JPH0380603A - マイクロストリップアンテナ - Google Patents
マイクロストリップアンテナInfo
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- JPH0380603A JPH0380603A JP21713389A JP21713389A JPH0380603A JP H0380603 A JPH0380603 A JP H0380603A JP 21713389 A JP21713389 A JP 21713389A JP 21713389 A JP21713389 A JP 21713389A JP H0380603 A JPH0380603 A JP H0380603A
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- radiation conductor
- microstrip antenna
- conductor
- notch
- protrusion
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
- H01Q9/04—Resonant antennas
- H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
Landscapes
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、送受信周波数を調整可能なマイクロストリッ
プアンテナに関する。
プアンテナに関する。
［従来の技術］
第７図は従来の直線偏波マイクロストリップアンテナの
平面図である。
平面図である。
第７図の直線偏波マイクロストリップアンテナにおいて
、下表面に接地導体（図示せず。）が形成された正方形
状の誘電体基板ｌＯの上表面の中央部に、誘電体基板ｌ
Ｏの一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の放射
導体１１が形成され、該放射導体１１の中心Ｏから径方
向にずれた位置Ｐに、例えば同軸ケーブルを介して給電
される。
、下表面に接地導体（図示せず。）が形成された正方形
状の誘電体基板ｌＯの上表面の中央部に、誘電体基板ｌ
Ｏの一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の放射
導体１１が形成され、該放射導体１１の中心Ｏから径方
向にずれた位置Ｐに、例えば同軸ケーブルを介して給電
される。
この直線偏波マイクロストリップアンテナの共振周波数
は、一般に誘電体基板１０の比誘電率と厚さ、並びに放
射導体１１の直径Ｒにより一義的に決定される。
は、一般に誘電体基板１０の比誘電率と厚さ、並びに放
射導体１１の直径Ｒにより一義的に決定される。
第８図は従来の基本モードの円偏波マイクロストリップ
アンテナの平面図であり、第７図と同一のものについて
は同一の符号を付している。
アンテナの平面図であり、第７図と同一のものについて
は同一の符号を付している。
第８図の円偏波マイクロストリップアンテナにおいて、
下表面に接地導体（図示せず。）が形成された正方形状
の誘電体基板１０の上表面の中央部に、誘電体基板ｌＯ
の一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の放射導
体１２が形成され、該放射導体１２の中心Ｏから径方向
にずれた位置Ｐに、例えば同軸ケーブルを介して給電さ
れる。
下表面に接地導体（図示せず。）が形成された正方形状
の誘電体基板１０の上表面の中央部に、誘電体基板ｌＯ
の一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の放射導
体１２が形成され、該放射導体１２の中心Ｏから径方向
にずれた位置Ｐに、例えば同軸ケーブルを介して給電さ
れる。
ここで、放射導体１２の中心０を中心として給電点Ｐか
ら時計回りの方向に角度４５″の位置及び反時計回りの
方向に角度１３５°の位置における放射導体１２の外周
縁端部にそれぞれ、矩形形状の切欠部１２ａ、１２ｂが
形成され、この切欠部１２ａ、１２ｂは、円偏波の電波
を放射するだめのモード縮退分離素子として動作する。
ら時計回りの方向に角度４５″の位置及び反時計回りの
方向に角度１３５°の位置における放射導体１２の外周
縁端部にそれぞれ、矩形形状の切欠部１２ａ、１２ｂが
形成され、この切欠部１２ａ、１２ｂは、円偏波の電波
を放射するだめのモード縮退分離素子として動作する。
このマイクロストリップアンテナから円偏波の電波を放
射させるために、円偏波の長径と短径の比である軸比の
値を１に近づけることが所望され、この軸比が最良とな
る切欠部１２ａ、１２ｂの大きさは、誘電体基板１０の
比誘電率と厚さ、並びに放射導体１２の直径Ｒにより一
義的に決定され、また、軸比が最良となる周波数もまた
、これら３つのパラメータで決定される。
射させるために、円偏波の長径と短径の比である軸比の
