JPH038024B2 - - Google Patents

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JPH038024B2
JPH038024B2 JP57161535A JP16153582A JPH038024B2 JP H038024 B2 JPH038024 B2 JP H038024B2 JP 57161535 A JP57161535 A JP 57161535A JP 16153582 A JP16153582 A JP 16153582A JP H038024 B2 JPH038024 B2 JP H038024B2
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10532—Heads
    • G11B11/10541—Heads for reproducing
    • G11B11/10543—Heads for reproducing using optical beam of radiation

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、情報処理システムなどに用いられる
光デイスク、特に光磁気デイスクの情報読出装置
に関する。
［従来の技術］ 情報処理システムにおいて従来最も使用率の高
い大容量記憶装置としては、磁気デイスク記憶装
置及び磁気テープ記憶装置がある。
まず、磁気デイスク記憶装置について説明す
る。
磁気デイスク装置では、情報は磁気デイスクを
記録媒体とし、環状同心の記録用トラツクに記憶
される。これらのトラツクは、その半径方向の幅
が約数十ミクロンであり、そして通常はデイスク
両面の大部分を覆つている。磁気デイスクのトラ
ツクに記録された一連の磁気情報はトラツクの長
さ全体に亘つて分散し、且つ、同一の大きさで互
に方向が逆の磁気誘導を示す基礎磁区
（domaineselementaires）と称する一連の小磁区
として存在する。
磁気デイスク装置では、情報の読み・書きを行
う手段は電磁変換器である。電磁変換器は、周囲
に電気巻線を巻き、且つ磁極間隙を持つ磁気回路
で通常構成する。記録媒体である磁気デイスクに
１つ又は複数の変換器が関連していて、その変換
器の前を高速回転をする磁気デイスクが走行す
る。従来型磁気デイスク装置では、径方向密度
（即ち、トラツク密度）が約350〜400トラツク／
cm（即ち850〜1000TPI）で、長手方向密度（即
ち、線密度）が約2000ビツト／cm（即ち
5000BPI）である。
記憶装置の大容量化への要求はとどまることを
知らず、最近では光デイスク記憶装置の開発が急
である。
光デイスク装置とは、情報がデイスクに記録さ
れ、小さな光スポツトを用いてオプトエレクトロ
ニクス装置により読出される大容量記憶装置であ
る。このような装置で得られる径方向密度及び線
密度は約25000TPI及び25000BPIである。基礎磁
区の大きさは約１乃至２ミクロンであり、トラツ
ク幅も同程度の大きさを持つ。光デイスクにはリ
ード・オンリ形と、一度だけ書けるライト・ワン
ス形と、それに書換え可能なリライタブル形の３
種類がある。
書換形光デイスクでは利用する物理現象に磁気
光学効果などがあり、光磁気デイスクともいう。
磁気光学効果を用いる光デイスク装置では、情報
の書込み方に２つの主要なモードがある。即ち、
熱磁気書込モードと、前述した電磁変換器を用い
る純粋な磁気書込モードとの２つである。熱磁気
書込モードでは、光デイスクの記録面を構成する
磁気材料に照射するレーザ光ビームのインパクト
に起因した熱効果を利用する。情報読出モード
は、偏光と高速回転をする光デイスクを構成して
いる磁性層の磁気状態との相互作用、即ち伝搬方
向に直交する平面内で電界ベクトルを（従つて磁
界ベクトルも）回転させるという相互作用の原理
に基づく。直線偏光のレーザ・ビームが磁性層の
表面で反射するときの上記の物理現象は、カー効
果と呼ばれ、これは磁性層の磁化が垂直方向のと
きはポーラ（Polaire）、長手方向ときは長手方向
（longitudinale）と言われる。
次に、第１図乃至第４図に基づいて従来技術を
更に具体的に説明する。
第１ａ図において、デイスクDISCに記録され
