚さは約615μmであり、この値は約60t
Im+の全でのウェーハに対する平均除去量に相当して
いる。得られたウェーハのジオメトリ品質をrTTV、
値(’Total Th1ckness Variat
ion 」、全体的な厚さむら)につき評価した。この
値は多数の点測定からのウェーハの測定された最大厚さ
値と最小厚さ値との差の絶対量に相当している。
Im+の全でのウェーハに対する平均除去量に相当して
いる。得られたウェーハのジオメトリ品質をrTTV、
値(’Total Th1ckness Variat
ion 」、全体的な厚さむら)につき評価した。この
値は多数の点測定からのウェーハの測定された最大厚さ
値と最小厚さ値との差の絶対量に相当している。
この測定は公知の形式で市販の測定器を用いて容量方法
で行なわれ、この容1方法ではウェーハが、公知の間隔
の2つのプローブを用いて両面から同時に走査される。
で行なわれ、この容1方法ではウェーハが、公知の間隔
の2つのプローブを用いて両面から同時に走査される。
全てのウェーハに対してこの場合に求められた平均値は
約1μmであった。
約1μmであった。
数個所で若干、褐色がかった変色が認められる研摩布を
処理するために、図面と同様に形成された条片形のポリ
塩化ビニル製の3つのベースプレート(長さ約50cm
、幅約25C11、厚さ約3c+*)を互いに120°
の角度で下側の研摩定盤に載置して、外ピンと内ピンと
を用いて作業位置に、研摩布に対して横方向で固定した
。ベースプレートの上側の作業面と下側の作業面とはそ
れぞれ中央にスリット対(スリット幅約3111m、ス
リット間隔約3c+e)を備えており、これらのスリッ
トは研摩布の内縁部と外縁部とに約2CIl+のところ
まで接近している。
処理するために、図面と同様に形成された条片形のポリ
塩化ビニル製の3つのベースプレート(長さ約50cm
、幅約25C11、厚さ約3c+*)を互いに120°
の角度で下側の研摩定盤に載置して、外ピンと内ピンと
を用いて作業位置に、研摩布に対して横方向で固定した
。ベースプレートの上側の作業面と下側の作業面とはそ
れぞれ中央にスリット対(スリット幅約3111m、ス
リット間隔約3c+e)を備えており、これらのスリッ
トは研摩布の内縁部と外縁部とに約2CIl+のところ
まで接近している。
互いに無関係の各2つの供給導管を介して、各へ一スプ
レートの上面と下面とで互いに向かい合って位置するス
リットに別個に処理液を供給することができた。
レートの上面と下面とで互いに向かい合って位置するス
リットに別個に処理液を供給することができた。
この処理液は標準処理時では水から成っていたが、しか
し10回目の各研摩工程後の処理時では、付加的にトリ
メチルシラノール約0.05重足%が添加された炭酸カ
リウム約0.4重足%の水溶液から成っていた。処理液
は貯え部に装入されていて、建築物に位置する約500
kPaの水導管圧で研摩布に施与することができた。
し10回目の各研摩工程後の処理時では、付加的にトリ
メチルシラノール約0.05重足%が添加された炭酸カ
リウム約0.4重足%の水溶液から成っていた。処理液
は貯え部に装入されていて、建築物に位置する約500
kPaの水導管圧で研摩布に施与することができた。
次いで、上側の研摩定盤を下方に移動させて、約50k
Paの圧力でベースプレートに載着させた。
Paの圧力でベースプレートに載着させた。
その後、ベースプレートの縁部で均一に研摩布から流出
する液体に基づいて、適当な圧力領域が形成したことが
P!識されるまで、処理液の供給を高めた0次いで、上
側の研摩定盤と下側の研摩定盤とを互いに逆方向に回転
させて、本来の処理過程を開始した。処理過程において
、研摩布を貫流する液体によって研摩布内部に位置する
研摩過程の残分を徐々に可動性にして、搬出した。この
過程を約10分後に終了させると、研摩布に変色をもは
や認めることはできなかった。
する液体に基づいて、適当な圧力領域が形成したことが
P!識されるまで、処理液の供給を高めた0次いで、上
側の研摩定盤と下側の研摩定盤とを互いに逆方向に回転
させて、本来の処理過程を開始した。処理過程において
、研摩布を貫流する液体によって研摩布内部に位置する
研摩過程の残分を徐々に可動性にして、搬出した。この
過程を約10分後に終了させると、研摩布に変色をもは
や認めることはできなかった。
以下の研摩工程は除去量およびウェーハジオメトリ(r
TTVJ値)に関して、前記のものと同じ結果をもたら
した。
TTVJ値)に関して、前記のものと同じ結果をもたら
した。
前述した方法で、順次に16回の研摩工程を、それぞれ
10分間の本発明による研摩布処理に続いて実施した。
10分間の本発明による研摩布処理に続いて実施した。
その後でも、除去量は不変に約60μ−でありrTTV
J値は約llImであった。研摩布には決して褐色被膜
が認められなかった。
J値は約llImであった。研摩布には決して褐色被膜
が認められなかった。
比較試験において、同一の装置で、同一の規格の新たに
