JPH08340037A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH08340037A JPH08340037A JP17042295A JP17042295A JPH08340037A JP H08340037 A JPH08340037 A JP H08340037A JP 17042295 A JP17042295 A JP 17042295A JP 17042295 A JP17042295 A JP 17042295A JP H08340037 A JPH08340037 A JP H08340037A
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- manufacturing apparatus
- gate valve
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Links
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Landscapes
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プロセス処理で発生した副生成物により基板
や他のチャンバが汚染される事態を防止する。 【構成】 処理対象の基板に所定の処理を施すプロセス
チャンバＰ１、Ｐ２と、プロセスチャンバの開口に連通
して設けられたトランスファチャンバＴと、プロセスチ
ャンバの開口を開閉するゲートバルブＧＰ１、ＧＰ２
と、を備えた半導体製造装置において、トランスファチ
ャンバＴにガス導入口１２と排気口１１とを設け、少な
くともゲートバルブＧＰ１、ＧＰ２を開放したときに
は、ガス導入口１２から不活性ガスを供給してトランス
ファチャンバＴ内に不活性ガス流を形成し、プロセスチ
ャンバＰ１、Ｐ２からの副生成物を不活性ガス流によっ
て迅速に排気し、或いは、副生成物のプロセスチャンバ
からの逆拡散を防止する。
や他のチャンバが汚染される事態を防止する。 【構成】 処理対象の基板に所定の処理を施すプロセス
チャンバＰ１、Ｐ２と、プロセスチャンバの開口に連通
して設けられたトランスファチャンバＴと、プロセスチ
ャンバの開口を開閉するゲートバルブＧＰ１、ＧＰ２
と、を備えた半導体製造装置において、トランスファチ
ャンバＴにガス導入口１２と排気口１１とを設け、少な
くともゲートバルブＧＰ１、ＧＰ２を開放したときに
は、ガス導入口１２から不活性ガスを供給してトランス
ファチャンバＴ内に不活性ガス流を形成し、プロセスチ
ャンバＰ１、Ｐ２からの副生成物を不活性ガス流によっ
て迅速に排気し、或いは、副生成物のプロセスチャンバ
からの逆拡散を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数のチャンバをゲー
トバルブを介して連接した半導体製造装置に関し、特
に、反応副生成物による汚染を防止した半導体製造装置
に関する。
トバルブを介して連接した半導体製造装置に関し、特
に、反応副生成物による汚染を防止した半導体製造装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハ、ガラス基板等といっ
た処理対象の基板に、エッチング、アッシング、成膜等
といったプロセス処理を施す半導体製造装置には、複数
のチャンバをゲートバルブを介して連接し、上記の処理
並びに基板の搬送を自動的に連続して行うものが知られ
ている。図５には、このような半導体製造装置の一例を
示してある。この半導体製造装置は、２つのプロセスチ
ャンバＰ１及びＰ２と、２つのカセットチャンバＣ１及
びＣ２と、トランスファチャンバＴと、を備えており、
トランスファチャンバＴにプロセスチャンバＰ１、Ｐ２
と及びカセットチャンバＣ１、Ｃ２をそれぞれゲートバ
ルブＧＰ１、ＧＰ２、ＧＣ１、ＧＣ２を介して気密に接
続して構成されている。
た処理対象の基板に、エッチング、アッシング、成膜等
といったプロセス処理を施す半導体製造装置には、複数
のチャンバをゲートバルブを介して連接し、上記の処理
並びに基板の搬送を自動的に連続して行うものが知られ
ている。図５には、このような半導体製造装置の一例を
示してある。この半導体製造装置は、２つのプロセスチ
ャンバＰ１及びＰ２と、２つのカセットチャンバＣ１及
びＣ２と、トランスファチャンバＴと、を備えており、
トランスファチャンバＴにプロセスチャンバＰ１、Ｐ２
と及びカセットチャンバＣ１、Ｃ２をそれぞれゲートバ
ルブＧＰ１、ＧＰ２、ＧＣ１、ＧＣ２を介して気密に接
続して構成されている。
【０００３】プロセスチャンバＰ１及びＰ２はそれぞれ
プロセスモジュールを構成しており、プロセスチャンバ
Ｐ１及びＰ２内において処理対象の基板は成膜等のプロ
セス処理が施される。プロセスチャンバＰ１及びＰ２は
それぞれトランスファチャンバＴと連通しており、これ
ら連通口はそれぞれゲートバルブＧＰ１及びＧＰ２で開
閉される。カセットチャンバＣ１及びＣ２はそれぞれカ