値を１に近づけることが所望され、この軸比が最良とな
る切欠部１２ａ、１２ｂの大きさは、誘電体基板１０の
比誘電率と厚さ、並びに放射導体１２の直径Ｒにより一
義的に決定され、また、軸比が最良となる周波数もまた
、これら３つのパラメータで決定される。
［発明が解決しようとする課題］
上述の従来の直線偏波マイクロストリップアンテナにお
いて、誘電体基板１０の比誘電率と厚さ、並びに放射導
体１１の直径Ｒの３つのパラメータが製造上のバラツキ
により変化した場合、当該マイクロストリップアンテナ
の共振周波数が変化してしまうという問題点があった。
いて、誘電体基板１０の比誘電率と厚さ、並びに放射導
体１１の直径Ｒの３つのパラメータが製造上のバラツキ
により変化した場合、当該マイクロストリップアンテナ
の共振周波数が変化してしまうという問題点があった。
また、上述の従来の円偏波マイクロストリップアンテナ
においても、直線偏波の場合と同様に、上記３つのパラ
メータが変化した場合、軸比が最良となる周波数が変化
するという問題点があった。
においても、直線偏波の場合と同様に、上記３つのパラ
メータが変化した場合、軸比が最良となる周波数が変化
するという問題点があった。
本発明の第１の目的は、例えば製造上のバラツキにより
上記３つのパラメータが変化し共振周波数が変化した場
合であっても、所望の共振周波数を有する直線偏波マイ
クロストリップアンテナを提供することにある。
上記３つのパラメータが変化し共振周波数が変化した場
合であっても、所望の共振周波数を有する直線偏波マイ
クロストリップアンテナを提供することにある。
本発明の第２の目的は、例えば製造上のバラツキにより
上記３つのパラメータが変化し軸比が最良となる周波数
が変化した場合であっても、所望の当該周波数を有する
円偏波マイクロストリップアンテナを提供することにあ
る。
上記３つのパラメータが変化し軸比が最良となる周波数
が変化した場合であっても、所望の当該周波数を有する
円偏波マイクロストリップアンテナを提供することにあ
る。
［課題を解決するための手段１
本発明の直線偏波マイクロストリップアンテナは、放射
導体と接地導体を誘電体基板を介して形成してなるマイ
クロストリップアンテナにおいて、上記放射導体の中心
と給電点とを結ぶ直線上であって上記放射導体の外周縁
端部に突起部又は切欠部を形成したことを特徴とする。
導体と接地導体を誘電体基板を介して形成してなるマイ
クロストリップアンテナにおいて、上記放射導体の中心
と給電点とを結ぶ直線上であって上記放射導体の外周縁
端部に突起部又は切欠部を形成したことを特徴とする。
本発明の円偏波マイクロストリップアンテナは、放射導
体と接地導体を誘電体基板を介して形成してなるマイク
ロストリ７プアンテナにおいて、上記放射導体と上記接
地導体の間に生じる電磁界がＴＭｍｎモードであり、こ
こで、ｍ、ｎは自然数であり、上記放射導体の中心を中
心として給電点から α−±４５／ｍ＋ ９０ Ｎ／ｍ ［’ ］なる角度
の位置における上記放射導体の外周縁端部であって、上
記整数Ｎが偶数である位置に少なくとも１個の第１の突
起部又は切欠部を形成し、上記整数Ｎが奇数である位置
に少なくとも１個の第２の突起部又は切欠部を形成した
ことを特徴とする。
体と接地導体を誘電体基板を介して形成してなるマイク
ロストリ７プアンテナにおいて、上記放射導体と上記接
地導体の間に生じる電磁界がＴＭｍｎモードであり、こ
こで、ｍ、ｎは自然数であり、上記放射導体の中心を中
心として給電点から α−±４５／ｍ＋ ９０ Ｎ／ｍ ［’ ］なる角度
の位置における上記放射導体の外周縁端部であって、上
記整数Ｎが偶数である位置に少なくとも１個の第１の突
起部又は切欠部を形成し、上記整数Ｎが奇数である位置
に少なくとも１個の第２の突起部又は切欠部を形成した
ことを特徴とする。
［作用１
前者のように構成することにより、所定の共振周波数を
有する直線偏波マイクロストリップアンテナを得ること
ができる。ここで、上記突起部又は切欠部の大きさに応
じて上記共振周波数が決定される。従って、例えば製造
上のバラツキにより上記誘電体基板の厚さ、その比誘電
率、又は上記放射導体の直径が変化した場合であっても
、上記放射導体の大きさを変化させずに、上記突起部又
は切欠部の大きさを変化することにより、共振周波数を
調整することができる。例えば、上記突起部の長さが比
較的長い放射導体又は上記切欠部の長さが比較的短い放
射導体を形威し、上記突起部の長さが短くなるように上
記突起部を切断し、又は上記切欠部の長さが長くなるよ
うに上記放射導体をさらに切断することによって、所望
の共振周波数を有する直線偏波マイクロストリップアン
テナを得ることができる。
有する直線偏波マイクロストリップアンテナを得ること
ができる。ここで、上記突起部又は切欠部の大きさに応
じて上記共振周波数が決定される。従って、例えば製造
上のバラツキにより上記誘電体基板の厚さ、その比誘電
率、又は上記放射導体の直径が変化した場合であっても
、上記放射導体の大きさを変化させずに、上記突起部又