張設された新しい研摩布を用いて、同一の研摩条件のも
とに別の研摩工程シリーズを実施した。しかしながら、
これらの研摩工程の間に設定された処理ステップを慣用
の方法で実施し、この場合、ブラシを研摩定盤の間に挿
入し、これらの研摩定盤を引き続き互いに逆方向に回転
させた。
張設された新しい研摩布を用いて、同一の研摩条件のも
とに別の研摩工程シリーズを実施した。しかしながら、
これらの研摩工程の間に設定された処理ステップを慣用
の方法で実施し、この場合、ブラシを研摩定盤の間に挿
入し、これらの研摩定盤を引き続き互いに逆方向に回転
させた。
それと同時に、研摩剤添加系を介してメタノール/水か
ら成る溶液を供給した。処理過程は同じく10分間かか
った。
ら成る溶液を供給した。処理過程は同じく10分間かか
った。
研摩工程ごとに、除去率の徐々の低下およびウェーハジ
オメトリの悪化を認めることができた。
オメトリの悪化を認めることができた。
20回目の研摩工程では、規則的な研摩布処理にもかか
わらず、除去量は僅か約36μ耐こすぎず、rTTVJ
値は約2.5μmにまで悪化し、この場合、特にウェー
ハの周縁範囲で厚さむらが増大した。
わらず、除去量は僅か約36μ耐こすぎず、rTTVJ
値は約2.5μmにまで悪化し、この場合、特にウェー
ハの周縁範囲で厚さむらが増大した。
それと同時に、研摩布の数個所で褐色の被膜が形成し、
この被膜は処理によってもはや除去することができなか
った。
この被膜は処理によってもはや除去することができなか
った。
以下、本発明の好適な実施例を例示する。
(1)処理液として、アルカリ性水溶液を特徴する請求
項I記載の方法。
項I記載の方法。
(2)処理液として、溶解されたアルカリ金属水酸化物
またはアルカリ金属炭酸塩を含有する水溶液を特徴する
請求項1または上記(1)の方法。
またはアルカリ金属炭酸塩を含有する水溶液を特徴する
請求項1または上記(1)の方法。
(3)処理液が添加物としてオルガノシラノールを含有
している、請求項1または上記(1)〜(2)のいずれ
か1項記載の方法。
している、請求項1または上記(1)〜(2)のいずれ
か1項記載の方法。
(4)処理液による研摩布の貫流を区域ごとに行なう、
請求項1または上記(1)〜(3)のいずれか1項記載
の方法。
請求項1または上記(1)〜(3)のいずれか1項記載
の方法。
(5)ベースプレート(4)が条片状に構成されている
、請求項2記載の装置。
、請求項2記載の装置。
(6)流出開口(7)として、少なくとも1つのスリッ
トが設けられている、請求項2または上記(5)記載の
装置。
トが設けられている、請求項2または上記(5)記載の
装置。
(7)各作業面に、該作業面の隣接した長手方向縁部に
対して平行の少なくとも2つのスリットが流出開口(7
)として設けられており、該スリットの長さが、処理し
たい研摩布(2)の幅よりも小さく設定されている、請
求項2または上記(5)〜(7)のいずれか1項記載の
装置。
対して平行の少なくとも2つのスリットが流出開口(7
)として設けられており、該スリットの長さが、処理し
たい研摩布(2)の幅よりも小さく設定されている、請
求項2または上記(5)〜(7)のいずれか1項記載の
装置。
(8)処理液の供給が少なくとも2つの別個の供給系を
介して行なわれるようになっており、流出開口(7,7
’)が、互いに無関係な少なくとも2つの開放系を形成
している、請求項2または上記(5)〜(7)のいずれ
か1項記載の装置。
介して行なわれるようになっており、流出開口(7,7
’)が、互いに無関係な少なくとも2つの開放系を形成
している、請求項2または上記(5)〜(7)のいずれ
か1項記載の装置。
図面は本発明による方法を実施するための装置の実施例
を示すものであって、第1図は本発明による装置の平面
図、第2図は本発明による装置の横断面図である。 1・・・研摩定盤、 2・・・研摩布。 3・・・装置、4・・・ベースプレート5.6・・・位
置決め補助手段、 7.7’・・・流出開口。 8・・・供給導管。
を示すものであって、第1図は本発明による装置の平面
図、第2図は本発明による装置の横断面図である。 1・・・研摩定盤、 2・・・研摩布。 3・・・装置、4・・・ベースプレート5.6・・・位
置決め補助手段、 7.7’・・・流出開口。 8・・・供給導管。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ケモメカニカル研摩に用いられた研摩布に液体を作
用させることによって前記研摩布を処理する方法におい
て、研摩過程後に、圧力を作用させながら研摩布に処理
液を貫流させ、その際、研摩過程の間に研摩布の内部に
生じた残分を液体流によって可動性にして、少なくとも
部分的に搬出することを特徴とする、ケモメカニカル研
摩に用いられた研摩布を処理する方法。 2、請求項1記載の方法を実施する装置において、研摩
布(2)に対して横方向に緊定されたベースプレート(
4)が設けられていて、該ベースプレートが、処理液の
