JPH0380663A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
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- JPH0380663A JPH0380663A JP1218111A JP21811189A JPH0380663A JP H0380663 A JPH0380663 A JP H0380663A JP 1218111 A JP1218111 A JP 1218111A JP 21811189 A JP21811189 A JP 21811189A JP H0380663 A JPH0380663 A JP H0380663A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical fiber
- light
- array
- receiving element
- fiber array
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明はファクシミリや文字・画像の読み取り入力装置
に用いられる密着型イメージセンサに関するものである
。
に用いられる密着型イメージセンサに関するものである
。
(ロ)従来の技術
ファクシミリや文字・画像の読み取り入力装置に用いら
れるイメージセンサは蛍光灯やLED (発光ダイオー
ド)アレイなどで照明された原稿の情報を光学レンズで
縮小し、受光素子(多くの場合C0D)上に結像する縮
小光学系を有するタイプが元来多く用いられてきた。し
かし、例えば、ファクシミリに用いられてきた縮小光学
系を有するイメージセンサの光学系の光路長は約300
zzであり、装置の小型化の障害となっている。この光
路長を短くするため、ミラーを用いて反射を繰り返す方
法もあるが、ミラー間の光軸合わせがミラー数の増加に
ともなって難しさが著しく増える上、温度変化等による
光軸の変動を考えると、調整は非常に困難である。
れるイメージセンサは蛍光灯やLED (発光ダイオー
ド)アレイなどで照明された原稿の情報を光学レンズで
縮小し、受光素子(多くの場合C0D)上に結像する縮
小光学系を有するタイプが元来多く用いられてきた。し
かし、例えば、ファクシミリに用いられてきた縮小光学
系を有するイメージセンサの光学系の光路長は約300
zzであり、装置の小型化の障害となっている。この光
路長を短くするため、ミラーを用いて反射を繰り返す方
法もあるが、ミラー間の光軸合わせがミラー数の増加に
ともなって難しさが著しく増える上、温度変化等による
光軸の変動を考えると、調整は非常に困難である。
この困難を解決するため、原稿と同一サイズの受光素子
アレイ上に、原稿の情報を等1をレンズ(通常ロッドレ
ンズアレイ)を通して結像することにより光電変換する
密着型イメージセンサが開発されてきた。
アレイ上に、原稿の情報を等1をレンズ(通常ロッドレ
ンズアレイ)を通して結像することにより光電変換する
密着型イメージセンサが開発されてきた。
この光学系においては、縮小のための光路長が不要であ
り、装置の小型化がある程度可能となるが、ロッドレン
ズアレイといえどもやはりレンズであるため、結像に共
役長だけ原稿と受光素子アレイを離す必要があるから、
通常密着型イメージセンサのユニットとして30闘程度
の厚さになってしまう。その上、レンズ系を用いている
ので光学系の調整が必要であり、カラー読み取りの場合
には色収差も考慮する必要があるという問題点がある。
り、装置の小型化がある程度可能となるが、ロッドレン
ズアレイといえどもやはりレンズであるため、結像に共
役長だけ原稿と受光素子アレイを離す必要があるから、
通常密着型イメージセンサのユニットとして30闘程度
の厚さになってしまう。その上、レンズ系を用いている
ので光学系の調整が必要であり、カラー読み取りの場合
には色収差も考慮する必要があるという問題点がある。
これに対してレンズ系を使わずに光ファイバーアレイを
用いた密着型イメージセンサが提案されている(特公昭
55−31663号公報および特公昭55−31664
号公報参照)。
用いた密着型イメージセンサが提案されている(特公昭
55−31663号公報および特公昭55−31664
号公報参照)。
これは、光学系の調整が不要であり、焦点を結ばないこ
とから、光ファイバーの長さを短くすることにより超小
型・超薄型の密着型イメージセンサを構成することか可
能である。さらにカラー読み取り時にも色収差がないの
で非常に有効である。
とから、光ファイバーの長さを短くすることにより超小
型・超薄型の密着型イメージセンサを構成することか可
能である。さらにカラー読み取り時にも色収差がないの
で非常に有効である。
また、光ファイバーアレイは、通常、゛その両側面また
は片方の側面からガラスプレートで挟み込まれた構成で
、光ファイバーアレイプレートとなっており、−枚のガ
ラスと同様に扱うことができるため、光ファイバーアレ
イプレートに原稿を直接密着させる構造をとることがで
きる。そのfこめ、ロッドレンズアレイを用いたタイプ
のイメージセンサにおいて必要な保護ガラス(原稿をこ
のガラスに密着させて読み取る)が不要であり、薄型化
、低コスト化に有利である。
は片方の側面からガラスプレートで挟み込まれた構成で
、光ファイバーアレイプレートとなっており、−枚のガ
ラスと同様に扱うことができるため、光ファイバーアレ
イプレートに原稿を直接密着させる構造をとることがで