セットモジュールを構成しており、これらカセットチャ
ンバＣ１及びＣ２にはプロセス処理がなされる基板或い
はプロセス処理がなされた基板がカセットに収められた
状態で収容される。カセットチャンバＣ１及びＣ２はそ
れぞれトランスファチャンバＴと連通しており、これら
連通口はそれぞれゲートバルブＧＣ１及びＧＣ２で開閉
される。
プロセスモジュールを構成しており、プロセスチャンバ
Ｐ１及びＰ２内において処理対象の基板は成膜等のプロ
セス処理が施される。プロセスチャンバＰ１及びＰ２は
それぞれトランスファチャンバＴと連通しており、これ
ら連通口はそれぞれゲートバルブＧＰ１及びＧＰ２で開
閉される。カセットチャンバＣ１及びＣ２はそれぞれカ
セットモジュールを構成しており、これらカセットチャ
ンバＣ１及びＣ２にはプロセス処理がなされる基板或い
はプロセス処理がなされた基板がカセットに収められた
状態で収容される。カセットチャンバＣ１及びＣ２はそ
れぞれトランスファチャンバＴと連通しており、これら
連通口はそれぞれゲートバルブＧＣ１及びＧＣ２で開閉
される。
【０００４】トランスファチャンバＴにはロボットアー
ムＲが収容されており、カセットチャンバＣ１及びＣ２
とプロセスチャンバＰ１及びＰ２との間で、このロボッ
トアームＲにより基板を搬送する。すなわち、基板搬送
を行おうとするチャンバに対応するゲートバルブＧＰ
１、ＧＰ２、ＧＣ１、ＧＣ２を開いて連通口を開放さ
せ、この状態でロボットアームＲが当該チャンバＰ１、
Ｐ２、Ｃ１、Ｃ２に基板を出し入れする。
ムＲが収容されており、カセットチャンバＣ１及びＣ２
とプロセスチャンバＰ１及びＰ２との間で、このロボッ
トアームＲにより基板を搬送する。すなわち、基板搬送
を行おうとするチャンバに対応するゲートバルブＧＰ
１、ＧＰ２、ＧＣ１、ＧＣ２を開いて連通口を開放さ
せ、この状態でロボットアームＲが当該チャンバＰ１、
Ｐ２、Ｃ１、Ｃ２に基板を出し入れする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体製造装置にあっては、プロセスチャンバ
Ｐ１或いはＰ２におけるプロセス処理の終了後に、処理
された基板を搬出するためにゲートバルブＧＰ１或いは
ＧＰ２を開けると、図５に矢印で示すように、プロセス
処理で発生したプロセスチャンバ内の副生成物（ＮＨ4
Ｃｌ、ＳｉＯN等）がトランスファチャンバＴへ逆拡散
して、これらチャンバや基板を汚染してしまうことがあ
った。このように逆拡散された副生成物は、トランスフ
ァチャンバＴの内部にパーティクル１として付着し、ト
ランスファチャンバＴ内で搬送される基板を汚染してし
まうという問題があった。
た従来の半導体製造装置にあっては、プロセスチャンバ
Ｐ１或いはＰ２におけるプロセス処理の終了後に、処理
された基板を搬出するためにゲートバルブＧＰ１或いは
ＧＰ２を開けると、図５に矢印で示すように、プロセス
処理で発生したプロセスチャンバ内の副生成物（ＮＨ4
Ｃｌ、ＳｉＯN等）がトランスファチャンバＴへ逆拡散
して、これらチャンバや基板を汚染してしまうことがあ
った。このように逆拡散された副生成物は、トランスフ
ァチャンバＴの内部にパーティクル１として付着し、ト
ランスファチャンバＴ内で搬送される基板を汚染してし
まうという問題があった。
【０００６】また、カセットチャンバＣ１、Ｃ２内はプ
ロセス処理前の基板を清浄な状態に保つために排気がな
されるが、ゲートバルブＧＣ１、ＧＣ２を開くと汚染さ
れた雰囲気がカセットチャンバＣ１、Ｃ２内に流入し、
プロセス処理前の基板を汚染してしまうという問題があ
った。更に、特に昇華性の副生成物である場合には、急
激な温度差によって固体変態し、副生成物が結晶化して
トランスファチャンバＴやカセットチャンバＣ１、Ｃ２
内に付着してしまい、半導体製造装置の保守時における
クリーニング作業が困難となってしまうという問題があ
った。
ロセス処理前の基板を清浄な状態に保つために排気がな
されるが、ゲートバルブＧＣ１、ＧＣ２を開くと汚染さ
れた雰囲気がカセットチャンバＣ１、Ｃ２内に流入し、
プロセス処理前の基板を汚染してしまうという問題があ
った。更に、特に昇華性の副生成物である場合には、急
激な温度差によって固体変態し、副生成物が結晶化して
トランスファチャンバＴやカセットチャンバＣ１、Ｃ２
内に付着してしまい、半導体製造装置の保守時における
クリーニング作業が困難となってしまうという問題があ
った。
【０００７】本発明は上記従来の事情に鑑みなされたも
ので、副生成物により基板や他のチャンバが汚染される
事態を防止した半導体製造装置を提供することを目的と
する。特に、請求項１に記載した半導体製造装置では、
プロセスチャンバからの副生成物を不活性ガス流によっ
て迅速に排気し、更には、副生成物のプロセスチャンバ
からの逆拡散を防止して、基板や他のチャンバが汚染さ
れる事態を防止することを目的とする。
ので、副生成物により基板や他のチャンバが汚染される
事態を防止した半導体製造装置を提供することを目的と
する。特に、請求項１に記載した半導体製造装置では、