は切欠部の大きさを変化することにより、共振周波数を
調整することができる。例えば、上記突起部の長さが比
較的長い放射導体又は上記切欠部の長さが比較的短い放
射導体を形威し、上記突起部の長さが短くなるように上
記突起部を切断し、又は上記切欠部の長さが長くなるよ
うに上記放射導体をさらに切断することによって、所望
の共振周波数を有する直線偏波マイクロストリップアン
テナを得ることができる。
また、後者のように構成することにより、上記第１及び
第２の突起部又は切欠部がモード縮退分離素子として動
作し、軸比が最良となる所定の周波数を有する円偏波マ
イクロストリップアンテナを得ることができる。ここで
、上記第１及び第２の突起部又は切欠部の大きさに応じ
て軸比が最良となる周波数が決定される。従って、例え
ば製造上のバラツキにより上記誘電体基板の厚さ、その
比誘電率、又は上記放射導体の直径が変化した場合であ
っても、上記放射導体の大きさを変化させずに、上記第
１及び第２の突起部又は切欠部の大きさを変化すること
により、軸比が最も良好となる周波数を調整することが
できる。例えば、上記突起部の長さが比較的長く、かつ
上記切欠部の長さが比較的短い放射導体を形成し、上記
突起部の長さが短くなるように上記突起部を切断し、及
び／又は上記切欠部の長さが長くなるように上記放射導
体をさらに切断することによって、軸比が最良となる所
望の周波数を有する円偏波マイクロストリップアンテナ
を得ることができる。
第２の突起部又は切欠部がモード縮退分離素子として動
作し、軸比が最良となる所定の周波数を有する円偏波マ
イクロストリップアンテナを得ることができる。ここで
、上記第１及び第２の突起部又は切欠部の大きさに応じ
て軸比が最良となる周波数が決定される。従って、例え
ば製造上のバラツキにより上記誘電体基板の厚さ、その
比誘電率、又は上記放射導体の直径が変化した場合であ
っても、上記放射導体の大きさを変化させずに、上記第
１及び第２の突起部又は切欠部の大きさを変化すること
により、軸比が最も良好となる周波数を調整することが
できる。例えば、上記突起部の長さが比較的長く、かつ
上記切欠部の長さが比較的短い放射導体を形成し、上記
突起部の長さが短くなるように上記突起部を切断し、及
び／又は上記切欠部の長さが長くなるように上記放射導
体をさらに切断することによって、軸比が最良となる所
望の周波数を有する円偏波マイクロストリップアンテナ
を得ることができる。
なお、この円偏波マイクロストリップアンテナの共振周
波数は、公知の通り、給電点にインピーダンス整合回路
を接続して、上記軸比が最も良好となる周波数の調整の
後に、調整することができる。
波数は、公知の通り、給電点にインピーダンス整合回路
を接続して、上記軸比が最も良好となる周波数の調整の
後に、調整することができる。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明による実施例について説明
する。
する。
第１の実施例
第１図は本発明の第１の実施例である直線偏波マイクロ
ストリップアンテナの平面図であり、第２図は第１図の
Ａ−Ａ’線についての縦断面図である。
ストリップアンテナの平面図であり、第２図は第１図の
Ａ−Ａ’線についての縦断面図である。
第１図において、下表面に接地導体１４が形成された正
方形状の誘電体基板１０の上表面の中央部に、誘電体基
板１０の一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の
放射導体１３が形成され、該放射導体１３の中心０から
径方向にずれた位置Ｐにおける放射導体１３に給電用同
軸ケーブル２０の中心導体２１が接続されるとともに、
位置Ｐの直下における接地導体１４に同軸ケーブル２０
の接地導体２２が接続される。また、放射導体１３の中
心Ｏと給電点Ｐとを結ぶ直線（以下、基線ＢＬという。
方形状の誘電体基板１０の上表面の中央部に、誘電体基
板１０の一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の
放射導体１３が形成され、該放射導体１３の中心０から
径方向にずれた位置Ｐにおける放射導体１３に給電用同
軸ケーブル２０の中心導体２１が接続されるとともに、
位置Ｐの直下における接地導体１４に同軸ケーブル２０
の接地導体２２が接続される。また、放射導体１３の中
心Ｏと給電点Ｐとを結ぶ直線（以下、基線ＢＬという。
）上であって放射導体１３の外周縁端部に、基線ＢＬと
垂直な幅Ｗと基線ＢＬと平行な長さＱを有する矩形形状
の突起部１３ａが、上記外周縁端部から突出して形成さ
れる。
垂直な幅Ｗと基線ＢＬと平行な長さＱを有する矩形形状
の突起部１３ａが、上記外周縁端部から突出して形成さ
れる。
また、上記突起部１３ａに代えて、上記突起部１３ａと
同じ位置に幅Ｗと長さＱを有する矩形形状の切欠部を形
成する。
同じ位置に幅Ｗと長さＱを有する矩形形状の切欠部を形
成する。
ｖｇ５図は、この直線偏波マイクロストリップアンテナ
の給電点Ｐにおける入力端反射係数Ｓ＋＋［ｄＢ］の周