た磁気情報の光学的読出操作の原理を説明する。
デイスクDISCは磁性層CMで被覆された基体
SNMで構成されており、基礎磁区Diの集合体か
ら成る多数の情報ビツト（bit de information）
を含む多数の環状同心トラツクTRjを有してい
る。好ましくは、基礎磁区Diにおける磁化方向が
磁性層CMに垂直な情報記録モードを選択する。
このようにすれば、情報の長手方向及び径方向の
密度がより大きくなり、そして光ビームによる読
出しが長手方向磁化の場合より容易になるからで
ある。以下、磁化方向が磁性層CMの表面に垂直
な光磁気デイスクの読出しを行うものとする。第
１ａ図には３つの基礎磁区Di、Di+1、Di-1を示
し、各磁区の磁化ベクトルをMi、Mi+1、Mi-1で
示した。
好ましくは、コヒレントな直線偏光の入射ビー
ムFiをその伝播方向DPiが磁性層CMの表面に垂
直になるように送出する。入射ビームFiは例えば
レーザビームであり、その伝搬方向DPiに対し垂
直な伝搬面PPRを考える。直線偏光の入射ビー
ムFiについての電界はEiであり、第１ａ図及び第
１ｂ図に示す如き方向を有するものとする。第１
ａ図は平面PPRにおける電界Eiの説明図であるの
に対し、第１ｂ図は電界Eiを伝搬方向DPiに垂直
な平面（紙面）に射影した場合の説明図である。
入射ビームFiの偏光面をPPOLiで示す。偏光面
PPOLiは伝搬方向DPiと電界Eiのベクトルとを含
む面として定義する。
入射ビームFiが磁性層CM上で反射すると反射
ビームFrになる。入射ビームFiが第１ａ図の磁化
Miの磁区Diの如き負磁化の磁区上で反射すると、
カー効果により入射ビームFiの電界Eiに対し−θ
だけ回転した電界Er-を持つような偏光した反射
ビームFrが得られる。この場合反射ビームFrの偏
光面はPPOLr-であり、偏光面PPOLr-と平面
PPOLiとのなす角もやはり−θに等しい。
同様にして、入射ビームFiが磁化Mi+1（又は磁
化Mi-1）の磁区Di＋１（又は磁区Di-1）の如き正
の磁化の磁区に入射すると、カー効果により入射
ビームFiの電界Eiに対し＋θだけ回転した電界
Er+を持つような反射ビームFrが得られる。この
場合、偏光面PPOLr+と平面PPOLiとのなす角も
やはり＋θに等しい。
第１ｂ図を見れば、入射ビームFiが入射する磁
区の磁化が負であるか正であるかによつて、ビー
ムFi及びFrの電界Ei，Er-，Er+の相対位置が異な
つてくる様子が理解できる。デイスクDISCに記
録された情報の値を検出する場合は、磁区Diの磁
化方向を測定するだけでよく、従つて電界ベクト
ルの回転角度が−θであるのか、又は＋θである
のかを確認しさえすればよい。
そのためには、反射ビームFrの伝搬路上に光分
析素子、即ち検光子を配置する。通常検光子は、
光の優先伝搬方向を持つ結晶で構成する。この優
先伝搬方向をDPPとし、第１ａ図及び第１ｂ図
ではこれを点線で示し、第１ｃ図ではこれを実線
で示す。検光子は優先伝搬方向DDPが電界Erに
対し垂直であるように配置する。
検光子の射出側では、検光子の光の優先伝搬方
向における電界（Er-又はEr+）の射影であるべク
トルの自乗に比例する光度を持つ光が得られる。
従つて、入射ビームFiが負磁化の磁区Diに入射す
れば、検光子射出側での光は伝搬方向DPPでの
電界Er-の射影であるベクトルErp-（第１ｃ図）の
自乗に比例する光度を有し、入射ビームFiが正磁
化の磁区Di+1，Di-1に入射すれば、優先伝搬方向
DDPにおける電界Er+の射影であるベクトルErp+
（第１ｃ図）の自乗に比例する光度を有すること
になる。検光子の射出側に光電変換器とも呼ばれ
る感光素子を配置すれば、負磁化の磁区の場合は
Erp-に比例し、正磁化の磁区の場合はErp+に比例
する電気信号が光電変換器の出力で得られる。
負磁化の磁区の場合、光電変換器の出力で得ら
れる信号電圧は殆ど零電圧に等しいが、その他の
場合にはこの電圧は非零であつて、かなり大きい
から、増幅した後に例えば電子的閾値手段などに
より検出することができる。
第２図は、IMAMURA論文（Japanese
journal of applied physics，19［12］（1980−
12）ppL731−734）に記載するような光デイスク