きる。そのfこめ、ロッドレンズアレイを用いたタイプ
のイメージセンサにおいて必要な保護ガラス(原稿をこ
のガラスに密着させて読み取る)が不要であり、薄型化
、低コスト化に有利である。
(ハ)発明が解決しようとする課題
上記の光ファイバーアレイを用いた密着型イメージセン
サは、超小型・超薄型に適し、またカラー読取時にも有
効な方式であるが、次のような問題点がある。
サは、超小型・超薄型に適し、またカラー読取時にも有
効な方式であるが、次のような問題点がある。
まず、光ファイバーに入射した光の中で光ファイバーに
その間口角以上の角度で入射した光は、コアとクラッド
との境界面において全反射を起こさすクラッドを経て隣
接する光ファイバーに伝わることになり、これを繰り返
し、出射面に到達する。また光ファイバーアレイ入射面
において光ファイバーのクラッドに入射した光は、同様
にクラッド・コアを通り抜けることを繰り返し出射面に
到達する。以上のように、光ファイバーアレイで画像を
伝達する際、光の漏れが発生し、この光の漏れが画質を
低下させる要因となる。
その間口角以上の角度で入射した光は、コアとクラッド
との境界面において全反射を起こさすクラッドを経て隣
接する光ファイバーに伝わることになり、これを繰り返
し、出射面に到達する。また光ファイバーアレイ入射面
において光ファイバーのクラッドに入射した光は、同様
にクラッド・コアを通り抜けることを繰り返し出射面に
到達する。以上のように、光ファイバーアレイで画像を
伝達する際、光の漏れが発生し、この光の漏れが画質を
低下させる要因となる。
したがって、この光の漏れを吸収する目的で光フアイバ
ー間に光を吸収するガラスからなる吸収体を挿入したE
MA (Extra Mural Absorptio
n)型の光ファイバーアレイが考案されているが、これ
を密着型イメージセンサに用いた場合には読み取るべき
原稿面を照明することができないという問題点がある。
ー間に光を吸収するガラスからなる吸収体を挿入したE
MA (Extra Mural Absorptio
n)型の光ファイバーアレイが考案されているが、これ
を密着型イメージセンサに用いた場合には読み取るべき
原稿面を照明することができないという問題点がある。
また、受光素子アレイを形成する基板にガラス基板等の
透光性基板を用いた場合、光源の光が透。
透光性基板を用いた場合、光源の光が透。
光性基板の側面を介して直接透光性基板内に入るから、
受光素子アレイが裏側から照射されることになる。一方
、゛受光索子アレイを形成する基板が光を透過させない
非透光性基板の場合でも、該基板と光ファイバーアレイ
とのすき間に光源の光か入り、この光が受光素子アレイ
に到達して漏れ光となる。これらの光は原稿での反射を
介さずに光源から直接受光素子アレイに到達するので、
必要な原稿の情報を含んでおらず逆にノイズとなる。
受光素子アレイが裏側から照射されることになる。一方
、゛受光索子アレイを形成する基板が光を透過させない
非透光性基板の場合でも、該基板と光ファイバーアレイ
とのすき間に光源の光か入り、この光が受光素子アレイ
に到達して漏れ光となる。これらの光は原稿での反射を
介さずに光源から直接受光素子アレイに到達するので、
必要な原稿の情報を含んでおらず逆にノイズとなる。
さらに、読み取るべき原稿を照射する光源は、原稿上の
読み取るべき部分だけを照射するのてはなく、ある広が
りを持っているため、光源は原稿の読み取るべき部分の
前後をも照射してしまう。
読み取るべき部分だけを照射するのてはなく、ある広が
りを持っているため、光源は原稿の読み取るべき部分の
前後をも照射してしまう。
このため受光素子アレイの直上の上記読み取るへき部分
より光源に近い側が、例えば、光の反射の大きな白い原
稿(いわゆる原稿のブランク部分)である場合、このブ
ランク部分における反射光が光ファイバーアレイにその
側面から侵入し、クラッド・コアを通り抜けることを繰
り遍した後出射面に到達することになる。この光は原稿
からの反射光ではあるが、原稿上の読み取るべき部分か
らの反射光ではないため、読み取るべき原稿の情報を含
んでいない。したがって、この光は画質を低下させるノ
イズになるという問題点がある。
より光源に近い側が、例えば、光の反射の大きな白い原
稿(いわゆる原稿のブランク部分)である場合、このブ
ランク部分における反射光が光ファイバーアレイにその
側面から侵入し、クラッド・コアを通り抜けることを繰
り遍した後出射面に到達することになる。この光は原稿
からの反射光ではあるが、原稿上の読み取るべき部分か
らの反射光ではないため、読み取るべき原稿の情報を含
んでいない。したがって、この光は画質を低下させるノ
イズになるという問題点がある。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、超小型
・超薄型で光学謂整が不要な高画質の密着型イメージセ
ンサを提供することを目的としている。
・超薄型で光学謂整が不要な高画質の密着型イメージセ
ンサを提供することを目的としている。
(ニ)課題を解決するための手段
上記の問題点を解決するため、本発明は読み取るべき原
稿を照射する光源と、上記原稿からの反射光を電気信号
に変換する受光素子アレイと、上記原稿と上記受光素子
アレイとの間に配置した光ファイバーアレイ部とを有す
る密着型イメージセンサにおいて、光ファイバーアレイ
部が上記受光素子アレイ側に配置され、各光ファイバー
に吸収体を被覆した光ファイバーアレイと、上記原稿側
(こ配置され、各光ファイバーに吸収体を被覆しない光
