JPH0379987A - 差動排気形真空処理装置 - Google Patents
差動排気形真空処理装置Info
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- JPH0379987A JPH0379987A JP21500489A JP21500489A JPH0379987A JP H0379987 A JPH0379987 A JP H0379987A JP 21500489 A JP21500489 A JP 21500489A JP 21500489 A JP21500489 A JP 21500489A JP H0379987 A JPH0379987 A JP H0379987A
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- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
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- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、真空処理室に排気系を備えた差圧室を連設し
、差動排気し乍ら外部から該差圧室を介して真空処理室
へ連続的に導入される被処理物に順次真空熱処理、反応
性イオンブレーティング等の真空処理を施す差動排気形
真空処理装置に関する。
、差動排気し乍ら外部から該差圧室を介して真空処理室
へ連続的に導入される被処理物に順次真空熱処理、反応
性イオンブレーティング等の真空処理を施す差動排気形
真空処理装置に関する。
（従来の技術）
従来、例えば第１図示のように、真空処理室ａの左右に
、夫々真空ポンプｂを接続した排気系Ｃを備えた複数の
差圧室ｄ、ｄを連設し、各差圧室ｄ及び真空処理室ａの
室壁に形成した小面積の開口部ｅ、ｅを介して外部から
該真空処理室ａへ連通ずる長尺の被処理物ｆの通路ｇを
設け、該真空処理室ａの圧力を被処理物ｆの真空処理に
適した圧力に維持するために該真空処理室ａに近い差圧
室ｄの圧力を遠い差圧室の圧力よりも低く制御する差動
排気を行なうようにした差動排気形の真空処理装置が知
られている。
、夫々真空ポンプｂを接続した排気系Ｃを備えた複数の
差圧室ｄ、ｄを連設し、各差圧室ｄ及び真空処理室ａの
室壁に形成した小面積の開口部ｅ、ｅを介して外部から
該真空処理室ａへ連通ずる長尺の被処理物ｆの通路ｇを
設け、該真空処理室ａの圧力を被処理物ｆの真空処理に
適した圧力に維持するために該真空処理室ａに近い差圧
室ｄの圧力を遠い差圧室の圧力よりも低く制御する差動
排気を行なうようにした差動排気形の真空処理装置が知
られている。
該真空処理室ａへ外部から導入された被処理物ｆは、そ
こで真空熱処理、反応性イオンブレーティング等の真空
処理が施され、差圧室ｄを介して外部へと送り出され、
該真空処理室ａの圧力をこれに設けた排気系りの真空ポ
ンプにより例えばＩ Ｘ ｔＯ−’Ｔｏｒｒに維持する
場合、該真空処理室ａの左右に隣接する差圧室ｄ＋、ｄ
ｚは１×１０−’Ｔｏｒｒに制御され、真空処理室ａか
ら遠い差圧室ｄ３、ｄ４は１Ｘ１０−Ｔｏｒｒ、最も遠
い差圧室ｄ６、ｄ８は１００ Ｔｏｒｒに制御される。
こで真空熱処理、反応性イオンブレーティング等の真空
処理が施され、差圧室ｄを介して外部へと送り出され、
該真空処理室ａの圧力をこれに設けた排気系りの真空ポ
ンプにより例えばＩ Ｘ ｔＯ−’Ｔｏｒｒに維持する
場合、該真空処理室ａの左右に隣接する差圧室ｄ＋、ｄ
ｚは１×１０−’Ｔｏｒｒに制御され、真空処理室ａか
ら遠い差圧室ｄ３、ｄ４は１Ｘ１０−Ｔｏｒｒ、最も遠
い差圧室ｄ６、ｄ８は１００ Ｔｏｒｒに制御される。
（発明が解決しようとする課題）
第１図示の装置では、真空処理室ａに外部の大気の流入
を防ぐために、多段に設けられた差圧室ｄのうち、最終
段即ち最も真空処理室ａに近い差圧室ｄ、、ｄ２の圧力
を十分低い圧力にする必要があった。そのためには、差
圧室ｄの段数を多くするか、或いは差圧室の圧力を低く
することが必要で、差圧室ｄの段数を多（した場合には