情報読出装置の原理を図式的に示す。
この装置は、第２図に示す如く磁化方向が垂直
な磁性層CMを含むデイスクDISCに記録した情
報の読出しに使用する。情報は第３図及び第４図
に示す仕様で光デイスクのトラツクに書込まれ
る。トラツク間の間隔即ちピツチ（即ち、トラツ
クTRj及びTRj-1又はトラツクTRj及びTRj+1の
デイスクの直径を切る点間の距離）は約１乃至２
ミクロンであり、各トラツクに含む各磁区の大き
さは約１乃至２ミクロンである。
通常これらの情報は第３図及び第４図に示す２
つの異なるコードに従つて書込む。第３図には、
３つのトラツクTRj、TRj-1、TRj+1に属する多
数の円形磁区を示すが、書込みコードは情報間の
可変の間隔により構成する。第４図にも同じトラ
ツクTRj、TRj-1、TRj+1を示すが、この場合の
書込みコードは、情報間の間隔（即ち、同一トラ
ツク上の隣接２磁区間の距離）を一定にし、そし
て情報の可変の長さにより構成する。
第３図の場合であれ第４図の場合であれ、情報
は熱磁気記録手段（前述）又は記録用磁気変換器
（磁気ヘツド）により書込む。
光源SLPCは例えばレーザビームなどのコヒレ
ントな偏光ビームFiを送出し、ビームFiは分離素
子ESと集束レンズLFOCを順次に通つた後、磁
性層CMの表面に垂直に入射する。第２図に示す
ように、集束レンズLFOCは、これと磁性層CM
との間の距離が如何に変化しようとも入射ビーム
Fiが常に完全に磁性層CMの表面上に集束される
ように、集束制御装置DAFOCによつて制御す
る。
入射ビームFiは磁性層CMの表面上で反射して
反射ビームFrとなり、集束レンズLFOCと分離素
子ESを順次に通つた後に、カー効果による検出
手段MDKを通る。検出手段MDKの出力では、
入射ビームFiが負磁化の磁区Diに入射するときは
零の電圧であり、正磁化の磁区Di+1、Di-1に入射
するときは非零の電圧である信号SEDKが得られ
る。
第２図から明らかなように、光源SLPCはレー
ザダイオードDL、レンズLES及び偏光子
POLARを有する。レーザダイオードDLのレー
ザ光線は、レンズLESによつて平行光ビームに変
えられた後、偏光子POLARを通る。偏光子
POLARの射出側で得られるビームFiは直線偏光
ビームである。検出手段MDKは検光子AN、レ
ンズLER及び一つの光電変換器TRPEを有する。
検光子ANは反射したコヒレントで偏光した反射
ビームFrを受けとめ、第１ｂ図及び第１ｃ図に示
すように機能する。検光子ANから出射するビー
ムFrはレンズLERに送られ、レンズLERによつ
て光電変換器TRPE上に集束される。
同じく第２図には、前記光デイスク情報読出装
置DLOEaの変形例をDLOEFaとして点線で示す。
光デイスク情報読出装置DLOEFaの原理は、デ
イスクDISCの磁性層CMと非磁性の基体SNMと
を通過する透過ビームFtをして反射ビームFrに代
えて使用することにある。この場合、透過ビーム
Ftは、入射ビームFiが磁性層CMで反射するとき
に生じる偏光面回転と類似の偏光面回転を生じ
る。この現象はフアラデー効果と呼ばれ、カー効
果に酷似している。このような光デイスク情報読
出装置DLOEFaは集束レンズLFOCFを有してお
り、これに続いてフアラデー効果を用いた検出手
段MDFを配置する。
レンズLFOCF及び検出手段MDFの機能は、前
述したレンズLFOC及び検出手段MDKの機能に
類似している。フアラデー効果を利用した読出装
置DLOEFaを使用すれば、読出装置DLOEaの場
合のように分離素子ESは不要である。好ましく
は、レンズLFOCFを集束制御装置によつて制御
する。
［発明が解決しようとする課題］ 以上説明した従来の光デイスク情報読出装置
は、極めて多数の情報を記憶している光デイスク
の読出しが可能である反面（このようなデイスク
では従来型磁気デイスク装置で使用する磁気デイ
スク表面の単位面積当り情報の100から200倍の情
報を含む）、入射ビームFiが磁区の大きさとほぼ
同一、即ち、１乃至２ミクロンの大きさを有する
ように磁性層CM上に集束するためには、コヒー
レントな光源と明るいレンズ（深度が浅い）を必
要とするし、読出装置は所定トラツクに対し極め
て正確に配置されなければならないと共に、集束