プロセスチャンバからの副生成物を不活性ガス流によっ
て迅速に排気し、更には、副生成物のプロセスチャンバ
からの逆拡散を防止して、基板や他のチャンバが汚染さ
れる事態を防止することを目的とする。
【０００８】また、請求項２に記載した半導体製造装置
では、チャンバ間の内圧に応じてプロセスチャンバの開
放を抑制し、これによって副生成物の逆拡散を防止し
て、基板や他のチャンバが汚染される事態を防止するこ
とを目的とする。また、請求項３に記載した半導体製造
装置では、チャンバを開放する際には当該チャンバ内の
排気を停止して、副生成物が当該チャンバ内に流入しな
いようにし、これによって基板や当該チャンバが汚染さ
れる事態を防止することを目的とする。
では、チャンバ間の内圧に応じてプロセスチャンバの開
放を抑制し、これによって副生成物の逆拡散を防止し
て、基板や他のチャンバが汚染される事態を防止するこ
とを目的とする。また、請求項３に記載した半導体製造
装置では、チャンバを開放する際には当該チャンバ内の
排気を停止して、副生成物が当該チャンバ内に流入しな
いようにし、これによって基板や当該チャンバが汚染さ
れる事態を防止することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載した半導体製造装置は、処理対象の
基板に所定の処理を施すプロセスチャンバと、プロセス
チャンバの開口に連通して設けられた他のチャンバと、
プロセスチャンバの開口を開閉するゲートバルブと、を
備えた半導体製造装置において、前記他のチャンバにガ
ス導入口と排気口とを設け、少なくとも前記ゲートバル
ブを開放したときには、ガス導入口から不活性ガスを供
給して当該他のチャンバ内に不活性ガス流を形成するこ
とを特徴とする。
め、請求項１に記載した半導体製造装置は、処理対象の
基板に所定の処理を施すプロセスチャンバと、プロセス
チャンバの開口に連通して設けられた他のチャンバと、
プロセスチャンバの開口を開閉するゲートバルブと、を
備えた半導体製造装置において、前記他のチャンバにガ
ス導入口と排気口とを設け、少なくとも前記ゲートバル
ブを開放したときには、ガス導入口から不活性ガスを供
給して当該他のチャンバ内に不活性ガス流を形成するこ
とを特徴とする。
【００１０】また、請求項２に記載した半導体製造装置
は、処理対象の基板に所定の処理を施すプロセスチャン
バと、プロセスチャンバの開口に連通して設けられた他
のチャンバと、プロセスチャンバの開口を開閉するゲー
トバルブと、を備えた半導体製造装置において、前記プ
ロセスチャンバ及び前記他のチャンバの内圧を検出する
圧力センサと、当該圧力センサによる検出結果に基づい
てプロセスチャンバの内圧が他のチャンバの内圧より高
い場合には前記ゲートバルブの開放を禁止するゲートバ
ルブ制御手段と、を備えたことを特徴とする。
は、処理対象の基板に所定の処理を施すプロセスチャン
バと、プロセスチャンバの開口に連通して設けられた他
のチャンバと、プロセスチャンバの開口を開閉するゲー
トバルブと、を備えた半導体製造装置において、前記プ
ロセスチャンバ及び前記他のチャンバの内圧を検出する
圧力センサと、当該圧力センサによる検出結果に基づい
てプロセスチャンバの内圧が他のチャンバの内圧より高
い場合には前記ゲートバルブの開放を禁止するゲートバ
ルブ制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１１】また、請求項３に記載した半導体製造装置
は、排気口が設けられた一のチャンバと、当該一のチャ
ンバの開口に連通して設けられた他のチャンバと、前記
一のチャンバの開口を開閉するゲートバルブと、を備え
た半導体製造装置において、前記ゲートバルブの開放を
検知して前記排気口を閉止させる排気制御手段を備えた
ことを特徴とする。
は、排気口が設けられた一のチャンバと、当該一のチャ
ンバの開口に連通して設けられた他のチャンバと、前記
一のチャンバの開口を開閉するゲートバルブと、を備え
た半導体製造装置において、前記ゲートバルブの開放を
検知して前記排気口を閉止させる排気制御手段を備えた
ことを特徴とする。
【００１２】
【作用】請求項１の半導体製造装置では、プロセスチャ
ンバに連通する他のチャンバ内に不活性ガスの流れを形
成し、ゲートバルブを開けてた際にプロセスチャンバか
ら逆拡散される副生成物を不活性ガス流によって排気口
から外部へ排気する。すなわち、当該他のチャンバ（ト
ランスファチャンバ等）内に付着する前に副生成物を排
気して、当該他のチャンバや基板が汚染される事態を防
止する。また、不活性ガス流を形成することによって、
他のチャンバの内力がプロセスチャンバの内圧より高く
なるようにすれば、プロセスチャンバからの副生成物の
逆拡散は防止され、当該他のチャンバや基板が汚染され
る事態が防止される。
ンバに連通する他のチャンバ内に不活性ガスの流れを形
成し、ゲートバルブを開けてた際にプロセスチャンバか
ら逆拡散される副生成物を不活性ガス流によって排気口
から外部へ排気する。すなわち、当該他のチャンバ（ト