波数特性を示すグラフであり、ここで、長さＱが正のと
きは突起部１３ａが形成されたことを示し、負のときは
切欠部が形成されたことを示している。また、誘電体基
板１０としてガラス入りテフロン樹脂基板を用い、該誘
電体基板１０の厚さは４ ｍ ｍ ％その比誘電率は２
．６、放射導体１３の直径Ｒは８０ｍｍ、その厚さは０
．０３５ｍｍ、突起部１３ａ及び切欠部の幅Ｗはｌｏｍ
ｍであった。
の給電点Ｐにおける入力端反射係数Ｓ＋＋［ｄＢ］の周
波数特性を示すグラフであり、ここで、長さＱが正のと
きは突起部１３ａが形成されたことを示し、負のときは
切欠部が形成されたことを示している。また、誘電体基
板１０としてガラス入りテフロン樹脂基板を用い、該誘
電体基板１０の厚さは４ ｍ ｍ ％その比誘電率は２
．６、放射導体１３の直径Ｒは８０ｍｍ、その厚さは０
．０３５ｍｍ、突起部１３ａ及び切欠部の幅Ｗはｌｏｍ
ｍであった。
第５図に示すように、突起部１３ａがない場合（１２＝
ｏ）の共振周波数は約１−３０５ＧＨｚであり、突起部
１３ａの長さαが５ｍｍ及び２．５ｍｍのときの共振周
波数はそれぞれ約１．２８ＧＨｚ、及び約１．２９ＧＨ
ｚである。さらに、切欠部の長さが２．５ｍｍであると
きの共振周波数は約１．３１５ＧＨｚである。従って、
突起部１３ａ又は切欠部の長さａに応じて、当該直線偏
波マイクロストリップアンテナの共振周波数が決定され
る。
ｏ）の共振周波数は約１−３０５ＧＨｚであり、突起部
１３ａの長さαが５ｍｍ及び２．５ｍｍのときの共振周
波数はそれぞれ約１．２８ＧＨｚ、及び約１．２９ＧＨ
ｚである。さらに、切欠部の長さが２．５ｍｍであると
きの共振周波数は約１．３１５ＧＨｚである。従って、
突起部１３ａ又は切欠部の長さａに応じて、当該直線偏
波マイクロストリップアンテナの共振周波数が決定され
る。
従って、
放射導体１３の直径Ｒを変化させずに、突起部１３ａ又
は切欠部の長さＱを変化することにより、共振周波数を
調整することができる。例えば、上記突起部１３ａの長
さＱが比較的長い放射導体１３又は切欠部の長さが比較
的短い放射導体１３を形成し、上記突起部１３ａの長さ
（が短くなるように突起部１３ａを切断し、又は上記切
欠部の長さが長くなるように放射導体１３をさらに切断
することによって、所望の共振周波数を有する直線偏波
マイクロストリップアンテナを得ることができる。
は切欠部の長さＱを変化することにより、共振周波数を
調整することができる。例えば、上記突起部１３ａの長
さＱが比較的長い放射導体１３又は切欠部の長さが比較
的短い放射導体１３を形成し、上記突起部１３ａの長さ
（が短くなるように突起部１３ａを切断し、又は上記切
欠部の長さが長くなるように放射導体１３をさらに切断
することによって、所望の共振周波数を有する直線偏波
マイクロストリップアンテナを得ることができる。
以上説明したように、例えば製造上のバラツキにより誘
電体基板１０の厚さ、その比誘電率、又は放射導体１３
の直径Ｒが変化した場合であっても、上記突起部１３ａ
又は切欠部の長さαを変化することにより共振周波数を
変化させ、所望の共振周波数を有する直線偏波マイクロ
ストリップアンテナを得ることができる。
電体基板１０の厚さ、その比誘電率、又は放射導体１３
の直径Ｒが変化した場合であっても、上記突起部１３ａ
又は切欠部の長さαを変化することにより共振周波数を
変化させ、所望の共振周波数を有する直線偏波マイクロ
ストリップアンテナを得ることができる。
以上の第１の実施例において、放射導体１３と接地導体
１０との間における電磁界が基本モードである場合につ
いて述べたが、これに限らず、高次モードのマイクロス
トリップアンテナについても共振周波数の調整を同様に
行うことができる。
１０との間における電磁界が基本モードである場合につ
いて述べたが、これに限らず、高次モードのマイクロス
トリップアンテナについても共振周波数の調整を同様に
行うことができる。
以上の第１の実施例において、放射導体１３が円形状で
ある場合について述べたが、これに限らず、矩形など他
の任意の形状であってもよい。
ある場合について述べたが、これに限らず、矩形など他
の任意の形状であってもよい。
第２の実施例
第３図は本発明の第２の実施例である円偏波マイクロス
トリップアンテナの平面図であり、第４図は第３図のＢ
−Ｂ’線についての縦断面図である。第３図及び第４図
において、第１図及び第２図と同一のものについては同
一の符号を付している。
トリップアンテナの平面図であり、第４図は第３図のＢ
−Ｂ’線についての縦断面図である。第３図及び第４図
において、第１図及び第２図と同一のものについては同
一の符号を付している。
第３図において、下表面に接地導体１４が形成された正
方形状の誘電体基板１０の上表面の中央部に、誘電体基
板１０の一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の
放射導体１５が形成され、該放射導体１５の中心Ｏから
径方向にずれた位置Ｐにおける放射導体１５に給電用同
軸ケーブル２０の中心導体２１が接続されるとともに、