制御装置DAFOCも極めて正確でなければならな
い。更に、信号対雑音比、即ち光電変換器TRPE
の出力で得る信号SEDK（又はSEDF）と雑音と
の比が比較的小さいことも分つている。加えて、
従来の光デイスク情報読出装置は容量も嵩み、高
価である。
そこで、本発明は、極めて正確な集束装置及び
調心装置を要することなく、しかも出力電気信号
の信号対雑音比を改善した光デイスク情報読出装
置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明では、光デイスクの読出しのための光ビ
ームとして、記録面の大領域を照射するビームを
用いる。光源としてレーザ光ビームを用いる必要
がない。また、該大領域の像を面Ｐに投影する投
影手段を設ける。しかも、光電変換器としてマト
リツクスに配置されたアセンブリを用いて、トラ
ツクの接線方向の複数の光電変換器により信号を
繰返して読出して加算して、信号対雑音比の改善
を高速に行う。
［実施例］ 次に、図面第５図乃至第１２図を用いて本発明
の実施例を説明する。
以下では、磁性層CMを含む光デイスクDISC
の多数の環状同心トラツクでの磁気情報の記録
は、第３図又は第４図の仕様に従うものとして説
明を行う。
光源SLPiは偏光した平行入射ビームFiiを発生
する。入射ビームFiiは単色である。入射ビーム
Fiiは、コヒーレントであつてもなくてもよい。
入射ビームFiiは分離素子ESiを通過し、拡大レ
ンズOBJGROSを経て、デイスクDISCの磁性層
CMの表面に入射する。このようにして照射され
るデイスク表面をＳで示すが、これはほぼ円形で
ある。拡大レンズOBJGROSの倍率Ｇが例えば10
乃至500であれば、直径φが約10乃至500ミクロン
の面積を観測できる。従つて、数十から約百まで
のトラツクと１トラツク当り数十から数百までの
磁区とを観測できる。
そのために、従来の読出装置とは異なつて、直
径の極めて小さいビーム・スポツトをデイスク面
に当てる必要がないので、光ビームを明るいレン
ズを用いて単一の磁区上に集束させることを要し
ない。
反射ビームFriは光学レンズOBJGROSと分離
素子ESiを順次通つた後に、投影手段MPROJiを
通る。反射ビームFrは次いで検光子ANiを通り、
その後光電変換器TRPEijが配置されている面Ｐ
に投影される。
その結果、面Ｐには、光学レンズOBJGROS、
分離素子ESi及び投影手段MPROJiを介して見た
表面Ｓの像が得られる。表面Ｓのこの像をIS（第
６図参照）とすれば、像ISは光学レンズ
OBJGROSにより観測される表面Ｓ内で読出され
る情報領域の実像である。光学レンズOBJGROS
と投影手段MPROJiとから成る光学アセンブリを
介して得られる像ISは、例えば、100乃至1000倍
の倍率ｇで拡大して得ることができる。従つて、
情報の直径を１ミクロンとし、倍率ｇを約500倍
とすれば、この情報に対応する直径が約500ミク
ロンのスポツトを平面Ｐ上に観察さることにな
る。これらのスポツトは正磁化の磁区に対応する
場合は明るいスポツトとして出現し、負磁化の磁
区に対応する場合は黒いスポツトとして写し出さ
れる。
これらスポツトの大きさは一般的な光電変換器
の大きさに完全に適合することができる。そのた
めに、デイスクの半径に対応する方向OYに沿つ
て面Ｐ上に多数の光電変換器（感光セルとも称さ
れ、通常は半導体ホトダイオード）を、間隔PI
が像IS内に見られるトラツク像ITRjの間隔即ち
トラツク・ピツチと等しくなるよう配置する（第
６図参照）。このようにすれば、多数のトラツク
を同時に読出すことができる。更に、軸OYに直
交する軸OXに沿つて、即ち光デイスクのトラツ
クの接線に対応する方向に沿つてホトダイオード
の線状アレーを配置すれば、同一の情報を複数の
ホトダイオードによつて何回も繰返して読出すこ
とが可能となる。このようにして、軸OY方向の
間隔PIがトラツク・ピツチに等しく、軸OX方向
の問題が各トラツクの磁区の像IDi、IDi+1、IDi-1
相互間の距離に対応するホトダイオード・マトリ
クスを面Ｐ上に配置することができる。軸OX方
向の間隔は例えば第６図の２つの像IDi及びIDi+1
間の距離に等しい。
このようにして同一の情報を幾度も繰返し読出