ランスファチャンバ等）内に付着する前に副生成物を排
気して、当該他のチャンバや基板が汚染される事態を防
止する。また、不活性ガス流を形成することによって、
他のチャンバの内力がプロセスチャンバの内圧より高く
なるようにすれば、プロセスチャンバからの副生成物の
逆拡散は防止され、当該他のチャンバや基板が汚染され
る事態が防止される。
【００１３】また、請求項２の半導体製造装置では、プ
ロセスチャンバとこれに連通する他のチャンバとの内圧
を検出し、プロセスチャンバ側の内圧が高く、プロセス
チャンバから副生成物の逆拡散が生ずる状態にあるとき
には、プロセスチャンバのゲートバルブの開放を禁止す
る。これによって、当該他のチャンバ（トランスファチ
ャンバ等）への副生成物の逆拡散を未然に防止して、当
該他のチャンバや基板が汚染される事態を防止する。
ロセスチャンバとこれに連通する他のチャンバとの内圧
を検出し、プロセスチャンバ側の内圧が高く、プロセス
チャンバから副生成物の逆拡散が生ずる状態にあるとき
には、プロセスチャンバのゲートバルブの開放を禁止す
る。これによって、当該他のチャンバ（トランスファチ
ャンバ等）への副生成物の逆拡散を未然に防止して、当
該他のチャンバや基板が汚染される事態を防止する。
【００１４】また、請求項３半導体製造装置では、カセ
ットチャンバとトランスファチャンバとのように、一の
チャンバと他のチャンバとを連通させて設け、一のチャ
ンバ（カセットチャンバ）では排気を行っている場合
に、一のチャンバのゲートバルブを開放させるときに
は、当該排気を停止させる。すなわち、排気処理の流れ
によって、他のチャンバ（トランスファチャンバ）から
一のチャンバ（カセットチャンバ）へ副生成物が流入し
ないようにし、当該一のチャンバや基板が汚染される事
態を防止する。
ットチャンバとトランスファチャンバとのように、一の
チャンバと他のチャンバとを連通させて設け、一のチャ
ンバ（カセットチャンバ）では排気を行っている場合
に、一のチャンバのゲートバルブを開放させるときに
は、当該排気を停止させる。すなわち、排気処理の流れ
によって、他のチャンバ（トランスファチャンバ）から
一のチャンバ（カセットチャンバ）へ副生成物が流入し
ないようにし、当該一のチャンバや基板が汚染される事
態を防止する。
【００１５】
【実施例】本発明の実施例に係る半導体製造装置を図面
を参照して説明する。なお、図５に示した従来例と同一
部分には同一符号を付して重複する説明は省略する。図
１乃至図３には本発明の一実施例に係る半導体製造装置
を示してある。この半導体製造装置では、プロセスチャ
ンバＰ１、Ｐ２に連通するトランスファチャンバＴに排
気口１１とガス導入口１２とを設け、排気口１１は図外
の真空ポンプに接続し、ガス導入口１２は図外の不活性
ガス供給源に接続してある。
を参照して説明する。なお、図５に示した従来例と同一
部分には同一符号を付して重複する説明は省略する。図
１乃至図３には本発明の一実施例に係る半導体製造装置
を示してある。この半導体製造装置では、プロセスチャ
ンバＰ１、Ｐ２に連通するトランスファチャンバＴに排
気口１１とガス導入口１２とを設け、排気口１１は図外
の真空ポンプに接続し、ガス導入口１２は図外の不活性
ガス供給源に接続してある。
【００１６】本実施例の排気口１１は、プロセスチャン
バＰ１、Ｐ２に寄った位置の設けられ、トランスファチ
ャンバＴの底部に開口している。また、本実施例のガス
導入口１２は、カセットチャンバＣ１、Ｃ２に寄った位
置の設けられ、トランスファチャンバＴの上部に開口し
ている。したがって、図２に示すように排気口１１から
排気しつつガス導入口１２から不活性ガスを供給する
と、図３に矢印で示すようにトランスファチャンバＴ内
にはカセットチャンバＣ１、Ｃ２側からプロセスチャン
バＰ１、Ｐ２へ流れる不活性ガス流が生ずる。不活性ガ
スとしては、例えば、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴ
ンガス等が用いられるが、製造条件等に応じて種々な不
活性ガスを選択して用いることができる。
バＰ１、Ｐ２に寄った位置の設けられ、トランスファチ
ャンバＴの底部に開口している。また、本実施例のガス
導入口１２は、カセットチャンバＣ１、Ｃ２に寄った位
置の設けられ、トランスファチャンバＴの上部に開口し
ている。したがって、図２に示すように排気口１１から
排気しつつガス導入口１２から不活性ガスを供給する
と、図３に矢印で示すようにトランスファチャンバＴ内
にはカセットチャンバＣ１、Ｃ２側からプロセスチャン
バＰ１、Ｐ２へ流れる不活性ガス流が生ずる。不活性ガ
スとしては、例えば、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴ
ンガス等が用いられるが、製造条件等に応じて種々な不
活性ガスを選択して用いることができる。
【００１７】すなわち、プロセスチャンバＰ１或いはＰ
２におけるプロセス処理の終了後にゲートバルブＧＰ１
或いはＧＰ２を開けて、プロセスチャンバ内の副生成物