ファイバーアレイとを積層して戊り、上記光源からの照
射光が原稿を介さずに直接受光素子アレイに到達するこ
とを防ぐための第1の遮光体を少なくとも上記光源と上
記受光素子アレイとの間に有し、上記光源から照射光が
上記原稿の読み取るべき部分以外の原稿部分にて反射さ
れ受光素子アレイに到達することを防ぐための第2の遮
光体を上記光源と上記光ファイバーアレイ部との間に有
する構成としている。
稿を照射する光源と、上記原稿からの反射光を電気信号
に変換する受光素子アレイと、上記原稿と上記受光素子
アレイとの間に配置した光ファイバーアレイ部とを有す
る密着型イメージセンサにおいて、光ファイバーアレイ
部が上記受光素子アレイ側に配置され、各光ファイバー
に吸収体を被覆した光ファイバーアレイと、上記原稿側
(こ配置され、各光ファイバーに吸収体を被覆しない光
ファイバーアレイとを積層して戊り、上記光源からの照
射光が原稿を介さずに直接受光素子アレイに到達するこ
とを防ぐための第1の遮光体を少なくとも上記光源と上
記受光素子アレイとの間に有し、上記光源から照射光が
上記原稿の読み取るべき部分以外の原稿部分にて反射さ
れ受光素子アレイに到達することを防ぐための第2の遮
光体を上記光源と上記光ファイバーアレイ部との間に有
する構成としている。
この発明における光ファイバーアレイは、コア部および
クラッド部から構成される複数の光ファイバーが、送信
原稿の進行方向(第1図における図示Eで示す矢印方向
)に対して直角な方向(第1図〜第3図において図示F
で示す■中方向)に原稿の横幅に対応する幅で並設可能
に隣接されてなる。例えばA 4 ?4+の原稿を用い
る場合、光ファイバーは、第1図において、F方向に2
16mm程度の幅、E方向に1〜2jIy程度の幅を有
するよう多数本の光ファイバーから構成されている。
クラッド部から構成される複数の光ファイバーが、送信
原稿の進行方向(第1図における図示Eで示す矢印方向
)に対して直角な方向(第1図〜第3図において図示F
で示す■中方向)に原稿の横幅に対応する幅で並設可能
に隣接されてなる。例えばA 4 ?4+の原稿を用い
る場合、光ファイバーは、第1図において、F方向に2
16mm程度の幅、E方向に1〜2jIy程度の幅を有
するよう多数本の光ファイバーから構成されている。
そして、光ファイバーアレイ部は、受光素子アレイ上に
、各光ファイバーにそれぞれ吸収体を被覆した光ファイ
バーアレイと各光ファイバーにそれぞれ光吸収体を被覆
しない光ファイバーアレイを順次積層してなる。
、各光ファイバーにそれぞれ吸収体を被覆した光ファイ
バーアレイと各光ファイバーにそれぞれ光吸収体を被覆
しない光ファイバーアレイを順次積層してなる。
この発明における吸収体としては、光を吸収するガラス
を用いることが好ましいが、要は、光を吸収できるもの
であればこれに限らない。
を用いることが好ましいが、要は、光を吸収できるもの
であればこれに限らない。
この発明における遮光体としては、ケースと同じ材料の
樹脂、例えば、ABS、ポリカーボネートや、黒色のゴ
ム系材料あるいは、蒸着法、スパッタ法により形成され
たAI、Cr等の金属薄膜が好ましいものとして挙げら
れる。
樹脂、例えば、ABS、ポリカーボネートや、黒色のゴ
ム系材料あるいは、蒸着法、スパッタ法により形成され
たAI、Cr等の金属薄膜が好ましいものとして挙げら
れる。
この発明における光源としては、棒状レンズを備えたL
EDアレイ基板や、棒状レンズを用いないでLEDアレ
イチップを備えたLEDアレイ基板などを用いることが
好ましい。
EDアレイ基板や、棒状レンズを用いないでLEDアレ
イチップを備えたLEDアレイ基板などを用いることが
好ましい。
(ホ)作用
上記の様に本発明では、光ファイバーアレイ部を2種の
光ファイバーアレイを積層することにより構成し、各光
ファイバーに吸収体を被覆しない光ファイバーアレイを
読み取るべき原稿側に配置することにより、原稿面を容
易に照明することができる上に、各光ファイバーに吸収
体を被覆した光ファイバーアレイを受光素子アレイ叫に
配置することにより、上層に位置する、吸収体を被覆し
ない光ファイバーアレイに光ファイバーの開口角以上の
角度で入射した光や光ファイバーのクラッドに入射した
光、すなわち画質を低下させる漏れ光が受光素子アレイ
に到達する前に吸収体によって吸収されて受光素子アレ
イ面での画質の低下を防止することできる。
光ファイバーアレイを積層することにより構成し、各光
ファイバーに吸収体を被覆しない光ファイバーアレイを
読み取るべき原稿側に配置することにより、原稿面を容
易に照明することができる上に、各光ファイバーに吸収
体を被覆した光ファイバーアレイを受光素子アレイ叫に
配置することにより、上層に位置する、吸収体を被覆し
ない光ファイバーアレイに光ファイバーの開口角以上の
角度で入射した光や光ファイバーのクラッドに入射した
光、すなわち画質を低下させる漏れ光が受光素子アレイ
に到達する前に吸収体によって吸収されて受光素子アレ
イ面での画質の低下を防止することできる。
また、読み取るべき原稿を照射する光源と受光素子アレ
イとのFjlt:第1の遮光体を設けることにより、上
記光源の光が受光素子アレイを形成する透光性絶縁基板
の一方側面から直接透光性絶縁基板内に入り、該絶縁基
板に載置された受光素子アレイを裏面から照射すること
を防ぐことができる。
イとのFjlt:第1の遮光体を設けることにより、上
記光源の光が受光素子アレイを形成する透光性絶縁基板
の一方側面から直接透光性絶縁基板内に入り、該絶縁基