ための流出開口(7)を備えた平らな少なくとも1つの
作業面と、加圧下での処理液の供給を可能にする少なく
とも1つの供給導管(8)とを備えていることを特徴と
する、ケモメカニカル研摩に用いられた研摩布を処理す
る装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3926673A DE3926673A1 (de) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | Verfahren und vorrichtung zur poliertuchaufbereitung beim chemomechanischen polieren, insbesondere von halbleiterscheiben |
| DE3926673.7 | 1989-08-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0379268A true JPH0379268A (ja) | 1991-04-04 |
| JP2540080B2 JP2540080B2 (ja) | 1996-10-02 |
Family
ID=6387003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2125604A Expired - Lifetime JP2540080B2 (ja) | 1989-08-11 | 1990-05-17 | 研摩布の処理方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5167667A (ja) |
| EP (1) | EP0412537B1 (ja) |
| JP (1) | JP2540080B2 (ja) |
| KR (1) | KR960015258B1 (ja) |
| DE (2) | DE3926673A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003500864A (ja) * | 1999-05-28 | 2003-01-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 化学機械研磨パッドを洗浄するための方法およびシステム |
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| US5938507A (en) * | 1995-10-27 | 1999-08-17 | Applied Materials, Inc. | Linear conditioner apparatus for a chemical mechanical polishing system |
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1989
- 1989-08-11 DE DE3926673A patent/DE3926673A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-05-17 JP JP2125604A patent/JP2540080B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-05 US US07/533,479 patent/US5167667A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-09 DE DE90115269T patent/DE59003208D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-09 EP EP90115269A patent/EP0412537B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-10 KR KR1019900012293A patent/KR960015258B1/ko not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0412537B1 (de) | 1993-10-27 |
| DE3926673A1 (de) | 1991-02-14 |
| DE59003208D1 (de) | 1993-12-02 |
| EP0412537A3 (en) | 1991-04-24 |
| KR960015258B1 (ko) | 1996-11-07 |
| US5167667A (en) | 1992-12-01 |
| EP0412537A2 (de) | 1991-02-13 |
| KR910004308A (ko) | 1991-03-28 |
| JP2540080B2 (ja) | 1996-10-02 |
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