位置Ｐの直下における接地導体１４に同軸ケーブル２０
の接地導体２２が接続される。また、放射導体１５の中
心Ｏを中心として給電点Ｐから時計回りの方向に４５°
の角度の位置、及び反時計回りの方向に１３５°の角度
の位置における放射導体１５の各外周縁端部にそれぞれ
、放射導体１５の径方向と垂直な輻Ｗと径方向と平行な
長さａ２を有する切欠部１５ａ、１５ｂが形成される。
方形状の誘電体基板１０の上表面の中央部に、誘電体基
板１０の一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の
放射導体１５が形成され、該放射導体１５の中心Ｏから
径方向にずれた位置Ｐにおける放射導体１５に給電用同
軸ケーブル２０の中心導体２１が接続されるとともに、
位置Ｐの直下における接地導体１４に同軸ケーブル２０
の接地導体２２が接続される。また、放射導体１５の中
心Ｏを中心として給電点Ｐから時計回りの方向に４５°
の角度の位置、及び反時計回りの方向に１３５°の角度
の位置における放射導体１５の各外周縁端部にそれぞれ
、放射導体１５の径方向と垂直な輻Ｗと径方向と平行な
長さａ２を有する切欠部１５ａ、１５ｂが形成される。
さらに、放射導体１５の中心Ｏを中心として給電点Ｐか
ら反時計回りの方向に４５°の角度の位置、及び時計回
りの方向に１３５°の角度の位置における放射導体１５
の各外周縁端部にそれぞれ、放射導体１５の径方向と垂
直な幅Ｗと径方向と平行な長さａ。
ら反時計回りの方向に４５°の角度の位置、及び時計回
りの方向に１３５°の角度の位置における放射導体１５
の各外周縁端部にそれぞれ、放射導体１５の径方向と垂
直な幅Ｗと径方向と平行な長さａ。
を有する突起部１５ｃ、１５ｄが、上記外周縁端部から
突出して形成される。
突出して形成される。
第６図は、この円偏波マイクロストリップアンテナの軸
比［ｄＢ］の周波数特性を示すグラフであり、放射角度
がＯｅの場合を示している。ここで、誘電体基板１０と
してガラス入りテフロン樹脂基板を用い、該誘電体基板
１０の厚さは４ｍｍ、その比誘電率は２．６、放射導体
１５の直径Ｒは６４ｍｍ、その厚さは０．０３５ｍｍ、
切欠部１５ａ、１５ｂと突起部１５ｃ、１５ｄの幅Ｗは
６ｍｍであった。
比［ｄＢ］の周波数特性を示すグラフであり、放射角度
がＯｅの場合を示している。ここで、誘電体基板１０と
してガラス入りテフロン樹脂基板を用い、該誘電体基板
１０の厚さは４ｍｍ、その比誘電率は２．６、放射導体
１５の直径Ｒは６４ｍｍ、その厚さは０．０３５ｍｍ、
切欠部１５ａ、１５ｂと突起部１５ｃ、１５ｄの幅Ｗは
６ｍｍであった。
第６図に示すように、突起部１５ｃ、１５ｄのみが形成
される場合ＣＱｒ ＝ ５ ｍ ｍ ）において、軸比
［ｄＢ］が最も０に近づき軸比が最良であるときの周波
数は約１．５４８であり、切欠部１５ａ。
される場合ＣＱｒ ＝ ５ ｍ ｍ ）において、軸比
［ｄＢ］が最も０に近づき軸比が最良であるときの周波
数は約１．５４８であり、切欠部１５ａ。
１５ｂのみが形成される場合ＣＱ、＝ ５ ｍｍ）にお
いて、軸比が最良であるときの周波数は約１．５７１Ｇ
Ｈｚである。さらに、切欠部１５ａ、１５ｂ及び突起部
１５ｃ、１５ｄがともに形成された場合（Ｌ＝２．５ｍ
ｍ、（ｈ＝３ｍｍ）において、軸比が最良であるときの
周波数は約１．５６５ＧＨｚである。従って、切欠部１
５ａ、１５ｂの長さＣ２、及び突起部１５ｃ、１５ｄの
長さＱ、に応じて、軸比が最良となる周波数が決定され
る。
いて、軸比が最良であるときの周波数は約１．５７１Ｇ
Ｈｚである。さらに、切欠部１５ａ、１５ｂ及び突起部
１５ｃ、１５ｄがともに形成された場合（Ｌ＝２．５ｍ
ｍ、（ｈ＝３ｍｍ）において、軸比が最良であるときの
周波数は約１．５６５ＧＨｚである。従って、切欠部１
５ａ、１５ｂの長さＣ２、及び突起部１５ｃ、１５ｄの
長さＱ、に応じて、軸比が最良となる周波数が決定され
る。
従って、放射導体１５の直径Ｒを変化させずに、切欠部
１５ａ、１５ｂの長さＱよ及び／又は突起部１５ｃ、１
５ｄの長さＱ、を変化することにより、軸比が最良とな
る周波数を調整することができる。
１５ａ、１５ｂの長さＱよ及び／又は突起部１５ｃ、１
５ｄの長さＱ、を変化することにより、軸比が最良とな
る周波数を調整することができる。
例えば、突起部１５ｃ、１５ｄの長さＱ□が比較的長く
、かつ切欠部１５ａ、１５ｂの長さα、が比較的短い放
射導体１５を形威し、上記突起部１５ｃ。
、かつ切欠部１５ａ、１５ｂの長さα、が比較的短い放
射導体１５を形威し、上記突起部１５ｃ。
１５ｄの長さａｌが短くなるように突起部１５ｃ。
１５ｄを切断し、及び／又は切欠部１５ａ、１５ｂの長
さα２が長くなるように放射導体１５をさらに切断する
ことによって、軸比が最良となる所望の周波数を有する
円偏波マイクロストリップアンテナを得ることができる
。
さα２が長くなるように放射導体１５をさらに切断する
ことによって、軸比が最良となる所望の周波数を有する
円偏波マイクロストリップアンテナを得ることができる
。