、真空ポンプｂの個数が多くなって装置のイニシャルコ
スト、ランニングコストが非常に高くなり、しかも真空
ポンプｂを設けた多数の排気系Ｃの制御法も複雑になる
欠点があった。
を防ぐために、多段に設けられた差圧室ｄのうち、最終
段即ち最も真空処理室ａに近い差圧室ｄ、、ｄ２の圧力
を十分低い圧力にする必要があった。そのためには、差
圧室ｄの段数を多くするか、或いは差圧室の圧力を低く
することが必要で、差圧室ｄの段数を多（した場合には
、真空ポンプｂの個数が多くなって装置のイニシャルコ
スト、ランニングコストが非常に高くなり、しかも真空
ポンプｂを設けた多数の排気系Ｃの制御法も複雑になる
欠点があった。
また、差圧室の圧力を低くした場合にも、真空ポンプｂ
のランニングコストが非常に高くなる欠点があった。こ
れらの場合でも外部の大気は、各差圧室ｄを介して真空
処理室ａへＱ７、Ｑ２で示すように多少とも流れ込み、
これによって真空処理室ａ内が大気成分によって汚染さ
れ、正確な真空処理を妨げる不都合があった。
のランニングコストが非常に高くなる欠点があった。こ
れらの場合でも外部の大気は、各差圧室ｄを介して真空
処理室ａへＱ７、Ｑ２で示すように多少とも流れ込み、
これによって真空処理室ａ内が大気成分によって汚染さ
れ、正確な真空処理を妨げる不都合があった。
本発明は、かかる欠点、不都合を解決し、コストが低減
され排気系の制御を簡単に行なえる差動排気形の真空処
理装置を提供することを目的とするものである。
され排気系の制御を簡単に行なえる差動排気形の真空処
理装置を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明では、真空処理室の前後に夫々排気系を備えた複
数の差圧室を連設し、各差圧室及び真空処理室の室壁に
形成した小面積の開口部を介して外部から該真空処理室
へ連通する被処理物の通路を設け、該真空処理室に近い
差圧室の差圧を遠い差圧室の圧力よりも低く制御するよ
うにしたものに於いて、少なくとも１つの差圧室の真空
処理室側に該差圧室の圧力よりも高い圧力のガスを供給
するガス供給系を備えたガス供給室を設けることにより
、前記目的を達成するようにした。
数の差圧室を連設し、各差圧室及び真空処理室の室壁に
形成した小面積の開口部を介して外部から該真空処理室
へ連通する被処理物の通路を設け、該真空処理室に近い
差圧室の差圧を遠い差圧室の圧力よりも低く制御するよ
うにしたものに於いて、少なくとも１つの差圧室の真空
処理室側に該差圧室の圧力よりも高い圧力のガスを供給
するガス供給系を備えたガス供給室を設けることにより
、前記目的を達成するようにした。
（作 用）
真空処理室及びその前後の各差圧室を夫々の排気系によ
り真空に排気し、この場合真空処理室に近い差圧室を遠
い差圧室よりも低い圧力に制御し、被処理物を開口部を
介して外部から導入してこれに該真空処理室に於いて例
えば真空熱処理を施すことは従来の場合と同様であるが
、本発明のものでは、少なくとも１つの差圧室の真空処
理室側にガス供給室を備えており、該ガス供給室に該１
つの差圧室の圧力よりも高いガスを供給すると、該ガス
が該ガス供給室ε隣接する差圧室或いは真空室へと流れ
、これによって外部からの大気が真空処理室へ流れ込む
ことを防げ、差圧室を多くしたり差圧室の真空ポンプの
排気性能を上げることなく真空処理室の汚染を防げる。
り真空に排気し、この場合真空処理室に近い差圧室を遠
い差圧室よりも低い圧力に制御し、被処理物を開口部を
介して外部から導入してこれに該真空処理室に於いて例
えば真空熱処理を施すことは従来の場合と同様であるが
、本発明のものでは、少なくとも１つの差圧室の真空処
理室側にガス供給室を備えており、該ガス供給室に該１
つの差圧室の圧力よりも高いガスを供給すると、該ガス
が該ガス供給室ε隣接する差圧室或いは真空室へと流れ
、これによって外部からの大気が真空処理室へ流れ込む
ことを防げ、差圧室を多くしたり差圧室の真空ポンプの
排気性能を上げることなく真空処理室の汚染を防げる。
（実施例）
本発明の実施例を図面第２図に基づき説明すると・同図
に於いて符号（１五は真空ポンプ（２）を接続した排気
系（３）を有する真空処理室、（４）は該真空処理室（