板に載置された受光素子アレイを裏面から照射すること
を防ぐことができる。
また、受光素子アレイを形成する基板が光を透過させな
い非透光性絶縁基板の場合においてら、該基板と光ファ
イバーアレイとのすき間に上記光源の光が入り受光素子
アレイに到達することを防ぐことができる。さらに、上
記光源と光ファイバーアレイとの間に第2の遮光体を設
けることにより、受光素子アレイの直上の読み取るべき
原稿部分より特に上記光源に近い側が白い原稿である場
合、その白い原稿部分からの反射光が光ファイバーにそ
の側面から浸入し、受光素子アレイに到達することを防
ぐことができる。
い非透光性絶縁基板の場合においてら、該基板と光ファ
イバーアレイとのすき間に上記光源の光が入り受光素子
アレイに到達することを防ぐことができる。さらに、上
記光源と光ファイバーアレイとの間に第2の遮光体を設
けることにより、受光素子アレイの直上の読み取るべき
原稿部分より特に上記光源に近い側が白い原稿である場
合、その白い原稿部分からの反射光が光ファイバーにそ
の側面から浸入し、受光素子アレイに到達することを防
ぐことができる。
(へ)実施例
以下図面に沿って本発明の実施例を詳細に説明する。な
お、これによってこの発明は限定を受けるものではない
。
お、これによってこの発明は限定を受けるものではない
。
第1図は本発明の第1の実施例の密着型イメージセンサ
を示し、第2図は各光ファイバーに吸収体を被覆しない
光ファイバーアレイプレートを示す。また、第3図は各
光ファイバーに吸収体を被覆した光ファイバーアレイプ
レートを示す。
を示し、第2図は各光ファイバーに吸収体を被覆しない
光ファイバーアレイプレートを示す。また、第3図は各
光ファイバーに吸収体を被覆した光ファイバーアレイプ
レートを示す。
第2図において、19は光フアイバーコア部、20は光
フアイバークラッド部を示し、7は吸収体を被覆しない
光ファイバーアレイを示す。また、9は光ファイバーア
レイ7を挟み込むベースガラス部を示し、ベースガラス
部9で光ファイバーアレイ7を挟み込み融着することに
より一枚の光ファイバーアレイプレートとなる。
フアイバークラッド部を示し、7は吸収体を被覆しない
光ファイバーアレイを示す。また、9は光ファイバーア
レイ7を挟み込むベースガラス部を示し、ベースガラス
部9で光ファイバーアレイ7を挟み込み融着することに
より一枚の光ファイバーアレイプレートとなる。
第2図において、21〜24は光ファイバーアレイ7に
入る光の進路を示している。22は光フアイバークラッ
ド部20に入射した光の進路を、23は光ファイバーの
開口角以上の角度で光フアイバーコア部19に入射した
光の進路を示し、また24は光ファイバーアレイ7の側
面から入射した光の進路を示し、各光ファイバーに吸収
体を被覆しない光ファイバーアレイプレートが一枚の場
合、すなわち、該プレートが単独で使用された場合には
、絶縁基板2上に形成された受光素子アレイIの上方以
外からの光(本来必要な情報を含まない光)が受光素子
アレイ1(こ到達することがわかる。
入る光の進路を示している。22は光フアイバークラッ
ド部20に入射した光の進路を、23は光ファイバーの
開口角以上の角度で光フアイバーコア部19に入射した
光の進路を示し、また24は光ファイバーアレイ7の側
面から入射した光の進路を示し、各光ファイバーに吸収
体を被覆しない光ファイバーアレイプレートが一枚の場
合、すなわち、該プレートが単独で使用された場合には
、絶縁基板2上に形成された受光素子アレイIの上方以
外からの光(本来必要な情報を含まない光)が受光素子
アレイ1(こ到達することがわかる。
そして本来必要な情報を含んだ光は21て示す経路にて
受光索子アレイIに到達するのて、上記22〜24で示
した光はノイズとなり画質の低下を招く。
受光索子アレイIに到達するのて、上記22〜24で示
した光はノイズとなり画質の低下を招く。
また、第3図において、1は絶縁基板2上に形成された
受光素子アレイで、25は光フアイバーコア部、26は
光フアイバークラッド部、27は各光ファイバーに被覆
した吸収体を示し、8は吸収体を被覆した光ファイバー
アレイを示す。10は第2図の場合と同様のベースガラ
ス部を示す。
受光素子アレイで、25は光フアイバーコア部、26は
光フアイバークラッド部、27は各光ファイバーに被覆
した吸収体を示し、8は吸収体を被覆した光ファイバー
アレイを示す。10は第2図の場合と同様のベースガラ
ス部を示す。
第3図における28〜31は光ファイバーアレイ8に入
る光の進路を示しており、それぞれ第2図の21〜24
に相当する。しかし、29〜31て示すノイズとなり得
る光は各光ファイバーに被覆した光吸収体(以下、単に
吸収体という)27により吸収され、受光素子アレイ1
には到達しない。したがって、本来必要な情報を含んだ
光28のみが受光素子アレイ1に到達し、画質の低下を
防止できろ。しかし、各光ファイバーに吸収体を被覆し
た光ファイバーアレイプレートが一枚の場合、すなわち
、該プレートが単独で使用された場合には、原稿面を照
射することができない。
る光の進路を示しており、それぞれ第2図の21〜24
に相当する。しかし、29〜31て示すノイズとなり得
る光は各光ファイバーに被覆した光吸収体(以下、単に
吸収体という)27により吸収され、受光素子アレイ1
には到達しない。したがって、本来必要な情報を含んだ
光28のみが受光素子アレイ1に到達し、画質の低下を
防止できろ。しかし、各光ファイバーに吸収体を被覆し
た光ファイバーアレイプレートが一枚の場合、すなわち