なお、円偏波マイクロストリップアンテナの共振周波数
は、公知の通り、このアンテナの給電点にインピーダン
ス整合回路を接続して、上記軸比の周波数調整の後に調
整することができる。
は、公知の通り、このアンテナの給電点にインピーダン
ス整合回路を接続して、上記軸比の周波数調整の後に調
整することができる。
以上説明したように、例えば製造上のバラツキにより誘
電体基板１０の厚さ、その比誘電率、又は放射導体１５
の直径Ｒが変化した場合であっても、上記切欠部１５ａ
、１５ｂの長さＱよ及び／又は突起部１５ｃ、１５ｄの
長さ４、を変化することにより、軸比が最も良好となる
所望の周波数を有する円偏波マイクロストリップアンテ
ナを得ることができる。
電体基板１０の厚さ、その比誘電率、又は放射導体１５
の直径Ｒが変化した場合であっても、上記切欠部１５ａ
、１５ｂの長さＱよ及び／又は突起部１５ｃ、１５ｄの
長さ４、を変化することにより、軸比が最も良好となる
所望の周波数を有する円偏波マイクロストリップアンテ
ナを得ることができる。
以上の第２の実施例において、放射導体１５と接地導体
１０との間における電磁界が基本モードである場合につ
いて述べｔ；が、これに限らず、高次モードのマイクロ
ストリップアンテナについても共振周波数の調整を同様
に行うことができる。
１０との間における電磁界が基本モードである場合につ
いて述べｔ；が、これに限らず、高次モードのマイクロ
ストリップアンテナについても共振周波数の調整を同様
に行うことができる。
なお、放射導体１５と接地導体ｌＯとの間の電磁界が一
般にＴＭｍｎモードであるとき（ｍ、ｎは公知の通り、
自然数である。）、切欠部及び／又は突起部は、放射導
体Ｉ５の中心○を中心として給電点Ｐから時計回りの方
向に、次の（１）式で表される角度σの位置にある放射
導体１５の外周縁端部に形成される。
般にＴＭｍｎモードであるとき（ｍ、ｎは公知の通り、
自然数である。）、切欠部及び／又は突起部は、放射導
体Ｉ５の中心○を中心として給電点Ｐから時計回りの方
向に、次の（１）式で表される角度σの位置にある放射
導体１５の外周縁端部に形成される。
α−±４５／ｍ＋９ＯＮ／ｍ Ｃ” コ−（１
）ここで、Ｎは整数であり、Ｎが偶数である上記位置に
１個以上の切欠部又は突起部が形成され、Ｎが偶数であ
る上記位置に１個以上の切欠部又は突起部が形成され、
従って、合計２個以上の切欠部及び／又は突起部が形成
される。
）ここで、Ｎは整数であり、Ｎが偶数である上記位置に
１個以上の切欠部又は突起部が形成され、Ｎが偶数であ
る上記位置に１個以上の切欠部又は突起部が形成され、
従って、合計２個以上の切欠部及び／又は突起部が形成
される。
以上の第２の実施例において、放射導体１５が円形状で
ある場合について述べたが、これに限らず、矩形など他
の任意の形状であってもよい。
ある場合について述べたが、これに限らず、矩形など他
の任意の形状であってもよい。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、放射導体と接地導
体を誘電体基板を介して形成してなるマイクロストリッ
プアンテナにおいて、上記放射導体の中心と給電点とを
結ぶ直線上であって上記放射導体の外周縁端部ｌこ突起
部又は切欠部を形成して直線偏波マイクロストリップア
ンテナを構成したので、上記突起部又は切欠部の大きさ
に応じて所定の共振周波数を有する直線偏波マイクロス
トリップアンテナを得ることができる。従って、例えば
製造上のバラツキにより上記誘電体基板の厚さ、その比
誘電率、又は放射導体の直径が変化した場合であっても
、上記放射導体の大きさを変化させずに、上記突起部又
は切欠部の大きさを変化して、所望の共振周波数を有す
る直線偏波マイクロストリップアンテナを得ることがで
きるという利点がある。
体を誘電体基板を介して形成してなるマイクロストリッ
プアンテナにおいて、上記放射導体の中心と給電点とを
結ぶ直線上であって上記放射導体の外周縁端部ｌこ突起
部又は切欠部を形成して直線偏波マイクロストリップア
ンテナを構成したので、上記突起部又は切欠部の大きさ
に応じて所定の共振周波数を有する直線偏波マイクロス
トリップアンテナを得ることができる。従って、例えば
製造上のバラツキにより上記誘電体基板の厚さ、その比
誘電率、又は放射導体の直径が変化した場合であっても
、上記放射導体の大きさを変化させずに、上記突起部又
は切欠部の大きさを変化して、所望の共振周波数を有す
る直線偏波マイクロストリップアンテナを得ることがで
きるという利点がある。
また、放射導体と接地導体を誘電体基板を介して形成し
てなるマイクロストリップアンテナにおいて、上記放射
導体と上記接地導体の間に生じる電磁界がＴＭｍｎモー
ドであり、上記放射導体の中心を中心として給電点から α−±４５／ｍ＋ ９０ Ｎ／ｍ ［’ ］なる角度の
位置における上記放射導体の外周縁端部であって、上記
整数Ｎが偶数である位置に少なくとも１個の第１の突起
部又は切欠部を形成し、上記整数Ｎが奇数である位置に
少なくとも１個の第２の突起部又は切欠部を形成して、