がトランスファチャンバＴへ逆拡散しても、不活性ガス
流をトランスファチャンバＴ内に形成しておくことによ
り、逆拡散された副生成物は不活性ガスとともに排気口
１１から外部へ迅速に排気される。このため、副生成物
がトランスファチャンバＴの内部に付着してしまう事態
が防止され、トランスファチャンバＴ及び搬送される基
板が清浄な状態に保持される。
２におけるプロセス処理の終了後にゲートバルブＧＰ１
或いはＧＰ２を開けて、プロセスチャンバ内の副生成物
がトランスファチャンバＴへ逆拡散しても、不活性ガス
流をトランスファチャンバＴ内に形成しておくことによ
り、逆拡散された副生成物は不活性ガスとともに排気口
１１から外部へ迅速に排気される。このため、副生成物
がトランスファチャンバＴの内部に付着してしまう事態
が防止され、トランスファチャンバＴ及び搬送される基
板が清浄な状態に保持される。
【００１８】ここで、上記のような作用を奏するために
は、少なくともゲートバルブＧＰ１或いはＧＰ２を開け
ている間は、トランスファチャンバＴ内に不活性ガス流
を形成する必要がある。なお、更に、カセットチャンバ
のゲートバルブＧＣ１或いはＧＣ２を開けている間にも
不活性ガス流を形成してもよく、更には、不活性ガス流
を常時形成させるようにしてもよい。
は、少なくともゲートバルブＧＰ１或いはＧＰ２を開け
ている間は、トランスファチャンバＴ内に不活性ガス流
を形成する必要がある。なお、更に、カセットチャンバ
のゲートバルブＧＣ１或いはＧＣ２を開けている間にも
不活性ガス流を形成してもよく、更には、不活性ガス流
を常時形成させるようにしてもよい。
【００１９】なお、半導体製造装置を、処理操作中はカ
セットチャンバＣ１、Ｃ２とトランスファチャンバＴと
の間のゲートバルブＧＣ１、ＧＣ２を開けた状態として
用いるようにした場合には、カセットチャンバＣ１、Ｃ
２とトランスファチャンバＴとを一体としてプロセスチ
ャンバに連通するチャンバとして捉え、ガス導入口１２
を不活性ガス流を効果的に発生される位置、すなわち、
カセットチャンバＣ１、Ｃ２にそれぞれ設けるようにす
ればよい。
セットチャンバＣ１、Ｃ２とトランスファチャンバＴと
の間のゲートバルブＧＣ１、ＧＣ２を開けた状態として
用いるようにした場合には、カセットチャンバＣ１、Ｃ
２とトランスファチャンバＴとを一体としてプロセスチ
ャンバに連通するチャンバとして捉え、ガス導入口１２
を不活性ガス流を効果的に発生される位置、すなわち、
カセットチャンバＣ１、Ｃ２にそれぞれ設けるようにす
ればよい。
【００２０】なお、不活性ガス流を効果的に利用するた
めには、上記の実施例のように排気口１１やガス導入口
１２の位置を設定するのが好ましいが、不活性ガスをト
ランスファチャンバＴ内に供給して不活性ガス流を形成
し、トランスファチャンバＴの内力がプロセスチャンバ
Ｐ１、Ｐ２の内圧より高くなるようにすれば、プロセス
チャンバＰ１、Ｐ２からの副生成物の逆拡散は防止され
るので、排気口１１やガス導入口１２は必要に応じて種
々な位置の設けることもできる。
めには、上記の実施例のように排気口１１やガス導入口
１２の位置を設定するのが好ましいが、不活性ガスをト
ランスファチャンバＴ内に供給して不活性ガス流を形成
し、トランスファチャンバＴの内力がプロセスチャンバ
Ｐ１、Ｐ２の内圧より高くなるようにすれば、プロセス
チャンバＰ１、Ｐ２からの副生成物の逆拡散は防止され
るので、排気口１１やガス導入口１２は必要に応じて種
々な位置の設けることもできる。
【００２１】図１には、本発明の他の一実施例に係る半
導体製造装置の構成も示してある。この実施例では、プ
ロセスチャンバＰ１にその内圧を検出する圧力センサ１
３ａを設けるとともに、トランスファチャンバＴにその
内圧を検出する圧力センサ１３ｂを設け、これら圧力セ
ンサ１３ａ、１３ｂの検出結果をゲートバルブ制御手段
１３へ入力している。ゲートバルブ制御手段１３は図外
のゲートバルブ駆動手段を制御し、圧力センサ１３ａ、
１３ｂの検出結果に基づいて、プロセスチャンバＰ１の
内圧がトランスファチャンバＴの内圧よりも高いときに
は、ゲートバルブＧＰ１が開かないようにする。
導体製造装置の構成も示してある。この実施例では、プ
ロセスチャンバＰ１にその内圧を検出する圧力センサ１
３ａを設けるとともに、トランスファチャンバＴにその
内圧を検出する圧力センサ１３ｂを設け、これら圧力セ
ンサ１３ａ、１３ｂの検出結果をゲートバルブ制御手段
１３へ入力している。ゲートバルブ制御手段１３は図外
のゲートバルブ駆動手段を制御し、圧力センサ１３ａ、
１３ｂの検出結果に基づいて、プロセスチャンバＰ１の
内圧がトランスファチャンバＴの内圧よりも高いときに
は、ゲートバルブＧＰ１が開かないようにする。
【００２２】これによって、ゲートバルブＧＰ１が開か
れるときには、プロセスチャンバＰ１の内圧はトランス
ファチャンバＴの内圧以下となり、プロセスチャンバＰ
１からトランスファチャンバＴへの副生成物の逆拡散が
防止される。なお、一方のプロセスチャンバＰ１につい