、該プレートが単独で使用された場合には、原稿面を照
射することができない。
以下、これら2種類の異なった光ファイバーアレイ、す
なわち、光ファイバーアレイ8および光ファイバーアレ
イ7を受光素子アレイl上に、順次積層した本発明の一
実施例を第1図に示す。
なわち、光ファイバーアレイ8および光ファイバーアレ
イ7を受光素子アレイl上に、順次積層した本発明の一
実施例を第1図に示す。
第1図において、lは絶縁基板2上に形成された受光素
子アレイ、3は受光素子アレイlの駆動用LSI5を実
装する基板、4は受光素子アレイlを形成した絶縁基板
2と実装基板3を貼付は一体化した補助基板、6は実装
した駆動用LSI5を保護するJ CB (Junct
ion Coating Re5in)などの保護樹脂
を示し、各光ファイバーに吸収体を被覆しない光ファイ
バーアレイ7の両側をベースガラス部9で挟み込み融着
一体化した光ファイバーアレイプレートA及び各光ファ
イバーに吸収体27を被覆した光ファイバーアレイ8の
両側をベースガラス部1Gで挟み込み融着一体化した光
ファイバーアレイプレートBを積層し、この積層したも
のを受光素子アレイI上に組み込む。そして読み取るべ
き原稿18を照射する光源としては、棒状レンズ12を
備えたLEDアレイ基[11を用いており、本LEDア
レイ基tillはLEDアレイ基板用の放熱板13に固
定されている。さらに、第1の遮光体15と第2の遮光
体I6を一体化した、例えば、ABS、ポリカーボネー
ト等の樹脂からなるケース14に以上の部品を組み込み
最後に押さえ板17にて固定する。
子アレイ、3は受光素子アレイlの駆動用LSI5を実
装する基板、4は受光素子アレイlを形成した絶縁基板
2と実装基板3を貼付は一体化した補助基板、6は実装
した駆動用LSI5を保護するJ CB (Junct
ion Coating Re5in)などの保護樹脂
を示し、各光ファイバーに吸収体を被覆しない光ファイ
バーアレイ7の両側をベースガラス部9で挟み込み融着
一体化した光ファイバーアレイプレートA及び各光ファ
イバーに吸収体27を被覆した光ファイバーアレイ8の
両側をベースガラス部1Gで挟み込み融着一体化した光
ファイバーアレイプレートBを積層し、この積層したも
のを受光素子アレイI上に組み込む。そして読み取るべ
き原稿18を照射する光源としては、棒状レンズ12を
備えたLEDアレイ基[11を用いており、本LEDア
レイ基tillはLEDアレイ基板用の放熱板13に固
定されている。さらに、第1の遮光体15と第2の遮光
体I6を一体化した、例えば、ABS、ポリカーボネー
ト等の樹脂からなるケース14に以上の部品を組み込み
最後に押さえ板17にて固定する。
この実施例のものは上記構成を有するから、各光ファイ
バーに吸収体を被覆しない光ファイバーアレイプレート
Aを原稿18側に、吸収体27を被覆した光ファイバー
アレイプレートBを受光素子アレイlの側に積層配置す
ることにより、第2図の22〜24で示すノイズとなり
得る光は受光素子アレイlの側に配置された吸収体27
を被覆した光ファイバーアレイ8の吸収体27により吸
収され、受光素子アレイlには原稿I8の必要な情報を
含んだ光のみが到達する。
バーに吸収体を被覆しない光ファイバーアレイプレート
Aを原稿18側に、吸収体27を被覆した光ファイバー
アレイプレートBを受光素子アレイlの側に積層配置す
ることにより、第2図の22〜24で示すノイズとなり
得る光は受光素子アレイlの側に配置された吸収体27
を被覆した光ファイバーアレイ8の吸収体27により吸
収され、受光素子アレイlには原稿I8の必要な情報を
含んだ光のみが到達する。
さらに本実施例においては、第1図の15,16で示す
ケース一体となった第1の遮光体15と第2の遮光体1
6を有する。
ケース一体となった第1の遮光体15と第2の遮光体1
6を有する。
また、絶縁基板2として透光性のガラス基板を用いてい
るが、第iの遮光体15によりLEDアレイ基板11か
ら発せられた光が直接絶縁基板2の一方側面2aから侵
入して受光素子アレイlを裏側から照射すること、絶縁
基板2と吸収体27を被覆した光ファイバーアレイ8と
のすきMcに直接光が入り込んで該直接光が受光素子ア
レイlに到達することを防止できる。
るが、第iの遮光体15によりLEDアレイ基板11か
ら発せられた光が直接絶縁基板2の一方側面2aから侵
入して受光素子アレイlを裏側から照射すること、絶縁
基板2と吸収体27を被覆した光ファイバーアレイ8と
のすきMcに直接光が入り込んで該直接光が受光素子ア
レイlに到達することを防止できる。
また、第1図において、LEDアレイ基11iE11か
ら発仕られた光は棒状レンズ12により授与れてはいる
が、受光素子アレイ1の直上における原稿の必要な原稿
部分だけでなく、それよりLEDアレイ基板11側の原
稿部分18aをも照射するため、この部分18aが白い
原稿の場合、この部分18aから反射光か最終的に受光
素子アレイlに到達することになる。これは吸収体を被
覆しない被覆ファイバーアレイ7にその側面から上記反
射光が侵入して光ファイバーアレイ7の内部の一本一本
の光フアイバー間で複雑な反射・数社をくり返し、その
一部の光が吸収体27を被覆した光ファイバーアレイ8
の光ファイバーに捕らえられるためと考えられる。
ら発仕られた光は棒状レンズ12により授与れてはいる
が、受光素子アレイ1の直上における原稿の必要な原稿
部分だけでなく、それよりLEDアレイ基板11側の原
稿部分18aをも照射するため、この部分18aが白い