円偏波マイクロストリップアンテナを構成したので、上
記第１及び第２の突起部又は切欠部の大きさに応じて軸
比が最良となる所定の共振周波数を有する円偏波マイク
ロストリップアンテナを得ることができる。従って、例
えば製造上のバラツキにより上記誘電体基板の厚さ、そ
の比誘電率、又は放射導体の直径が変化した場合であっ
ても、上記放射導体の大きさを変化させずに、上記第１
及び第２の突起部又は切欠部の大きさを変化して、所望
の共振周波数を有する円偏波マイクロストリップアンテ
すを得ることができるという利点がある。
てなるマイクロストリップアンテナにおいて、上記放射
導体と上記接地導体の間に生じる電磁界がＴＭｍｎモー
ドであり、上記放射導体の中心を中心として給電点から α−±４５／ｍ＋ ９０ Ｎ／ｍ ［’ ］なる角度の
位置における上記放射導体の外周縁端部であって、上記
整数Ｎが偶数である位置に少なくとも１個の第１の突起
部又は切欠部を形成し、上記整数Ｎが奇数である位置に
少なくとも１個の第２の突起部又は切欠部を形成して、
円偏波マイクロストリップアンテナを構成したので、上
記第１及び第２の突起部又は切欠部の大きさに応じて軸
比が最良となる所定の共振周波数を有する円偏波マイク
ロストリップアンテナを得ることができる。従って、例
えば製造上のバラツキにより上記誘電体基板の厚さ、そ
の比誘電率、又は放射導体の直径が変化した場合であっ
ても、上記放射導体の大きさを変化させずに、上記第１
及び第２の突起部又は切欠部の大きさを変化して、所望
の共振周波数を有する円偏波マイクロストリップアンテ
すを得ることができるという利点がある。
第１図は本発明の第１の実施例である直線偏波マイクロ
ストリップアンテナの平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ
’線についての縦断面図、 第３図は本発明の第２の実施例である円偏波マイクロス
トリップアンテナの平面図、 第４図は第３図のＢ−Ｂ’線についての縦断面図、 第５図は第１の実施例の直線偏波マイクロストリップア
ンテナの給電点における入力端反射係数Ｓｌｌの周波数
特性を示すグラフ、 第６図は第２の実施例の円偏波マイクロストリップアン
テナの軸比の周波数特性を示すグラフ、第７図は従来の
直線偏波マイクロストリップアンテナの平面図、 第８図は従来の円偏波マイクロストリップアンテナの平
面図である。 １０・・・誘電体基板、 １３．１５・・・放射導体、 １３ａ、１５ｃ、１５ｄ・−・突起部、１５ａ、１５ｂ
−切欠部、 ０・・・放射導体の中心、 Ｐ・・・給電点、 α、 Ｑ、、 １２．・・・突起部又は切欠部の長さ。
ストリップアンテナの平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ
’線についての縦断面図、 第３図は本発明の第２の実施例である円偏波マイクロス
トリップアンテナの平面図、 第４図は第３図のＢ−Ｂ’線についての縦断面図、 第５図は第１の実施例の直線偏波マイクロストリップア
ンテナの給電点における入力端反射係数Ｓｌｌの周波数
特性を示すグラフ、 第６図は第２の実施例の円偏波マイクロストリップアン
テナの軸比の周波数特性を示すグラフ、第７図は従来の
直線偏波マイクロストリップアンテナの平面図、 第８図は従来の円偏波マイクロストリップアンテナの平
面図である。 １０・・・誘電体基板、 １３．１５・・・放射導体、 １３ａ、１５ｃ、１５ｄ・−・突起部、１５ａ、１５ｂ
−切欠部、 ０・・・放射導体の中心、 Ｐ・・・給電点、 α、 Ｑ、、 １２．・・・突起部又は切欠部の長さ。
Claims (2)
- （１）放射導体と接地導体を誘電体基板を介して形成し
てなるマイクロストリップアンテナにおいて、 上記放射導体の中心と給電点とを結ぶ直線上であって上
記放射導体の外周縁端部に突起部又は切欠部を形成した
ことを特徴とする直線偏波マイクロストリップアンテナ
。 - （２）放射導体と接地導体を誘電体基板を介して形成し
てなるマイクロストリップアンテナにおいて、 上記放射導体と上記接地導体の間に生じる電磁界がＴＭ
ｍｎモードであり、ここで、ｍ、ｎは自然数であり、上
記放射導体の中心を中心として給電点から α＝±４５／ｍ＋９０Ｎ／ｍ［゜］ なる角度の位置における上記放射導体の外周縁端部であ
って、上記整数Ｎが偶数である位置に少なくとも１個の
第１の突起部又は切欠部を形成し、上記整数Ｎが奇数で
ある位置に少なくとも１個の第２の突起部又は切欠部を
形成したことを特徴とする円偏波マイクロストリップア
ンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217133A JPH088446B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | マイクロストリップアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217133A JPH088446B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | マイクロストリップアンテナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0380603A true JPH0380603A (ja) | 1991-04-05 |
| JPH088446B2 JPH088446B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=16699374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1217133A Expired - Lifetime JPH088446B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | マイクロストリップアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088446B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537228A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 円偏波マイクロストリツプアンテナ |
| WO1994014210A1 (fr) * | 1992-12-07 | 1994-06-23 | Ntt Mobile Communications Network Incorporation | Antenne |
| JP2005278159A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-10-06 | Thomson Licensing | 多帯域平面アンテナ |
| US7595767B2 (en) | 2004-12-14 | 2009-09-29 | Fujitsu Limited | Antenna |
| US7667658B2 (en) | 2005-01-24 | 2010-02-23 | Fujitsu Limited | Antenna and RFID tag with same mounted |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63140705U (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-16 | ||
| JPS63149616U (ja) * | 1987-03-20 | 1988-10-03 |
-
1989
- 1989-08-23 JP JP1217133A patent/JPH088446B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63140705U (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-16 | ||
| JPS63149616U (ja) * | 1987-03-20 | 1988-10-03 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0537228A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 円偏波マイクロストリツプアンテナ |
| WO1994014210A1 (fr) * | 1992-12-07 | 1994-06-23 | Ntt Mobile Communications Network Incorporation | Antenne |
| US5568155A (en) * | 1992-12-07 | 1996-10-22 | Ntt Mobile Communications Network Incorporation | Antenna devices having double-resonance characteristics |
| JP2005278159A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-10-06 | Thomson Licensing | 多帯域平面アンテナ |
| US7595767B2 (en) | 2004-12-14 | 2009-09-29 | Fujitsu Limited | Antenna |
| US7667658B2 (en) | 2005-01-24 | 2010-02-23 | Fujitsu Limited | Antenna and RFID tag with same mounted |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH088446B2 (ja) | 1996-01-29 |
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