てのみ説明したが、他方のプロセスチャンバＰ２につい
ても同様な圧力センサ及びゲートバルブ制御手段が付設
されており、上記と同様にして、プロセスチャンバＰ２
からトランスファチャンバＴへの副生成物の逆拡散が防
止される。
れるときには、プロセスチャンバＰ１の内圧はトランス
ファチャンバＴの内圧以下となり、プロセスチャンバＰ
１からトランスファチャンバＴへの副生成物の逆拡散が
防止される。なお、一方のプロセスチャンバＰ１につい
てのみ説明したが、他方のプロセスチャンバＰ２につい
ても同様な圧力センサ及びゲートバルブ制御手段が付設
されており、上記と同様にして、プロセスチャンバＰ２
からトランスファチャンバＴへの副生成物の逆拡散が防
止される。
【００２３】図４には、本発明の更に他の一実施例に係
る半導体製造装置を示してある。この実施例の半導体製
造装置は、カセットチャンバＣ１に排気口１５とガス導
入口１６とを設け、排気口１５から排気しつつガス導入
口１６から不活性ガスを供給して、カセットチャンバＣ
１内に不活性ガス流を形成して当該カセットチャンバ内
に収容された基板（特に、プロセス処理が未だなされて
いない基板）を清浄な状態に保持するものである。
る半導体製造装置を示してある。この実施例の半導体製
造装置は、カセットチャンバＣ１に排気口１５とガス導
入口１６とを設け、排気口１５から排気しつつガス導入
口１６から不活性ガスを供給して、カセットチャンバＣ
１内に不活性ガス流を形成して当該カセットチャンバ内
に収容された基板（特に、プロセス処理が未だなされて
いない基板）を清浄な状態に保持するものである。
【００２４】そして、この半導体製造装置では、排気口
１５に接続された排気管にバルブ１７を設け、このバル
ブ１７を排気制御手段１８で開閉制御する。排気制御手
段１８はゲートバルブＧＣ１の開閉動を検知して、これ
に基づいてバルブ１７を開閉させるものであり、ゲート
バルブＧＣ１が開かれたときにはバルブ１７を閉止させ
る。なお、ゲートバルブＧＣ１が閉じられたときには、
排気制御手段１８はバルブ１７を開放させる。
１５に接続された排気管にバルブ１７を設け、このバル
ブ１７を排気制御手段１８で開閉制御する。排気制御手
段１８はゲートバルブＧＣ１の開閉動を検知して、これ
に基づいてバルブ１７を開閉させるものであり、ゲート
バルブＧＣ１が開かれたときにはバルブ１７を閉止させ
る。なお、ゲートバルブＧＣ１が閉じられたときには、
排気制御手段１８はバルブ１７を開放させる。
【００２５】排気口１５からの排気を行っている状態で
ゲートバルブＧＣ１を開けると、トランスファチャンバ
ＴからカセットチャンバＣ１への雰囲気の流れによっ
て、カセットチャンバＣ１内に汚染された雰囲気が流入
してしまうこととなる。これに対して、本実施例では、
ゲートバルブＧＣ１が開かれるときには、バルブ１７が
閉じられて排気口１５からの排気が停止されるため、カ
セットチャンバＣ１内への汚染雰囲気の流入が防止され
る。このため、カセットチャンバＣ１内に収納されてい
る未処理の基板が汚染されてしまう事態を未然に防止す
ることができる。
ゲートバルブＧＣ１を開けると、トランスファチャンバ
ＴからカセットチャンバＣ１への雰囲気の流れによっ
て、カセットチャンバＣ１内に汚染された雰囲気が流入
してしまうこととなる。これに対して、本実施例では、
ゲートバルブＧＣ１が開かれるときには、バルブ１７が
閉じられて排気口１５からの排気が停止されるため、カ
セットチャンバＣ１内への汚染雰囲気の流入が防止され
る。このため、カセットチャンバＣ１内に収納されてい
る未処理の基板が汚染されてしまう事態を未然に防止す
ることができる。
【００２６】なお、一方のカセットチャンバＣ１につい
てのみ説明したが、他方のカセットチャンバＣ２につい
ても同様に構成されており、上記と同様にして、トラン
スファチャンバＴからの汚染雰囲気の流入が防止され
る。また、本実施例はトランスファチャンバとカセット
チャンバとの関係を用いて説明したが、連接した複数の
チャンバを備えた一般的な半導体製造装置にも応用する
ことができる。
てのみ説明したが、他方のカセットチャンバＣ２につい
ても同様に構成されており、上記と同様にして、トラン
スファチャンバＴからの汚染雰囲気の流入が防止され
る。また、本実施例はトランスファチャンバとカセット
チャンバとの関係を用いて説明したが、連接した複数の
チャンバを備えた一般的な半導体製造装置にも応用する
ことができる。
【００２７】ここで、上記した排気口１１或いは排気口
１５を用いてチャンバ内を排気しながら処理を行うモー
ドをコンティニアスパージモードとして設定し、半導体
製造装置の操作装置からコンティニアスパージモードを
選択できるようにすれば、操作上便利である。また、こ
の場合に、操作画面にコンティニアスパージモードを選
択しているときには、排気処理がなされているチャンバ
領域を色を変えて表示する等すれば、更に操作上便利で
ある。
１５を用いてチャンバ内を排気しながら処理を行うモー
ドをコンティニアスパージモードとして設定し、半導体
製造装置の操作装置からコンティニアスパージモードを