すことができる。従つて、光電変換器アセンブリ
TRPEijから成るマトリクスの出力に上述の情報
の冗長度を利用する電子回路を配置すれば、即ち
同一の情報を何回も読出すという理由から、軸
OXに沿つて単一の光電変換器のみを使用する場
合に比べて、信号対雑音比を著しく改善すること
ができる。実際、軸OXに沿つて単一の光電変換
器を配置した場合、その出力で振幅Ｓの信号とノ
イズＮとが得られるとし、同一情報を軸OXに沿
つた複数の光電変換素子で順次にｎ回読出し、対
応信号全体の和を求めるとすれば、加算器出力で
は信号Ｓはｎ倍となるが、雑音Ｎはｎの平方根倍
になるに過ぎず、その結果信号対雑音比が改善さ
れる。
光源SLPiの構成要素としては、例えば、白色
光源SIBi、平行ビームを形成するレンズLEi、フ
イルタFILTiがある。投影手段MPROJiは例えば
組合せレンズ系で構成する。
本発明に係る光デイスク情報読出装置により観
測するデイスクのトラツク数が約数十から数百程
度であるのに対し、デイスクのトラツク総数は約
数千であるため、全トラツクを観測するためには
読出装置をデイスクの直径と平行に移動させる必
要がある。従つて、本発明に係る光デイスク情報
読出装置は、デイスクのトラツク全てを観測し得
るよう移動装置上に少くとも一部が配置されてい
なければならない。
第７図は、読出装置によりデイスクのトラツク
全部が読出されるようにするためのプラツトホー
ムPLiに一部が配置された本発明に係る読出装置
を示している。プラツトホームPLiは例えば
“Applied Magnetic Corporation（A.M.C）”社
製造のWinchester 3304及び3306などに類似の従
来型のブラツトホームであつてよい。プラツトホ
ームPLiは、一端がデイスクDISC外部の可動キヤ
リジ（図面の簡単化のため第７図に図示せず）な
どに固定され、他端が本体CPiを支持する担持ば
ねSPiに固定された支持アームBSiなどを有する。
本体CPiには情報書込用の電磁変換器TEiなどを
収納する。
プラツトホームPLiは可動式であり、これと対
面するデイスク面上を半径方向に移動するように
されるために、書込変換器及び読出装置によるデ
イスク面に記録された全情報へのアクセスが可能
となる。
通常、本体CPiはほぼ偏平な直方体形状をして
おり、デイスク面と対面するその第１の面は書込
み電磁変換器TEiの磁極間隙を有し、第２の面が
電磁変換器TEiの入出力導線の端部を有する。デ
イスクDISCの回転中はデイスクDISCと本体CPi
の第１の面との間に圧縮エアクツシヨンが生じる
ため、本体CPiがデイスクDISCに接触して、これ
を破壊することはない。即ち、本体CPiはデイス
クDISCの上方を走行し、この場合電磁変換器
TEiの磁極空隙とデイスクDISCの表面との間に
は、１ミクロンの十分の一の約数倍の間隔が存在
する。
第７図に示す光学レンズOBJGROS、分離素子
ESi、投影手段MPROJi、検光子ANi、光電変換
器アセンブリTRPEij、光源SLPiは第６図のもの
と同じである。好ましくは、本発明に係る光デイ
スク情報読出装置の光源SLPi以外の全要素がプ
ラツトホームPLiに載置されるとよい。その場
合、光源SLPiはデイスクDISCの外側に固定的に
配置するために、光源SPLiより送出された入射
ビームFiiを受けとめ、分離素子ESiを介して光学
レンズOBJGROSに送るミラーMIRiをプラツト
ホームPLiに設ける必要がある。
第８図は本体CPiと光学レンズOBJGROSとの
配置関係をより正確に示す平面図である。第８図
には、矢印ＦでデイスクDISCの回転方向を示す。
デイスクDISCが矢印Ｆの方向に回転すれば、デ
イスクDISCの各トラツクの情報は光学レンズ
OBJGROSより先に本体CPi（従つて、書込用電磁
変換器TEi）の前を走行することになる。
第９図から明らかなように、本発明の光デイス
ク情報読出装置は、好ましくは、３つのホトダイ
オードTRPEA1、TRPEA2、TRPEA3から成る
アセンブリを有し、その出力信号は書込用電磁変
換器TEiと読出装置全体とを完全な所定位置に維
持するべく、これらの位置を制御する制御装置に
送られる。この所定位置とは、前者の場合はトラ