原稿の場合、この部分18aから反射光か最終的に受光
素子アレイlに到達することになる。これは吸収体を被
覆しない被覆ファイバーアレイ7にその側面から上記反
射光が侵入して光ファイバーアレイ7の内部の一本一本
の光フアイバー間で複雑な反射・数社をくり返し、その
一部の光が吸収体27を被覆した光ファイバーアレイ8
の光ファイバーに捕らえられるためと考えられる。
また、光ファイバーアレイ8の吸収体27の吸収性能が
悪い場合には、光ファイバーアレイ8の側面から上記反
射光か侵入し受光素子アレイlにその一部の光が到達す
ることら考えられる。
悪い場合には、光ファイバーアレイ8の側面から上記反
射光か侵入し受光素子アレイlにその一部の光が到達す
ることら考えられる。
従って、本実施例では、更に、第2の導光体16を設け
たものである。
たものである。
すなわち、第1図において、16て示す第2の遮光体は
上記反射光による画質の低下を防ぐために設けたもので
、これによりLEDアレイ基板11から発せられ棒状レ
ンズ12で絞られた光が、受光素子アレイ1の直上近傍
のみを照射し、吸収体を被覆しない光ファイバーアレイ
7よりLED基板11側のベースガラス9上の原稿部分
18aにLED光が極力照射されない様にLED光を絞
ることができる。
上記反射光による画質の低下を防ぐために設けたもので
、これによりLEDアレイ基板11から発せられ棒状レ
ンズ12で絞られた光が、受光素子アレイ1の直上近傍
のみを照射し、吸収体を被覆しない光ファイバーアレイ
7よりLED基板11側のベースガラス9上の原稿部分
18aにLED光が極力照射されない様にLED光を絞
ることができる。
以上のように本実施例では、各光ファイバーに吸収体を
被覆しない光ファイバーアレイプレートAを原稿側に、
各光ファイバーに吸収体27を被覆した光ファイバーア
レイプレートBを受光素子アレイ側に積層配置するとと
もに、光源12と受光素子アレイlとの間に第1の遮光
体I5を設け、また、光源12と光ファイバーアレイプ
レートBとの間に第2の遮光体16を設けることにより
、高画質の密着型イメージセンサを実現することかでき
る。
被覆しない光ファイバーアレイプレートAを原稿側に、
各光ファイバーに吸収体27を被覆した光ファイバーア
レイプレートBを受光素子アレイ側に積層配置するとと
もに、光源12と受光素子アレイlとの間に第1の遮光
体I5を設け、また、光源12と光ファイバーアレイプ
レートBとの間に第2の遮光体16を設けることにより
、高画質の密着型イメージセンサを実現することかでき
る。
また、第【図に示した第1の実施例では、第1の遮光体
ら第2の遮光体らケース一体化とする構成であるが、ケ
ースに一体化せずに各遮光体をそれぞれ独立に用いた第
2または第3の実施例をそれぞれ第4図及び第5図に示
す。
ら第2の遮光体らケース一体化とする構成であるが、ケ
ースに一体化せずに各遮光体をそれぞれ独立に用いた第
2または第3の実施例をそれぞれ第4図及び第5図に示
す。
第4図、第5図とも第1〜3図と同じ部分には同じ番号
を付けである。
を付けである。
まず、第4図において、LEDアレイ基板11と受光素
子アレイ1との間の第1の遮光体33としては、光を透
過させない例えば黒色のゴム系材料を棒状にしたものを
使用している。このゴム系材料を使用することにより、
第1の遮光体33と、光ファイバーに吸収体を被覆した
光ファイバーアレイ8およびベースガラスIOからなる
光ファイバーアレイプレートBとの間の遮光性を考える
と、棒状のゴム33がベースガラス部10に密着するこ
とから、第1図に示す第1の実施例より遮光効果を向上
できる。
子アレイ1との間の第1の遮光体33としては、光を透
過させない例えば黒色のゴム系材料を棒状にしたものを
使用している。このゴム系材料を使用することにより、
第1の遮光体33と、光ファイバーに吸収体を被覆した
光ファイバーアレイ8およびベースガラスIOからなる
光ファイバーアレイプレートBとの間の遮光性を考える
と、棒状のゴム33がベースガラス部10に密着するこ
とから、第1図に示す第1の実施例より遮光効果を向上
できる。
さらに、第4図において、第2の遮光体34としては、
光ファイバーアレイプレートBのベースガラス部10の
LEDアレイ基板111!Iの面に、例えば、At、C
r等の金属を蒸着法あるいはスパッタ法等により形成し
た金属薄膜を利用している。
光ファイバーアレイプレートBのベースガラス部10の
LEDアレイ基板111!Iの面に、例えば、At、C
r等の金属を蒸着法あるいはスパッタ法等により形成し
た金属薄膜を利用している。
次に、第3の実施例について説明する。
第5図において、本実施例では各光ファイバーに吸収体
を被覆した光ファイバーアレイ8のLEDアレイ基板i
t側のベースガラス部(第1.4図参照)を無くし、L
EDアレイ基板11と受光素子アレイ1との間の遮光を
上記第1.2の各実施例よりら容易におこなえるように
したものである。
を被覆した光ファイバーアレイ8のLEDアレイ基板i
t側のベースガラス部(第1.4図参照)を無くし、L
EDアレイ基板11と受光素子アレイ1との間の遮光を
上記第1.2の各実施例よりら容易におこなえるように
したものである。
すなわち、吸収体を被覆した光ファイバーアレイ8のL
EDアレイ基板1t@Iのベースガラス部を無くすこと
により、第1の遮光体36をコスト的に有利なケース一
体型にした上、LED基板llと受光素子アレイlとの
間の遮光性を第1図に示す実施例より高めることができ
る。