１）の前後に連設した差圧室を示し、図示の例では、真
空処理室（１）の前後に夫々３室ずつ差圧室（４〉を設
けるようにした。該真空処理室（１）及び各差圧室（４
〉の室壁には、小面積の開口部（５）を設けて外部から
該真空処理室（１）へと連通ずる被処理物（７）の通路
（６）が形成されるようにした。
に於いて符号（１五は真空ポンプ（２）を接続した排気
系（３）を有する真空処理室、（４）は該真空処理室（
１）の前後に連設した差圧室を示し、図示の例では、真
空処理室（１）の前後に夫々３室ずつ差圧室（４〉を設
けるようにした。該真空処理室（１）及び各差圧室（４
〉の室壁には、小面積の開口部（５）を設けて外部から
該真空処理室（１）へと連通ずる被処理物（７）の通路
（６）が形成されるようにした。
（８〉は各差圧室（４〉に設けられた排気系、（９）は
各排気系（８）に設けた真空ポンプで、排気系（８）は
真空処理室（１）に近い差圧室（４ａ） （４ｂ）の圧
力を低く制御し、この圧力よりも真空処理室（１）に遠
い差圧室（４ｃ） （４ｄ）及び最も遠い差圧室（４ｅ
）（４ｆ’）が順次に高くなるように制御する。
各排気系（８）に設けた真空ポンプで、排気系（８）は
真空処理室（１）に近い差圧室（４ａ） （４ｂ）の圧
力を低く制御し、この圧力よりも真空処理室（１）に遠
い差圧室（４ｃ） （４ｄ）及び最も遠い差圧室（４ｅ
）（４ｆ’）が順次に高くなるように制御する。
こうした構成は従来の差動排気形真空処理装置と同様で
あり、該真空処理室（１）内に設けたヒータやイオンビ
ームを導入して、外部から連続的に送り込まれる鋼板等
の被処理物（７）に真空熱処理や反応性イオンブレーテ
ィング等の真空処理を施すことも同様であるが、この構
成では前記した欠点、不都合が生ずる。
あり、該真空処理室（１）内に設けたヒータやイオンビ
ームを導入して、外部から連続的に送り込まれる鋼板等
の被処理物（７）に真空熱処理や反応性イオンブレーテ
ィング等の真空処理を施すことも同様であるが、この構
成では前記した欠点、不都合が生ずる。
そこで本発明に於いては、少なくとも１つの差圧室（４
）の真空処理室側にガス供給室（ＩＯを設け、該ガス供
給室（ＩＯに当該差圧室（４〉の圧力よりも高い圧力を
供給するガス供給系０１）を設けて前記欠点、不都合を
解消するようにした。図示の例は真空処理室（１）に最
も近い２つの差圧室（４ａ） （４ｂ）の真空処理室側
に夫々ガス供給室（１０ａ）＜１０ ｂ）を設けるよう
にしたもので、各ガス供給室（１０ａ） （１０ｂ）に
各差圧室（４ａ） （４ｂ）よりも少し高い圧力の不活
性ガス或いは反応ガスをガス源（＋２１から供給し、開
口部（５） （５）を介して両側の差圧室（４）と真空
処理室（１〉へガス供給室（１０ａ）（１０ｂ）から不
活性ガス或いは反応ガスのガス流（′ｌ３（Ｉ３が生じ
るようにした。
）の真空処理室側にガス供給室（ＩＯを設け、該ガス供
給室（ＩＯに当該差圧室（４〉の圧力よりも高い圧力を
供給するガス供給系０１）を設けて前記欠点、不都合を
解消するようにした。図示の例は真空処理室（１）に最
も近い２つの差圧室（４ａ） （４ｂ）の真空処理室側
に夫々ガス供給室（１０ａ）＜１０ ｂ）を設けるよう
にしたもので、各ガス供給室（１０ａ） （１０ｂ）に
各差圧室（４ａ） （４ｂ）よりも少し高い圧力の不活
性ガス或いは反応ガスをガス源（＋２１から供給し、開
口部（５） （５）を介して両側の差圧室（４）と真空
処理室（１〉へガス供給室（１０ａ）（１０ｂ）から不
活性ガス或いは反応ガスのガス流（′ｌ３（Ｉ３が生じ
るようにした。
その作動を説明すると、真空処理室（１）及び各差圧室
（４）を夫々の排気系（３） （８）により真空排気し
、各ガス供給室（１０ａ）（１０ｂ）に差圧室（４ａ）
（４ｂ）の圧力よりも高い圧力のガスを供給し、外部
から真空処理室（１）へ導入した被処理物（７）に真空
処理が施されるが、各ガス供給室（１０ａ）（ｔｏ ｂ
）からガスがその前後の真空処理室（１）と差圧室（４
ａ） （４ｂ）へ流れるので、差圧室（４ａ） （４ｂ
）の圧力を十分に低い圧力にまで下げる必要がなく、ま
た差圧室（４〉を多く設けることなく真空処理室（１）
の大気成分ガスの分圧を下げることが出来、外部から通
路（６）を介して侵入する大気はガス供給室（１０ａ）
（１０ｂ）から差圧室（４ａ） （４ｂ）へのガス流ａ
３によって遮られ、真空処理室（１）内へ侵入する量が
減少する。
（４）を夫々の排気系（３） （８）により真空排気し
、各ガス供給室（１０ａ）（１０ｂ）に差圧室（４ａ）
（４ｂ）の圧力よりも高い圧力のガスを供給し、外部
から真空処理室（１）へ導入した被処理物（７）に真空
処理が施されるが、各ガス供給室（１０ａ）（ｔｏ ｂ
）からガスがその前後の真空処理室（１）と差圧室（４
ａ） （４ｂ）へ流れるので、差圧室（４ａ） （４ｂ
）の圧力を十分に低い圧力にまで下げる必要がなく、ま
た差圧室（４〉を多く設けることなく真空処理室（１）
の大気成分ガスの分圧を下げることが出来、外部から通
路（６）を介して侵入する大気はガス供給室（１０ａ）
（１０ｂ）から差圧室（４ａ） （４ｂ）へのガス流ａ
３によって遮られ、真空処理室（１）内へ侵入する量が
減少する。
該真空処理室（１）に於ける圧力がＩ Ｘ １０−’Ｔ
ｏｒｒの場合、ガス供給室（ｔＯａ）（１０ｂ）に１．
５ Ｘ ＬＯ−３Ｔｏｒｒのガスを供給すると、該真空
処理室（１）に近い差圧室（４ａ） （４ｂ）の圧力を
真空処理室（１）の圧力よりも１桁高いＩ Ｘ １０−
’Ｔｏｒｒとし、次に遠い差圧室（４ｃ） （４ｄ）を
１ ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒｓ最も遠い差圧室（４ｅ〉（
４ｒ）を１００ Ｔｏｒｒとすることが出来、差圧室（
４ａ）（４ｂ） （４ｅ） （４ｄ）の圧力を高く出来
るのでランニングコストが安くなると共に排気系り８〉
の制御が簡単になる。
ｏｒｒの場合、ガス供給室（ｔＯａ）（１０ｂ）に１．
５ Ｘ ＬＯ−３Ｔｏｒｒのガスを供給すると、該真空
処理室（１）に近い差圧室（４ａ） （４ｂ）の圧力を
真空処理室（１）の圧力よりも１桁高いＩ Ｘ １０−
’Ｔｏｒｒとし、次に遠い差圧室（４ｃ） （４ｄ）を
１ ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒｓ最も遠い差圧室（４ｅ〉（
４ｒ）を１００ Ｔｏｒｒとすることが出来、差圧室（
４ａ）（４ｂ） （４ｅ） （４ｄ）の圧力を高く出来
るのでランニングコストが安くなると共に排気系り８〉
の制御が簡単になる。
尚、ガス供給室（ＩＧは、真空処理室（１〉に於いて要
求される真空の質に応じて差圧室（４〉の途中、例えば
差圧室（４ｃ） （４ｅ）の間に設けるようにしてもよ
く、複数個所に設けるようにしてもよい。
求される真空の質に応じて差圧室（４〉の途中、例えば
差圧室（４ｃ） （４ｅ）の間に設けるようにしてもよ
く、複数個所に設けるようにしてもよい。
また、ガス供給室（ｌｏに供給するガスの種類は、真空
処理の内容に応じて決めることが出来、Ｈｅ５Ｎｅｓ
Ａｒ等の不活性ガスを用いるか、例えばＮ２、Ｃ２Ｈ，
等の反応ガスを使用した反応性蒸着の真空処理の場合に
はＮ２％Ｃ２Ｈ４ガスが供給される。
処理の内容に応じて決めることが出来、Ｈｅ５Ｎｅｓ
Ａｒ等の不活性ガスを用いるか、例えばＮ２、Ｃ２Ｈ，
等の反応ガスを使用した反応性蒸着の真空処理の場合に
はＮ２％Ｃ２Ｈ４ガスが供給される。
（発明の効果）
以上のように本発明に於いて、差動排気形真空処理装置
の少なくとも１つの差圧室の真空処理室側に該差圧室の
圧力よりも高い圧力のガスが供給されるガス供給室を設
けるようにしたので、多くの差圧室を設けることなく或
いは差圧室の圧力を低くすることなく真空処理室への大
気の侵入を防げ、装置のイニシャルコスト、ランニング
コストを低減させ得られ、差圧室の圧力を余り低くする
必要がないので真空ポンプの制御も簡単になる等の効果
がある。
の少なくとも１つの差圧室の真空処理室側に該差圧室の
圧力よりも高い圧力のガスが供給されるガス供給室を設
けるようにしたので、多くの差圧室を設けることなく或
いは差圧室の圧力を低くすることなく真空処理室への大
気の侵入を防げ、装置のイニシャルコスト、ランニング
コストを低減させ得られ、差圧室の圧力を余り低くする
必要がないので真空ポンプの制御も簡単になる等の効果
がある。
第１図は従来の差動排気形真空処理装置の概略の截断側
面図、第２図は本発明の実施例の概略の截断側面図であ
る。 〈１）・・・真空処理室 （３） （８）・・・排気
系（４〉・・・差圧室 （６）・・・通 路 （ＩＯ・・・ガス供給室 Ｉ′！３・・・ガス流 （５）・・・開口部 （７）・・・被処理物 （１１）・・・ガス供給系 同 許 出 願 人 上 日本真空技術株式会社 川崎製鉄株式会社 外３名 り６．’ｌ、；
面図、第２図は本発明の実施例の概略の截断側面図であ
る。 〈１）・・・真空処理室 （３） （８）・・・排気
系（４〉・・・差圧室 （６）・・・通 路 （ＩＯ・・・ガス供給室 Ｉ′！３・・・ガス流 （５）・・・開口部 （７）・・・被処理物 （１１）・・・ガス供給系 同 許 出 願 人 上 日本真空技術株式会社 川崎製鉄株式会社 外３名 り６．’ｌ、；
Claims (1)
- 真空処理室の前後に夫々排気系を備えた複数の差圧室
を連設し、各差圧室及び真空処理室の室壁に形成した小
面積の開口部を介して外部から該真空処理室へ連通する
被処理物の通路を設け、該真空処理室に近い差圧室の差
圧を遠い差圧室の圧力よりも低く制御するようにしたも
のに於いて、少なくとも１つの差圧室の真空処理室側に
該差圧室の圧力よりも高い圧力のガスを供給するガス供
給系を備えたガス供給室を設けたことを特徴とする差動
排気形真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1215004A JP2614516B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 差動排気形真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1215004A JP2614516B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 差動排気形真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0379987A true JPH0379987A (ja) | 1991-04-04 |
| JP2614516B2 JP2614516B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=16665114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1215004A Expired - Lifetime JP2614516B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 差動排気形真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2614516B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014227580A (ja) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0282770U (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-26 |
-
1989
- 1989-08-23 JP JP1215004A patent/JP2614516B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0282770U (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-26 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014227580A (ja) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2614516B2 (ja) | 1997-05-28 |
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