ツクTRjに対して決定され、後者の場合はトラツ
クTRjを中央のトラツクとするトラツク集合体の
上方に位置する。２つのホトダイオード
TRPEA1とTRPEA2との間の距離、２つのホト
ダイオードTRPEA1とTRPEA3との間の距離は
P1／２、即ち隣接する２つのトラツク像間の間
隔の半分に等しい（第６図をも参照）。
例えば、ホトダイオードTRPEA1の出力の平
均信号（signal moyen）が最大であれば、光デ
イスク情報読出装置（又は、書込用電磁変換器
TEi）はデイスクDISCに対して正確に配置され
ていることになる。この場合、他の２つのホトダ
イオードTRPEA2、TRPEA3はほぼ零の信号を
出力する。平均信号を選択するのは、トラツク
TRjの全磁区がホトダイオードTRPEA1の前を走
行する場合、負磁化された磁区に対する出力信号
は零であり、正磁化された磁区に対する出力信号
は零ではないという理由による。
また、第１０図に示す光電変換器TRPEij、
TRPEi(j+1)、TRPEi(j-1)の如く軸OYと平行して互
に隣接する３つの光電変換器（第６図も参照）に
より出力された情報を使用して、本発明に係る光
デイスク情報読出装置の位置制御装置の機能を更
に向上させることもできる。従つて、投影面Ｐ上
には、ホトダイオード・マトリクスである光電変
換器アセンブリTRPEijと共に３つの位置制御ホ
トダイオードTRPEA1乃至TRPEA3を配置し得
る。
本体DPiに対する光学レンズOBJGROSの配置
並びにこれら光学レンズ及び本体に対する投影面
Ｐの各ホトダイオードの配置は、以下の原理に従
い実施する。
本体CPiの大きさは情報の大きさに比べ極めて
大きく、高さが約２mm、幅が約３mm、長さが約４
mmである。そのため、本体に対する、従つて書込
変換器に対する、レンズの配置の正確度に応じ、
所定トラツクに書込まれた情報がレンズの観測領
域内で、従つて面Ｓの像IS内部でも軸OYに沿つ
て種々の位置を占め得る（軸OXに対し変位され
た書込ヘツドにより書込まれた情報が示されてい
る第１１ａ図を参照）。
３つのホトダイオードTRPEA1乃至TRPEA3
を投影面Ｐ上に配置する場合は次の方法に従う。
デイスクDISCの磁性層CMの表面は何も記録さ
れていないものとし、レンズOBJGROSが本体
CPiに関して固定されたら、書込変換器TEiを介
して単一トラツクの書込みを行う。その結果、投
影面Ｐ上にトラツク像が出現する（第１１ａ図参
照）。第１１ａ図から明らかなように、書込みさ
れたトラツクはレンズ近傍区域、即ち像ISの内部
に出現しなければならないが、レンズに対し完全
に調心されている必要はない。トラツクの像に従
い、３つの制御用のホトダイオードTRPEA1乃
至TRPEA3と情報読出ホトダイオード・マトリ
クスTRPEijとを含む珪素製支持体が調整される
からである。
ホトダイオードTRPEA1は前述のトラツクと
合致するよう珪素製支持体上に配置し、これを狭
む他の２つのホトダイオードTRPEA2、
TRPEA3はPI／２に等しい間隔を置いて配置す
る。書込電磁変換器TEiに対する３つの制御用の
ホトダイオードの調整は比較的容易である。何故
なら、レンズ及び投影手段による拡大によつて、
２mmの幅を持つようトラツク像とこのトラツク上
に記録された情報とが得られるからである（磁区
の像もトラツクとほぼ同程度の幅を持つ）。例え
ば、第１１ｂ図は、記録されたトラツク（その像
が像ITRj）の情報がホトダイオードTRPEA1に
対し調心されていないことを示しているが、この
調心は制御用のホトダイオードのアセンブリを変
位することにより極めて簡単に実施できる。調心
が完了したら、同様にして読出しのホトダイオー
ド・アセンブリも調整しなければならない。それ
には、幾つかのダイオード・バー（市販のもの）
を配置するだけでよい。１つのバーのホトダイオ
ードが同一の珪素製支持体に対して調心されてい
る場合は、始端及び終端ダイオードを書込みされ
たトラツクTRjの像に対し調心するだけでよい第
12図参照。この操作が多数のダイオード・バーに
関し、ホトダイオード・マトリクスを構成すべ
く、繰返えされ得ることは明白である。
又、これらホトダイオード・バー（制御用及び
読出用）のアセンブリが好ましくは同一の珪素製