EDアレイ基板1t@Iのベースガラス部を無くすこと
により、第1の遮光体36をコスト的に有利なケース一
体型にした上、LED基板llと受光素子アレイlとの
間の遮光性を第1図に示す実施例より高めることができ
る。
さらに、本実施例においては、第2の遮光体37として
第4図に示す第2の実施例と同様に、光ファイバーアレ
イプレートのLEDアレイ基Hi■側の面に形成した金
属薄膜を利用しているが、吸収体を被覆しない光ファイ
バーアレイ7のベースガラス部9のLEDアレイ基板l
l側の面に薄膜を形成した点が第4図に示す第2の実施
例と異なっている。
第4図に示す第2の実施例と同様に、光ファイバーアレ
イプレートのLEDアレイ基Hi■側の面に形成した金
属薄膜を利用しているが、吸収体を被覆しない光ファイ
バーアレイ7のベースガラス部9のLEDアレイ基板l
l側の面に薄膜を形成した点が第4図に示す第2の実施
例と異なっている。
以上、種々の遮光体を有する第1〜第3の実施例につい
て述べたが、要はLEDアレイ基板11と受光素子アレ
イIとの間の遮光および/またはLEDアレイ基板11
と光ファイバーアレイプレートA、Bとの間の遮光が効
率よくできればよいわけで、上記各実施例に限定される
ことがないのはもちろんである。
て述べたが、要はLEDアレイ基板11と受光素子アレ
イIとの間の遮光および/またはLEDアレイ基板11
と光ファイバーアレイプレートA、Bとの間の遮光が効
率よくできればよいわけで、上記各実施例に限定される
ことがないのはもちろんである。
最後に、第4の実施例として超薄型の密着型イメージセ
ンサの実施例を第6図に示す。
ンサの実施例を第6図に示す。
本実施例においては、棒状レンズを使用しないLEDア
レイ基板39 [40はLEDアレイチップを示す]を
LEDアレイ基板39用の放ち板41に固定した上でケ
ース42に組み込むことにより、超薄型の密着型イメー
ジセンサを実現できる。
レイ基板39 [40はLEDアレイチップを示す]を
LEDアレイ基板39用の放ち板41に固定した上でケ
ース42に組み込むことにより、超薄型の密着型イメー
ジセンサを実現できる。
ここで、第1の遮光体43、第2の遮光体44について
は、第5図に示す第3の実施例と同様である。
は、第5図に示す第3の実施例と同様である。
(ト)発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、各光ファイバーに
吸収体を被覆しない光ファイバーアレイプレートを原稿
側に、各光ファイバーに吸収体を被覆した光ファイバー
アレイプレートを受光素子アレイ側に積層配置した上、
光源と受光素子アレイとの間及び/または光源と光ファ
イバーアレイプレート間に遮光体を設けることにより、
原稿面を容易に照明することができるとともに、ノイズ
になり得る漏れ光を確実にカットして高分解能を実現で
きる。また、光ファイバーアレイプレートを用いること
により光路長を極めて短くできるため、ロッドレンズア
レイに比べて格段に小型の密着型イメージセンサが実現
可能である。
吸収体を被覆しない光ファイバーアレイプレートを原稿
側に、各光ファイバーに吸収体を被覆した光ファイバー
アレイプレートを受光素子アレイ側に積層配置した上、
光源と受光素子アレイとの間及び/または光源と光ファ
イバーアレイプレート間に遮光体を設けることにより、
原稿面を容易に照明することができるとともに、ノイズ
になり得る漏れ光を確実にカットして高分解能を実現で
きる。また、光ファイバーアレイプレートを用いること
により光路長を極めて短くできるため、ロッドレンズア
レイに比べて格段に小型の密着型イメージセンサが実現
可能である。
さらに本発明によれば、光源として捧しンズ無しのLE
Dアレイ基板を用いることにより、極めて薄型化を図る
ことができる。
Dアレイ基板を用いることにより、極めて薄型化を図る
ことができる。
また、従来の縮小光学系を有するイメージセンサやロッ
ドレンズアレイを用いた密着型イメージセンサを比較す
るとより小型化できろこと及び保護ガラスを光ファイバ
ーアレイプレートと兼ねた構造で部品点数を少なくでき
ろことから、材料費が低減できるとともに、光学系の調
整が不要なためこの工数を削減できるため、低コスト化
に有利である。
ドレンズアレイを用いた密着型イメージセンサを比較す
るとより小型化できろこと及び保護ガラスを光ファイバ
ーアレイプレートと兼ねた構造で部品点数を少なくでき
ろことから、材料費が低減できるとともに、光学系の調
整が不要なためこの工数を削減できるため、低コスト化
に有利である。
第1図、第4図、第5図、第6図はそれぞれ本発明の第
1〜4の実施例を示す構成説明図、第2図は上記各実施
例における各光ファイバーに吸収体を被覆しない光ファ
イバーを示す要部構成説明図、第3図は上記各実施例に
おける各光ファイバーに吸収体を被覆した光ファイバー
を示す要部構成説明図である。 l・・・・・・受光素子アレイ、 7・・・・・・各光ファイバーに吸収体を被覆しない光
ファイバーアレイ、 8・・・・・・各光ファイバーに吸収体を被覆した光フ
ァイバーアレイ、 9・・・・・・吸収体を被覆しない光ファイバーアレイ
のベースガラス部、 IO・・・・・・吸収体を被覆した光ファイバーアレイ
のベースガラス部、 11・・・・・・LEDアレイ基板、 I2・・・・・・棒状レンズ、 13・・・・・LEDアレイ基板用放熱板、14.32
,35.42・・・・・ケース、15.36.43・・
・・・・ケース一体型の第1の遮光体、 16・・・・・・ケース一体型の第2の遮光体、17.