選択できるようにすれば、操作上便利である。また、こ
の場合に、操作画面にコンティニアスパージモードを選
択しているときには、排気処理がなされているチャンバ
領域を色を変えて表示する等すれば、更に操作上便利で
ある。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体製
造装置によれば、プロセス処理で発生した副生成物の逆
拡散を防止するようにしたため、当該副生成物により基
板や他のチャンバが汚染される事態を防止することがで
き、パーティクル等の付着を防止してクリーニング作業
の負担を軽減することができる。特に、請求項１に記載
した半導体製造装置によれば、プロセスチャンバからの
副生成物を不活性ガス流によって迅速に排気し、或い
は、副生成物のプロセスチャンバからの逆拡散を防止し
て、基板や他のチャンバが汚染される事態を防止するこ
とができる。
造装置によれば、プロセス処理で発生した副生成物の逆
拡散を防止するようにしたため、当該副生成物により基
板や他のチャンバが汚染される事態を防止することがで
き、パーティクル等の付着を防止してクリーニング作業
の負担を軽減することができる。特に、請求項１に記載
した半導体製造装置によれば、プロセスチャンバからの
副生成物を不活性ガス流によって迅速に排気し、或い
は、副生成物のプロセスチャンバからの逆拡散を防止し
て、基板や他のチャンバが汚染される事態を防止するこ
とができる。
【００２９】また、請求項２に記載した半導体製造装置
では、チャンバ間の内圧に応じてプロセスチャンバの開
放を抑制し、これによって副生成物の逆拡散を防止し
て、基板や他のチャンバが汚染される事態を防止するこ
とができる。また、請求項３に記載した半導体製造装置
では、チャンバを開放する際には当該チャンバ内の排気
を停止して、副生成物が当該チャンバ内に流入しないよ
うにし、これによって基板や当該チャンバが汚染される
事態を防止することができる。
では、チャンバ間の内圧に応じてプロセスチャンバの開
放を抑制し、これによって副生成物の逆拡散を防止し
て、基板や他のチャンバが汚染される事態を防止するこ
とができる。また、請求項３に記載した半導体製造装置
では、チャンバを開放する際には当該チャンバ内の排気
を停止して、副生成物が当該チャンバ内に流入しないよ
うにし、これによって基板や当該チャンバが汚染される
事態を防止することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体製造装置の構成
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施例に係る半導体製造装置の構成
を示す側面図である。
を示す側面図である。
【図３】本発明の一実施例に係る半導体製造装置の不活
性ガス流を説明する側面図である。
性ガス流を説明する側面図である。
【図４】本発明の他の一実施例に係る半導体製造装置の
構成を示す平面図である。
構成を示す平面図である。
【図５】従来の半導体製造装置の構成を示す平面図であ
る。
る。
Ｐ１、Ｐ２・・・プロセスチャンバ、 Ｔ・・・トラン
スファチャンバ、Ｃ１、Ｃ２・・・カセットチャンバ、
ＧＰ１、ＧＰ２、ＧＣ１、ＧＣ２・・・ゲートバルブ、
１１、１５・・・排気口、 １２、１６・・・ガス導入
口、１３・・・ゲートバルブ制御手段、 １３ａ、１３
ｂ・・・圧力センサ、１７・・・バルブ、 １８・・・
排気制御手段、
スファチャンバ、Ｃ１、Ｃ２・・・カセットチャンバ、
ＧＰ１、ＧＰ２、ＧＣ１、ＧＣ２・・・ゲートバルブ、
１１、１５・・・排気口、 １２、１６・・・ガス導入
口、１３・・・ゲートバルブ制御手段、 １３ａ、１３
ｂ・・・圧力センサ、１７・・・バルブ、 １８・・・
排気制御手段、
Claims (3)
- 【請求項１】 処理対象の基板に所定の処理を施すプロ
セスチャンバと、プロセスチャンバの開口に連通して設
けられた他のチャンバと、プロセスチャンバの開口を開
閉するゲートバルブと、を備えた半導体製造装置におい
て、 前記他のチャンバにガス導入口と排気口とを設け、少な
くとも前記ゲートバルブを開放したときには、ガス導入
口から不活性ガスを供給して当該他のチャンバ内に不活
性ガス流を形成することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 処理対象の基板に所定の処理を施すプロ
セスチャンバと、プロセスチャンバの開口に連通して設
けられた他のチャンバと、プロセスチャンバの開口を開
閉するゲートバルブと、を備えた半導体製造装置におい
て、 前記プロセスチャンバ及び前記他のチャンバの内圧を検
出する圧力センサと、当該圧力センサによる検出結果に
基づいてプロセスチャンバの内圧が他のチャンバの内圧
より高い場合には前記ゲートバルブの開放を禁止するゲ
ートバルブ制御手段と、を備えたことを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項３】 排気口が設けられた一のチャンバと、当