支持体上に配置されるとよいことも自明である。
従つて、平面Ｐは珪素製支持体で構成されること
が理解される。
［発明の効果］ 本発明は、以上説明したように構成されている
ので、以下に記載する効果を有する。
光電変換器アセンブリの内、トラツクの接線方
向の複数の光電変換器の出力を電子回路、即ち加
算器へ送込んで、出力信号の信号対雑音比を改善
することができるが、このことは単一の光電変換
器を用いる従来のものでは期待することができな
い。しかも、この信号対雑音比の改善は、高速で
且つ高い信頼性をもつて行うことができる。
読出用の光ビームはデイスク面の大領域を照射
するので、従来のようにレーザ光ビームと深度の
浅い明るいレンズとを組合せた光学系を用いる必
要がなく、安価な光学系部品を用い、しかもデイ
スク面へ光ビームを集束させる制御系の設計が楽
になる。
デイスク面の情報を投影手段により平面Ｐへ投
影するので、その像が拡大され、光電変換器アセ
ンブリを極小化することを要しない。しかも、こ
の拡大により、高速回転する光デイスクへのトラ
ツキングが容易となる。
【図面の簡単な説明】
第１ａ図、第１ｂ図、及び第１ｃ図は光デイス
クに記録された情報の光学的読出しの原理を示す
図、第２図は磁性層に記録された情報を読出す従
来の光デイスク情報読出装置を示す図、第３図及
び第４図はデイスク媒体上の記録形態を示す図、
第５図は本発明に係る光デイスク情報読出装置の
一実施例の原理を示す図、第６図は本発明の一実
施例装置により面Ｐにおいて拡大して観測された
記録媒体表面の像を示す図、第７図は媒体に記録
される情報の書込み変換器を内蔵する本体を有す
るプラツトフオーム上に配置された本発明に係る
読出装置の一例を示す図、第８図は読出装置と書
込変換器を内蔵する本体との相対的配置を示す
図、第９図は記録媒体の所定トラツクに対して調
心すべく読出装置の位置を制御する光電変換器ア
センブリの説明図、第１０図は記録媒体に記録さ
れた情報を読出すための３つの光電変換器から成
るアセンブリが面Ｐに配置されている場合の説明
図、第１１ａ図、第１１ｂ図及び第１２図は本発
明に係る読出装置の光電変換器の面Ｐ上における
配置を示す説明図である。 DISC……デイスク、CM……磁性層、SLPi…
…光源、ESi……分離手段、MDKi……偏光面回
転角検出手段、ANi……検光子、TRPEij……光
電変換器アセンブリ、OBJGROS……光学的集束
手段、MPROJi……投影手段、PLi……プラツト
ホーム、TEi……書込変換器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 光源（SLPi）と、該光源からは光ビーム
    （Fii）が放射されることと、 該光ビーム（Fii）をして高速回転をする光デ
    イスク（DISC）の複数のトラツク（TRj、
    TRj+1、TRj-1）と各トラツクの複数の情報（Di、
    Di+1、Di-1）とを含む例えば円形の大領域（Ｓ）
    を照射せしめる光学的手段（OBJGROS）と、 該光デイスク（DISC）からの反射ビーム
    （Fri）又は透過ビームを面（Ｐ）へ導き、該面
    （Ｐ）に該大領域（Ｓ）の像（IS）を生じさせる
    投影手段（MPROJi）と、 該面（Ｐ）に配置された光電変換器アセンブリ
    （TRPEij）と、該光電変換器アセンブリ
    （TRPEij）は複数の行及び複数の列から成るマト
    リツクスに配置された多数の光電変換器を有し、
    該列は該光デイスク（DISC）の半径に対応する
    軸OYに平行に配置され、該行は軸OYに垂直な
    軸OXに平行に配置され、軸OYに平行な光電変
    換器間の間隔は該像（IS）のトラツク像の間隔に
    等しく、軸OXに平行な光電変換器間の間隔は該
    像（IS）の情報像の間隔に等しいことと、 該光電変換器アセンブリ（TRPEij）の出力に
    接続され、読出情報の信号対雑音比を該軸OXに
    平行な複数の光電変換器による繰返し読出しに基
    づいて改善する電子回路と、 から成ることを特徴とする光デイスク情報読出装
    置。 ２ 該光デイスク（DISC）は光磁気デイスクで
    あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
    載の装置。 ３ 該光ビーム（Fii）は直線偏光されており、
    該投影手段（MPROJi）と該光電変換器アセンブ
    リ（TRPEij）との間に配置された検光子（ANi）
    を有することを特徴とする特許請求の範囲第２項
    に記載の装置。 ４ 該光学的手段（OBJGROS）の倍率が10乃至
    500であり、該投影手段（MPROJi）の倍率が100
    乃至1000である特許請求の範囲第１項乃至第３項
    に記載の装置。 ５ 該検光子（ANi）、光学的手段
    （OBJGROS）、投影手段（MPROJi）、該光電変
    換器アセンブリ（TRPEij）が該光デイスク
    （DISC）の該トラツク（TRj、TRj+1、TRj-1）
    に対して変位し得るプラツトホーム（PLi）上に
    配置されており、該プラツトホーム（PLi）は光
    デイスクへの情報の書込用変換器（TEi）を収納
    している本体（CPi）を支持する担持ばね（SPi）
    を有しており、該デイスク（DISC）の情報は該
    光学的手段（OBJGROS）よりも先行して本体
    （CPi）の前を走行することを特徴とする特許請
    求の範囲第１項乃至第４項に記載の装置。 ６ 該軸OYと平行に並置された３つの光電変換
    器（TRPEA1、TRPEA2、TRPEA3）を有して
    おり、隣接２光電変換器（TRPEA1とTRPEA2、
    TRPEA1とTRPEA3）間の距離が隣接２トラツ
    ク像間の間隔の半分に等しく、位置制御装置に該
    光電変換器（TRPEA1、TRPEA2、TRPEA3）
    の出力が送られることを特徴とする特許請求の範
    囲第１項乃至第５項に記載の装置。
JP57161535A 1981-10-16 1982-09-16 光デイスク情報読出装置 Granted JPS5873031A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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FR8119543A FR2514913B1 (fr) 1981-10-16 1981-10-16 Dispositif opto-electronique de lecture d'informations contenues sur un support magnetique
FR8119543 1981-10-16

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Publication Number Publication Date
JPS5873031A JPS5873031A (ja) 1983-05-02
JPH038024B2 true JPH038024B2 (ja) 1991-02-05

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ID=9263134

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JP57161535A Granted JPS5873031A (ja) 1981-10-16 1982-09-16 光デイスク情報読出装置

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US (1) US4510544A (ja)
EP (1) EP0077693B1 (ja)
JP (1) JPS5873031A (ja)
DE (1) DE3276398D1 (ja)
FR (1) FR2514913B1 (ja)

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EP0077693A1 (fr) 1983-04-27
EP0077693B1 (fr) 1987-05-20
JPS5873031A (ja) 1983-05-02
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