38.45・・・・・・押え板、18・・・・・・原稿
、19.25・・・・・・光フアイバーコア部、20.
26・・・・・・光フアイバークラッド部、21.28
・・・・・・読み取るべき原稿の情報を含んだ光の進路 22.29・・・・・・光フアイバークラッド部に入射
した光の進路、 23.30・・・・・・光ファイバーの開口角以上の角
度で光フアイバーコア部に入射 した光の進路、 24.31・・・・・・光ファイバーアレイの側面から
入射した光の進路、 27・・・・・・光ファイバーに被覆した吸収体、33
・・・・・・棒状のゴム系材料を使用した第1の遮光体
、 34.37.44・・・・・・金属薄膜を用いた第2の
遮光体、 39・・・・・・棒状レンズ無しのLEDアレイ基板、
40・・・・・・LEDアレイチップ、41・・・・・
・棒状レンズ無しのLEDアレイ基板用放熱板。
1〜4の実施例を示す構成説明図、第2図は上記各実施
例における各光ファイバーに吸収体を被覆しない光ファ
イバーを示す要部構成説明図、第3図は上記各実施例に
おける各光ファイバーに吸収体を被覆した光ファイバー
を示す要部構成説明図である。 l・・・・・・受光素子アレイ、 7・・・・・・各光ファイバーに吸収体を被覆しない光
ファイバーアレイ、 8・・・・・・各光ファイバーに吸収体を被覆した光フ
ァイバーアレイ、 9・・・・・・吸収体を被覆しない光ファイバーアレイ
のベースガラス部、 IO・・・・・・吸収体を被覆した光ファイバーアレイ
のベースガラス部、 11・・・・・・LEDアレイ基板、 I2・・・・・・棒状レンズ、 13・・・・・LEDアレイ基板用放熱板、14.32
,35.42・・・・・ケース、15.36.43・・
・・・・ケース一体型の第1の遮光体、 16・・・・・・ケース一体型の第2の遮光体、17.
38.45・・・・・・押え板、18・・・・・・原稿
、19.25・・・・・・光フアイバーコア部、20.
26・・・・・・光フアイバークラッド部、21.28
・・・・・・読み取るべき原稿の情報を含んだ光の進路 22.29・・・・・・光フアイバークラッド部に入射
した光の進路、 23.30・・・・・・光ファイバーの開口角以上の角
度で光フアイバーコア部に入射 した光の進路、 24.31・・・・・・光ファイバーアレイの側面から
入射した光の進路、 27・・・・・・光ファイバーに被覆した吸収体、33
・・・・・・棒状のゴム系材料を使用した第1の遮光体
、 34.37.44・・・・・・金属薄膜を用いた第2の
遮光体、 39・・・・・・棒状レンズ無しのLEDアレイ基板、
40・・・・・・LEDアレイチップ、41・・・・・
・棒状レンズ無しのLEDアレイ基板用放熱板。
Claims (1)
- 1、読み取るべき原稿を照射する光源と上記原稿からの
反射光を電気信号に変換する受光素子アレイと、上記原
稿と受光素子アレイとの間に配置した光ファイバーアレ
イ部とを有する密着型イメージセンサにおいて、上記光
ファイバーアレイ部が、各光ファイバーに光吸収体を被
覆した光ファイバーアレイと上記光吸収体を被覆しない
光ファイバーアレイを積層して成り、かつ光吸収体を被
覆した光ファイバーアレイを受光素子アレイ側に配し、
光吸収体を被覆しない光ファイバーアレイを原稿側に配
してなり、上記光源と上記受光素子アレイ間及び/また
は上記光源と上記光ファイバーアレイ間にそれぞれ第1
および第2の遮光体を有することを特徴とする密着型イ
メージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1218111A JPH0380663A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1218111A JPH0380663A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0380663A true JPH0380663A (ja) | 1991-04-05 |
Family
ID=16714802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1218111A Pending JPH0380663A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0380663A (ja) |
-
1989
- 1989-08-23 JP JP1218111A patent/JPH0380663A/ja active Pending
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