該一のチャンバの開口に連通して設けられた他のチャン
バと、前記一のチャンバの開口を開閉するゲートバルブ
と、を備えた半導体製造装置において、 前記ゲートバルブの開放を検知して前記排気口を閉止さ
せる排気制御手段を備えたことを特徴とする半導体製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17042295A JPH08340037A (ja) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17042295A JPH08340037A (ja) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08340037A true JPH08340037A (ja) | 1996-12-24 |
Family
ID=15904633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17042295A Pending JPH08340037A (ja) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08340037A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000286246A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Hitachi Ltd | 半導体基板処理装置における処理状況の表示方法及び半導体基板処理装置 |
| JP2001291758A (ja) * | 2000-11-27 | 2001-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
| WO2012157370A1 (ja) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | シャープ株式会社 | 反応室開放方法、及び気相成長装置 |
| WO2018025756A1 (ja) * | 2016-08-04 | 2018-02-08 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、及び物品製造方法 |
-
1995
- 1995-06-13 JP JP17042295A patent/JPH08340037A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000286246A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Hitachi Ltd | 半導体基板処理装置における処理状況の表示方法及び半導体基板処理装置 |
| JP2001291758A (ja) * | 2000-11-27 | 2001-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
| WO2012157370A1 (ja) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | シャープ株式会社 | 反応室開放方法、及び気相成長装置 |
| JP2012238772A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Sharp Corp | 反応室開放方法、及び気相成長装置 |
| WO2018025756A1 (ja) * | 2016-08-04 | 2018-02-08 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、及び物品製造方法 |
| KR20190034632A (ko) * | 2016-08-04 | 2019-04-02 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치 및 물품 제조 방법 |
| US11199770B2 (en) | 2016-08-04 | 2021-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and method of manufacturing an article |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050825 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20051011 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20051208 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060425 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |